JP2008118040A - 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法とこれを用いた情報の書き込み方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1導電型の半導体基板2上に、第2導電型の第1不純物拡散領域4及び第2不純物拡散領域3を有し、両領域間に、第1絶縁膜5、電荷蓄積層6、第2絶縁膜7、及び第1ゲート電極8を下から順に積層してなる第1積層部15と、第3絶縁膜9及び第2ゲート電極10を下から順に積層してなる第2積層部と、を有するメモリセル1を備えて構成される不揮発性半導体記憶装置であって、前記第1積層部15と前記第2積層部16とに挟まれた領域が、不純物密度が前記第1及び第2不純物拡散領域より低く5×1012ions/cm2以下に設定されている前記第2導電型の第3不純物拡散領域13で構成される。
【選択図】 図2
Description
図1は、本発明装置の一構成例であるEEPROMの全体的な概略構成を示すブロック図である。図1に示される本発明装置20は、複数のメモリセルがマトリクス状に配列されてなるメモリセルアレイ21、データ入出力端子23、入力バッファ24、ドレイン電圧制御回路25、カラムデコーダ26、アドレス入力端子27、アドレスバッファ28、ロウデコーダ29、ゲート電圧制御回路31、出力バッファ32、センスアンプ33、ソース電圧制御回路34、及び各制御回路及びバッファ等を制御する制御手段(不図示)を備えて構成される。
次に、図1に示される本発明装置20が備えるメモリセルアレイ21の製造方法について説明する。尚、以下では、誤解の恐れのない範囲内で図2に記載されたメモリセル1内の符号を用いて、図8(a)〜図8(e)に示される製造工程に係る各断面図を参照して説明を行う。
)。尚、ここでいう所定領域とは、メモリセル21を構成する各メモリセル内のメモリセルトランジスタ形成領域(厳密には第1積層部15形成領域)を指す。
以下において、別実施形態について説明を行う。
2: 半導体基板
3: 第2不純物拡散領域(ソース領域)
4: 第1不純物拡散領域(ドレイン領域)
5: 第1絶縁膜
6: 電荷蓄積層
7: 第2絶縁膜
8: 第1ゲート電極
9: 第3絶縁膜
10: 第2ゲート電極
11: アクセストランジスタ
12: メモリセルトランジスタ
13: 第3不純物拡散領域
15: 第1積層部
16: 第2積層部
20: 本発明に係る不揮発性半導体記憶装置
21: メモリセルアレイ
23: データ入出力端子
24: 入力バッファ
25: ドレイン電圧制御回路
26: カラムデコーダ
27: アドレス入力端子
28: アドレスバッファ
29: ロウデコーダ
31: ゲート電圧制御回路
32: 出力バッファ
33: センスアンプ
34: ソース電圧制御回路
90: 従来構成の不揮発性半導体記憶装置
91: 従来構成の不揮発性半導体記憶装置が備える不純物拡散領域
94: 従来構成の不揮発性半導体記憶装置
95: 従来構成の不揮発性半導体記憶装置
CL1: コントロール線
DL1: ドレインビット線
SL1: ソースビット線
WL1: ワード線
Claims (15)
- 第1導電型の半導体基板上に、第2導電型の第1不純物拡散領域及び第2不純物拡散領域を有し、当該第1及び第2不純物拡散領域間に、第1絶縁膜、電荷蓄積層、第2絶縁膜、及び第1ゲート電極を下から順に積層してなる第1積層部と、第3絶縁膜及び第2ゲート電極を下から順に積層してなる第2積層部と、を有するメモリセルを備えて構成される不揮発性半導体記憶装置であって、
前記第1積層部と前記第2積層部とに挟まれた第3不純物拡散領域が、前記第2導電型の不純物密度が前記第1及び第2不純物拡散領域より低く5×1012ions/cm2以下に設定されている第3不純物拡散領域であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第3不純物拡散領域の上部に何れのゲート電極も配置されていないことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1不純物拡散領域、前記第2不純物拡散領域、前記第1ゲート電極、及び前記第2ゲート電極に対して夫々所定の書き込み電圧が印加される第1状態の下では、前記第3不純物拡散領域内に高電界状態が形成され、当該第3不純物拡散領域から前記電荷蓄積層に対してホットキャリアのソースサイドインジェクションによる電荷注入の結果、情報の書き込みが行われることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1状態の下では、前記第2積層部下部のチャネルが弱反転状態を形成することを特徴とする請求項3に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2不純物拡散領域内の不純物密度が1×1015ions/cm2以上に設定されていることを特徴とする請求項1〜請求項4の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第2絶縁膜と前記第3絶縁膜とが同じ絶縁性材料で形成されることを特徴とする請求項1〜請求項5の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極とが同じ導電性材料で形成されることを特徴とする請求項1〜請求項6の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記メモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列してなるメモリセルアレイを備え、
前記メモリセルアレイの構成領域以外の周辺回路領域内に、前記第2絶縁膜と同じ絶縁性材料、前記第1ゲート電極と同じ導電性材料、及び前記第2導電型の不純物拡散領域を有して構成されるトランジスタを備えることを特徴とする請求項1〜請求項7の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
前記第1積層部の形成予定領域に前記第1絶縁膜及び前記電荷蓄積層を形成する第1工程と、
前記第1工程終了後、絶縁性材料及び導電性材料を順次堆積後、所定領域以外に堆積された両材料を除去することで、前記第1積層部及び前記第2積層部を形成する第2工程と、
前記第2工程終了後、前記第3不純物拡散領域に不純物密度が5×1012ions/cm2以下となるように前記第2導電型の不純物を注入する第3工程と、
前記第1不純物拡散領域及び前記第2不純物拡散領域を含む領域に不純物密度が5×1012ions/cm2より高い所定の密度となるように前記第2導電型の不純物を注入する第4工程と、を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第3工程と前記第4工程において注入される不純物が、前記第1積層部或いは前記第2積層部を構成する前記導電性材料をマスクとして注入されることを特徴とする請求項9に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第4工程において注入される不純物の密度が1×1015ions/cm2以上の範囲内であることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第1積層部の前記導電性材料によって情報を記憶するためのメモリセルトランジスタのコントロールゲート電極が形成され、前記第2積層部の前記導電性材料によって前記メモリセルトランジスタに対する導通を制御するためのアクセストランジスタのゲート電極が形成されることを特徴とする請求項9〜請求項11の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第2工程において堆積される前記導電性材料を利用して、前記半導体基板上に汎用論理回路を形成する工程を有することを特徴とする請求項9〜請求項12に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第2工程において、前記メモリセルが行方向及び列方向に夫々複数配列されてなるメモリセルアレイの構成領域以外の周辺回路領域内の第1所定領域に前記絶縁性材料及び前記導電性材料を堆積すると共に、前記第4工程において前記周辺回路領域内の第2所定領域に前記第2導電型の不純物を注入して不純物拡散領域を形成することで、前記周辺回路領域内に前記絶縁性材料、前記導電性材料及び前記不純物拡散領域を有してなるトランジスタが形成されることを特徴とする請求項9〜請求項13の何れか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第1不純物拡散領域、前記第2不純物拡散領域、前記第1ゲート電極、及び前記第2ゲート電極に対して夫々所定の書き込み電圧を印加することで情報の書き込みを行う請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置における情報の書き込み方法であって、
前記第2ゲート電極に対して、前記第2積層部下部のチャネルの閾値電圧近傍の電圧を印加することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置における情報の書き込み方法。
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