JP6474943B2 - 活性ガス生成装置 - Google Patents
活性ガス生成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6474943B2 JP6474943B2 JP2018518900A JP2018518900A JP6474943B2 JP 6474943 B2 JP6474943 B2 JP 6474943B2 JP 2018518900 A JP2018518900 A JP 2018518900A JP 2018518900 A JP2018518900 A JP 2018518900A JP 6474943 B2 JP6474943 B2 JP 6474943B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- active gas
- electrode
- active
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 609
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 72
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 72
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 16
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 12
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- -1 N atom radicals Chemical class 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002831 nitrogen free-radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
- H01J37/32036—AC powered
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
(全体構成)
図1はこの発明の実施の形態1である活性ガス生成装置501の全体構成の概要を示す説明図である。
(活性ガス生成用電極群301の前提技術)
図29は本願発明の活性ガス生成装置501における活性ガス生成用電極群301の基本構成を模式的に示す説明図である。同図に示すように、高電圧側電極構成部1(第1の電極構成部)と、高電圧側電極構成部1の下方に設けられる接地側電極構成部2(第2の電極構成部)と、高電圧側電極構成部1及び接地側電極構成部2に交流電圧を印加する高周波電源5(交流電源部)とを基本構成として有している。
図4は活性ガス生成用電極群301を構成する接地側電極構成部2Aにおける誘電体電極211の全体構造を示す斜視図である。図5は接地側電極構成部2Aの上面及び下面構造等を示す説明図である。同図(a) が上面図であり、同図(b) が同図(a) のA−A断面図、同図(c) が下面図であり、同図(d) が同図(a) のB−B断面図である。
図3に示すように、高電圧側電極構成部1A及び接地側電極構成部2Aを組み合わせて構成される活性ガス生成用電極群301は活性ガス生成装置の発生器筐体31X内に収納されている。
活性ガス生成用電極群301における複数のガス噴出孔55それぞれの平面視断面形状は円状(丸孔)で、直線状に配置された構造を呈している。
図12はこの発明の実施の形態である活性ガス生成装置501に用いられたノズル構成部40におけるノズル部12及びその周辺の断面構造を示す説明図である。図12において、XYZ直交座標系を示している。
図13はノズル部12を有するノズル構成部40を用いたガス噴流の速度状態を模式的に示す説明図である。
図19は第一段制限筒13のみからなる一般的構成の場合のマッハディスク発生構造を模式的に示す説明図である。図19は、図1〜図3で示した全体構成において、ノズル構成部40及びガス噴流用整流器70を省略した構成を想定している。
ノズル部12の上方に設けられた径r1の開口部を有する第一段制限筒13(ガス噴出孔55)により、処理チャンバ筐体33Xに噴出する活性ガス7に指向性を持たせることができるため、マッハを超える超高速で、ガスを処理対象基板であるウェハ34に供給することができる。
図22はガス噴流用整流器70の構成を示す説明図である。同図(a) が上面図、同図(b) が同図(a) の長手方向における断面構造を示す断面図、同図(c) が同図(a) の短手方向における断面構造を示す断面図である。
図24はこの発明の実施の形態2である活性ガス生成装置502の断面構造を模式的に示す説明図である。なお、図24はY方向に沿った断面図である点で、X方向に沿った断面図である図3の断面図と断面方向が異なっている。すなわち、図24は複数のガス噴出孔55が形成される配列方向であるX方向と90度をなすY方向に沿った断面図である。
図28はこの発明の実施の形態3である活性ガス生成装置503のガス噴流用整流器70Cの構成を示す説明図である。同図(a) が底面図、同図(b) 同図(a) の短手方向長LBにおける断面構造を示す断面図、同図(c) が上面図である。図28において、適宜XYZ座標系を示している。
2A 接地側電極構成部
12 ノズル部
13 第一段制限筒
14,14B 第二段制限筒
15 第三段制限筒
31X 発生器筐体
33X 処理チャンバ筐体
34 ウェハ
40 ノズル構成部
55 ガス噴出孔
70,70B,70C ガス噴流用整流器
71,71B,71C ガス整流通路
301 活性ガス生成用電極群
501〜503 活性ガス生成装置
Claims (7)
- 処理対象基板(34)を収容する基板収容部(35X)と、
第1及び第2の電極構成部(1A,1B)を有し、原料ガスから放電現象を利用して得られた活性ガスを、前記第2の電極構成部に離散形成される複数のガス噴出孔から噴出する活性ガス生成用電極群(301)とを備え、前記複数のガス噴出孔はそれぞれ平面視した開口部断面形状が第1の径で円状に形成された第1の制限筒(13)として機能し、前記第1の径は、前記ガス噴出孔の通過前の一次圧力と通過後の二次圧力との圧力差が所定圧力比以上になるように設定され、
前記活性ガス生成用電極群の前記複数の噴出孔に1対1に対応して設けられ、各々が前記複数のガス噴出孔から噴出された活性ガスを通過させてノズル通過後活性ガスを得る複数のノズル部(12)を含むノズル構成部(40)と、
前記ノズル構成部を通過した複数のノズル通過後活性ガスを入口部で受け、ガス整流通路(71,71B,71C)内に前記複数のノズル通過後活性ガスを通過させる整流動作によって、出口部より整流後活性ガスを前記処理対象基板に向けて噴射するガス噴流用整流器(70)とを備え、
前記複数のノズル部は、それぞれ、
平面視した開口部断面形状が第2の径で円状に形成され、前記第1の制限筒から供給される活性ガスを前記ガス噴流用整流器に向けて供給する第2の制限筒(14,14B)を有し、
前記第2の径は前記第1の径より長くなるように設定され、前記ノズル通過後活性ガスは円柱状のガス噴流となり、
前記ガス整流通路は、前記出口部の出口開口面積が前記入口部の入口開口面積より狭く設定され、かつ、前記整流動作によって、前記複数のノズル通過後活性ガスの円柱状のガス噴流が、所定方向に沿ってライン状の前記整流後活性ガスに変換されるように形成される、
活性ガス生成装置。 - 請求項1記載の活性ガス生成装置であって、
前記ガス整流通路(71)は、前記処理対象基板に対し垂直方向に沿って前記整流後活性ガスが供給されるように設けられる、
活性ガス生成装置。 - 請求項1記載の活性ガス生成装置であって、
前記ガス整流通路(71B)は、前記処理対象基板に対し垂直方向から所定の傾きを持たせた斜め方向に沿って前記整流後活性ガスが供給されるように設けられる、
活性ガス生成装置。 - 請求項1記載の活性ガス生成装置であって、
前記ガス整流通路(71C)の前記出口部(710C)は前記所定方向を長手方向とし、前記長手方向に対し垂直に交差する方向を短手方向とした開口形状を呈し、
前記出口部は、前記短手方向の形成幅が前記長手方向に沿って変化するように形成されることを特徴とする、
活性ガス生成装置。 - 請求項1から請求項4のうち、いずれか1項に記載の活性ガス生成装置であって、
前記ガス噴流用整流器のうち、ガスと接触する領域であるガス接触領域を石英あるいはアルミナ材を構成材料として形成したことを特徴とする、
活性ガス生成装置。 - 請求項1から請求項4のうち、いずれか1項に記載の活性ガス生成装置であって、
前記原料ガスは、少なくとも窒素、酸素、フッ素、及び水素を含有したガスである、
活性ガス生成装置。 - 請求項1から請求項4のうち、いずれか1項に記載の活性ガス生成装置であって、
前記活性ガス生成用電極群は、
前記第1の電極構成部の下方に前記第2の電極構成部は設けられ、前記第1及び第2電極構成部への交流電圧の印加により、前記第1及び第2の電極構成部間に放電空間が形成され、前記放電空間に供給された原料ガスを活性化して活性ガスを生成し、
前記第1の電極構成部は、第1の誘電体電極(111)と前記第1の誘電体電極の上面上に選択的に形成される第1の金属電極(101H,101L)とを有し、前記第2の電極構成部は、第2の誘電体電極(211)と前記第2の誘電体電極の下面上に選択的に形成される第2の金属電極(201H,201L)とを有し、前記交流電圧の印加により前記第1及び第2の誘電体電極が対向する誘電体空間内において、前記第1及び第2の金属電極が平面視重複する領域が前記放電空間として規定され、
前記第2の金属電極は、平面視して前記第2の誘電体電極の中央領域(R50)を挟んで互いに対向して形成される一対の第2の部分金属電極(201H,201L)を有し、前記一対の第2の部分金属電極は第1の方向を電極形成方向とし、前記第1の方向に交差する第2の方向を互いに対向する方向としており、前記所定方向は前記第1の方向であり、
前記第1の金属電極は、平面視して前記一対の第2の部分金属電極と重複する領域を有する一対の第1の部分金属電極(110H,110L)を有し、
前記第2の誘電体電極は、
前記中央領域に形成され、前記第1の方向に沿って形成される前記複数のガス噴出孔(55)と、
前記中央領域において上方に突出して形成される中央領域段差部(51)とを備え、前記中央領域段差部は、平面視して前記複数のガス噴出孔に重複することなく、平面視して前記複数のガス噴出孔それぞれに近づくに従い前記第2の方向の形成幅が短くなるように形成されることを特徴とする、
活性ガス生成装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/065658 WO2017203674A1 (ja) | 2016-05-27 | 2016-05-27 | 活性ガス生成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017203674A1 JPWO2017203674A1 (ja) | 2018-11-08 |
JP6474943B2 true JP6474943B2 (ja) | 2019-02-27 |
Family
ID=60412539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018518900A Active JP6474943B2 (ja) | 2016-05-27 | 2016-05-27 | 活性ガス生成装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10418226B2 (ja) |
EP (1) | EP3468309B1 (ja) |
JP (1) | JP6474943B2 (ja) |
KR (1) | KR102119995B1 (ja) |
CN (1) | CN109196959B (ja) |
TW (1) | TWI648426B (ja) |
WO (1) | WO2017203674A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11239059B2 (en) * | 2018-01-10 | 2022-02-01 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Active gas generation apparatus |
CN112703582A (zh) * | 2019-08-22 | 2021-04-23 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 活性气体生成装置 |
JP1669639S (ja) | 2020-01-17 | 2020-10-05 | ||
JP1682708S (ja) | 2020-01-17 | 2021-04-05 | ||
JP1669640S (ja) | 2020-01-17 | 2020-10-05 | ||
JP1682709S (ja) | 2020-01-17 | 2021-04-05 | ||
JP1669641S (ja) | 2020-01-17 | 2020-10-05 | ||
JP1669638S (ja) | 2020-01-17 | 2020-10-05 | ||
US20230025809A1 (en) * | 2020-12-24 | 2023-01-26 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Active gas generator |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5139811A (en) | 1974-09-30 | 1976-04-03 | Senyo Kiko Kk | Norikagokurumanado no futenseigyosochi |
DE4018954A1 (de) * | 1989-06-15 | 1991-01-03 | Mitsubishi Electric Corp | Trockenaetzgeraet |
JP2537304B2 (ja) | 1989-12-07 | 1996-09-25 | 新技術事業団 | 大気圧プラズマ反応方法とその装置 |
JP2537304Y2 (ja) | 1992-08-24 | 1997-05-28 | 富士車輌株式会社 | ドライクリーニング機におけるカーボンの処理装置 |
JP3057065B2 (ja) | 1997-12-03 | 2000-06-26 | 松下電工株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP3799819B2 (ja) | 1998-05-20 | 2006-07-19 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理方法及び装置 |
JP3057065U (ja) | 1998-08-28 | 1999-03-26 | ミユキ産業株式会社 | フランジ形研磨フラップホイール |
JP2003529926A (ja) * | 2000-03-30 | 2003-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム内への調整可能なガス注入のための方法及び装置 |
JP2002008895A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-11 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP4077704B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2008-04-23 | 積水化学工業株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2003129246A (ja) | 2001-10-26 | 2003-05-08 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
JP2006156127A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理装置 |
KR101010389B1 (ko) * | 2007-03-12 | 2011-01-21 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 플라즈마 cvd 장치 및 성막방법 |
JP2008269907A (ja) | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US8142606B2 (en) * | 2007-06-07 | 2012-03-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for depositing a uniform silicon film and methods for manufacturing the same |
CN101765902B (zh) | 2007-08-31 | 2011-09-21 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 介质阻挡放电气体的生成装置 |
JP2010147168A (ja) | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP5328685B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2013-10-30 | 三菱電機株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR20120025656A (ko) * | 2010-09-07 | 2012-03-16 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 발생장치 |
US10297423B2 (en) * | 2011-09-08 | 2019-05-21 | Toshiba Mitsubishi—Electric Industrial Systems Corporation | Plasma generation apparatus, CVD apparatus, and plasma-treated particle generation apparatus |
JP2014082354A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
EP2975158B1 (en) * | 2013-03-15 | 2018-10-24 | Toray Industries, Inc. | Plasma cvd device and plasma cvd method |
EP3032925B1 (en) * | 2013-08-09 | 2020-05-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device and plasma processing method |
KR101574740B1 (ko) * | 2013-08-28 | 2015-12-04 | (주)젠 | 기상식각 및 세정을 위한 플라즈마 장치 |
TW201517112A (zh) * | 2013-10-09 | 2015-05-01 | Applied Materials Inc | 具有同軸和方位角對稱和具有一致中央觸發的多區中空陰極放電系統 |
JP2015162558A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び被処理体を処理する方法 |
JP6307984B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US9406535B2 (en) * | 2014-08-29 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Ion injector and lens system for ion beam milling |
JP6239483B2 (ja) * | 2014-10-29 | 2017-11-29 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 窒素ラジカル生成システム |
KR101627698B1 (ko) * | 2015-11-16 | 2016-06-13 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치 |
-
2016
- 2016-05-27 WO PCT/JP2016/065658 patent/WO2017203674A1/ja unknown
- 2016-05-27 CN CN201680086092.7A patent/CN109196959B/zh active Active
- 2016-05-27 JP JP2018518900A patent/JP6474943B2/ja active Active
- 2016-05-27 EP EP16903155.6A patent/EP3468309B1/en active Active
- 2016-05-27 US US16/098,038 patent/US10418226B2/en active Active
- 2016-05-27 KR KR1020187033711A patent/KR102119995B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-19 TW TW105133689A patent/TWI648426B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102119995B1 (ko) | 2020-06-05 |
US10418226B2 (en) | 2019-09-17 |
EP3468309B1 (en) | 2020-10-21 |
EP3468309A1 (en) | 2019-04-10 |
TW201741496A (zh) | 2017-12-01 |
WO2017203674A1 (ja) | 2017-11-30 |
US20190157046A1 (en) | 2019-05-23 |
KR20180135041A (ko) | 2018-12-19 |
EP3468309A4 (en) | 2020-01-15 |
TWI648426B (zh) | 2019-01-21 |
CN109196959B (zh) | 2020-12-08 |
CN109196959A (zh) | 2019-01-11 |
JPWO2017203674A1 (ja) | 2018-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6474943B2 (ja) | 活性ガス生成装置 | |
TWI593317B (zh) | 可調間隙電漿腔室內之雙重侷限與超高壓力用之方法 | |
JP6440871B2 (ja) | 活性ガス生成装置及び成膜処理装置 | |
JP6430664B2 (ja) | ガス供給装置 | |
TW201320184A (zh) | 原子層蝕刻用之方法與設備 | |
JP6321200B2 (ja) | ガス噴射装置 | |
WO2016067379A1 (ja) | 成膜装置へのガス噴射装置 | |
JP6542475B2 (ja) | 活性ガス生成装置及び成膜処理装置 | |
US20210233748A1 (en) | Active gas generation apparatus and deposition processing apparatus | |
KR20040018988A (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 장치 | |
KR20230169722A (ko) | 스월 모션을 형성하는 사이드 가스 피드가 구비된 플라즈마 챔버 | |
KR20230140997A (ko) | 사이드 가스 피드가 구비된 플라즈마 챔버 | |
JP2018185958A (ja) | 表面処理装置および表面処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180607 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6474943 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |