JP2014058040A - マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスのための支持体 - Google Patents

マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスのための支持体 Download PDF

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Abstract

【課題】固体デバイスの製造を簡単にすること。
【解決手段】本発明は、マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスの製造のための支持体に関する。該支持体(10;60)は、裏打ち要素の機能を有する基板(11;61)を含み、その上に、気体吸収物質が別個の堆積物(13、13’、…;63、63’、…)の形状で堆積され、その堆積物は、該支持体(10;60)の周りに存在する大気に少なくとも一部暴露される。
【選択図】図１

Description

本発明は、気体吸収物質の集積堆積物を有する、マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスを製造するための支持体に関する。
マイクロエレクトロニクスデバイス（また集積電子回路と呼ばれ、当分野で略語ICを用いて示される）は、全集積エレクトロニクス工業の基礎である。マイクロオプトエレクトロニクスデバイスは、例えば、従来のものとは違ってその操作に極低温を必要としない、新世代の赤外放射(IR)センサを含む。これらのIRセンサは、真空室に配置された半導体材料、例えばシリコンの堆積物の配列で形成される。マイクロメカニクスデバイス（「マイクロマシーン(micromachine)」またはその略語MMとして、当分野でよく知られている）は、小型化センサまたは作動装置のような用途のために開発中の段階であり、マイクロマシーンの典型例は、自動車のエアバッグを作動させるためのセンサとして使用されるマイクロ加速度計(microaccelerometer)、数ミクロンの大きさのギアおよびスプロケットを有するマイクロモーターまたは、２つの異なる方向に向かって光線を向ける、数十ミクロン（μm）の大きさを有する鏡面を２つの異なる位置間で動かすことができる光スイッチ（１つは光回路の「オン」条件に対応し、もう１つは「オフ」条件に対応する）である。以下においては、すべてのこれらの装置をまたすべて、固体(solid state)デバイスの一般的定義を用いて言及する。
ICは、異なる電気（もしくは磁気）機能性を有する材料層を平面支持体上に堆積する操作、交互にされるその選択的除去を含む技術によって製造される。同じ堆積技術および選択的除去技術は、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスの構成に同様に適用される。これらは一般にハウジング中に含まれ、それもまた同じ技術を用いて形成される。これらの製造において最も一般に使用される支持体は、約1mmの厚みで30cmまでの直径を有するシリコン「薄片」（当分野では「ウエハ」と言われる）である。これらのウエハのそれぞれの上に、非常に多数のデバイスが構成され、その後、製造プロセスの最後には、機械的切断またはレーザーによる切断によって、これらの薄片から、マイクロマシーンの場合には単一のデバイスが分離され、またはIRセンサの場合には、数十のデバイスの配列を含む部分が分離される。
堆積工程は、英語の「化学蒸着」から一般に「CVD」と定義される蒸気状態からの化学的堆積；または、蒸気状態からの物理的堆積もしくは英語の「物理的蒸着」から一般に「PVD」のような技術を用いて行なわれ、後者は一般にまた英語名の「スパッタリング」を用いて示される。一般に、選択的除去は、当分野でよく知られているように、適当なマスキングを用いて化学的もしくは物理的攻撃によって行なわれる。
集積回路およびマイクロマシーンは次に、最終的な目的の装置（コンピュータ、自動車等）に挿入される前に、本質的に機械的保護の理由のために、ポリマー、金属もしくはセラミックの材料中に封入される。一方、IR放射センサは一般に、IR放射に透過性の「窓」として定義されるその１つの壁に向いて、室（チャンバ）に含まれる。
幾つかの種類の集積回路においては、固体デバイス中の気体拡散を制御できることが重要であり：それは例えば強誘電性メモリの場合であり、ここでは、デバイスの層を通って拡散する水素が、強誘電体物質（一般にセラミック酸化物、例えばチタン酸ジルコン酸鉛、タンタル酸もしくはチタン酸ストロンチウムビスマスの、またはチタン酸ビスマスランタン）に到達することができ、その正しい挙動を変える。
なおさらに重要なのは、IRセンサおよびマイクロマシーにおける気体の制御および除去である。IRセンサの場合には、室にあるいは存在する可能性のある気体が、放射の一部を吸収するか、または対流によって熱を窓からシリコン堆積物の配列へ運ぶことができ、寸法を変える。マイクロマシーンにおいては、気体分子と可動部との機械的摩擦が、後者の非常に小さい大きさの故に、デバイスの理想的な操作から相当偏ることになり得る。さらには、極性分子、例えば水が、可動部とその他の部分例えばその支持体との間の付着の現象を引き起こし得る。かくして、デバイスの機能不全の原因となる。シリコン堆積物の配列を有するIRセンサまたはマイクロマシーンにおいては、したがって、ハウジングが全デバイス寿命について真空を維持することを保証できることが基本である。
これらのデバイス中の気体量を最小にするために、その製造は通常、真空室中で行なわれ、その実装前にポンプ排気工程に行く。デバイスを形成する同じ物質が気体を放出することができるか、またはこれらはデバイス寿命中に外から浸透することができるので、このように、とにかく問題は完全には解決されない。
その寿命中に固体デバイスに入る気体をまた除去するために、これらを吸収することができる物質の使用が提案された。これらの物質は、気体例えば水素、酸素、水、二酸化炭素および場合によっては窒素に対して非常に強い化学適合性を有する、一般に「ゲッター」と称されるもの、一般には金属、例えばジルコニウム、チタン、バナジウム、ニオブもしくはタンタルまたは、他の遷移元素、希土類元素もしくはアルミニウムとのその合金ならびに、水分吸収に特異的な乾燥剤物質、その中でも、主としてアルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化物を含む。ICにおける、気体、特に水素を吸収するための物質の使用は例えば米国特許第5,760,433号および特開平11-040761号公報および特開2000-40799号公報に記載されており、IRセンサにおける使用は、例えば米国特許第5,921,461号に記載されており、最後に、マイクロマシーンにおける気体吸収物質の使用は、例えば論文「ガラス-シリコンアノード結合によるマイクロセンサのための真空包装(Vacuum packaging for microsensors by glass-silicon anodic bonding)」、H.ヘンミ(Henmi)ら、技術雑誌センサーズ アンド アクチュエーターズ Ａ(Sensors and Actuators A)、第43巻、1994年、第243-248頁に記載されている。
気体吸収物質の局在化された堆積は、固体デバイスの製造工程中にCVDまたはスパッタリングによって得ることができる。しかしながら、この方法は、これらのデバイスの製造業者にはあまり高く評価されない。というのは、デバイス製造中の気体吸収物質の堆積は、全プロセスに、この物質の局在化された堆積の工程を追加する必要を意味するからである。一般にこの工程は、樹脂の堆積、放射（一般にUV）による樹脂の局所的増感、光増感された樹脂の選択的除去、気体吸収物質の堆積ならびに、その後の樹脂の除去およびその上に堆積された気体吸収物質の除去による光増感された樹脂が除去された領域に気体吸収物質の堆積物を残す操作によって行われる。その上、製造ラインにおける気体吸収物質の堆積物は、プロセスの異なる工程の数およびそこで使用される物質の数を増加させるという不都合を有し、また該異なる工程が行なわれる異なる室間の「交差-汚染」の危険が増加し、その後、汚染のために廃棄物の増加の可能性がある。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題を克服すること、特に固体デバイスの製造を簡単にすることである。
この目的は、マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスを製造するための支持体を用いて、本発明に従い達成され、その主な特徴は請求項１に特定されており、他の特徴は以下の請求項に特定されている。
本発明の支持体は、工業的に一般に使用されるシリコンウエハと実質的に同様であるが、マイクロエレクトロニクスもしくはマイクロメカニクスのデバイスが構成される表面上に堆積された気体吸収物質を（別個の堆積物の形態で）有する。
透視一部断面で、本発明の第１の可能な支持体を示す。 図１の支持体の断面図を示す。 図１の支持体から出発する、固体デバイスを構成するための操作段階を示す。 図１の支持体から出発する、固体デバイスを構成するための操作段階を示す。 図１の支持体から出発する、固体デバイスを構成するための操作段階を示す。 透視一部断面で、本発明の第２の可能な支持体を示す。 図６の支持体の断面図を示す。 図６の支持体から得ることができる固体デバイスを示す。 図６の支持体から出発して構成される別の固体デバイスの断面図を示す。
図面に関して、本発明を以下に記載する。ここで、
明確に記載するために、図においては、本発明の支持体の高さ-直径の比および、基板上の気体吸収物質堆積物の横方向の寸法は、実際の寸法に関して誇張されている。さらに、図においては、支持体はいつもウエハの幾何学的形態、すなわち低い円盤の物質で示されている。というのは、これは固体デバイスの製造業者に一般的に採用された形態であるからであるが、この形態はまた異なることができ、例えば正方形または長方形であることができる。
図１には、本発明の第１の実施態様の支持体10の一部断面図が示されている。該支持体10は、支持体およびそれに由来するデバイスの裏張り（支持）の機能のみを有し、支持体10のほぼ全厚み（ミリメートルの範囲内）を構成する基板11を含む。基板材料は、金属、セラミック、ガラスまたは半導体、好ましくはシリコンであることができる。
基板11の表面の領域12、12’、…には、気体吸収物質の別個の堆積物13、13’、…が得られる。次にこれらの堆積物は、ICもしくはMMの製造プロセスと適合性の物質の層14で覆われる。この層14は、IC、マイクロオプトエレクトロニクスデバイスもしくはMMを構成するために次にその上に置かれる層のためのアンカーの責務を果たすか、またはそれ自体これらのデバイスが構成される層であることすらできる（例えば、マイクロマシーンの可動部を、その一部を除去することによって、この層に得ることができる）。その上、最終的なデバイスのはんだ付けを、あるいは層14の端に直接行なうことができる。
図２にまた示されるように、堆積物13、13’、…と対応する層14には、気体吸収物質を支持体10の周りの大気にさらす機能を有する通路15、15’、…が次に実現される。通路15、15’、…は、当技術分野で公知の除去技術による、堆積物13、13’、…の上の層14の選択的除去によって作ることができる。
堆積物13、13’、…のために使用される気体吸収物質は、遺失粒子の現象がない任意の物質であることができ、種々の気体分子を吸収することができる一般にゲッターと呼ばれる物質および、水蒸気の吸収に特異的な乾燥剤物質の中から選択される。
ゲッター物質の場合には、例えばZr、Ti、Nb、Ta、Vのような金属；これらの金属間の合金または、これらの金属と、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Al、Y、Laおよび希土類の中から選ばれる１種以上の元素との間での合金、例えば２元合金Ti-V、Zr-V、Zr-FeおよびZr-Ni、３元合金Zr-Mn-FeもしくはZr-V-Feまたはさらなる成分との合金であることができる。本願のためには、好ましいゲッター物質は、チタン、ジルコニウム、Zr84％-Al16％の重量百分率組成を有する合金（St 101（商標）の名称で出願人から製造販売されている）、Zr70%-V24.6%-Fe5.4%の重量百分率組成を有する合金（St 707（商標）の名称で出願人から製造販売されている）およびZr80.8%-Co14.2%-TR5%（ここでTRは希土類、イットリウム、ランタンまたはそれらの混合物である）の重量百分率組成を有する合金（St 787（商標）の名称で出願人から製造販売されている）であり、ゲッター物質が、遺失粒子の現象が完全にないわけではない場合には、例えば部分焼結またはアニーリング処理によって、該現象を減らすかまたはなくすように適当に処理することができる。
乾燥剤物質の場合には、これらは好ましくは、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の酸化物の中から選ばれ、特に好ましくは、製造中、それを含むデバイスの使用中または処分の際に安全性の問題または環境問題を引き起こさない酸化カルシウム、CaOが使用される。酸化物層は例えば、当該アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を、酸素が低百分率で存在する希ガス（一般にアルゴン）雰囲気下で堆積させ、よって金属が堆積中にその酸化物に転化される、いわゆる「反応性スパッタリング」技術によって得ることができる。これらの層は、一般に、緻密で遺失粒子の問題を有さない。
堆積物13、13’、…は、選択的堆積の公知技術によって得ることができ、約0.1〜5μmの範囲の厚みを有することができ；厚みの値が示されたものより低いと、気体吸収力が過度に低下し、一方、厚みの値がそれより高いと、吸収特性には実際的利益がなく、堆積時間が延びる。該堆積物は、最終的な目的の装置に依存して広い範囲内で変わり得る横寸法を有する。例えばICにおける使用が予想されるなら、横の寸法は数ミクロン以下の範囲内であり、一方MMの場合には、寸法は数十ミクロン〜数百ミクロンに含まれ得る。
層14を構成する物質は、固体デバイスの製造において基体として一般に使用される材料の１つであり、いわゆるIII-V物質（例えばGaAsもしくはInP）であり得るか、または好ましくはシリコンである。層14は、スパッタリング、エピタクシー、CVDまたは当技術分野で公知の他の技術によって得ることができる。堆積物13、13’、…を有していない領域において一般に60μmより小さい可変の厚み、好ましくは約1〜20μmの範囲内の厚みを有する。
接着を助けるために、層14は好ましくは基板11と同じ材料を用いて実現され；好ましい組み合わせは、基板11についてはシリコン（単結晶もしくは多結晶）であり、層14についてはエピタクシーにより成長させたシリコンである。
層14の上表面はまた、デバイス製造の以下の操作を考慮して、その化学組成を変更するように、例えば酸化物または窒化物を形成するように、処理されることができる。
したがって本発明の支持体は、あらゆる種類の固体デバイスの製造に使用することができる。先の記載から明らかなように、完成され、使用もしくは商品化の用意ができた支持体においては、気体吸収物質の堆積物は「被覆されておらず」、すなわち外気にさらされている。吸収物質の過度の不動態化および損傷の危険を避けるために、よって支持体を、従来公知のように、不活性大気下、例えばアルゴンもしくは乾燥窒素下のボックスの中に保持することが好ましい。
図３〜５は、固体デバイスの製造における、特にマイクロマシーンの製造に言及する、支持体10の可能な使用を示す。しかしながら、同じ支持体を、他の固体デバイスを製造するために使用することができる。
通路15、15’、…がない層14の表面領域の上に、図３において要素30、30’、…として図式化した、マイクロマシーン可動部を含む構造物が製造される。構造物30、30’、…の製造（図には示されていない、マイクロマシーン１個毎の外部電気連絡のための接触を含む）が終わったときに、図４の部分に示されるように、被覆要素40が支持体10の上に置かれる。該被覆要素は一般に、同じ基板11物質を用いて実現され、層14に対して容易に可撓性でなければならない（シリコンの使用が好ましい）。被覆要素40は、支持体10上に構造物30、30’、…が得られ、気体吸収物質の堆積物13、13’、…がさらされる領域と通じる穴41、41’、…を有することができる。特に、該穴のそれぞれは、支持体10および被覆要素40が互いに固定されるときに、30、30’、…のような構造物および気体吸収物質へ接近する通路15、15’、…が含まれる空間42、42’、…が得られるくらい広く、それで、この後者は、空間42、42’、…と直接接触し、該空間中に存在するかまたは時間中放出されるかもしれない気体を吸収することができる。最後に、支持体10および被覆要素40からなる全体を、その接着領域に沿って切断することによって、図５に示されているような１個のマイクロマシーンが得られる。
図６および７は、一部断面で、本発明の支持体の第２の可能な実施態様を示す。この場合においてもまた、支持体60は、先に記載した基板11と同じ種類および寸法の基板61を含むが、ここでは、穴65、65’、…が得られ、領域62、62’、…に配置され、気体吸収物質の堆積物63、63’、…を含むように適合される。その特有の穴の配列のおかげで、基板61は、基板11および層14からなる組立物を代用することができる。
図８は、図３〜５に関して記載されたのと同様のプロセスによって、かつ支持体60上に構造物72、72’、…が配置され、気体吸収物質堆積物63、63’、…が暴露される領域に対応して穴71、71’、…を備えた被覆要素70を用いて、図６および７の支持体60から得ることができる固体デバイス80、特にマイクロマシーンを示す。
その結果が、図９に示されたマイクロマシーン90である、先に規定した方法の変形においては、本発明の支持体60は、同じものの基板の代わりに固体デバイスの被覆要素として使用される。この場合には、マイクロマシーンが構成される基板は、気体吸収物質堆積物のない慣用のものである。基板61の内部に得られる空洞65はかくして、可動構造物91を収容するための空間を形成すると同時に、気体吸収物質へ接近する通路63を形成する。
同様にして、図１に示されるデバイス10をまた使用することができる。

Claims (21)

  1. 機械的支持の機能を有する基板(11;61)を含む、マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスを製造するための支持体(10;60)であって、該基板上に、気体吸収物質が別個の堆積物(13、13’、…;63、63’、…)の形状で堆積され、その堆積物は、該支持体(10;60)の近くに存在する大気に少なくとも一部暴露されることを特徴とする支持体(10;60)。
  2. 該別個の堆積物(13、13’、…;63、63’、…)が、該支持体(10;60)の近くに存在する大気に完全に暴露されることを特徴とする請求項１記載の支持体(10;60)。
  3. 該基板(11)が、マイクロエレクトロニクスもしくはマイクロメカニクスのデバイスまたはその部品の製造と適合性の物質の層(14)で被覆され、該層(14)は、該支持体の近くに存在する大気と該堆積物(13、13’、…)をつなぐ通路(15、15’、…)を有することを特徴とする請求項１または２記載の支持体(10)。
  4. 該基板(61)が、該気体吸収物質の別個の堆積物(63、63’、…)を含むように適合された空洞(65、65’、…)を備えることを特徴とする請求項１または２記載の支持体(60)。
  5. 該基板(11;61)が実現される物質が、金属、セラミック、ガラスまたは半導体の中から選択されることを特徴とする請求項１または２記載の支持体。
  6. 該物質がシリコンであることを特徴とする請求項５記載の支持体。
  7. 該気体吸収物質がゲッター物質であることを特徴とする請求項１または２記載の支持体。
  8. 該ゲッター物質が、金属Zr、Ti、Nb、Ta、V、これらの金属間の合金または、これらの金属と、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Al、Y、Laおよび希土類の中から選ばれる１種以上の元素との間の合金から選択される請求項７記載の支持体。
  9. 該ゲッター物質がチタンであることを特徴とする請求項８記載の支持体。
  10. 該ゲッター物質がジルコニウムであることを特徴とする請求項８記載の支持体。
  11. 該ゲッター物質が、Zr84%-Al16%の重量百分率組成を有する合金であることを特徴とする請求項８記載の支持体。
  12. 該ゲッター物質が、Zr70%-V24.6%-Fe5.4%の重量百分率組成を有する合金であることを特徴とする請求項８記載の支持体。
  13. 該ゲッター物質が、Zr80.8%-Co14.2%-TR5%の重量百分率組成を有する合金であり、TRは希土類、イットリウム、ランタンまたはこれらの混合物を意味することを特徴とする請求項８記載の支持体。
  14. 該気体吸収物質が乾燥剤物質であることを特徴とする請求項１または２記載の支持体。
  15. 該乾燥剤物質が、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の酸化物の中から選択されることを特徴とする請求項14記載の支持体。
  16. 該乾燥剤物質が酸化カルシウムであることを特徴とする請求項15記載の支持体。
  17. 気体吸収物質の該別個の堆積物(13、13’、…;63、63’、…)が、0.1〜5μmの範囲内の厚みを有することを特徴とする請求項３または４記載の支持体。
  18. 該マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスもしくはマイクロメカニクスのデバイスまたはその部品の製造と適合性の物質が半導体物質である請求項３記載の支持体。
  19. 該物質がシリコンである請求項14記載の支持体。
  20. マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスもしくはマイクロメカニクスのデバイスまたはその部品の製造と適合性の物質の該層が、１〜20μmの範囲内の厚みを有する請求項３記載の支持体。
  21. 請求項１記載の支持体を、マイクロメカニクスのデバイスの製造において被覆要素として使用する方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3544353A1 (en) 2014-03-20 2019-09-25 Kyocera Corporation Mobile communication system, base station, and user terminal

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW583049B (en) * 2001-07-20 2004-04-11 Getters Spa Support with integrated deposit of gas absorbing material for manufacturing microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
TW533188B (en) * 2001-07-20 2003-05-21 Getters Spa Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
WO2005015637A1 (ja) * 2003-08-08 2005-02-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子デバイスおよびその製造方法
ITMI20032209A1 (it) * 2003-11-14 2005-05-15 Getters Spa Processo per la produzione di dispositivi che richiedono per il loro funzionamento un materiale getter non evaporabile.
US7871660B2 (en) * 2003-11-14 2011-01-18 Saes Getters, S.P.A. Preparation of getter surfaces using caustic chemicals
ITMI20032208A1 (it) * 2003-11-14 2005-05-15 Getters Spa Catodo con getter integrato e bassa funzione lavoro per lampade a catodo freddo.
US20060076634A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-13 Lauren Palmateer Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter
US8124434B2 (en) 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for packaging a display
ITMI20052343A1 (it) 2005-12-06 2007-06-07 Getters Spa Processo per la produzione di dispositivi micromeccanici contenenti un materiale getter e dispositivi cosi'prodotti
JP2008135690A (ja) * 2006-10-30 2008-06-12 Denso Corp 半導体力学量センサおよびその製造方法
US7736929B1 (en) 2007-03-09 2010-06-15 Silicon Clocks, Inc. Thin film microshells incorporating a getter layer
US7659150B1 (en) 2007-03-09 2010-02-09 Silicon Clocks, Inc. Microshells for multi-level vacuum cavities
US7595209B1 (en) 2007-03-09 2009-09-29 Silicon Clocks, Inc. Low stress thin film microshells
US7923790B1 (en) 2007-03-09 2011-04-12 Silicon Laboratories Inc. Planar microshells for vacuum encapsulated devices and damascene method of manufacture
DK2031677T3 (da) * 2007-08-31 2011-12-12 Univ Denmark Tech Dtu Fjernelse af forureningsfaser fra elektrokemiske indretninger
US8349635B1 (en) 2008-05-20 2013-01-08 Silicon Laboratories Inc. Encapsulated MEMS device and method to form the same
FR2933389B1 (fr) * 2008-07-01 2010-10-29 Commissariat Energie Atomique Structure a base d'un materiau getter suspendu
JP2010019933A (ja) * 2008-07-08 2010-01-28 Seiko Epson Corp アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
ITMI20090410A1 (it) 2009-03-18 2010-09-19 Getters Spa Leghe getter non evaporabili adatte particolarmente per l'assorbimento di idrogeno
FR2950877B1 (fr) * 2009-10-07 2012-01-13 Commissariat Energie Atomique Structure a cavite comportant une interface de collage a base de materiau getter
FR2950876B1 (fr) 2009-10-07 2012-02-10 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement d'un materiau getter et procede d'encapsulation d'un tel materiau getter
JP5298047B2 (ja) * 2010-02-26 2013-09-25 日立オートモティブシステムズ株式会社 複合センサの製造方法
FR2967150A1 (fr) 2010-11-09 2012-05-11 Commissariat Energie Atomique Procédé de réalisation de substrat a couches enfouies de matériau getter
FR2967302B1 (fr) 2010-11-09 2012-12-21 Commissariat Energie Atomique Structure d'encapsulation d'un micro-dispositif comportant un matériau getter
US8395229B2 (en) 2011-03-11 2013-03-12 Institut National D'optique MEMS-based getter microdevice
JP5541306B2 (ja) 2011-05-27 2014-07-09 株式会社デンソー 力学量センサ装置およびその製造方法
US9491802B2 (en) 2012-02-17 2016-11-08 Honeywell International Inc. On-chip alkali dispenser
DE102012207165A1 (de) 2012-04-30 2013-10-31 Robert Bosch Gmbh Mikro-elektromechanisches Bauelement, Chippackage mit mikro-elektromechanischem Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Chippackages mit einem mikro-elektromechanischen Bauelement
EP2736071B8 (en) 2012-11-22 2017-04-19 Tronic's Microsystems S.A. Wafer level package with getter
US9018715B2 (en) 2012-11-30 2015-04-28 Silicon Laboratories Inc. Gas-diffusion barriers for MEMS encapsulation
US10160638B2 (en) * 2013-01-04 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for a semiconductor structure
US9029773B2 (en) * 2013-02-24 2015-05-12 Vlad Novotny Sealed infrared imagers
US9756731B2 (en) * 2013-02-25 2017-09-05 Kyocera Corporation Package for housing electronic component and electronic device
EP2813465B1 (en) 2013-06-12 2020-01-15 Tronic's Microsystems MEMS device with getter layer
EP2813464B1 (en) 2013-06-12 2018-08-08 Tronic's Microsystems Device with getter material
US9422149B2 (en) 2014-07-25 2016-08-23 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Trapped sacrificial structures and methods of manufacturing same using thin-film encapsulation
US11078075B2 (en) * 2015-12-31 2021-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Packaging method and associated packaging structure
KR102145769B1 (ko) * 2016-01-25 2020-08-19 교세라 가부시키가이샤 계측 센서용 패키지 및 계측 센서
DE102017210459A1 (de) 2017-06-22 2018-12-27 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Vorrichtung mit einer ersten Kaverne und einer zweiten Kaverne
FR3072788B1 (fr) 2017-10-24 2020-05-29 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Source de rayonnement infrarouge modulable
FR3088319B1 (fr) 2018-11-08 2020-10-30 Ulis Boitier hermetique comportant un getter, composant optoelectronique ou dispositif mems integrant un tel boitier hermetique et procede de fabrication associe
WO2023186704A1 (en) * 2022-04-01 2023-10-05 Saes Getters S.P.A. Substrate comprising a base and an integrated getter film for manufacturing microelectronic devices

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56137658A (en) * 1980-03-31 1981-10-27 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Semiconductor device
JPH0878569A (ja) * 1994-09-07 1996-03-22 Nippondenso Co Ltd 電子部品用パッケージ
JPH09506712A (ja) * 1993-12-13 1997-06-30 ハネウエル・インコーポレーテッド 赤外線デバイス用集積シリコン真空マイクロパッケージ
JPH09237847A (ja) * 1996-02-26 1997-09-09 Ford Motor Co 電子構成品密閉構造体

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US503261A (en) * 1893-08-15 bereuter
US3214381A (en) * 1962-12-05 1965-10-26 Bell Telephone Labor Inc Barium oxide moisture getter preparation
US4426769A (en) * 1981-08-14 1984-01-24 Amp Incorporated Moisture getter for integrated circuit packages
US5032461A (en) 1983-12-19 1991-07-16 Spectrum Control, Inc. Method of making a multi-layered article
JPS63198320A (ja) 1987-02-13 1988-08-17 Mitsubishi Electric Corp 結晶成長方法
US5083466A (en) * 1988-07-14 1992-01-28 University Of Hawaii Multidimensional force sensor
US5192240A (en) * 1990-02-22 1993-03-09 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a microelectronic vacuum device
GB9015820D0 (en) * 1990-07-18 1990-09-05 Raychem Ltd Processing microchips
US5108026A (en) * 1991-05-14 1992-04-28 Motorola Inc. Eutectic bonding of metal to ceramic
JP2814445B2 (ja) * 1992-09-16 1998-10-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 選択的な金の低温化学蒸着
KR0139489B1 (ko) 1993-07-08 1998-06-01 호소야 레이지 전계방출형 표시장치
JP3456257B2 (ja) * 1994-05-27 2003-10-14 株式会社デンソー 電子素子用パッケージ
US5453659A (en) * 1994-06-10 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Anode plate for flat panel display having integrated getter
US5599749A (en) * 1994-10-21 1997-02-04 Yamaha Corporation Manufacture of micro electron emitter
CA2162095A1 (en) 1994-12-27 1996-06-28 Jeffery Alan Demeritt Getter housing for electronic packages
US5668018A (en) 1995-06-07 1997-09-16 International Business Machines Corporation Method for defining a region on a wall of a semiconductor structure
US5614785A (en) * 1995-09-28 1997-03-25 Texas Instruments Incorporated Anode plate for flat panel display having silicon getter
JPH09127151A (ja) * 1995-11-01 1997-05-16 Murata Mfg Co Ltd 加速度センサ
JPH09306920A (ja) 1996-05-20 1997-11-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JPH09318656A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Hitachi Ltd 静電容量式加速度センサ
US5760433A (en) 1996-05-31 1998-06-02 Hughes Electronics In situ reactive layers for protection of ferroelectric integrated circuits
IT1283484B1 (it) * 1996-07-23 1998-04-21 Getters Spa Metodo per la produzione di strati sottili supportati di materiale getter non-evaporabile e dispositivi getter cosi' prodotti
US6673400B1 (en) * 1996-10-15 2004-01-06 Texas Instruments Incorporated Hydrogen gettering system
JPH10176768A (ja) 1996-11-27 1998-06-30 Xerox Corp マイクロデバイス支持システム及びマイクロデバイスのアレイ
US5837934A (en) 1996-12-02 1998-11-17 Midway Games Inc. Shock insulated container for hard disk drives
JPH10188460A (ja) 1996-12-25 1998-07-21 Sony Corp 光ディスク装置及び光ディスク記録媒体
IT1290451B1 (it) * 1997-04-03 1998-12-03 Getters Spa Leghe getter non evaporabili
US5921461A (en) * 1997-06-11 1999-07-13 Raytheon Company Vacuum package having vacuum-deposited local getter and its preparation
US5951750A (en) * 1997-06-19 1999-09-14 Engelhard Corporation Anti-yellowing polyolefin compositions containing pearlescent pigment to prevent yellowing and method therefore
JPH1140761A (ja) 1997-07-23 1999-02-12 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5961362A (en) 1997-09-09 1999-10-05 Motorola, Inc. Method for in situ cleaning of electron emitters in a field emission device
US5866978A (en) 1997-09-30 1999-02-02 Fed Corporation Matrix getter for residual gas in vacuum sealed panels
US6359333B1 (en) * 1998-03-31 2002-03-19 Honeywell International Inc. Wafer-pair having deposited layer sealed chambers
US6499354B1 (en) * 1998-05-04 2002-12-31 Integrated Sensing Systems (Issys), Inc. Methods for prevention, reduction, and elimination of outgassing and trapped gases in micromachined devices
US6843936B1 (en) * 1998-10-22 2005-01-18 Texas Instruments Incorporated Getter for enhanced micromechanical device performance
JP3677409B2 (ja) * 1999-03-05 2005-08-03 京セラ株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2000277525A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体用シリコンウエハ及びその製造方法
IT1312248B1 (it) 1999-04-12 2002-04-09 Getters Spa Metodo per aumentare la produttivita' di processi di deposizione distrati sottili su un substrato e dispositivi getter per la
US6449354B1 (en) * 1999-06-08 2002-09-10 Nortel Networks Limited Communication system, article and method of configuring and establishing a connection therein
US6265246B1 (en) * 1999-07-23 2001-07-24 Agilent Technologies, Inc. Microcap wafer-level package
US6228675B1 (en) * 1999-07-23 2001-05-08 Agilent Technologies, Inc. Microcap wafer-level package with vias
US6400009B1 (en) * 1999-10-15 2002-06-04 Lucent Technologies Inc. Hermatic firewall for MEMS packaging in flip-chip bonded geometry
GB9927806D0 (en) 1999-11-24 2000-01-26 Isis Innovation Genetic indicators of tobacco consumption
US6477901B1 (en) * 1999-12-21 2002-11-12 Integrated Sensing Systems, Inc. Micromachined fluidic apparatus
JP2001196486A (ja) * 2000-01-07 2001-07-19 Murata Mfg Co Ltd 減圧パッケージ構造およびその製造方法
US6410847B1 (en) * 2000-07-25 2002-06-25 Trw Inc. Packaged electronic system having selectively plated microwave absorbing cover
CN1127138C (zh) * 2000-09-15 2003-11-05 北京大学 一种全金属低温微机电系统真空封装外壳以及封装方法
US6534850B2 (en) * 2001-04-16 2003-03-18 Hewlett-Packard Company Electronic device sealed under vacuum containing a getter and method of operation
TW533188B (en) 2001-07-20 2003-05-21 Getters Spa Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
TW583049B (en) * 2001-07-20 2004-04-11 Getters Spa Support with integrated deposit of gas absorbing material for manufacturing microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
EP1310380A1 (en) * 2001-11-07 2003-05-14 SensoNor asa A micro-mechanical device and method for producing the same
US6923625B2 (en) * 2002-01-07 2005-08-02 Integrated Sensing Systems, Inc. Method of forming a reactive material and article formed thereby

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56137658A (en) * 1980-03-31 1981-10-27 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Semiconductor device
JPH09506712A (ja) * 1993-12-13 1997-06-30 ハネウエル・インコーポレーテッド 赤外線デバイス用集積シリコン真空マイクロパッケージ
JPH0878569A (ja) * 1994-09-07 1996-03-22 Nippondenso Co Ltd 電子部品用パッケージ
JPH09237847A (ja) * 1996-02-26 1997-09-09 Ford Motor Co 電子構成品密閉構造体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3544353A1 (en) 2014-03-20 2019-09-25 Kyocera Corporation Mobile communication system, base station, and user terminal

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