JP2014135475A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板に対して、所定元素、塩素および酸素を含み所定元素と酸素との化学結合を有する原料ガスを供給する工程と、基板に対して、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む反応ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、所定元素と、酸素と、を含む膜を形成する工程を有する。
【選択図】図5
Description
そこで、酸化膜(SiO膜)と比較して誘電率が高い窒化膜(SiN膜)をトンネル絶縁膜として用いることも考えられるが、SiN膜は欠陥密度が高く、その低減が求められている。欠陥として知られているダングリングボンドなどの構造欠陥は容易に水素と結合するため、膜中の水素原子が多い膜は欠陥密度の高い膜と言い換えることができ、水素を含まない高品質なSiN膜が求められている。
基板に対して、所定元素、塩素および酸素を含み前記所定元素と酸素との化学結合を有する原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む反応ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、前記所定元素と、酸素と、を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して所定元素、塩素および酸素を含み前記所定元素と酸素との化学結合を有する原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記反応ガスを供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、前記所定元素と、酸素と、を含む膜を形成する処理を行うように、前記原料ガス供給系および前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
処理室内の基板に対して所定元素、塩素および酸素を含み前記所定元素と酸素との化学結合を有する原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む反応ガスを供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、前記所定元素と、酸素と、を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
(1)基板処理装置の構成
図1に示されているように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜としての窒化膜または酸窒化膜を成膜する方法の例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される(圧力調整)。なお、真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される(温度調整)。なお、ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構267によりボート217及びウエハ200の回転を開始する(ウエハ回転)。なお、回転機構267によるボート217及びウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。その後、後述する4つのステップを順次実行する。
第1ガス供給管232aのバルブ243a、第1不活性ガス供給管232jのバルブ243jを開き、第1ガス供給管232aにSi2Cl6Oガス、第1不活性ガス供給管232jにN2ガスを流す。Si2Cl6Oガスは、第1ガス供給管232aから流れ、MFC241aにより流量調整される。N2ガスは、第1不活性ガス供給管232jから流れ、MFC241jにより流量調整される。流量調整されたSi2Cl6Oガスは、流量調整されたN2ガスと第1ガス供給管232a内で混合されて、第1ノズル233aのガス供給孔248aから、加熱された減圧状態の処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してSi2Cl6Oガスが供給されることとなる(Si2Cl6Oガス供給工程)。
ウエハ200上にシリコンおよび酸素を含む層が形成された後、第1ガス供給管232aのバルブ243aを閉じ、Si2Cl6Oガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコンおよび酸素を含む層の形成に寄与した後のSi2Cl6Oガスを処理室201内から排除する。また、バルブ243j,243k,243lは開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコンおよび酸素を含む層の形成に寄与した後のSi2Cl6Oガスを処理室201内から排除する効果を更に高めることができる(第1のパージ工程)。
処理室201内の残留ガスを除去した後、NH3ガスを処理室201内のウエハ200に対して供給してシリコンおよび酸素を含む層の窒化処理を行う(NH3ガス供給工程)。
シリコンおよび酸素を含む層をシリコン窒化層またはシリコン酸窒化層へと変化させた後、第2ガス供給管232bのバルブ243b及び第3ガス供給管232cのバルブ243cをそれぞれ閉じ、NH3ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン窒化層またはシリコン酸窒化層形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。また、バルブ243k,243l,243jは開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン窒化層またはシリコン酸窒化層形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する効果を更に高めることができる(第2のパージ工程)。
所定膜厚のシリコン窒化膜またはシリコン酸窒化膜が成膜されると、バルブ243j,243k,243lを開き、各不活性ガス供給系から不活性ガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスが処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200がボート217に保持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済みのウエハ200はボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板に対して、所定元素、塩素および酸素を含み前記所定元素と酸素との化学結合を有する原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む反応ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、前記所定元素と、酸素と、を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
付記1に記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記サイクルを、前記原料ガスに含まれる前記所定元素と酸素との化学結合の少なくとも一部が保持される条件下で、所定回数行う。
付記1または2に記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記原料ガスに含まれる前記所定元素と酸素との化学結合の少なくとも一部が保持される条件下で、前記原料ガスを供給する。
付記1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記原料ガスに含まれる前記所定元素と酸素との化学結合の少なくとも一部が保持される条件下で、前記原料ガスを供給することで、前記基板上に前記所定元素および酸素を含む層を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記所定元素および酸素を含む層に含まれる前記所定元素と酸素との化学結合の少なくとも一部が保持される条件下で、前記反応ガスを供給することで、前記所定元素および酸素を含む層を改質する。
付記1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記原料ガスに含まれる前記所定元素と酸素との化学結合の少なくとも一部が保持される条件下で、前記原料ガスを供給することで、前記基板上に前記所定元素および酸素を含む層を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記所定元素および酸素を含む層に含まれる前記所定元素と酸素との化学結合の少なくとも一部が保持される条件下で、前記反応ガスを供給することで、前記所定元素および酸素を含む層を、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、前記所定元素と、酸素と、を含む層に改質する。
付記1乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスはシロキサンを含む。
付記1乃至6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスは、ヘキサクロロジシロキサン、テトラクロロジシロキサン、ペンタクロロジシロキサン、オクタクロロトリシロキサン、デカクロロテトラシロキサン、およびドデカクロロペンタシロキサンからなる群より選択される少なくとも1つを含む。
付記1乃至7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスは、ヘキサクロロジシロキサン(Si2Cl6O)を含む。
付記1乃至8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記反応ガスは、窒素含有ガス(窒化ガス)、炭素含有ガス(炭化水素系ガス)、窒素および炭素を含むガス(アミン系ガス、有機ヒドラジン系ガス)、硼素含有ガス、および、硼素、窒素および炭素を含むガス(ボラジン系ガス)からなる群より選択される少なくとも1つを含む。
付記1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記基板上に前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記反応ガスとして窒素含有ガスを供給し、前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を、前記所定元素を含む酸窒化層(前記所定元素、酸素および窒素を含む層)に改質する。
付記1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記基板上に前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記反応ガスとして炭素含有ガスを供給し、前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を、前記所定元素を含む酸炭化層(前記所定元素、酸素および炭素を含む層)に改質する。
付記1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記基板上に前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記反応ガスとして炭素含有ガスおよび窒素含有ガスを供給し、前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を、前記所定元素を含む酸炭窒化層(前記所定元素、酸素、炭素および窒素を含む層)に改質する。
付記1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記基板上に前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記反応ガスとして窒素および炭素を含むガスを供給し、前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を、前記所定元素を含む酸炭窒化層(前記所定元素、酸素、炭素および窒素を含む層)に改質する。
付記1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記基板上に前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記反応ガスとして硼素含有ガスを供給し、前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を、前記所定元素を含む硼酸化層(前記所定元素、硼素および酸素を含む層)に改質する。
付記1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記基板上に前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記反応ガスとして硼素含有ガスおよび窒素含有ガスを供給し、前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を、前記所定元素を含む硼酸窒化層(前記所定元素、硼素、酸素および窒素を含む層)に改質する。
付記1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記基板上に前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記反応ガスとして硼素含有ガス、炭素含有ガスおよび窒素含有ガスを供給し、前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を、前記所定元素を含む硼酸炭窒化層(前記所定元素、硼素、酸素、炭素および窒素を含む層)に改質する。
付記1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記基板上に前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記反応ガスとして硼素、窒素および炭素を含むガスを供給し、前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を、前記所定元素を含む硼酸炭窒化層(前記所定元素、硼素、酸素、炭素および窒素を含む層)に改質する。
付記1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記原料ガスを供給する工程では、前記基板上に前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記反応ガスとして硼素、窒素および炭素を含むガスおよび窒素含有ガスを供給し、前記所定元素および酸素を含む層(前記所定元素を含む酸化層)を、前記所定元素を含む硼酸炭窒化層(前記所定元素、硼素、酸素、炭素および窒素を含む層)に改質する。
付記1乃至18のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記所定元素は半導体元素および金属元素のうち少なくともいずれかを含む。
付記1乃至18のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記所定元素はシリコンを含む。
本発明の他の態様によれば、
基板に対して、所定元素、塩素および酸素を含み前記所定元素と酸素との化学結合を有する原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む反応ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、前記所定元素と、酸素と、を含む膜を形成する工程を有する基板処理方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して所定元素、塩素および酸素を含み前記所定元素と酸素との化学結合を有する原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記反応ガスを供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、前記所定元素と、酸素と、を含む膜を形成する処理を行うように、前記原料ガス供給系および前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
処理室内の基板に対して所定元素、塩素および酸素を含み前記所定元素と酸素との化学結合を有する原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む反応ガスを供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、前記所定元素と、酸素と、を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラム、および、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
202 処理炉(処理容器)
Claims (5)
- 基板に対して、所定元素、塩素および酸素を含み前記所定元素と酸素との化学結合を有する原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む反応ガスを供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、前記所定元素と、酸素と、を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 前記サイクルを、前記原料ガスに含まれる前記所定元素と酸素との化学結合の少なくとも一部が保持される条件下で、所定回数行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記原料ガスを供給する工程では、前記原料ガスに含まれる前記所定元素と酸素との化学結合の少なくとも一部が保持される条件下で、前記原料ガスを供給することで、前記基板上に前記所定元素および酸素を含む層を形成し、
前記反応ガスを供給する工程では、前記所定元素および酸素を含む層に含まれる前記所定元素と酸素との化学結合の少なくとも一部が保持される条件下で、前記反応ガスを供給することで、前記所定元素および酸素を含む層を改質する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して所定元素、塩素および酸素を含み前記所定元素と酸素との化学結合を有する原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記反応ガスを供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、前記所定元素と、酸素と、を含む膜を形成する処理を行うように、前記原料ガス供給系および前記反応ガス供給系を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 処理室内の基板に対して所定元素、塩素および酸素を含み前記所定元素と酸素との化学結合を有する原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む反応ガスを供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、窒素、炭素および硼素からなる群より選択される少なくとも1つの元素と、前記所定元素と、酸素と、を含む膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラム。
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