TWI771434B - 具有第一腔體和第二腔體的微機械裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係基於一種微機械裝置,其包含具有MEMS元件(15)之第一腔體(10)且包含第二腔體(20)。本發明的本質在於該第二腔體(20)係藉助於連接通道(30)而連接至該第一腔體(10),其中該連接通道(30)具有封閉件(40),該第一腔體(10)與該第二腔體(20)係藉助於該封閉件(40)而彼此氣密地密封,其中該封閉件(40)可為電性開路。

Description

具有第一腔體和第二腔體的微機械裝置
本發明係基於一種包含具有MEMS元件之第一腔體且包含第二腔體之微機械裝置。
MEMS元件需要已定義環境以恰當地起作用。詳言之,此係關於環境壓力。在感測器之使用壽命內保持穩定而無關於環境影響的低環境壓力係尤其需要的,而不僅僅針對轉速感測器而需要。根據先前技術,可使用吸氣劑材料以便設定感測器之腔體真的壓力。當意欲在一個晶片,例如包含加速度感測器及轉速感測器之組合元件,上生產具有不同腔體壓力之複數個感測器時,此係尤其有利的。此處,將吸氣劑材料引入至具有更低壓力之感測器,例如轉速感測器,的腔體中。一個缺點係在接合製程期間會熱活化吸氣劑。因此,對接合製程與吸氣劑活化之單獨最佳化係不可能的。
另一選項係在使用壽命內將吸氣劑用作用於凹穴壓力之穩定器。為此目的,將吸氣劑材料引入至一個腔體中,其中吸氣劑之任務限於自感測器及/或頂蓋吸附除氣。在此處亦熱活化吸氣劑材料。
顯著的吸氣劑材料及用於生產方法描述於例如EP1410433、EP1412550及EP1869696中。
本發明之目標
本發明之目標係提供一種包含一腔體之微機械裝置,可控制該腔體之內部大氣壓力。
本發明之優點
本發明係基於一種包含具有MEMS元件之第一腔體且包含第二腔體之微機械裝置。
本發明之本質在於該第二腔體藉助於一連接通道連接至該第一腔體,其中該連接通道具有一封閉件,該第一腔體與該第二腔體藉助於該封閉件彼此氣密密封,其中該封閉件可為電性開路。
本發明之一個有利改進規定該第二腔體含有一吸氣劑材料。宜可藉由另外將不同於該第二腔體之一壁材料的一適合之吸氣劑材料引入至該第二腔體中來增加氣體之吸附。該吸氣劑材料尤其宜配置於該第二腔體之一內表面上且在彼處形成一塗層。
本發明之一個有利改進規定該第二腔體具有一內表面之一結構化部分。宜可以此方式增大該內表面之大小,在該內表面處可進行氣體之吸附。
本發明之一個有利改進規定該微機械裝置具有一主要範圍平面,且該第一腔體與該第二腔體係在垂直於該主要範圍平面之一方向上以一至少部分重疊方式配置。宜可以此方式使該微機械裝置之該主要範圍平面上的基面保持低。
本發明之一個有利改進規定該微機械裝置具有一主要範圍平面且亦具有平行於該主要範圍平面之一接合框架及一頂蓋,且該接合框架與該第二腔體係在垂直於該主要範圍平面之一方向上以一至少部分重疊方式配置。藉 由該接合框架下方之另外未使用之空間形成該第二腔體之一體積,宜可以此方式使該微機械裝置之該主要範圍平面上的基面保持低。
本發明允許藉由使用一電可活化吸氣劑來設定凹穴壓力。舉例而言,當藉由雷射重新密封設定凹穴壓力且意欲藉由自該感測器或否則自該頂蓋進行除氣來消除壓力之改變時,亦可使用本發明以便在使用壽命內穩定一凹穴壓力。此係可能的,此係因為可使用與自該感測器及/或頂蓋排出之氣體(例如H2)不同之一氣體(例如N2、Ar)來設定內部壓力。在此處利用該吸氣劑材料相對於不同氣體之選擇性。作為替代方案,可使用可視需要連接之複數個腔體。
自一技術視角,本發明為設定腔體中之內部壓力且此外在使用壽命內穩定該內部壓力提供廣泛可能性。此藉由正使用之一吸氣劑材料來達成,然而,該吸氣劑材料並非熱活化而是電活化。可在自其他製程步驟,詳言之自感測器及頂蓋之接合製程解耦吸氣劑活化之過程中找到本質優點。
10‧‧‧第一腔體
15‧‧‧MEMS元件
20‧‧‧第二腔體
22‧‧‧吸氣劑材料
24‧‧‧第二腔體之內表面的結構化部分
30‧‧‧連接通道
40‧‧‧封閉件
45‧‧‧電接點產生構件
60‧‧‧主要範圍平面
70‧‧‧接合框架
80‧‧‧頂蓋
圖1a至圖1c在第一例示性實施方式中展示根據本發明之微機械裝置。
圖2展示根據本發明之具有打開封閉件的微機械裝置。
圖3在第二例示性實施方式中展示根據本發明之包含三個連接通道及三個封閉件之微機械裝置。
圖4在第三例示性實施方式中展示根據本發明之包含一個第一腔體及兩個第二腔體之微機械裝置。
圖5在第四例示性實施方式中展示根據本發明之包含第二腔體之內表面之結構化部分的微機械裝置。
圖6在第五例示性實施方式中展示根據本發明之包含含有吸氣劑材料之第二腔體的微機械裝置。
圖7a及圖7b在第六例示性實施方式中展示根據本發明之包含至少部分地配置於接合框架底下之兩個第二腔體的微機械裝置。
本發明藉由改變至少兩個腔體之間的擴散障壁(在以下文本中稱為“封閉件”)來使用對吸氣劑之電活化。此處,除了第一腔體,詳言之感測器腔體以外,亦產生用於吸氣劑之至少一個第二腔體。第二腔體或吸氣劑腔體關閉且比第一腔體或感測器腔體具有更低之內部壓力。感測器腔體藉助於至少一個連接通道連接至吸氣劑腔體,然而,該至少一個連接通道係關閉的。此連接通道之封閉件連接至電接點,以使得藉由施加外部電壓,電流可跨越該封閉件流動。若足夠高之電流流經封閉件,則該封閉件加熱且改變其作為擴散障壁之屬性。舉例而言,此可由於封閉件因變形而打開而發生。由於此類變形,通道打開,以使得感測器腔體與吸氣劑腔體現彼此連接。然而,亦可改變封閉件之結構,其方式為使得封閉件不再充當感測器腔體與吸氣劑腔體之間的擴散障壁。此例如藉由封閉件由於電流之施加而改變其孔隙度來得以實現。
用於封閉件之材料可係單晶、多晶或非晶形結構之半導體材料,例如矽或鍺、及亦金屬,例如鋁兩者。較佳地使用多晶矽。
複數個吸氣劑腔體亦可藉由非相依封閉件連接至感測器腔體。在此狀況下,在感測器元件之感測器腔體中,可藉由向吸氣劑腔體打開封閉件來在偵測到感測器腔體中之壓力增大的情況下降低感測器腔體中之壓力。若複數個吸氣劑腔體藉由非相依封閉件連接至一個感測器腔體,則可藉由打開相應封閉件來個別地將個別吸氣劑腔體連接至感測器腔體,且無關於時間。此可在 使用壽命內改良感測器元件之穩定性。藉由獨立於此功能性存在以評估感測器信號之評估ASIC執行對感測器元件之內部壓力的偵測及吸氣劑封閉件之打開。
吸氣劑腔體可以表面中性方式整合至感測器元件中。藉助於將吸氣劑腔體完全或部分地置放於接合框架底下,此係可能的,見下文之詳細描述。
在圖1至圖4中說明包含一個感測器腔體、複數個連接通道及複數個吸氣劑腔體之可能實施方案。吸氣劑腔體與感測器腔體之間的體積比可小於一、大於一或等於一。在圖1至圖4中,作為實例,在每一狀況下,吸氣劑腔體與感測器腔體之體積比小於一。
圖1a至圖1c在第一例示性實施方式中展示根據本發明之微機械裝置。
此處,圖1a展示根據本發明之微機械裝置的平面圖,該微機械裝置包含具有MEMS元件15之第一腔體10且包含第二腔體20。兩個腔體以氣密方式對周圍區密封。MEMS元件需要特定工作壓力。第二腔體20藉助於連接通道30連接至第一腔體10。連接通道30具有封閉件40,第一腔體10與第二腔體20藉助於封閉件40彼此氣密密封。封閉件40可為電性開路。為此目的,該封閉件具有電接點產生構件45。藉由在封閉件打開之前展現比第一腔體低的內部壓力,第二腔體能夠充當用於第一腔體之吸氣劑。此外,第二腔體之內表面充當吸氣劑以便吸附氣體。圖1b以橫截面展示在出於關閉腔體之目的而裝配頂蓋80之前的包含第一腔體10、第二腔體20及具有封閉件40之關閉連接通道30的微機械裝置。圖1c以橫截面展示在出於關閉腔體10、20之目的而裝配頂蓋80之後的成品微機械裝置。微機械裝置具有主要範圍平面60。第一腔體10與第二腔體20係在垂直於主要範圍平面60之方向上以部分重疊方式配置。此處,第一腔體10在頂蓋80底下延伸超出連接通道30之區域,且部分地在第二腔體20上方延伸。 在平行於主要範圍平面60之平面中,頂蓋80藉助於接合框架70連接至微機械裝置之其餘部分。接合框架70與第二腔體20係在垂直於主要範圍平面60之方向上以部分重疊方式配置。
圖2展示根據本發明之包含打開封閉件的微機械裝置。該圖說明根據本發明之包含在已發生電流流動之後打開之連接通道40的微機械裝置的平面圖。
圖3在第二例示性實施方式中展示根據本發明之微機械裝置,其包含三個連接通道30及例如三個封閉件40。
圖4在第三例示性實施方式中展示根據本發明之包含一第一腔體10及兩個第二腔體20之微機械裝置。平面圖展示具有不同幾何形狀之兩個第二腔體20、第一腔體10及複數個關閉之連接通道30。
第二腔體20自身可含有其他結構化部分以便增大吸附容量。詳言之,多孔表面可增大表面之大小且因此改良吸附容量。第二腔體20或吸氣劑腔體中之吸氣劑材料可由不同材料以及其組合構成。矽係尤其適合的,此係因為其易於製造且由於所使用處理流程而可用於感測器元件。另外,吸氣劑腔體及其結構化部分可塗佈有吸氣劑材料以便增大吸附容量。在圖5及圖6中說明可能之實施方案。
為此目的,圖5在第四例示性實施方式中展示根據本發明的包含第二腔體20之內表面之結構化部分24的微機械裝置。
圖6在第五例示性實施方式中展示根據本發明之包含含有吸氣劑材料22之第二腔體的微機械裝置。在此實例中亦同樣地實施第二腔體20之內表面之結構化部分24的特徵。
為了不由於第二腔體增大微機械裝置之大小,或僅儘可能少地增大大小,第二腔體20可部分或完全地置放於接合框架70底下。此係可能的, 此係因為接合框架具有數十pm之寬度。在第二腔體20重新定位於接合框架70底下之情況下,此另外未使用之區域可用於第二腔體。
圖7a及圖7b在第六例示性實施方式中展示根據本發明之包含至少部分地配置於接合框架70底下之兩個第二腔體20的微機械裝置。圖7a展示微機械裝置之平面圖,其包含部分地配置於接合框架70底下之第二腔體20(左側)且包含完全配置於接合框架70底下之另一第二腔體20(右側)。
圖7b以橫截面展示該微機械裝置。第二腔體20亦可圍繞第一腔體10配置。
10‧‧‧第一腔體
15‧‧‧MEMS元件
20‧‧‧第二腔體
30‧‧‧連接通道
40‧‧‧封閉件
45‧‧‧電接點產生構件

Claims (5)

  1. 一種微機械裝置,其包含具有MEMS元件(15)之第一腔體(10)且包含第二腔體(20),其特徵在於該第二腔體(20)係藉助於連接通道(30)而連接至該第一腔體(10),其中該連接通道(30)具有封閉件(40),該第一腔體(10)與該第二腔體(20)係藉助於該封閉件(40)而彼此氣密地密封,其中該封閉件(40)可為電性開路。
  2. 如請求項1所述之微機械裝置,其特徵在於該第二腔體(20)含有吸氣劑材料(22)。
  3. 如請求項1或2所述之微機械裝置,其特徵在於該第二腔體(20)具有內表面之結構化部分(24)。
  4. 如請求項1或2所述之微機械裝置,其特徵在於該微機械裝置具有主要範圍平面(60),且該第一腔體(10)與該第二腔體(20)係在垂直於該主要範圍平面(60)之一方向上以至少部分重疊方式而配置。
  5. 如請求項1或2所述之微機械裝置,其特徵在於該微機械裝置具有主要範圍平面(60)且亦具有平行於該主要範圍平面(60)之接合框架(70)及頂蓋(80),且該接合框架(70)與該第二腔體(20)係在垂直於該主要範圍平面(60)之一方向上以至少部分重疊方式配置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015224519A1 (de) * 2015-12-08 2017-06-08 Robert Bosch Gmbh MEMS-Bauteil mit zwei unterschiedlichen Innendrücken

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080049386A1 (en) * 2006-07-13 2008-02-28 Commissariat A L'energie Atomique Encapsulated microcomponent equipped with at least one getter
TW201708095A (zh) * 2015-06-23 2017-03-01 伊凡聖斯股份有限公司 具有對逸氣成分可滲透的電極之微電-機系統mems裝置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09318579A (ja) * 1996-05-29 1997-12-12 Tokyo Gas Co Ltd 密封カバー付きセンサ及びその製造方法
CN1142603C (zh) * 2000-04-29 2004-03-17 中国科学院物理研究所 一种具有高温自封闭机制的微孔聚合物隔膜及其制备方法
WO2001094823A1 (en) * 2000-06-02 2001-12-13 The Regents Of The University Of California Controlling physical motion with electrolytically formed bubbles
DE10064494A1 (de) * 2000-12-22 2002-07-04 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement, wobei das Halbleiterbauelement insbesondere eine bewegliche Masse aufweist
US7318912B2 (en) * 2001-06-07 2008-01-15 Nanostream, Inc. Microfluidic systems and methods for combining discrete fluid volumes
TW583049B (en) 2001-07-20 2004-04-11 Getters Spa Support with integrated deposit of gas absorbing material for manufacturing microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
TW533188B (en) 2001-07-20 2003-05-21 Getters Spa Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
DE10344229A1 (de) * 2003-09-24 2005-05-19 Steag Microparts Gmbh Mikrostruktuierte Vorrichtung zum entnehmbaren Speichern von kleinen Flüssigkeitsmengen und Verfahren zum Entnehmen der in dieser Vorrichtung gespeicherten Flüssigkeit
DE102004015442A1 (de) * 2004-03-30 2005-10-20 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Verschließen von perforierten Membranen
ITMI20050616A1 (it) 2005-04-12 2006-10-13 Getters Spa Processo per la formazione di depositi getter miniaturizzati e depositi getrter cosi'ottenuti
JP2008311940A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Yamaha Corp 半導体装置及びその製造方法
CN101726203B (zh) * 2008-10-16 2012-10-17 杨政修 高孔隙率毛细结构的制造法
US9389158B2 (en) * 2010-02-12 2016-07-12 Dan Angelescu Passive micro-vessel and sensor
US9540230B2 (en) * 2011-06-27 2017-01-10 Invensense, Inc. Methods for CMOS-MEMS integrated devices with multiple sealed cavities maintained at various pressures
FR2981198B1 (fr) * 2011-10-11 2014-04-04 Commissariat Energie Atomique Structure d'encapsulation de dispositif electronique et procede de realisation d'une telle structure
DE102012219605B4 (de) * 2012-10-26 2021-09-23 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement
DE102013222517A1 (de) * 2013-11-06 2015-05-07 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Sensoreinheit und Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Sensoreinheiten
CN203768004U (zh) * 2014-02-22 2014-08-13 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 双压力mems芯片
US9557238B2 (en) * 2014-07-25 2017-01-31 Ams International Ag Pressure sensor with geter embedded in membrane
CN105417488B (zh) * 2014-09-19 2017-08-04 美商明锐光电股份有限公司 压力传感器以及其制造方法
CN206181301U (zh) * 2016-10-25 2017-05-17 瑞声声学科技(深圳)有限公司 麦克风

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080049386A1 (en) * 2006-07-13 2008-02-28 Commissariat A L'energie Atomique Encapsulated microcomponent equipped with at least one getter
TW201708095A (zh) * 2015-06-23 2017-03-01 伊凡聖斯股份有限公司 具有對逸氣成分可滲透的電極之微電-機系統mems裝置

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Publication number Publication date
CN109110725A (zh) 2019-01-01
US20180370791A1 (en) 2018-12-27
US10501311B2 (en) 2019-12-10
DE102017210459A1 (de) 2018-12-27
CN109110725B (zh) 2024-02-13
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