DE102017210459A1 - Mikromechanische Vorrichtung mit einer ersten Kaverne und einer zweiten Kaverne - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung geht aus von einer mikromechanischen Vorrichtung mit einer ersten Kaverne (10), welche ein MEMS-Element (15) aufweist, und mit einer zweiten Kaverne (20).Der Kern der Erfindung besteht darin, dass die zweite Kaverne (20) mit der ersten Kaverne (10) mittels eines Verbindungskanals (30) verbunden ist, wobei der Verbindungskanal (30) einen Verschluss (40) aufweist, durch welchen die erste Kaverne (10) und die zweite Kaverne (20) hermetisch voneinander abgeschlossen sind, wobei der Verschluss (40) elektrisch zu öffnen ist.
Description
- Stand der Technik
- Die Erfindung geht aus von einer mikromechanischen Vorrichtung mit einer ersten Kaverne, welche ein MEMS-Element aufweist, und mit einer zweiten Kaverne.
- MEMS Elemente benötigen zur ordnungsgemäßen Funktion eine definierte Umgebung. Dies betrifft insbesondere den umgebenden Druck. Besonders, aber nicht nur, für Drehratensensoren ist ein geringer umgebender Druck notwendig, der über die Lebensdauer des Sensors stabil bleibt, unabhängig von Umwelteinflüssen.
- Nach dem Stand der Technik kann ein Gettermaterial Verwendung finden, um den Druck in der Kaverne eines Sensors einzustellen. Dies ist insbesondere vorteilhaft, wenn auf einem Chip mehrere Sensoren mit unterschiedlichen Kavernendrücken hergestellt werden sollen, z.B. Kombi-Element aus Beschleunigungs- und Drehratensensor. Hierbei wird in die Kaverne des Sensors mit geringerem Druck, z.B. Drehratensensor, ein Gettermaterial eingebracht. Nachteilig ist, dass die Aktivierung des Getters thermisch während des Bondvorgangs stattfindet. Somit ist keine getrennte Optimierung des Bondvorgangs und der Getteraktivierung möglich.
- Eine weitere Möglichkeit besteht in der Anwendung des Getters als Stabilisator des Kavernendrucks über Lebensdauer. Hierzu wird ein Gettermaterial in eine Kaverne eingebracht, wobei sich die Aufgabe des Getters auf die Adsorption von Ausgasungen aus dem Sensor und/oder der Kappe beschränkt. Auch hier wird das Gettermaterial thermisch aktiviert.
-
- Aufgabe der Erfindung
- Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine mikromechanische Vorrichtung mit einer Kaverne zu schaffen, deren atmosphärischer Innendruck steuerbar ist.
- Vorteile der Erfindung
- Die Erfindung geht aus von einer mikromechanischen Vorrichtung mit einer ersten Kaverne, welche ein MEMS-Element aufweist, und mit einer zweiten Kaverne.
- Der Kern der Erfindung besteht darin, dass die zweite Kaverne mit der ersten Kaverne mittels eines Verbindungskanals verbunden ist, wobei der Verbindungskanal einen Verschluss aufweist, durch welchen die erste Kaverne und die zweite Kaverne hermetisch voneinander abgeschlossen sind, wobei der Verschluss elektrisch zu öffnen ist.
- Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die zweite Kaverne ein Gettermaterial enthält. Vorteilhaft lässt sich die Sorption von Gasen vergrößern, indem zusätzlich ein geeignetes Gettermaterial in die zweite Kaverne eingebracht ist, und verschieden von einem Wandmaterial der zweiten Kaverne ist. Besonders vorteilhaft ist das Gettermaterial auf einer inneren Oberfläche der zweiten Kaverne angeordnet und bildet dort eine Beschichtung.
- Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die zweite Kaverne eine Strukturierung einer inneren Oberfläche aufweist. Vorteilhaft lässt sich so die innere Oberfläche vergrößern, an der eine Sorption von Gasen stattfinden kann.
- Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die mikromechanische Vorrichtung eine Haupterstreckungsebene aufweist und dass die erste Kaverne und die zweite Kaverne in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene wenigstens teilweise überlappend angeordnet sind. Vorteilhaft lässt sich auf diese Weise die Grundfläche der mikromechanischen Vorrichtung in der Haupterstreckungsebene gering halten.
- Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die mikromechanische Vorrichtung eine Haupterstreckungsebene sowie einen Bondrahmen und eine Kappe parallel zur Haupterstreckungsebene aufweist und dass der Bondrahmen und die zweite Kaverne in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene wenigstens teilweise überlappend angeordnet sind. Vorteilhaft lässt sich auch auf diese Weise die Grundfläche der mikromechanischen Vorrichtung in der Haupterstreckungsebene gering halten, indem der sonst ungenutzte Raum unter dem Bondrahmen ein Volumen für die zweite Kaverne bildet.
- Diese Erfindung erlaubt die Einstellung eines Kavernendrucks durch Verwendung eines elektrisch aktivierbaren Getters. Die Erfindung kann auch verwendet werden, um einen Kavernendruck über Lebensdauer zu stabilisieren, z.B. wenn der Kavernendruck durch Laser Reseal eingestellt wird und Druckänderungen durch Ausgasungen aus dem Sensor oder auch der Kappe eliminiert werden sollen. Dies ist möglich, da die Einstellung des Innendrucks mit einem anderen Gas möglich ist (z.B. N2, Ar), als das aus dem Sensor und/oder Kappe austretende Gas (z.B. H2). Hierbei wird die Selektivität des Gettermaterials bezüglich unterschiedlichen Gasen ausgenutzt. Alternativ kann eine Pluralität von Kavernen verwendet werden, die bei Bedarf zugeschaltet werden.
- Aus technischer Sicht bietet die vorliegende Erfindung weitreichende Möglichkeiten, um den Innendruck in Kavernen einzustellen und darüber hinaus über Lebensdauer zu stabilisieren. Dies wird erreicht, indem ein Gettermaterial verwendet wird, dass jedoch nicht thermisch, sondern elektrisch aktiviert wird. Die wesentlichen Vorteile liegen in der Entkopplung der Getteraktivierung zu weiteren Prozessschritten, insbesondere zu dem Bondprozess von Sensor und Kappe.
- Figurenliste
-
-
1 a bis c zeigen in einem ersten Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung. -
2 zeigt eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit geöffnetem Verschluss. -
3 zeigt in einem zweiten Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit drei Verbindungskanälen und drei Verschlüssen. -
4 zeigt in einem dritten Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit einer ersten Kaverne und zwei zweiten Kavernen. -
5 zeigt in einem vierten Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit einer Strukturierung einer inneren Oberfläche der zweiten Kaverne. -
6 zeigt in einem fünften Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit einer zweiten Kaverne, welche ein Gettermaterial enthält. -
7 a und b zeigen in einem sechsten Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit zwei zweiten Kavernen, welche zumindest teilweise unter einem Bondrahmen angeordnet sind. - Beschreibung
- Die vorliegende Erfindung verwendet eine elektrische Aktivierung des Getters durch eine Änderung einer Diffusionsbarriere (im Folgenden „Verschluss“ genannt) zwischen mindestens zwei Kavernen. Hierbei wird zusätzlich zu einer ersten Kaverne, insbesondere einer Sensorkaverne, mindestens eine zweite Kaverne für den Getter angelegt. Die zweite Kaverne oder Getter-Kaverne ist geschlossen und besitzt einen kleineren Innendruck als die erste Kaverne oder Sensor-Kaverne. Die Sensor Kaverne ist mit der Getter Kaverne über mindestens einen Verbindungskanal miteinander verbunden, der jedoch geschlossen ist. Der Verschluss dieses Verbindungskanals ist mit elektrischen Kontakten verbunden, so dass durch ein Anlegen einer äußeren Spannung ein Strom über diesen Verschluss fließen kann. Fließt ein ausreichend großer Strom durch den Verschluss, so erhitzt sich dieser und ändert seine Eigenschaft als Diffusionsbarriere. Dies kann z.B. durch ein Öffnen des Verschlusses durch eine Verformung geschehen. Durch eine solche Verformung wird der Kanal geöffnet, so dass nun die Sensor Kaverne und die Getter Kaverne miteinander verbunden sind.
- Es kann sich jedoch auch die Struktur des Verschlusses derart ändern, dass der Verschluss nicht mehr als Diffusionsbarriere zwischen Sensor Kaverne und Getter Kaverne wirksam ist. Dies wird zum Beispiel erreicht indem der Verschluss durch Anlegen eines Stromes seine Porosität ändert.
- Als Material für den Verschluss können sowohl Halbleitermaterialien in einkristalliner, polykristalliner oder amorpher Struktur, zum Beispiel Silizium oder Germanium, als auch Metalle verwendet werden, beispielsweise Aluminium. Bevorzugt wird Polysilizium verwendet.
- Es können auch mehrere Getter-Kavernen an eine Sensor-Kaverne durch unabhängige Verschlüsse miteinander verbunden sein. In diesem Fall kann in der Sensor-Kaverne des Sensor-Elements bei einer Detektion eines Druckanstiegs in der Sensor-Kaverne durch Öffnen eines Verschlusses zu einer Getter-Kaverne der Druck in der Sensor-Kaverne reduziert werden. Werden mehrere Getter-Kavernen mit einer Sensor-Kaverne durch unabhängige Verschlüsse miteinander verbunden, so können die einzelnen Getter-Kavernen individuell und zeitlich unabhängig durch Öffnen des jeweiligen Verschlusses in Verbindung zu der Sensor-Kaverne gebracht werden. Dies kann die Stabilität eines Sensor-Elements über Lebensdauer verbessern. Die Detektion des Innendrucks des Sensor-Elements und das Öffnen eines Getter-Verschlusses werden durch den Auswerte-ASIC, der unabhängig von dieser Funktionalität zur Auswertung der Sensor-Signale vorhanden ist, durchgeführt.
- Die Getter-Kaverne kann flächenneutral in das Sensorelement integriert werden. Dies ist möglich, indem die Getter-Kaverne vollständig oder teilweise unter den Bondrahmen gelegt wird, siehe ausführliche Beschreibung unten.
- Realisierungsmöglichkeiten mit einer Sensor-Kaverne, mehreren Verbindungskanälen und mehreren Getter-Kavernen sind in den
1 bis4 dargestellt. Das Volumenverhältnis zwischen Getter-Kaverne zu Sensor-Kaverne kann kleiner Eins, größer Eins oder gleich Eins sein. In den1 -4 ist das Volumenverhältnis Getter-Kaverne zu Sensor-Kaverne beispielhaft jeweils mit kleiner Eins dargestellt. - Die
1 a bis c zeigen in einem ersten Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung. -
1a zeigt dabei eine Draufsicht auf eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit einer ersten Kaverne10 , welche ein MEMS-Element15 aufweist, und mit einer zweiten Kaverne20 . Die beiden Kavernen sind hermetisch dicht von der Umgebung abgeschlossen. Das MEMS Element benötigt einen bestimmten Arbeitsdruck. Die zweite Kaverne20 ist mit der ersten Kaverne10 mittels eines Verbindungskanals30 verbunden. Der Verbindungskanal30 weist einen Verschluss40 auf, durch welchen die erste Kaverne10 und die zweite Kaverne20 hermetisch voneinander abgeschlossen sind. Der Verschluss40 ist elektrisch zu öffnen. Er weist dafür elektrische Kontaktierungen45 auf. Die zweite Kaverne hat die Fähigkeit als Getter für die erste Kaverne zu fungieren, indem sie vor dem Öffnen des Verschlusses einen geringeren Innendruck als die erste Kaverne aufweist. Darüber hinaus wirken die inneren Oberflächen der zweiten Kaverne als Getter um Gase zu adsorbieren. -
1b zeigt im Querschnitt die mikromechanische Vorrichtung mit einer ersten Kaverne10 , einer zweiten Kaverne20 und einem geschlossenen Verbindungskanal30 mit Verschluss40 , vor Aufbringung einer Kappe80 zum Verschließen der Kavernen. -
1c zeigt im Querschnitt die fertige mikromechanische Vorrichtung nach Aufbringung einer Kappe80 zum Verschließen der Kavernen10 ,20 . Die mikromechanische Vorrichtung weist eine Haupterstreckungsebene60 auf. Die erste Kaverne10 und die zweite Kaverne20 sind in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene60 teilweise überlappend angeordnet. Die erste Kaverne10 erstreckt sich dabei unter der Kappe80 über den Bereich des Verbindungskanals30 hinweg und teilweise über die zweite Kaverne20 . Die Kappe80 ist mittels eines Bondrahmens70 in einer Ebene parallel zur Haupterstreckungsebene60 mit der übrigen mikromechanischen Vorrichtung verbunden. Der Bondrahmen70 und die zweite Kaverne20 sind in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene60 teilweise überlappend angeordnet. -
2 zeigt eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit geöffnetem Verschluss. Dargestellt ist eine Draufsicht auf eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit einem nach erfolgtem Stromfluss geöffneten Verbindungskanal40 . -
3 zeigt in einem zweiten Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit drei Verbindungskanälen30 und beispielhaft drei geschlossenen Verschlüssen40 . -
4 zeigt in einem dritten Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit einer ersten Kaverne10 und zwei zweiten Kavernen20 . Die Draufsicht zeigt zwei zweite Kavernen20 unterschiedlicher Geometrie, eine erste Kaverne10 und mehrere geschlossene Verbindungskanäle30 . - Die zweite Kaverne
20 selbst kann weitere Strukturierungen enthalten, um die Sorptionsfähigkeit zu erhöhen. Insbesondere poröse Oberflächen können die Oberfläche vergrößern und damit die Sorptionsfähigkeit verbessern. Das Gettermaterial in der zweiten Kaverne20 oder Getter Kaverne kann aus unterschiedlichen Materialien sowie Kombinationen daraus bestehen. Besonders geeignet ist Silizium, da dies einfach in der Herstellung ist und durch den verwendeten Prozessfluss für das Sensorelement zur Verfügung steht. Zusätzlich kann die Getter Kaverne und deren Strukturierung mit einem Gettermaterial beschichtet werden, um die Sorptionsfähigkeit zu erhöhen. Realisierungsmöglichkeiten sind in den5 und6 dargestellt. -
5 zeigt dazu in einem vierten Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit einer Strukturierung24 einer inneren Oberfläche der zweiten Kaverne20 . -
6 zeigt in einem fünften Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit einer zweiten Kaverne, welche ein Gettermaterial22 enthält. In diesem Beispiel ist außerdem ebenfalls das Merkmal einer Strukturierung24 einer inneren Oberfläche der zweiten Kaverne20 verwirklicht. - Um die mikromechanische Vorrichtung durch die zweite Kaverne nicht oder nur so wenig wie möglich zu vergrößern, kann die zweite Kaverne
20 teilweise oder vollständig unter den Bondrahmen70 gelegt werden. Dies ist möglich, da der Bondrahmen mehrere 10µm Breite aufweist. Bei einer Verlegung der zweiten Kaverne20 unter den Bondrahmen70 kann dieser sonst ungenutzte Bereich für die zweite Kaverne Verwendung finden. - Die
7 a und b zeigen in einem sechsten Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße mikromechanische Vorrichtung mit zwei zweiten Kavernen20 , welche zumindest teilweise unter einem Bondrahmen70 angeordnet sind.7 a zeigt dabei in Draufsicht eine mikromechanische Vorrichtung mit einer zweiten Kaverne20 , die teilweise unter dem Bondrahmen70 angeordnet ist (links) und mit einer weiteren zweiten Kaverne20 , die vollständig unter dem Bondrahmen70 angeordnet ist (rechts). -
7 b zeigt diese mikromechanische Vorrichtung im Querschnitt - Die zweite Kaverne
20 kann auch umlaufend um die erste Kaverne10 angeordnet sein. - Bezugszeichenliste
-
- 10
- erste Kaverne
- 15
- MEMS-Element
- 20
- zweite Kaverne
- 22
- Gettermaterial
- 24
- Strukturierung einer inneren Oberfläche der zweiten Kaverne
- 30
- Verbindungskanal
- 40
- Verschluss
- 45
- elektrische Kontaktierung
- 60
- Haupterstreckungsebene
- 70
- Bondrahmen
- 80
- Kappe
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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- Zitierte Patentliteratur
-
- EP 1410433 [0005]
- EP 1412550 [0005]
- EP 1869696 [0005]
Claims (5)
- Mikromechanische Vorrichtung mit einer ersten Kaverne (10), welche ein MEMS-Element (15) aufweist, und mit einer zweiten Kaverne (20), dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kaverne (20) mit der ersten Kaverne (10) mittels eines Verbindungskanals (30) verbunden ist, wobei der Verbindungskanal (30) einen Verschluss (40) aufweist, durch welchen die erste Kaverne (10) und die zweite Kaverne (20) hermetisch voneinander abgeschlossen sind, wobei der Verschluss (40) elektrisch zu öffnen ist.
- Mikromechanische Vorrichtung nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kaverne (20) ein Gettermaterial (22) enthält. - Mikromechanische Vorrichtung nach
Anspruch 1 oder2 , dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kaverne (20) eine Strukturierung (24) einer inneren Oberfläche aufweist. - Mikromechanische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mikromechanische Vorrichtung eine Haupterstreckungsebene (60) aufweist und dass die erste Kaverne (10) und die zweite Kaverne (20) in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene (60) wenigstens teilweise überlappend angeordnet sind.
- Mikromechanische Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mikromechanische Vorrichtung eine Haupterstreckungsebene (60) sowie einen Bondrahmen (70) und eine Kappe (80) parallel zur Haupterstreckungsebene (60) aufweist und dass der Bondrahmen (70) und die zweite Kaverne (20) in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene (60) wenigstens teilweise überlappend angeordnet sind.
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DE102015224519A1 (de) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | MEMS-Bauteil mit zwei unterschiedlichen Innendrücken |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001094823A1 (en) * | 2000-06-02 | 2001-12-13 | The Regents Of The University Of California | Controlling physical motion with electrolytically formed bubbles |
EP1410433A2 (de) | 2001-07-20 | 2004-04-21 | SAES GETTERS S.p.A. | Träger mit integrierter abscheidung von gasabsorbierendem material zur herstellung von mikroelektronischen, microoptoelektronischen oder mikromechanischen bauelementen |
EP1412550A2 (de) | 2001-07-20 | 2004-04-28 | SAES GETTERS S.p.A. | Träger mit getter-material für ein mikroelektronisches, microoptoelektronisches oder mikromechanisches bauelement |
DE60207708T2 (de) * | 2001-06-07 | 2006-09-07 | Nanostream, Inc., Pasadena | Mikrofluidik-Systeme zum Kombinieren diskreter Fluidvolumen |
EP1869696A2 (de) | 2005-04-12 | 2007-12-26 | SAES GETTERS S.p.A. | Prozess zur bildung miniaturisierter getter-ablagerungen und so erhaltene getterablagerungen |
US20120326248A1 (en) * | 2011-06-27 | 2012-12-27 | Invensense, Inc. | Methods for cmos-mems integrated devices with multiple sealed cavities maintained at various pressures |
DE102013222517A1 (de) * | 2013-11-06 | 2015-05-07 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Sensoreinheit und Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Sensoreinheiten |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09318579A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Tokyo Gas Co Ltd | 密封カバー付きセンサ及びその製造方法 |
CN1142603C (zh) * | 2000-04-29 | 2004-03-17 | 中国科学院物理研究所 | 一种具有高温自封闭机制的微孔聚合物隔膜及其制备方法 |
DE10064494A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement, wobei das Halbleiterbauelement insbesondere eine bewegliche Masse aufweist |
DE10344229A1 (de) * | 2003-09-24 | 2005-05-19 | Steag Microparts Gmbh | Mikrostruktuierte Vorrichtung zum entnehmbaren Speichern von kleinen Flüssigkeitsmengen und Verfahren zum Entnehmen der in dieser Vorrichtung gespeicherten Flüssigkeit |
DE102004015442A1 (de) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Verschließen von perforierten Membranen |
FR2903678B1 (fr) * | 2006-07-13 | 2008-10-24 | Commissariat Energie Atomique | Microcomposant encapsule equipe d'au moins un getter |
JP2008311940A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Yamaha Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
CN101726203B (zh) * | 2008-10-16 | 2012-10-17 | 杨政修 | 高孔隙率毛细结构的制造法 |
US9389158B2 (en) * | 2010-02-12 | 2016-07-12 | Dan Angelescu | Passive micro-vessel and sensor |
FR2981198B1 (fr) * | 2011-10-11 | 2014-04-04 | Commissariat Energie Atomique | Structure d'encapsulation de dispositif electronique et procede de realisation d'une telle structure |
DE102012219605B4 (de) * | 2012-10-26 | 2021-09-23 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement |
CN203768004U (zh) * | 2014-02-22 | 2014-08-13 | 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 | 双压力mems芯片 |
US9557238B2 (en) * | 2014-07-25 | 2017-01-31 | Ams International Ag | Pressure sensor with geter embedded in membrane |
CN105417488B (zh) * | 2014-09-19 | 2017-08-04 | 美商明锐光电股份有限公司 | 压力传感器以及其制造方法 |
US9663349B2 (en) * | 2015-06-23 | 2017-05-30 | Invensense, Inc. | MEMS device with electrodes permeable to outgassing species |
CN206181301U (zh) * | 2016-10-25 | 2017-05-17 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 麦克风 |
-
2017
- 2017-06-22 DE DE102017210459.7A patent/DE102017210459A1/de active Pending
-
2018
- 2018-06-19 US US16/012,391 patent/US10501311B2/en active Active
- 2018-06-20 TW TW107121136A patent/TWI771434B/zh active
- 2018-06-22 CN CN201810658748.9A patent/CN109110725B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001094823A1 (en) * | 2000-06-02 | 2001-12-13 | The Regents Of The University Of California | Controlling physical motion with electrolytically formed bubbles |
DE60207708T2 (de) * | 2001-06-07 | 2006-09-07 | Nanostream, Inc., Pasadena | Mikrofluidik-Systeme zum Kombinieren diskreter Fluidvolumen |
EP1410433A2 (de) | 2001-07-20 | 2004-04-21 | SAES GETTERS S.p.A. | Träger mit integrierter abscheidung von gasabsorbierendem material zur herstellung von mikroelektronischen, microoptoelektronischen oder mikromechanischen bauelementen |
EP1412550A2 (de) | 2001-07-20 | 2004-04-28 | SAES GETTERS S.p.A. | Träger mit getter-material für ein mikroelektronisches, microoptoelektronisches oder mikromechanisches bauelement |
EP1869696A2 (de) | 2005-04-12 | 2007-12-26 | SAES GETTERS S.p.A. | Prozess zur bildung miniaturisierter getter-ablagerungen und so erhaltene getterablagerungen |
US20120326248A1 (en) * | 2011-06-27 | 2012-12-27 | Invensense, Inc. | Methods for cmos-mems integrated devices with multiple sealed cavities maintained at various pressures |
DE102013222517A1 (de) * | 2013-11-06 | 2015-05-07 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Sensoreinheit und Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Sensoreinheiten |
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