JP7110492B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
本発明は、プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法に関する。
特許文献1には、エッチング処理の歩留まりを向上させるため、処理対象の膜の残り厚さを精密に検出する技術が開示されている。エッチング処理対象は、下地膜上に被処理膜が積層された膜構造を有するウエハであり、プラズマからの光が膜構造に照射されることにより、膜間の境界、界面部で反射して反射光を発生する。下地膜からの反射光と被処理膜からの反射光との間には光路差が生じるため、干渉光が形成される。干渉光の強度は、エッチングの進行に伴い、被処理膜の残り厚さが減少することに応じて変化する。そこで、特許文献1開示の技術においては、処理中に得られるウエハからの干渉光強度の実パターンデータと、あらかじめ参照用として用意した干渉光強度の実パターンデータとを比較した結果を用いて、ウエハ処理中の任意の時刻における被処理膜のエッチング量を算出する。
特許文献1においてエッチング処理の被処理膜として想定されているのは平面的に形成された膜、あるいはウエハの最上層に形成された膜である。これに対して、3次元化の進んだ半導体デバイスにおいては、2種類以上の膜が互いに積層した多層膜(積層構造体)に対して、そのうちの1種類の膜を選択的に横方向へエッチングするプロセスを有する場合がある。例えば、次世代3D-NANDフラッシュメモリのゲート電極を形成する工程には、タングステン膜と絶縁膜との積層構造体に形成された高アスペクト比の微細な幅の溝から、タングステン膜を横方向(溝の上下深さ方向に対する水平方向)にエッチングする処理が含まれている。従来、このような横方向エッチングについては、エッチングを行う時間によって、エッチング量を制御していた。エッチング量は、エッチング前後のウエハの重さの違いによって計測することができる。しかしながら、半導体デバイスの微細化により、例えば、原子層レベルの高い精度でタングステン膜をエッチングすることが求められるとすると、時間制御ではもはや困難であり、エッチング量をモニタして、エッチングの終点を判定することが必要になると考えられる。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
基板上に絶縁膜と金属を含む被処理膜とが交互に積層される多層膜が形成されたウエハに対して、被処理膜のプラズマエッチングを行うプラズマ処理装置であって、真空容器内に配置される処理室と、処理室内に配置され、ウエハが載置される試料台と、ウエハに照射された光がウエハで反射した反射光を検出する検出部と、ウエハへのプラズマ処理を制御する制御部と、反射光の光スペクトルの波長方向の振動の振幅の変化に基づき、被処理膜へのエッチングの終点を判定する終点判定部とを有し、制御部は、終点判定部による終点の判定を受けて、ウエハへのプラズマ処理を停止する。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば次のとおりである。被処理膜のエッチング量を処理中にモニタリングして終点判定が可能となることにより、エッチング処理の歩留まりを向上させることができる。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
図4A~Cに、半導体ウエハなどの基板上に形成された積層構造体にプラズマエッチングを施すことによる時間的な変化を模式的に示す。図4Aは、エッチング前の積層構造体の縦断面図である。下地膜(シリコン基板)401上に、エッチング処理対象のタングステン膜402と絶縁膜である酸化シリコン膜403とが交互に積層された多層膜(積層構造体)に高いアスペクト比の溝411が形成されている。図4Bは、横方向エッチングが進行途中の積層構造体の縦断面図である。タングステン膜402をエッチングするためにフッ素を含有するガスを用いてプラズマを形成する。プラズマ中のフッ素を含む反応種404が溝411内に供給され、タングステン膜402表面と反応してタングステンを含む反応生成物405が生成される。反応生成物405が上方に除去されることにより、タングステン膜402のエッチングが進行する。図4Cは、エッチング後の積層構造体の縦断面図である。
発明者らは、干渉光強度を用いて横方向エッチングのエッチング量をモニタする方法について検討した。データの取得方法の詳細については後述するが、図4A~Cに示した積層構造体の横方向エッチング中に外部光源からの光(外部光)を照射して、反射光を検出すると、図5のような光スペクトル(波長ごとの光の強度を示す波形)が観測される。図5は、横方向エッチングを開始してから、5秒後(細実線)、10秒後(破線)、15秒後(太実線)の光スペクトルを示している。
検出される波長ごとの光の強度は、主にウエハに照射された光源の波長ごとの光の強度と処理中の積層構造体の分光反射率によって決まる。エッチング開始前は、図4Aに示すように、溝411側のタングステン膜402と酸化シリコン膜403の端の位置は一致している。タングステンは金属としての性質を持ち、紫外~赤外領域における各波長の反射率が凡そ1であるため、エッチング開始前においては照射されたほとんどの外部光が最上層のタングステン膜で反射されることにより、外部光の光スペクトルがほぼそのまま検出される。
次に、タングステン膜402の横方向エッチングが進行した状態では、図4Bに示すように、酸化シリコンとタングステンとが境を接して上下方向に積層した領域420と、タングステンが除去された領域、いわば、酸化シリコンと真空とが境を接して上下方向に積層した領域421とが存在する。この状態において、領域420に照射された外部光のほとんどは、最上層のタングステン膜で反射された光が検出される。一方、領域421に照射された外部光は、酸化シリコンの屈折率に従って反射および透過する。領域421は複数の膜が積層された構造であるため、各層の酸化シリコン膜において多重反射が起こり、干渉光となって検出される。
干渉光の強度は、図5に示すように波長方向に振動し、その振動の周期および位相は、多重反射した膜の材質および各層の膜厚さに依存する。領域421の積層膜を構成する材質は酸化シリコンと真空であることから、検出されるスペクトルの振動の周期は、真空は屈折率1であるため無視でき、上下方向に積層した酸化シリコン膜の膜厚さによって決まる。
以上より、図4A~Cに示す横方向エッチング中の積層構造体に外部光を照射することにより検出される光スペクトルは、領域420からの反射光強度と領域421からの干渉光強度との和であり、さらに、積層構造体のタングステン膜のエッチング処理が進行することで、領域420および領域421の幅、言い換えればウエハ表面における開口率が変化することにより、横方向エッチングが進行するにつれて検出される光スペクトルは、領域420からの光強度と領域421からの光強度の割合が変化することによって変化する。タングステン膜と酸化シリコン膜の積層構造においてタングステン膜を加工するプロセスでは、酸化シリコン膜に対する選択比が非常に高く、領域421の上下方向の各層の厚さはエッチング処理中に変化しないため、領域421からの干渉光の波長方向の振動の周期および位相はエッチング期間を通じて変化しない。
図5に示すようなエッチング中に現れる光スペクトルから横方向エッチングの進行状況を推定することを検討する。一案(比較例)として、所定の波長における光強度の時間変化を用いることを検討する。図15は、図5の光スペクトルについて、波長515nm(丸印)、574nm(三角印)、658nm(四角印)における光強度の時間変化を示したものである。上述のように、領域421からの干渉光の波長方向の振動の周期および位相はエッチング期間を通じて変化しないので、特定波長における光強度は、ウエハ表面における領域420と領域421との比率によって決定されることとなる。領域421からの単位面積当たりの干渉光強度に対して、領域420からの単位面積当たりの反射光強度の方が大きいため、各波長において光強度は単調減少する。
このように、理論的には、光スペクトルにおける、ある波長における強度変化の時間変化からエッチングの進行状況を検出できる。しかしながら、実際には検出器から検出される光強度にはさまざまなノイズ成分が加算されているため、時間微分等の信号処理を行って、信号成分とノイズ成分とを分離することが一般的である。ところが、この場合、信号成分が時間に対して単調減少するため、所定の波長の光量に対して時間微分を施すと、光量の時間変化率がエッチング量にかかわらず一定であるため、光強度と横方向エッチング量との対応関係が失われてしまう。このため、図15の関係から横方向エッチング量を推定するには、ノイズ成分を除去するための信号処理に制約を受けてしまうことにより、精度面での限界がある。
これに対して、本実施例のエッチング終点判定方法では、光スペクトルの波長方向の振動を利用して精度よくエッチング量を測定する。以下、図面を参照して、エッチング量を精度よく制御可能な終点判定部を備えたプラズマ処理装置の構成、その終点判定方法について説明する。
(プラズマ処理装置)
図1にプラズマ処理装置1の概略構成を示す。プラズマ処理装置1は真空容器内部に配置される処理室10を備えている。処理室10の上方及び周囲には、図示しない同軸ケーブルとアンテナ、あるいはマイクロ波を伝播する導波管などの電界発生器、またはソレノイドコイルなどの磁界発生器が配置される。電界発生器または磁界発生器に高周波電力が供給され、高周波電界または高周波磁界が処理室10内部に供給される。
図1にプラズマ処理装置1の概略構成を示す。プラズマ処理装置1は真空容器内部に配置される処理室10を備えている。処理室10の上方及び周囲には、図示しない同軸ケーブルとアンテナ、あるいはマイクロ波を伝播する導波管などの電界発生器、またはソレノイドコイルなどの磁界発生器が配置される。電界発生器または磁界発生器に高周波電力が供給され、高周波電界または高周波磁界が処理室10内部に供給される。
また、処理室10の天井面には、その内部に試料台14上面に載せられて保持されるウエハ16を処理するためのガスが導入される複数の導入孔が配置されている。これら導入孔には、図示しない配管などのガス供給路とその上流に配置される流量調節機(MFC:Mass Flow Controller)とを備えるガス導入機構が連結されている。
プラズマ処理されるウエハ16は、試料台14の誘電体で構成された載置面に静電気により吸着されて保持される。ウエハ16の裏面と試料台14の載置面との間にはHeガスなどの熱伝達用のガスが供給されることにより、ウエハ16と試料台14との間の熱伝導が促進されている。
また、処理室10を内蔵する真空容器の下方には、処理室10内部のガスや粒子を排気して内部を減圧するターボ分子ポンプなどの排気装置が配置されている。排気装置は、試料台14下方の処理室10の底面に配置された排気口と連通され、これらの間の排気管路には、内側の流路の断面積を増減して排気の流量またはその速度を変化させる排気調節バルブが配置されている。
排気装置の動作により減圧された処理室10の内部に、ガス導入機構によりエッチング処理用ガスが導入され、排気量とガス供給量とのバランスにより、処理室10内の圧力がプラズマ処理の開始に適した圧力に調節される。この状態で、高周波電界または高周波磁界が供給され、相互作用によりエッチング処理用ガスの原子または分子が電離または解離して、処理室10内の試料台14上方の空間にプラズマ12が形成される。
本実施例では、このプラズマ中の荷電粒子及び解離して高い反応性(活性)を有する活性種の粒子がウエハ16の上面に拡散または誘導されて、ウエハ16に形成された多層膜における処理対象の膜(被処理膜)がエッチング処理(プラズマ処理)される。
処理室10内に導入するガスの種類の選択、ガスの導入量や排気量、プラズマ12の着火、生成及び消火、そのための電界や磁界の強さやその分布の制御、ウエハ16の搬送と試料台14上での保持、試料台14内に配置される電極へのバイアス電位形成用の高周波電力の供給、停止などを含むプラズマ処理装置1の動作は、それぞれの動作を行う各機器と通信可能に接続された制御部40からの指令信号に基づいて行われる。制御部40は、使用者が所望するエッチング処理の結果が得られるように、各機器間の同期やタイミングを調節する機能を有している。
さらに、本実施例のプラズマ処理装置は、プラズマ処理されるウエハ16のエッチング量を測定するためのモニタ、終点判定部を備えている。これらの構成の詳細については後述する。
(横方向エッチングプロセス)
ウエハ16上には、図4Aに示したようなタングステン膜を含む積層膜が形成されているとする。図2は、ウエハ16に形成されたタングステン膜を含む積層膜のエッチング処理の概略を示すフローチャートである。
ウエハ16上には、図4Aに示したようなタングステン膜を含む積層膜が形成されているとする。図2は、ウエハ16に形成されたタングステン膜を含む積層膜のエッチング処理の概略を示すフローチャートである。
ステップ201:処理室10にフッ素を含有する有機ガスを導入する。フッ素を含有する有機ガスとしては、C4F8やCHF3、CH2F2、CH3Fなどの他、これらのガスをアルゴンや窒素、酸素などで希釈した混合ガスでもよい。
ステップ202:処理室10内にプラズマ12を生成し、フッ素を含む有機ガスの原子または分子が活性化されて生成されたCFxなどのラジカル(活性種)がウエハ16の表面に供給され、タングステン膜の表面に付着する。ここでタングステン膜とは、タングステン単体膜に限られず、タングステンを含む複数の元素を含む金属膜であってもよい。例えば、WN膜やWSi2膜のようなものであってもよい。ラジカルなどの反応性を有する粒子は付着したタングステン膜表面の材料と反応してフルオロカーボン層を形成する。形成されるフルオロカーボン層の厚さは、プラズマ12の生成条件や試料台14の温度などの処理条件に依存する。
タングステン膜の表面に生成するフルオロカーボン層の組成としては、CFxの他、水素を含有するプラズマを用いた場合に生成されるCHxFyなどが挙げられる。CHxFyはハイドロフルオロカーボン層と呼ばれるが、ここではハイドロフルオロカーボン層も含めて、フルオロカーボン層という呼称を用いる。タングステン膜の表面とフルオロカーボン層との境界には、タングステン及びフッ素を含み自己飽和性を有した中間層が形成される。形成される中間層の厚みは試料台14あるいはウエハ16の表面の温度に応じて変化する。このため、中間層の厚さは、試料台14の温度を制御することにより調整される。
ステップ203:所定の厚さの中間層が形成されたことが検出器により、あるいは予め定められた時間の経過の確認等により、制御部40によって確認された後、排気調節バルブを制御して調圧真空排気配管の流路断面積を大きくすることにより排気量を増大させ、処理室10内部を大きく減圧させて処理室10内に供給されたフッ素を含む有機ガスを速やかに排気する。これによりフルオロカーボン層の形成処理が終了する。このとき、有機ガスと置換するようにArなどの不活性(希)ガスを処理室10内部に供給し、有機ガスの排出を促進させてもよい。
ステップ204:フルオロカーボン層と中間層とを除去するための反応ガスとして、酸素を含むガスを処理室10内に導入する。酸素を含むガスとしては、O2やO3などのほか、これらのガスをアルゴンや窒素などで希釈した混合ガスでもよい。
ステップ205:処理室10内にプラズマ12を生成し、ガスの原子または分子が活性化されて生成されたラジカル(活性種)がウエハ16の表面に供給される。その結果、酸素のラジカルを含む活性種とフルオロカーボン層および中間層との反応が生起され、揮発性を有する反応生成物が生成される。反応生成物がその揮発性のため積層膜から昇華あるいは脱離することによって、タングステン膜の表面から除去される。
反応生成物としては、例えばCOやCO2、COFx、WFx、WOxFyなどが挙げられる。ウエハ16から脱離したこれらの反応生成物の粒子は、排気調節バルブ及び排気装置の動作による処理室10内部の排気動作、これによって生じる処理室10内部の粒子の流れによって処理室10から排出される。
ステップ206:処理室10から酸素を含むガスを排気する。
以上のステップ201~206を一纏まりとした1サイクルによってフルオロカーボン層とともに中間層が除去されることにより、タングステン膜がこれらの層の厚さの分だけ除去される。
(モニタ)
本実施例のプラズマ処理装置1は、図1に示すように、プラズマ処理中に横方向エッチングにより形成される横溝深さを反映するエッチング量を測定するモニタを備えている。モニタは、処理室10内に照射する外部光を発光する光源部18、処理室10の天井面に配置され、光ファイバで連結された光源部18からの外部光を処理室10内のウエハ16に照射するレンズ20、処理室10の天井面に配置され、処理室10内のウエハ16から反射される光を受光するレンズ26、レンズ26と光ファイバで連結され、受光された光の強度を検出する検出部28、検出部28からの検出信号からプラズマ処理中のウエハ16のエッチング量に基づきエッチングの終点を判定する終点判定部30を備えている。終点判定部30の行った終点判定情報や検出信号から算出されるエッチング量は表示部31に表示される。
本実施例のプラズマ処理装置1は、図1に示すように、プラズマ処理中に横方向エッチングにより形成される横溝深さを反映するエッチング量を測定するモニタを備えている。モニタは、処理室10内に照射する外部光を発光する光源部18、処理室10の天井面に配置され、光ファイバで連結された光源部18からの外部光を処理室10内のウエハ16に照射するレンズ20、処理室10の天井面に配置され、処理室10内のウエハ16から反射される光を受光するレンズ26、レンズ26と光ファイバで連結され、受光された光の強度を検出する検出部28、検出部28からの検出信号からプラズマ処理中のウエハ16のエッチング量に基づきエッチングの終点を判定する終点判定部30を備えている。終点判定部30の行った終点判定情報や検出信号から算出されるエッチング量は表示部31に表示される。
光源部18からの外部光は、光ファイバを伝播してレンズ20を介して処理室10の天井面から導入され、照射光22としてウエハ16の上面に照射される。光源部18の照射する外部光としては紫外から赤外までの連続光を用いるものとする。なお、連続光を発光する光源ではなく、終点判定方法に応じて、特定波長の光を発光する光源を用いてもよい。照射光22がウエハ16に照射されることによる反射光24は、検出用のレンズ26で集光される。図4A~Cを用いて説明したように、反射光24は、領域420からの反射光と領域421からの反射光とを含んでいる。レンズ26で集光された反射光24は光ファイバを伝播して検出部28に導入される。
検出部28は分光器を備え、導入された反射光を分光器により複数の波長に分離し、波長ごとに光の強度を検出する。特定波長の光強度からエッチングの終点判定を行う場合には、フォトディテクタを用い、モノクロメータなどをその前段に設けることにより、特定波長の光を選択的に検出することができる。また、光源として特定波長の光源を用いる場合には、フォトディテクタによって直接検出すればよい。
図1に示すように、レンズ20及びレンズ26は処理室10の天井面に配置される。しかしながら、一般的にウエハ16の直上にはガス導入口や反応ガスなどを処理室10に均等に供給するためのシャワープレートなどが設置されているため、レンズ20及びレンズ26をウエハ16の直上に配置できない場合がある。そのような場合には、照射光22、反射光24の光路が妨げられないよう、レンズ20及びレンズ26を互いに距離をあけて配置する。この場合、照射光22の光路及び反射光24の光路(反射光24の光路は、照射光22がウエハ16で鏡面反射されて形成される光路とする)とレンズ20の光軸及びレンズ26の光軸がそれぞれ一致するよう、レンズを処理室10の天井面に傾斜させて配置することが望ましい。
なお、ウエハ16の直上にレンズを配置することが可能な場合には、照射光22と反射光24の光路が同一となるようにして、レンズ20とレンズ26とを1つのレンズで構成してもよい。この場合、1つのレンズの光軸はウエハ16に対して垂直とされ、照射光22はウエハ16に対して垂直に照射され、垂直に反射した反射光24が検出される。
さらに、光源部18、レンズ20,26及び検出部28の組を複数備え、ウエハ16上面の半径方向について複数の箇所でエッチング量の検出、終点の判定を行う構成としてもよい。この場合、複数の箇所で検出したエッチング量に対して重み付けをして求めたエッチング量の重み付け平均に基づき、プロセスの停止を制御することが可能である。
検出部28は、ウエハ16からの反射光24の強度を検出し、検出信号は、終点判定部30に送信され、後述する判定方法にしたがって横方向エッチングされたウエハ16のエッチングの終点が判定される。
(横方向エッチング終点判定方法)
図3は、終点判定部30がウエハ16の被処理膜の横方向エッチングの終点を判定するフローチャートである。
図3は、終点判定部30がウエハ16の被処理膜の横方向エッチングの終点を判定するフローチャートである。
本実施例における横方向エッチング終点判定方法では、横方向エッチング処理期間中における光スペクトルの波長方向の振動の振幅に着目する。図5の例では、およそ500~600nmの波長範囲において顕著であるが、波長方向の振動の振幅が、エッチング期間が長くなるにつれて大きくなっていることが分かる。この振幅の拡大は、ウエハからの反射光に占める、領域421(図4B参照)からの干渉光の割合が、エッチングの進行について大きくなっているためであると考えられる。このことは、波長方向の振幅の時間変化に基づいて、横方向エッチング量を算出できることを意味する。そこで、図3のフローチャートでは、ウエハ上に形成されたエッチング対象である多層膜に対して、ウエハからの反射光の光強度を計測する2波長を設定し、2波長の反射光の強度比が所定の設定値に達したときにエッチングの終点を判定する。
まず、ウエハ上に形成された横方向エッチング対象である多層膜に対して、光強度を測定する2波長を設定し、ウエハのエッチングの終点とする2波長の反射光の強度比を設定する(ステップ301)。この設定値は制御部40のHDD(Hard Disk Drive)、CD-ROM(Compact Disk-Read only memory)といった外部記憶装置やRAM(Random Access Memory)、ROMといった半導体メモリ装置等の記憶装置に記憶され、制御部40により読み出された設定値のデータが制御部40と通信可能に構成された終点判定部30に送信され、エッチングの終点の判定に用いられる。
ここで、モニタする2波長は、2波長での光強度の比に、波長方向の振幅の時間変化が反映される2波長を選択すればよい。ただし、光強度の比の変化が大きく表れるほど、ノイズ等に対してロバストな測定が行えるため、図5の例であれば、550nm近傍の光スペクトルの波長方向の振動の山となる波長と谷となる波長とを2つの波長として選択することが望ましい。このように、好適な波長は、エッチング対象である積層構造体の材料、外部光源の種類、すなわち外部光(照射光)の有する光スペクトルの特性によって変わってくるので、測定する2波長はエッチング対象とする積層構造体に応じて設定する。
制御部40はウエハの処理を開始し、処理中に得られるウエハからの反射光の光スペクトルを検出部28で検出する。検出された光スペクトルは、終点判定部30に入力される(ステップ302)。ここで、検出される反射光の光強度は、エッチング終点条件として設定した少なくとも2波長の光強度を含んでいればよく、連続光の光スペクトルであっても、測定波長として設定された2波長の光強度であってもよい。
次に、終点判定部30は、入力された2波長の光強度データについて、ステップ301で設定した強度比と同じ計算式により、強度比(測定強度比とよぶ)を算出する(ステップ303)。
次に、終点判定部30は、測定強度比と設定値とを比較する(ステップ304)。測定強度比が設定値未満であると判定された場合には、ステップ302の処理に戻る。測定強度比が設定値以上であると判定されると、目標のエッチング量に到達したと判定し、プロセスを終了させる信号を制御部40に発信する(ステップ305)。
制御部40はプロセス終了信号を受けて、プラズマ処理装置1の各機構にプロセス終了するための指令信号を発行する。具体的には、高周波電界または高周波磁界の生成を停止し、試料台14内の電極への高周波電力の供給を停止することで、プラズマ12が消火されエッチング処理が停止される。
その後、ウエハ16の静電気による試料台14への吸着が解除され、処理室10外部に搬送され、必要に応じて次のウエハ16の処理が開始される。このとき、ウエハに応じてエッチング処理の制御パラメータが変更されてもよい。プラズマ12を消火することなく、複数のウエハに対するエッチング処理を実行してもよい。
図6に、図5に示した光スペクトルについて、波長λa(564nm)の光強度I(λa)と波長λb(556nm)の光強度I(λb)との強度比(I(λa)/I(λb))の時間変化を示す。なお、この例では、波長λa(564nm)は振動の山、波長λb(556nm)は振動の谷となっている。このように、2波長の測定強度比がエッチング時間に応じて単調増加していることが観測される。したがって、エッチング対象の積層構造体における横方向のエッチング量が所望のエッチング量に到達した時点における2波長の反射光の強度比をあらかじめ調べて閾値として設定しておくことで、エッチング処理の終点を判定することができる。また、2波長の反射光の強度比の時間変化は、領域420および領域421の幅(図4B参照)の変化に対応しているため、2波長の反射光の強度比からその時点におけるエッチング量を算出することができる。以下に説明する他の終点判定方法においても同様である。
図3では2波長の反射光の強度比を指標として判定したが、これに限定されない。2波長以上の反射光の強度比を指標としてもよい。また、強度比に限られず、光スペクトルの波長方向の振動の振幅強度を指標とすることもできる。図7に、図5に示した光スペクトルについて、波長λa(564nm)の光強度I(λa)と波長λb(556nm)の光強度I(λb)から求めた振幅強度(I(λa)-I(λb))の時間変化を示す。このように、振幅強度がエッチング時間に応じて単調増加していることが観測される。したがって、エッチング対象の積層構造体における横方向のエッチング量が所望のエッチング量に到達した時点における振幅強度をあらかじめ調べて閾値として設定しておくことで、エッチング処理の終点を判定することができる。
また、以上は検出部で検出された光スペクトル(光強度)から、エッチングの終点を判定する例を説明したが、光スペクトルの波長方向の1次微分または2次微分を用いて判定することもできる。
図8Aは、図5に示した光スペクトルについて波長方向に1次微分処理を行って得たスペクトル(1次微分光スペクトルという)であり、図8Bに1次微分光スペクトルの振幅強度の時間変化を示している。なお、ここでは、振幅強度を1次微分光スペクトルの山にあたる波長560nmの値と1次微分光スペクトルの谷にあたる波長554nmの値との差として算出している。
同様に、図9Aは、図5に示した光スペクトルについて波長方向に2次微分処理を行って得たスペクトル(2次微分光スペクトルという)であり、図9Bに2次微分光スペクトルの振幅強度の時間変化を示している。なお、ここでは、振幅強度を2次微分光スペクトルの山にあたる波長544nmの値と2次微分光スペクトルの谷にあたる波長552nmの値との差として算出している。
このように、1次微分光スペクトル、2次微分光スペクトルのいずれについても、エッチング時間が長くなるにつれて振幅が増大していることが確認できる。したがって、図3のフローチャートと同様の手続きによって、1次微分光スペクトルまたは2次微分光スペクトルに基づき、エッチング処理の終点を判定することができる。なお、振幅により判定する例を説明したが、同様に2波長でのスペクトル強度比に基づき判定することも可能である。ただし、この場合、1次微分光スペクトル値、2次微分光スペクトル値のいずれも0をとる可能性があるため、微分値が0となる波長は避け、微分光スペクトル値の振動の山、谷となる2波長をとることが望ましい。
さらに別の終点判定方法について、図10~図13を用いて説明する。図5に示されるように、積層構造体からの反射光のスペクトルは、波長方向に振動している。このように周期性のあるスペクトルに対して高速フーリエ変換解析(FFT:Fast Fourier Transform)を行うことで、スペクトルに含まれるすべての周波数成分をパワースペクトル(周波数ごとのパワー密度)として表現することができる。上述したように、積層構造体のタングステン膜の横方向エッチング処理が進行することで、光スペクトルの振幅強度が増大しているため、光スペクトルの波長方向の振動周波数に対応するパワースペクトルのピーク値も増大する。したがって、横方向エッチング処理が進行し、図4Cに示す所望の膜構造となった時点における、パワースペクトルの、反射光のスペクトルの波長方向の振動周波数に対応するピーク強度の値を判定の閾値として、エッチングの終点を判定することができる。
図10は、終点判定部30がウエハ16の被処理膜の横方向エッチングの終点を判定するフローチャートである。
まず、以下の事前設定を行う。エッチングの終点条件となる、反射光の光スペクトルの振動周波数と、ウエハのエッチングの終点とする振動周波数に対応するパワースペクトルのピーク値とを設定する(ステップ1001)。また、検出部で検出される光スペクトルのうち、パワースペクトルの算出に使用する波長の範囲を設定する(ステップ1002)。パワースペクトルの算出に使用する光スペクトルの範囲を干渉光に起因する周波数方向の振動が顕著に表れている領域に限定することによって、対応するピークの特定を容易にするためである。また、FFTのサンプリング点数を設定する(ステップ1003)。これらの設定値も図3のフローと同様に制御部40の記憶装置に記憶され、終点判定部30に送信されて、エッチングの終点の判定に用いられる。
制御部40はウエハの処理を開始し、処理中に得られるウエハからの反射光の光スペクトルを検出部28で検出する。検出された光スペクトルは、終点判定部30に入力される(ステップ1004)。ここで、ステップ1005に進む前に、波長ごとの光強度データである光スペクトルを、波数(波長の逆数)ごとの光強度データに変換して、ステップ1005以降の処理を行ってもよい。波数ごとの光強度データに変換した光スペクトルについてFFTを行う方が、FFTの精度がよくなることが知られている。
次に、終点判定部30は、光スペクトルに対して、ステップ1002で設定した波長範囲の光強度データに対してスプライン補間処理を行い、スプライン補間処理を行った光スペクトルに対して、ステップ1003で設定したFFTのサンプリング点数のデータを得る(ステップ1005)。このときサンプリングは、サンプリング間隔が等距離となるように行う。
次に、終点判定部30は、ステップ1005で得たサンプリングデータに対して、FFTの窓関数を乗算する(ステップ1006)。ここで、窓関数としてハミング関数を使用する例を示しているが、ステップ1002において設定した波長範囲におけるスペクトルの形状を考慮して他の窓関数を使用してもよい。また、窓関数の乗算が不要であればステップ1006を行わず、ステップ1007に進んでもよい。
次に、終点判定部30は、FFT処理を行い、周波数ごとのパワースペクトルを算出する(ステップ1007)。
次に、終点判定部30は、ステップ1007で得られたパワースペクトルについて、ステップ1001で設定した振動周波数におけるパワースペクトルの値(ピーク値)を読み取る(ステップ1008)。
次に、終点判定部30は、ステップ1008で読み取ったパワースペクトルの値と、ステップ1001で設定したウエハのエッチングの終点とする設定値とを比較する(ステップ1009)。読み取られたパワースペクトルの設定値未満であると判定された場合には、ステップ1004の処理に戻る。読み取られたパワースペクトルが設定値以上であると判定されると、目標のエッチング量に到達したと判定し、プロセスを終了させる信号を制御部40に発信する(ステップ1010)。
図11A~Cを用いて、図10のフローチャートでの処理について説明する。図11Aは、ウエハ16からの反射光を検出部で検出したスペクトルであり、凡そ200~850nmの波長範囲の光スペクトルである。次に、得られた光スペクトルデータを終点判定部30に入力し、ステップ1002の設定値に従って、エッチング終点判定処理に使用する波長範囲の光スペクトルデータを抽出する。ここでは、500~700nmが使用する波長範囲として設定されている。図11Bに当該波長範囲の光スペクトルデータを太実線で示している。この光スペクトルデータに対してスプライン補間処理を行い、波長方向のデータ数がステップ1003の設定値に従ったサンプリング点数のデータを生成し、スプライン補間処理を行ったサンプリングデータに対してハミング関数を乗算したスペクトルデータを生成する。図11Bにステップ1006にて得られるスペクトルデータ(ハミング関数を乗算したスペクトルデータ)を細実線で示している。ステップ1007においてハミング関数を乗算したスペクトルデータに対してFFT処理を実行し、図11Cに示されるパワースペクトルを得る。この例では、サンプリングポイント(横軸)12の位置にパワースペクトルのピーク(ピーク値=340)がみられる。このサンプリングポイント(横軸)12が、光スペクトルの波長方向の振動周波数に対応している。なお、サンプリングポイントの値が大きいほど、光スペクトルの波長方向の振動の周期が短いことを意味している。また、ピークの大きさ(パワースペクトル強度)は、FFT処理実行前のスペクトルに見られた波長方向の振動の振幅の大きさに対応している。
図12は、図5に示した各時刻(エッチング処理開始後5、10、15秒)における、パワースペクトルの時間変化を示している。各時刻(5秒後:黒実線、10秒後:破線、15秒後:灰実線)とも、サンプリングポイント12の位置にスペクトルのピークがみられる。図13に、図12の各時刻におけるパワースペクトルのピーク値の値と時刻との関係を示している。エッチング時間が長くなるにつれてピーク値が大きくなっていることが分かる。したがって、図10のフローチャートの手続きによって、光スペクトルのパワースペクトルに基づき、エッチング処理の終点を判定することができる。
なお、上述したように、図12の横軸は、図5に示した反射光の光スペクトルの波長方向の振動周波数に対応している。この波長方向の振動周波数は、積層構造体の酸化シリコン膜の厚さに対応するものである。したがって、エッチング中にパワースペクトルのピーク位置が変化していると、酸化シリコン膜の厚さが変化していると判断できるため、不良ウエハの判定も行える。同様の理由で、パワースペクトルのピーク位置付近の波形から、当該膜構造における酸化シリコン膜の厚さの均一度を推定することもできる。
以上、本実施例におけるエッチング終点判定方法の例について説明した。以上、述べてきた実施例は本発明の実施形態の一部の例にすぎず、本発明の実施形態は上記に限られるものではなく、様々な変形が可能である。
例えば、プラズマ処理装置においてはプラズマ処理時に発生するプラズマが発光する。このプラズマからの光(プラズマ光と呼ぶ)は、処理ガスに依存して光スペクトルは異なるものの、紫外~可視光領域の波長を含み、外部光の光スペクトルの波長領域と重なっている。このため、プラズマ発光中にエッチング量モニタのための外部光の照射を行うと、検出部で検出される光量にはプラズマ発光の影響が合算される。具体的には、検出部28では、照射光(外部光)の反射光に加え、プラズマ光、及びプラズマ光のウエハからの反射光が検出されることになる。この場合であっても、照射光(外部光)の反射光及びプラズマ光の反射光は、波長方向の振動の振幅がエッチングの進行につれて増大するため、本実施例の原理にしたがって、エッチング量の算出、終点の判定が可能である。ただし、干渉光の光スペクトルにおける波長方向の振動に対して、プラズマ光の発光量の時間変動がバックグラウンドノイズとなり、S/N比を低下させるおそれがある。
S/N比の低下を抑制する一方法として、ウエハからの干渉光を極力検出しない位置(例えば、処理室10の側面)にプラズマ光の発光量を主に検出する検出部をさらに備え、プラズマ光の時間変動要因を除去してエッチング量の算出や終点の判定を行えばよい。また、別の方法としては、光源部18の発光強度を高めることが考えられる。これにより、プラズマ光による干渉光強度に対する外部光による干渉光強度の比を大きくすることができ、その結果、プラズマ光の発光量の時間変動によるS/N比の低下を抑えることができる。例えば、光源部(外部光源)としてLEDを用いる場合には、プラズマ光の発光強度の数倍から十数倍の発光強度の照射光をウエハに照射することが可能である。これら2つの方法を併用してもよい。
さらにプラズマ処理装置1が図2に示したプラズマ処理によりプラズマエッチングを行う場合には、プラズマを発生させていないタイミングで外部光を照射することにより、プラズマ光の影響を受けることなく、エッチング量の算出、終点の判定が可能となる。具体的には、図2のステップ206の排気処理時においてはプラズマが発生していない。あるいはステップ205において、反応生成物を除去させる過程においてはプラズマを発生させていない。そこで、ステップ206、あるいはステップ205のプラズマを発生させていない期間において外部光をウエハに照射し、反射光を検出することによって、プラズマ光の影響を受けることなく、エッチング量の算出、終点の判定を行うことが可能になる。
また、外部光源(光源部)はLEDに限られない。外部光をウエハに照射して得られる干渉光に現れる波長方向の振動が顕著に表れる波長帯は、エッチング対象である積層構造体の材料、構造によって異なるため、それに応じた光源を用いることで精度よくエッチング量のモニタリングが可能になる。例えば、光源部18としてキセノンランプやハロゲンランプなどを用いることも可能である。
逆に、プラズマ光の発光帯域で干渉光の光スペクトルにおける波長方向の振動が強く表れる場合には、外部光源を使用することなく、プラズマ光のウエハからの反射光を検出することにより、エッチング量を算出することができる。その場合のプラズマ処理装置1bの構成を図14に示す。図14に示すプラズマ処理装置1bでは、プラズマ光の時間変動要因を除去するため、プラズマ光の発光量を主に検出する検出部52を処理室10の側面に設け、終点判定精度を向上させている。図1に示したプラズマ処理装置1と同様の構成については同じ符号を付して示している。レンズ51は主にプラズマ光を集光し、検出部52によってプラズマ光の強度を測定する。プラズマ光の強度の時間変動の影響を除いてエッチング量の算出、終点判定処理を行うことにより、エッチング処理の精度を向上させることが可能になる。
また、本実施例では図4A~Cに示すタングステン膜を含む積層構造体を例に示したが、金属を含む膜を被処理膜とする積層構造体に対して適用可能である。例えば、Ni、Co、Moの膜あるいはそれらの酸化膜を被処理膜とする積層構造体に対しても同様のエッチング量のモニタリングが可能である。また、積層構造体の絶縁膜としては、酸化シリコン膜に限られず、酸窒化シリコン膜のような絶縁膜であってもよい。
1,1b:プラズマ処理装置、10:処理室、12:プラズマ、14:試料台、16:ウエハ、18:光源部、20,26,51:レンズ、22:照射光、24:反射光、28,52:検出部、30:終点判定部、31:表示部、40:制御部、401:下地膜、402:タングステン膜、403:酸化シリコン膜、404:反応種、405:反応生成物、411:溝。
Claims (15)
- 基板上に絶縁膜と金属を含む被処理膜とが交互に積層される多層膜が形成されたウエハに対して、前記被処理膜のプラズマエッチングを行うプラズマ処理装置であって、
真空容器内に配置される処理室と、
前記処理室内に配置され、前記ウエハが載置される試料台と、
前記ウエハに照射された光が前記ウエハで反射した反射光を検出する検出部と、
前記ウエハへのプラズマ処理を制御する制御部と、
前記反射光の光スペクトルの波長方向の振動の振幅の変化に基づき、前記被処理膜へのエッチングの終点を判定する終点判定部とを有し、
前記制御部は、前記終点判定部による終点の判定を受けて、前記ウエハへのプラズマ処理を停止するプラズマ処理装置。 - 請求項1において、
光源と、
前記処理室の天井面に配置される第1のレンズ及び第2のレンズとを有し、
前記光源からの光は前記第1のレンズを通して前記ウエハに照射され、前記第2のレンズで受光された前記反射光が前記検出部で検出されるプラズマ処理装置。 - 請求項2において、
前記制御部は、前記処理室内にプラズマが発生されていないタイミングで、前記光源からの光を前記ウエハに照射させるプラズマ処理装置。 - 請求項1において、
前記処理室の天井面に配置されるレンズを有し、
前記処理室内に発生されたプラズマからの光が前記ウエハに照射され、前記レンズで受光された前記反射光が前記検出部で検出されるプラズマ処理装置。 - 請求項1において、
前記終点判定部は、第1波長における前記反射光の強度と第2波長における前記反射光の強度との強度比が所定の設定値以上になったときに、前記被処理膜へのエッチングの終点を判定し、
前記第1波長及び前記第2波長は、それぞれ前記反射光の光スペクトルの波長方向の振動の山及び谷となる波長として設定されるプラズマ処理装置。 - 請求項1において、
前記終点判定部は、第1波長における前記反射光の強度と第2波長における前記反射光の強度との差が所定の設定値以上になったときに、前記被処理膜へのエッチングの終点を判定し、
前記第1波長及び前記第2波長は、それぞれ前記反射光の光スペクトルの波長方向の振動の山及び谷となる波長として設定されるプラズマ処理装置。 - 請求項1において、
前記終点判定部は、前記反射光の光スペクトルを波長方向に1次微分処理または2次微分処理を行った微分光スペクトルを算出し、前記微分光スペクトルの波長方向の振動の振幅の変化に基づき、前記被処理膜へのエッチングの終点を判定するプラズマ処理装置。 - 請求項1において、
前記終点判定部は、前記反射光の光スペクトルのパワースペクトルを算出し、前記反射光の光スペクトルの波長方向の振動の振動周波数に対応する前記パワースペクトルのピーク値が所定の設定値以上になったときに、前記被処理膜へのエッチングの終点を判定するプラズマ処理装置。 - 請求項1において、
前記絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記被処理膜はタングステン膜であるプラズマ処理装置。 - 真空容器内に配置される処理室と、前記処理室内に配置され、ウエハが載置される試料台と、光検出部と、前記ウエハへのプラズマ処理を制御する制御部と、前記ウエハに対するプラズマエッチングの終点を判定する終点判定部とを備えるプラズマ処理装置を用い、基板上に絶縁膜と金属を含む被処理膜とが交互に積層される多層膜が形成された前記ウエハに対して、前記被処理膜のプラズマエッチングを行うプラズマ処理方法であって、
前記光検出部は、前記ウエハに照射された光が前記ウエハで反射した反射光を検出し、
前記終点判定部は、前記反射光の光スペクトルの波長方向の振動の振幅の変化に基づき、前記被処理膜へのエッチングの終点を判定し、
前記制御部は、前記終点判定部による終点の判定を受けて、前記ウエハへのプラズマ処理を停止するプラズマ処理方法。 - 請求項10において、
前記プラズマ処理装置は光源を備え、
前記制御部は、前記処理室内にプラズマが発生されていないタイミングで、前記光源からの光を前記ウエハに照射させるプラズマ処理方法。 - 請求項10において、
前記終点判定部は、第1波長における前記反射光の強度と第2波長における前記反射光の強度との強度比または前記第1波長における前記反射光の強度と前記第2波長における前記反射光の強度との差が所定の設定値以上になったときに、前記被処理膜へのエッチングの終点を判定し、
前記第1波長及び前記第2波長は、それぞれ前記反射光の光スペクトルの波長方向の振動の山及び谷となる波長として設定されるプラズマ処理方法。 - 請求項10において、
前記終点判定部は、前記反射光の光スペクトルを波長方向に1次微分処理または2次微分処理を行った微分光スペクトルを算出し、前記微分光スペクトルの波長方向の振動の振幅の変化に基づき、前記被処理膜へのエッチングの終点を判定するプラズマ処理方法。 - 請求項10において、
前記終点判定部は、前記反射光の光スペクトルのパワースペクトルを算出し、前記反射光の光スペクトルの波長方向の振動の振動周波数に対応する前記パワースペクトルのピーク値が所定の設定値以上になったときに、前記被処理膜へのエッチングの終点を判定するプラズマ処理方法。 - 請求項10において、
前記絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記被処理膜はタングステン膜であるプラズマ処理方法。
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