JP2014099451A5 - - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 39
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012249244A JP5776670B2 (ja) | 2012-11-13 | 2012-11-13 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 |
| TW105104898A TWI584353B (zh) | 2012-11-13 | 2013-11-12 | 磊晶矽晶圓及固體攝影元件的製造方法 |
| TW102141073A TWI585826B (zh) | 2012-11-13 | 2013-11-12 | 磊晶矽晶圓的製造方法及固體攝影元件的製造方法 |
| US14/078,286 US9117676B2 (en) | 2012-11-13 | 2013-11-12 | Method of producing epitaxial silicon wafer, epitaxial silicon wafer, and method of producing solid-state image sensing device |
| US14/799,435 US9397172B2 (en) | 2012-11-13 | 2015-07-14 | Semiconductor epitaxial wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012249244A JP5776670B2 (ja) | 2012-11-13 | 2012-11-13 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014099451A JP2014099451A (ja) | 2014-05-29 |
| JP2014099451A5 true JP2014099451A5 (enExample) | 2015-04-23 |
| JP5776670B2 JP5776670B2 (ja) | 2015-09-09 |
Family
ID=50682098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012249244A Active JP5776670B2 (ja) | 2012-11-13 | 2012-11-13 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9117676B2 (enExample) |
| JP (1) | JP5776670B2 (enExample) |
| TW (2) | TWI585826B (enExample) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140009565A (ko) * | 2011-05-13 | 2014-01-22 | 가부시키가이샤 사무코 | 반도체 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법, 반도체 에피택셜 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법 |
| JP5776669B2 (ja) | 2012-11-13 | 2015-09-09 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 |
| JP6531729B2 (ja) * | 2016-07-19 | 2019-06-19 | 株式会社Sumco | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
| JP6299835B1 (ja) * | 2016-10-07 | 2018-03-28 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
| JP6724852B2 (ja) * | 2017-04-19 | 2020-07-15 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層厚の測定方法、及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
| JP6852703B2 (ja) * | 2018-03-16 | 2021-03-31 | 信越半導体株式会社 | 炭素濃度評価方法 |
| JP7207204B2 (ja) * | 2019-07-02 | 2023-01-18 | 信越半導体株式会社 | 炭素ドープシリコン単結晶ウェーハの製造方法 |
| JP7416270B2 (ja) * | 2020-08-26 | 2024-01-17 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
| KR20250133738A (ko) * | 2023-02-22 | 2025-09-08 | 가부시키가이샤 사무코 | 에피택셜 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법, 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| WO2024226131A1 (en) * | 2023-04-25 | 2024-10-31 | Applied Materials, Inc. | Macrocell architectural structures for heat exchange in epitaxial growth processing equipment |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3311004B2 (ja) * | 1991-03-28 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| JP3384506B2 (ja) * | 1993-03-30 | 2003-03-10 | ソニー株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
| US6284384B1 (en) * | 1998-12-09 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering |
| JP4718668B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2011-07-06 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP5010091B2 (ja) * | 2003-11-13 | 2012-08-29 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 高抵抗シリコンウェーハ |
| EP1723667A4 (en) * | 2004-02-14 | 2009-09-09 | Tel Epion Inc | METHOD FOR THE PRODUCTION OF DOTED AND UNDOTIZED SUSTAINED SEMICONDUCTOR FILMS AND SEMICONDUCTOR FILMS BY GAS CLUSTER ION RADIATION |
| US7666771B2 (en) * | 2005-12-09 | 2010-02-23 | Semequip, Inc. | System and method for the manufacture of semiconductor devices by the implantation of carbon clusters |
| EP2027586A4 (en) * | 2006-06-13 | 2010-11-24 | Semequip Inc | ION EMBELLER AND METHOD FOR ION IMPLANTATION |
| JP2008294245A (ja) | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ |
| JP2010040864A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Sumco Corp | エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法 |
| JP2010114409A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-05-20 | Sony Corp | Ｓｏｉ基板とその製造方法、固体撮像装置とその製造方法、および撮像装置 |
| JP5099023B2 (ja) | 2009-01-27 | 2012-12-12 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウエーハの製造方法及び固体撮像素子の製造方法 |
| JP2011054879A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Sumco Corp | 裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法。 |
| JP2011151318A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012059849A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
2012
- 2012-11-13 JP JP2012249244A patent/JP5776670B2/ja active Active
-
2013
- 2013-11-12 US US14/078,286 patent/US9117676B2/en active Active
- 2013-11-12 TW TW102141073A patent/TWI585826B/zh active
- 2013-11-12 TW TW105104898A patent/TWI584353B/zh active
-
2015
- 2015-07-14 US US14/799,435 patent/US9397172B2/en active Active
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