JP2014110426A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 少なくとも１つの発熱構成要素を有するプリント回路基板（ＰＣＢ）用のクラムシェル組立体であって、
   クラムシェルの第１の部分を画定する上部熱面と、
   前記上部熱面から離間され、前記ＰＣＢを保持するためのＰＣＢ小室を少なくとも部分的に画定し、前記クラムシェルの第２の部分を画定する下部熱面と、
   前記上部熱面および前記下部熱面の一方に設置された相変化材料を備えるヒートシンクとを備え、前記クラムシェルの第１及び第２の部分が結合され、前記ＰＣＢを内包する筐体を画定するクラムシェル組立体。
2. 前記ヒートシンクと前記少なくとも１つの発熱構成要素が共通のプラットフォームを有する、請求項１記載のクラムシェル組立体。
3. 前記ヒートシンクが、前記少なくとも１つの発熱構成要素と間接的に伝導接触する、請求項１または２に記載のクラムシェル組立体。
4. 前記発熱構成要素および前記ヒートシンクからの伝導路の少なくとも一部を形成する熱パッドと、
   前記発熱構成要素の少なくとも一部に重なる熱面をさらに備え、前記熱パッドが前記熱面に当接しており、前記熱パッドが前記伝導路の一部を形成する、請求項３記載のクラムシェル組立体。
5. 前記相変化材料の少なくとも一部が、前記少なくとも１つの発熱構成要素と位置合わせされる、請求項１乃至４のいずれかに記載のクラムシェル回路基板組立体。
6. 前記少なくとも１つの発熱構成要素と、前記ヒートシンクの少なくとも１つと、前記ヒートシンクが設置される前記上部熱面および下部熱面の一方と直接熱接触する熱パッドをさらに備える、請求項１乃至４のいずれかに記載のクラムシェル回路基板組立体。
7. 前記熱パッドが、前記ヒートシンクが設置される前記上部熱面および下部熱面の一方と直接熱接触し、
   前記熱パッドおよび前記ヒートシンクが、前記ヒートシンクが設置される前記上部熱面および下部熱面の一方の対向する側にある、請求項１乃至６のいずれかに記載のクラムシェル回路基板組立体。
8. 前記ヒートシンクが、前記上部熱面に設置される第１のヒートシンクと、前記下部熱面に設置される第２のヒートシンクとを備える、請求項１乃至７のいずれかに記載のクラムシェル回路基板組立体。
9. 前記相変化材料が、パラフィンワックスとアンモニアのうちの一方であり、
   前記相変化材料が、高度の放射作用の熱伝達放射率のために追加材料を含み、
   前記ヒートシンクが、前記相変化材料を保持する熱伝導フレームをさらに備え、
   前記熱伝導フレームが蜂の巣として構成される、請求項１乃至８のいずれかに記載のクラムシェル回路基板組立体。