JP2014082354A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014082354A5
JP2014082354A5 JP2012229710A JP2012229710A JP2014082354A5 JP 2014082354 A5 JP2014082354 A5 JP 2014082354A5 JP 2012229710 A JP2012229710 A JP 2012229710A JP 2012229710 A JP2012229710 A JP 2012229710A JP 2014082354 A5 JP2014082354 A5 JP 2014082354A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
gas supply
supply plate
processing apparatus
plasma processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012229710A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2014082354A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012229710A priority Critical patent/JP2014082354A/ja
Priority claimed from JP2012229710A external-priority patent/JP2014082354A/ja
Priority to US13/953,924 priority patent/US10665448B2/en
Priority to KR20130093351A priority patent/KR101495230B1/ko
Publication of JP2014082354A publication Critical patent/JP2014082354A/ja
Publication of JP2014082354A5 publication Critical patent/JP2014082354A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2012229710A 2012-10-17 2012-10-17 プラズマ処理装置 Pending JP2014082354A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012229710A JP2014082354A (ja) 2012-10-17 2012-10-17 プラズマ処理装置
US13/953,924 US10665448B2 (en) 2012-10-17 2013-07-30 Plasma processing apparatus
KR20130093351A KR101495230B1 (ko) 2012-10-17 2013-08-06 플라즈마 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012229710A JP2014082354A (ja) 2012-10-17 2012-10-17 プラズマ処理装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017015281A Division JP6368808B2 (ja) 2017-01-31 2017-01-31 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014082354A JP2014082354A (ja) 2014-05-08
JP2014082354A5 true JP2014082354A5 (https=) 2015-09-17

Family

ID=50474310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012229710A Pending JP2014082354A (ja) 2012-10-17 2012-10-17 プラズマ処理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10665448B2 (https=)
JP (1) JP2014082354A (https=)
KR (1) KR101495230B1 (https=)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9100205B1 (en) * 2011-07-20 2015-08-04 Google Inc. System for validating site configuration based on real-time analytics data
JP6078419B2 (ja) * 2013-02-12 2017-02-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置の制御方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP6501493B2 (ja) * 2014-11-05 2019-04-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6681228B2 (ja) * 2016-03-14 2020-04-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス エッチング装置及びエッチング方法
JP6474943B2 (ja) * 2016-05-27 2019-02-27 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置
US10256003B2 (en) 2017-01-31 2019-04-09 Plansee Japan Ltd. Blind-vented electrode
JP6772117B2 (ja) 2017-08-23 2020-10-21 株式会社日立ハイテク エッチング方法およびエッチング装置
JP2019109980A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US10984987B2 (en) * 2018-10-10 2021-04-20 Lam Research Corporation Showerhead faceplate having flow apertures configured for hollow cathode discharge suppression
KR102386601B1 (ko) 2019-04-22 2022-04-15 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 방법 및 플라스마 처리 장치
JP7110492B2 (ja) 2020-06-16 2022-08-01 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP7523553B2 (ja) 2021-10-21 2024-07-26 株式会社日立ハイテク エッチング方法およびエッチング装置
JP7611127B2 (ja) * 2021-12-13 2025-01-09 東京エレクトロン株式会社 上部電極及びプラズマ処理装置
US12581881B2 (en) 2022-03-07 2026-03-17 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing method
KR102826180B1 (ko) 2022-04-26 2025-06-27 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 방법
KR102815089B1 (ko) 2022-04-28 2025-06-04 주식회사 히타치하이테크 에칭 방법
US12555747B2 (en) * 2022-07-01 2026-02-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and systems for dry etching

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5074456A (en) * 1990-09-18 1991-12-24 Lam Research Corporation Composite electrode for plasma processes
US6004885A (en) * 1991-12-26 1999-12-21 Canon Kabushiki Kaisha Thin film formation on semiconductor wafer
JP3360098B2 (ja) 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
KR100492258B1 (ko) * 1996-10-11 2005-09-02 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 반응가스분출헤드
US6110556A (en) * 1997-10-17 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a process chamber employing asymmetric flow geometries
US6173673B1 (en) * 1999-03-31 2001-01-16 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for insulating a high power RF electrode through which plasma discharge gases are injected into a processing chamber
US6206972B1 (en) * 1999-07-08 2001-03-27 Genus, Inc. Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes
KR20010062209A (ko) * 1999-12-10 2001-07-07 히가시 데쓰로 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
US20020127853A1 (en) * 2000-12-29 2002-09-12 Hubacek Jerome S. Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
JP3946641B2 (ja) * 2001-01-22 2007-07-18 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR100400044B1 (ko) * 2001-07-16 2003-09-29 삼성전자주식회사 간격 조절 장치를 가지는 웨이퍼 처리 장치의 샤워 헤드
US7371436B2 (en) * 2003-08-21 2008-05-13 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for depositing materials with tunable optical properties and etching characteristics
JP2006287162A (ja) 2005-04-05 2006-10-19 Nisshinbo Ind Inc 複合型電極板、それの使用方法及びそれを装着したプラズマエッチング装置
JP4557814B2 (ja) 2005-06-09 2010-10-06 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
JP4819411B2 (ja) * 2005-06-22 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20060288934A1 (en) * 2005-06-22 2006-12-28 Tokyo Electron Limited Electrode assembly and plasma processing apparatus
WO2007026889A1 (ja) * 2005-09-01 2007-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、これに用いられる誘電体窓及びその製造方法
KR101139165B1 (ko) * 2006-10-19 2012-04-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Ｔｉ계 막의 성막 방법 및 기억 매체
JP5010234B2 (ja) 2006-10-23 2012-08-29 北陸成型工業株式会社 ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法
KR20090011978A (ko) * 2007-07-27 2009-02-02 주식회사 아이피에스 샤워헤드 및 그를 가지는 반도체처리장치
JP5179389B2 (ja) * 2008-03-19 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及び基板処理装置
JP5520455B2 (ja) * 2008-06-11 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5268626B2 (ja) * 2008-12-26 2013-08-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP2010263049A (ja) * 2009-05-01 2010-11-18 Ulvac Japan Ltd ドライエッチング装置
JP5455462B2 (ja) 2009-06-23 2014-03-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5567392B2 (ja) * 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5702964B2 (ja) * 2010-07-27 2015-04-15 日本発條株式会社 アース電極の接点及びその製造方法
JP5850236B2 (ja) * 2012-01-20 2016-02-03 アイシン精機株式会社 カーボンナノチューブの製造装置及びカーボンナノチューブの製造方法
US9982343B2 (en) * 2012-12-14 2018-05-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing plasma to a process chamber

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014082354A5 (https=)
TWI244673B (en) Plasma processor, manufacturing method of plasma reactor, and processing method of plasma
TW202121619A (zh) 用於基板支撐件的整合電極和接地平面
JP2013149722A5 (https=)
JP2015528182A (ja) 粉末プラズマ処理装置
JP2017504955A5 (https=)
JP2017022216A5 (https=)
JP5798143B2 (ja) 平行平板型ドライエッチング装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2014082354A (ja) プラズマ処理装置
JP2008244274A (ja) プラズマ処理装置
TW201608935A (zh) 具有可拆卸高電阻率氣體分配板的噴淋頭
JP2015517225A5 (https=)
JP2011066033A5 (https=)
JP2013045903A5 (https=)
TW201614710A (en) Plasma uniformity control by arrays of unit cell plasmas
JP2012049376A5 (https=)
JP2015095396A5 (https=)
US20200152424A1 (en) Active gas generating apparatus
JP2017028111A5 (https=)
WO2013022306A3 (ko) 플라즈마 발생장치, 플라즈마 발생장치용 회전 전극의 제조방법, 기판의 플라즈마 처리방법, 및 플라즈마를 이용한 혼합 구조의 박막 형성방법
JP5764461B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2009054996A5 (https=)
KR20160096981A (ko) 분말 플라즈마 처리 장치
JP2012107329A5 (ja) プラズマ処理装置
JP2020017419A (ja) プラズマ発生装置