JP2014059543A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014059543A5 JP2014059543A5 JP2013054401A JP2013054401A JP2014059543A5 JP 2014059543 A5 JP2014059543 A5 JP 2014059543A5 JP 2013054401 A JP2013054401 A JP 2013054401A JP 2013054401 A JP2013054401 A JP 2013054401A JP 2014059543 A5 JP2014059543 A5 JP 2014059543A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- general formula
- group
- unit represented
- repeating unit
- alkyl group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 8
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 125000000686 lactone group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims 1
- 0 CC(C)(CC(C)(*1)C1(C)N)N Chemical compound CC(C)(CC(C)(*1)C1(C)N)N 0.000 description 1
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013054401A JP5836299B2 (ja) | 2012-08-20 | 2013-03-15 | パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及びレジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法 |
| PCT/JP2013/072485 WO2014030723A1 (en) | 2012-08-20 | 2013-08-16 | Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet ray-sensitive resin composition, resist film, and method for manufacturing electronic device, and electronic device using the same |
| KR1020157004408A KR101702425B1 (ko) | 2012-08-20 | 2013-08-16 | 패턴 형성 방법, 감전자선성 또는 감극자외선성 수지 조성물, 레지스트 막, 및 그것을 이용한 전자 디바이스 제조방법 및 전자 디바이스 |
| TW102129863A TWI615681B (zh) | 2012-08-20 | 2013-08-20 | 圖案形成方法、電子束感應性或極紫外線感應性樹脂組成物、抗蝕膜、使用上述的電子元件的製造方法以及電子元件 |
| US14/625,897 US9423690B2 (en) | 2012-08-20 | 2015-02-19 | Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet ray-sensitive resin composition, resist film, and method for manufacturing electronic device, and electronic device using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012181892 | 2012-08-20 | ||
| JP2012181892 | 2012-08-20 | ||
| JP2013054401A JP5836299B2 (ja) | 2012-08-20 | 2013-03-15 | パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及びレジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014059543A JP2014059543A (ja) | 2014-04-03 |
| JP2014059543A5 true JP2014059543A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 2015-01-08 |
| JP5836299B2 JP5836299B2 (ja) | 2015-12-24 |
Family
ID=50150027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013054401A Active JP5836299B2 (ja) | 2012-08-20 | 2013-03-15 | パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及びレジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9423690B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| JP (1) | JP5836299B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| KR (1) | KR101702425B1 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| TW (1) | TWI615681B (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| WO (1) | WO2014030723A1 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
Families Citing this family (65)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4554665B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
| JP5802700B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2015-10-28 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP5830493B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2015-12-09 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2016531953A (ja) * | 2013-06-27 | 2016-10-13 | 東洋合成工業株式会社 | 化学種発生向上試剤 |
| WO2015045426A1 (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Compounders for Enhancing Generation of Chemical Species |
| JP6249714B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2017-12-20 | 東京応化工業株式会社 | 相分離構造を含む構造体の製造方法 |
| CN106575082B (zh) * | 2014-07-24 | 2020-09-25 | 日产化学工业株式会社 | 抗蚀剂上层膜形成用组合物和使用它的半导体装置的制造方法 |
| WO2016017232A1 (ja) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
| KR102471268B1 (ko) * | 2014-10-02 | 2022-11-25 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 |
| JP6883954B2 (ja) * | 2015-06-26 | 2021-06-09 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物 |
| JP6512049B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2019-05-15 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| KR102139060B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2020-07-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 레지스트 조성물과, 이를 이용한 레지스트막, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
| US10622211B2 (en) * | 2016-08-05 | 2020-04-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metal-compound-removing solvent and method in lithography |
| CN109643063B (zh) * | 2016-08-31 | 2022-07-22 | 富士胶片株式会社 | 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、图案形成方法及电子器件的制造方法 |
| JP6701363B2 (ja) | 2016-09-29 | 2020-05-27 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
| US10095109B1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Acid-cleavable monomer and polymers including the same |
| IL270030B2 (en) | 2017-04-21 | 2023-12-01 | Fujifilm Corp | A photosensitive composition for EUV light, a method for patterning and a method for producing an electronic device |
| KR102620354B1 (ko) * | 2017-11-09 | 2024-01-03 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 고분자, 이를 이용한 포토레지스트 조성물 및 패턴형성 방법 |
| WO2019123842A1 (ja) | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、レジスト膜付きマスクブランクス、フォトマスクの製造方法、電子デバイスの製造方法 |
| WO2019187881A1 (ja) | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 富士フイルム株式会社 | Ｅｕｖ光用ネガ型感光性組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
| CN112020673A (zh) | 2018-04-20 | 2020-12-01 | 富士胶片株式会社 | Euv光用感光性组合物、图案形成方法及电子器件的制造方法 |
| JPWO2020105505A1 (ja) | 2018-11-22 | 2021-10-21 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
| JP7176010B2 (ja) | 2019-01-28 | 2022-11-21 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
| JP7221308B2 (ja) | 2019-01-28 | 2023-02-13 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
| EP3919528B1 (en) | 2019-01-28 | 2024-11-20 | FUJIFILM Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern formation method, and electronic device manufacturing method |
| JPWO2020203073A1 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 2019-03-29 | 2020-10-08 | ||
| JP7777393B2 (ja) * | 2019-05-08 | 2025-11-28 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP7503415B2 (ja) * | 2019-05-08 | 2024-06-20 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| TWI836094B (zh) | 2019-06-21 | 2024-03-21 | 日商富士軟片股份有限公司 | 感光化射線性或感放射線性樹脂組合物、光阻膜、圖案形成方法、電子裝置之製造方法 |
| CN113767333B (zh) | 2019-06-25 | 2024-05-24 | 富士胶片株式会社 | 感放射线性树脂组合物的制造方法 |
| KR102661154B1 (ko) | 2019-06-28 | 2024-04-26 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 레지스트막, 전자 디바이스의 제조 방법 |
| CN114072379B (zh) | 2019-06-28 | 2024-01-26 | 富士胶片株式会社 | 感光化射线性或感放射线性树脂组合物的制造方法、图案形成方法及电子器件的制造方法 |
| CN114270264A (zh) | 2019-08-26 | 2022-04-01 | 富士胶片株式会社 | 感光化射线性或放射线性树脂组合物、图案形成方法、抗蚀剂膜及电子器件的制造方法 |
| WO2021039252A1 (ja) | 2019-08-28 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物、樹脂 |
| KR102740152B1 (ko) | 2019-09-30 | 2024-12-10 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
| CN114787717A (zh) | 2019-12-09 | 2022-07-22 | 富士胶片株式会社 | 处理液、图案形成方法 |
| JP7379536B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-11-14 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| CN115023652A (zh) | 2020-01-31 | 2022-09-06 | 富士胶片株式会社 | 正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法 |
| EP4129975A4 (en) | 2020-03-30 | 2023-12-13 | FUJIFILM Corporation | ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, RESIST FILM, AND PRODUCTION METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE |
| JP7398551B2 (ja) | 2020-03-30 | 2023-12-14 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、フォトマスク製造用感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びフォトマスクの製造方法 |
| EP4129974A4 (en) | 2020-03-31 | 2023-09-13 | FUJIFILM Corporation | ACTINIC RAYS OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAYS OR RADIATION SENSITIVE FILM, METHOD FOR FORMING A PATTERN AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC DEVICE |
| WO2021241086A1 (ja) | 2020-05-29 | 2021-12-02 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、化合物、化合物の製造方法 |
| EP4166582A4 (en) | 2020-06-10 | 2024-01-03 | FUJIFILM Corporation | ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMATION METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICES |
| JP7545473B2 (ja) | 2020-06-10 | 2024-09-04 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物 |
| JP7637598B2 (ja) * | 2020-09-03 | 2025-02-28 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JPWO2022158338A1 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 2021-01-22 | 2022-07-28 | ||
| WO2022158326A1 (ja) | 2021-01-22 | 2022-07-28 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| EP4282887A4 (en) | 2021-01-22 | 2024-06-26 | FUJIFILM Corporation | PATTERN FORMATION METHOD AND PRODUCTION METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE |
| WO2022172597A1 (ja) | 2021-02-09 | 2022-08-18 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、ポジ型パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
| EP4293054A4 (en) | 2021-02-12 | 2024-09-25 | FUJIFILM Corporation | ACTIVE RADIATION-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMATION METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE |
| JP7756117B2 (ja) | 2021-02-15 | 2025-10-17 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
| KR20230148360A (ko) | 2021-03-29 | 2023-10-24 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 |
| WO2022220201A1 (ja) | 2021-04-16 | 2022-10-20 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び化合物 |
| WO2023286763A1 (ja) | 2021-07-14 | 2023-01-19 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
| WO2023286764A1 (ja) | 2021-07-14 | 2023-01-19 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜 |
| CN117693716A (zh) | 2021-07-14 | 2024-03-12 | 富士胶片株式会社 | 图案形成方法、电子器件的制造方法 |
| WO2023026969A1 (ja) | 2021-08-25 | 2023-03-02 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、パターン形成方法 |
| JPWO2023054004A1 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 2021-09-29 | 2023-04-06 | ||
| CN114133474B (zh) * | 2021-11-23 | 2024-04-16 | 南京极速优源感光材料研究院有限公司 | 一种高精度光刻胶用树脂及其制备方法 |
| KR20240096807A (ko) | 2021-12-10 | 2024-06-26 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
| JPWO2023120250A1 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 2021-12-23 | 2023-06-29 | ||
| EP4481493A4 (en) | 2022-02-16 | 2025-09-03 | Fujifilm Corp | ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, ELECTRONIC DEVICE PRODUCTION METHOD, AND COMPOUND |
| WO2023162565A1 (ja) | 2022-02-25 | 2023-08-31 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| WO2023248878A1 (ja) | 2022-06-20 | 2023-12-28 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
| CN120548507A (zh) | 2022-12-27 | 2025-08-26 | 富士胶片株式会社 | 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、及鎓盐 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001201854A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-07-27 | Toray Ind Inc | ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法 |
| JP4324433B2 (ja) | 2003-09-17 | 2009-09-02 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP4338567B2 (ja) | 2004-03-26 | 2009-10-07 | 富士フイルム株式会社 | Ｅｕｖ露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP5131461B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2013-01-30 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
| JP5201363B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-06-05 | 信越化学工業株式会社 | 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4753056B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2011-08-17 | 信越化学工業株式会社 | アセタール化合物、その製造方法、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5557550B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2014-07-23 | 富士フイルム株式会社 | 電子線又はｅｕｖ光を用いた有機溶剤系現像又は多重現像パターン形成方法 |
| JP5516195B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2014-06-11 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びレジスト材料 |
| JP5708082B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2015-04-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びネガ型レジスト組成物 |
| JP5387601B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2014-01-15 | 信越化学工業株式会社 | アセタール化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5658961B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2015-01-28 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、及びパターン形成方法 |
| JP2012168279A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Ｅｕｖ用レジスト組成物、ｅｕｖ用レジスト組成物の製造方法、およびレジストパターン形成方法 |
| TWI450038B (zh) * | 2011-06-22 | 2014-08-21 | Shinetsu Chemical Co | 圖案形成方法及光阻組成物 |
| JP5618924B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2014-11-05 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
| KR20130012053A (ko) * | 2011-07-21 | 2013-01-31 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 중합체, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
| CN102924341A (zh) * | 2011-08-08 | 2013-02-13 | 住友化学株式会社 | 盐、光致抗蚀剂组合物和用于生产光致抗蚀剂图案的方法 |
| TWI575319B (zh) * | 2011-09-22 | 2017-03-21 | 東京應化工業股份有限公司 | 光阻組成物及光阻圖型之形成方法 |
| JP6209307B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2017-10-04 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及びこれを用いた電子デバイスの製造方法 |
| JP2013097272A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP5846888B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2016-01-20 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
| JP5719788B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2015-05-20 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス |
| US8795948B2 (en) * | 2012-03-22 | 2014-08-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern and polymeric compound |
| JP5919148B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-05-18 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物 |
| JP6106432B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-03-29 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 |
| JP6307290B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2018-04-04 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
-
2013
- 2013-03-15 JP JP2013054401A patent/JP5836299B2/ja active Active
- 2013-08-16 WO PCT/JP2013/072485 patent/WO2014030723A1/en not_active Ceased
- 2013-08-16 KR KR1020157004408A patent/KR101702425B1/ko active Active
- 2013-08-20 TW TW102129863A patent/TWI615681B/zh active
-
2015
- 2015-02-19 US US14/625,897 patent/US9423690B2/en active Active