JP6232200B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
図1において、1は例えば4つのメモリセル2a,2b,2c,2dが2行2列に配置された不揮発性半導体記憶装置を示し、これらメモリセル2a,2b,2c,2dのうち、例えば任意に選択されたメモリセル2aにデータを書き込み得るようになされている。この場合、不揮発性半導体記憶装置1は、2本のビット線BL1,BL2が設けられているとともに、2本のワード線WL1,WL2が設けられており、ビット線BL1,BL2およびワード線WL1,WL2が交差する位置にメモリセル2a,2b,2c,2dが配置されている。
次に本発明の不揮発性半導体記憶装置1においてデータの書き込み動作について以下説明する。図1は、複数のメモリセル2a,2b,2c,2dのうち、1行1列目のメモリセル2aにのみデータを書き込む際の各部位の電圧値を示している。なお、ここでは、データの書き込みが行われるメモリセル2aを選択メモリセル3aと呼び、データの書き込みを行わないメモリセル2b,2c,2dを非選択メモリセル3bと呼ぶ。
次に、不揮発性半導体記憶装置1において、データを読み出す際の電圧印加について以下説明する。図1との対応部分に同一符号を付して示す図4は、メモリセル2a,2b,2c,2dのうち、1行目のメモリセル2a,2bのデータを読み出す際の各部位の電圧値を示している。なお、ここでは、データを読み出すメモリセル2a,2bを読み出しメモリセル3cと呼び、データを読み出さないメモリセル2c,2dを非読み出しメモリセル3dと呼ぶ。また、この場合、メモリセル2a,2b,2c,2dのうちメモリセル2bにだけデータが書き込まれ、その他のメモリセル2a,2c,2dにはデータが書き込まれていないものとする。さらに、ここでは、フローティングゲートFGに電子が蓄積された状態(データが書き込まれているとき)を例えば「0」とし、フローティングゲートFGに電子が蓄積されてない状態(データが書き込まれていないとき)を「1」とする。
次に、この不揮発性半導体記憶装置1において、メモリセル2a,2b,2c,2dのデータを消去する際の電圧印加について以下説明する。不揮発性半導体記憶装置1におけるデータの消去動作としては、例えばバンド間トンネル電流(ここでは、接合リーク電流とも呼ぶ)に起因するホール注入を用いた消去方法や、フローティングゲートFGとなるメモリトランジスタMGA2のゲート電極MG2エッジおよびソースドレイン領域SD4および逆極性型ソースドレイン領域SD5(図3)間のエッジトンネル放出を用いた消去方法、FNトンネル放出を用いた消去方法等、フローティングゲートFGから電子を放出させるか、或いはフローティングゲートFGにホール(正孔)を注入する技術であれば種々の消去方法を用いても良い。
以上の構成において、不揮発性半導体記憶装置1では、第2活性領域ER2に形成されたN型の不純物拡散層10と、同じく第2活性領域ER2に形成され、不純物拡散層10と逆極性のP型の逆極性型不純物拡散層11と、不純物拡散層10および逆極性型不純物拡散層11間の第2活性領域ER2上にゲート絶縁膜G2を介して配置されたフローティングゲートFGとなるゲート電極MG2とを備えたメモリトランジスタMGA2を設けるようにした。
なお、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であり、例えばメモリセル2aが1つや2つ等その他種々の数からなる不揮発性半導体記憶装置であっても良い。また、図1〜図6において、データ書き込み時や、データ読み出し時、データ消去時における各電圧値をそれぞれ明記しているが、本発明はこれに限らず、種々の電圧値を適用してもよい。本発明では、データ書き込み時、メモリトランジスタMGA2において、チャネル領域CH4と接した逆極性型不純物拡散層11の端部にて接合リーク電流が発生可能で、またフローティングゲートFGの電位が発生したキャリアを注入するように印加されればよく、例えば、不純物拡散層10に5[V]、フローティングゲートFGたるゲート電極MG2に8[V]、逆極性型不純物拡散層11に0[V]を印加してもよい。
また、上述した実施の形態においては、リードトランジスタMGA1のチャネル層にデプリート型チャネル領域CH1を形成し、フローティングゲートFGとデプリート型チャネル領域CH1との相乗効果でフローティングゲートFGの電圧を次第に上昇させてゆく場合について述べたが、本発明はこれに限らず、フローティングゲートFGを共有するカップリングキャパシタを、リードトランジスタMGA1とは別に設け、カップリングキャパシタを高電位にすることによってフローティングゲートFGの電位を強制的に上昇させ、これによりメモリトランジスタMGA2のチャネル領域CH4をオンさせるようにしても良い。
2a,2b,2c,2d メモリセル
10 不純物拡散層
11 逆極性型不純物拡散層
BL1,BL2 ビット線
CH4 チャネル領域
FG フローティングゲート
MGA1 リードトランジスタ(トランジスタ)
MGA2 メモリトランジスタ
MG2 ゲート電極
PL1,PL2 プログラムイレース線(プログラム線)
SGA スイッチトランジスタ
SG スイッチゲート電極
SL ソース線
WL1,WL2 ワード線
Claims (5)
- フローティングゲートにキャリアを注入可能なメモリトランジスタと、前記メモリトランジスタと前記フローティングゲートを共有するトランジスタと、を備えたメモリセルを1または複数有する不揮発性半導体記憶装置であって、
前記メモリトランジスタは、
活性領域に形成されたN型またはP型の不純物拡散層と、前記活性領域に形成され、該不純物拡散層と逆極性のP型またはN型の逆極性型不純物拡散層とを備え、前記フローティングゲートとなるゲート電極が、前記不純物拡散層および前記逆極性型不純物拡散層間の前記活性領域上にゲート絶縁膜を介して配置されており、
前記不純物拡散層はプログラムイレース線に電気的に接続され、
前記逆極性型不純物拡散層は、前記プログラムイレース線に電気的に接続されておらず、かつ、前記活性領域と短絡されており、
前記不純物拡散層および前記逆極性型不純物拡散層間のチャネル領域を導通状態とし、前記チャネル領域と前記逆極性型不純物拡散層との境界に発生した電位により、キャリアを前記フローティングゲートに注入し、
前記トランジスタは、
前記フローティングゲートの下部領域にデプリート型チャネル領域とエンハンスメント型チャネル領域とが形成されており、
前記フローティングゲートに前記キャリアを注入する際、前記フローティングゲートの電圧値を変化させ、前記メモリトランジスタの前記チャネル領域を導通状態とさせる
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記トランジスタはリードトランジスタであり、
前記メモリセルは、前記リードトランジスタを介して得られる読み出し電圧の変化を基に、前記フローティングゲートにキャリアが注入されているか否かを判断する
ことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリセルは、スイッチゲート電極を有したスイッチトランジスタを備え、
前記リードトランジスタの一端にはソース線が接続されているとともに、前記スイッチトランジスタの一端にはビット線が接続されており、前記リードトランジスタの他端と前記スイッチトランジスタの他端とが電気的に接続され、該リードトランジスタおよび該スイッチトランジスタが直列に配置された構成を有する
ことを特徴とする請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリトランジスタは、
データの消去時、前記チャネル領域を非導通状態とし、前記チャネル領域と前記不純物拡散層との境界に発生した電位により、前記フローティングゲートに蓄積している前記キャリアとは逆導電型のキャリアを該フローティングゲートに注入することで、データを消去する
ことを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 複数の前記メモリセルが行方向と列方向に配置されており、
前記行方向に配置された前記メモリセルの前記メモリトランジスタの前記不純物拡散層は、同じ前記プログラムイレース線に接続されており、
前記列方向に配置された前記メモリセルの前記トランジスタの一端は、同じソース線に接続されている
ことを特徴とする請求項1または2記載の不揮発性半導体記憶装置。
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