DE102015206863B3 - Verfahren zur Herstellung einer Mikrofonstruktur und einer Drucksensorstruktur im Schichtaufbau eines MEMS-Bauelements - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Mikrofonstruktur und einer Drucksensorstruktur im Schichtaufbau eines MEMS-Bauelements Download PDF

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Abstract

Es wird ein Herstellungsverfahren für ein MEMS-Bauelement vorgeschlagen, mit dem sowohl eine Mikrofonstruktur (10) mit Mikrofonkondensator als auch eine Drucksensorstruktur (20) mit Messkondensator im MEMS-Schichtaufbau realisiert werden. Dabei werden die einzelnen Komponenten der Mikrofonstruktur (10) und der Drucksensorstruktur (20) parallel aber unabhängig voneinander in den Schichten des MEMS-Schichtaufbaus ausgebildet. Erfindungsgemäß wird die Drucksensormembran (21) aus einer ersten Schicht (3) herausstrukturiert, die als Sockelschicht für die Mikrofonmembran (11) fungiert. Die feststehende Gegenelektrode (23) des Messkondensators wird aus einer elektrisch leitfähigen zweiten Schicht (5) herausstrukturiert, die als Membranschicht der Mikrofonstruktur (10) fungiert. Und das feststehende Drucksensorgegenelement (22) wird aus einer dritten und einer vierten Schicht (6, 7) herausstrukturiert. Diese dritte Schicht (6) fungiert im Bereich der Mikrofonstruktur (10) als Opferschicht, deren Dicke im Bereich der Mikrofonstruktur (10) den Elektrodenabstand des Mikrofonkondensators bestimmt. Aus der vierten Schicht (7) wird das Mikrofongegenelement (13) herausstrukturiert.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung mindestens einer Mikrofonstruktur und mindestens einer Drucksensorstruktur im Schichtaufbau eines MEMS-Bauelements, bei dem die Mikrofonstruktur und die Drucksensorstruktur im Schichtaufbau nebeneinander ausgebildet werden und in der Bauelementrückseite jeweils mindestens eine Anschlussöffnung für die Drucksensormembran und für die Mikrofonmembran erzeugt werden. Sowohl im Fall der Mikrofonfunktion als auch im Fall der Drucksensorfunktion soll die Signalerfassung kapazitiv erfolgen. Deshalb umfasst die Mikrofonstruktur eine schalldruckempfindliche Mikrofonmembran und ein feststehendes akustisch durchlässiges Mikrofongegenelement, die jeweils mit mindestens einer Elektrode eines Mikrofonkondensators versehen sind. Die Drucksensorstruktur umfasst eine druckempfindliche Drucksensormembran und ein feststehendes Drucksensorgegenelement, die ebenfalls jeweils mit mindestens einer Elektrode eines Messkondensators versehen sind.
  • Die Integration einer Mikrofonfunktion und einer Drucksensorfunktion in einem gemeinsamen MEMS-Chip trägt zur Miniaturisierung von Anwendungsplatinen und Endgeräten bei gleichzeitiger Erhöhung des Funktionsumfangs bei, was insbesondere im Bereich der Consumer-Elektronik zunehmend an Bedeutung gewinnt.
  • In der WO 2012/122872 A1 wird ein Bauteil mit einer Mikrofonfunktion und einer Drucksensorfunktion beschrieben, das in Form eines Chipstapels realisiert ist.
  • Dieser Chipstapel umfasst ein MEMS-Bauelement, in dessen Schichtaufbau die Mikrofonstruktur mit Mikrofonmembran, akustisch durchlässigem Gegenelement und Mikrofonkondensator ausgebildet ist sowie die Drucksensormembran mit der auslenkbaren Elektrode des Messkondensators. In der Rückseite des MEMS-Bauelements sind zwei Anschlussöffnungen ausgebildet, eine für die Mikrofonstruktur und eine für die Drucksensormembran, die im Schichtaufbau des MEMS-Bauelements nebeneinander angeordnet sind. Des Weiteren umfasst der Chipstapel des bekannten Bauteils einen Kappenwafer, der face-to-face auf dem MEMS-Bauelement montiert ist. Im Schichtaufbau des Kappenwafers ist eine Ausnehmung ausgebildet, die über der Mikrofonstruktur angeordnet ist und ein abgeschlossenes Rückseitenvolumen für die Mikrofonfunktion bildet. Außerdem ist im Schichtaufbau des Kappenwafers eine feststehende Gegenelektrode ausgebildet, die über der auslenkbaren Elektrode der Drucksensorstruktur angeordnet ist und zusammen mit dieser den Messkondensator der Drucksensorstruktur bildet. Das Bauteilkonzept der WO 2012/122872 A1 sieht vor, die Mikrofonmembran und die Drucksensormembran aus derselben Funktionsschicht des MEMS-Schichtaufbaus heraus zu strukturieren. Die auslenkbare Elektrode der Drucksensorstruktur ist hier auf einem Trägerelement angeordnet, das mittig und starr mit der auslenkbaren Drucksensormembran verbunden ist. Dieses Trägerelement ist aus derselben Funktionsschicht herausstrukturiert, wie das Gegenelement der Mikrofonstruktur.
  • Das bekannte Bauteilkonzept ist insofern problematisch, als der Abstand zwischen den Elektroden des Messkondensators der Drucksensorstruktur erst im Rahmen der Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT) festgelegt wird, also erst wenn das MEMS-Bauelement und der Kappenwafer miteinander verbunden werden. In der Regel sollen die Elektroden des Messkondensators einen bestimmten vorgegebenen Abstand haben. Dies stellt besondere Anforderungen an die AVT des bekannten Bauteils und ist dementsprechend mit einem erhöhten Fertigungsaufwand verbunden. Außerdem steigt die Fehleranfälligkeit des Herstellungsprozesses dadurch deutlich.
  • Aus den Schriften US 2014/0264662 A1 und US 2014/0264653 A1 ist jeweils die Herstellung eines mikromechanischen Bauelements aus einem Halbleiterwafer bekannt. Dabei wird eine Polysliziumschicht auf einem dem Wafer derart strukturiert, dass sie sowohl für eine Mikrophon als auch einen Drucksensor verwendet werden kann.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Herstellungsverfahren für ein MEMS-Bauelement vorgeschlagen, mit dem sowohl die Mikrofonstruktur mit Mikrofonkondensator als auch die Drucksensorstruktur mit Messkondensator im MEMS-Schichtaufbau realisiert werden. Dabei werden die einzelnen Komponenten der Mikrofonstruktur und der Drucksensorstruktur parallel aber unabhängig voneinander in den Schichten des MEMS-Schichtaufbaus ausgebildet.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren sieht vor, die Drucksensormembran aus einer ersten Schicht heraus zu strukturieren, die als Sockelschicht für die Mikrofonmembran fungiert. Die feststehende Gegenelektrode des Messkondensators wird aus einer elektrisch leitfähigen zweiten Schicht herausstrukturiert, die als Membranschicht der Mikrofonstruktur fungiert. Das feststehende Drucksensorgegenelement wird aus einer dritten und einer vierten Schicht herausstrukturiert. Diese dritte Schicht fungiert im Bereich der Mikrofonstruktur als Opferschicht, deren Dicke den Elektrodenabstand des Mikrofonkondensators bestimmt bzw. den Abstand zwischen der Mikrofonmembran und dem Mikrofongegenelement, das aus der vierten Schicht herausstrukturiert wird.
  • Demnach wird hier zwar für die Herstellung der Drucksensorstruktur ebenfalls der Schichtaufbau der Mikrofonstruktur genutzt. Erfindungsgemäß ist aber erkannt worden, dass die einzelnen Schichten im Rahmen der beiden nebeneinander angeordneten Strukturen – Mikrofon und Drucksensor – unterschiedliche Funktionen erfüllen können, solange das Schichtmaterial und die Schichtdicke mit diesen unterschiedlichen Funktionen kompatibel sind. Dies wird erfindungsgemäß auch ausgenutzt, um die Elektrodenabstände des Mikrofonkondensators und des Messkondensators unabhängig voneinander vorzugeben. Von besonderem Vorteil ist, dass das erfindungsgemäße Verfahren lediglich geringfügige Modifikationen des Herstellungsprozesses für MEMS-Mikrofonbauelemente erfordert und deshalb eine sehr kostengünstige Fertigung von integrierten Mikrofon-Drucksensor-Bauelementen ermöglicht.
  • Grundsätzlich gibt es verschiedene Möglichkeiten für die Umsetzung des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens, was nicht zuletzt von den geometrischen und akustischen bzw. sensitiven Anforderungen an die Mikrofon- und Drucksensorkomponente des herzustellenden MEMS-Bauelements abhängt.
  • Unabhängig von diesen funktionalen Randbedingungen ist es von Vorteil, für die erste Schicht, also die Schicht, aus der die Drucksensormembran herausstrukturiert wird, ein elektrisch leitfähiges Material zu wählen. In diesem Fall kann die Drucksensormembran dann nämlich selbst als auslenkbare Elektrode des Messkondensators genutzt werden. Kurzschlüsse oder Leckströme zwischen der Bauelementstruktur und dem Substrat und innerhalb der Bauelementstruktur können dann einfach durch dielektrische Zwischenschichten verhindert werden. Dies ist insbesondere auch im Bereich der Mikrofonstruktur wichtig, wo diese elektrisch leitfähige Schicht ja als Sockelschicht für die Mikrofonmembran fungiert. Als elektrisch leitfähiges Schichtmaterial, das auch den mechanischen Anforderungen an eine Membranschicht genügt, eignet sich insbesondere Polysilizium, da es sich sehr einfach und mit definierter Schichtdicke abscheiden und strukturieren lässt und zudem durch eine geeignete Dotierung mit definierten elektrischen Eigenschaften ausgestattet werden kann. Die dielektrischen Zwischenschichten werden in diesem Fall bevorzugt aus SiO2 gebildet. SiO2 kann einfach in einem Opferschichtätzprozess bereichsweise aus dem Schichtaufbau entfernt werden, was sich insbesondere beim Freistellen von Membranstrukturen als vorteilhaft erweist.
  • Deshalb wird auch in einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung der Abstand zwischen den Elektroden des Messkondensators der Drucksensorstruktur mit Hilfe mindestens einer ersten Opferschicht vorgegeben und festgelegt. Diese erste Opferschicht wird über der ersten Schicht mit der Drucksensormembran und der Sockelstruktur für die Mikrofonmembran erzeugt. Da die elektrisch leitfähige zweite Schicht, aus der ja die feststehende Gegenelektrode des Messkondensators herausstrukturiert wird, auf die erste Opferschicht aufgebracht wird, bestimmt deren Dicke im Bereich der Drucksensorstruktur den Elektrodenabstand des Messkondensators. Das Opferschichtmaterial wird dann nämlich aus dem Membranbereich der Drucksensorstruktur entfernt, und zwar über Ätzzugangsöffnungen in der zweiten Schicht. An dieser Stelle sei darauf hingewiesen, dass die elektrisch leitfähige zweite Schicht im Bereich der Drucksensorstruktur als feststehende Gegenelektrode des Messkondensators fungiert und als Trägerschicht für den Schichtaufbau des Drucksensorgegenelements dient. Im Bereich der Mikrofonstruktur dient sie als Membranschicht und bildet hier die auslenkbare Elektrode des Mikrofonkondensators. Auch bei der elektrisch leitenden zweiten Schicht handelt es sich vorteilhafterweise um eine Polysiliziumschicht. Als Material für die mindestens eine erste Opferschicht sowie für die dritte Schicht, die ja im Bereich der Mikrofonstruktur als Opferschicht fungiert, wird dann ebenfalls bevorzugt SiO2 verwendet.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Wie bereits voranstehend erörtert, gibt es verschiedene Möglichkeiten, die Lehre der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Weise auszugestalten und weiterzubilden. Dazu wird einerseits auf die nachgeordneten Patentansprüche verwiesen und andererseits auf die nachfolgende Beschreibung eines Ausführungsbeispiels der Erfindung.
  • Die 1a bis 1k veranschaulichen das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren. Sie zeigen jeweils eine Schnittdarstellung durch den MEMS-Schichtaufbau im Bereich der Mikrofonstruktur 10 – linkes Teilbild – und im Bereich der Drucksensorstruktur 20 – rechtes Teilbild – in aufeinanderfolgenden Stadien der Herstellung.
  • Ausführungsform der Erfindung
  • Im hier beschriebenen Ausführungsbeispiel werden die Mikrofonstruktur 10 und die Drucksensorstruktur 20 des MEMS-Bauelements in einem Schichtaufbau auf einem Grundsubstrat 1 realisiert. Dabei kann es sich beispielsweise um ein Siliziumsubstrat 1 handeln. Die beiden Teilbilder der 1a bis 1k veranschaulichen, dass die Mikrofonstruktur 10 und die Drucksensorstruktur 20 nebeneinander angeordnet sind und voneinander unabhängig realisiert werden.
  • In einem ersten Prozessschritt – 1a – wird eine Siliziumoxidschicht 2 auf der Substratoberfläche abgeschieden und zumindest im Bereich der Mikrofonstruktur 10 strukturiert. Im Bereich der Drucksensorstruktur 20 bleibt die Siliziumoxidschicht 2 geschlossen. Diese Siliziumoxidschicht 2 dient zum einen als Ätzstoppschicht für einen Rückseitenätzprozess, bei dem das Grundsubstrat 1 in definierten Bereichen vollständig entfernt wird, um die Mikrofonmembran und die Drucksensormembran rückseitig freizulegen. Zum anderen fungiert die Siliziumoxidschicht 2 als elektrische Isolationsschicht zwischen dem Grundsubstrat 1 und dem Schichtaufbau mit der Mikrofonstruktur 10 und der Drucksensorstruktur 20.
  • Auf die Siliziumoxidschicht 2 wird eine Polysiliziumschicht 3 aufgebracht, was in 1b dargestellt ist. Die Polysiliziumschicht 3 wird in der Regel epitaktisch aufgewachsen. In dieser Polysiliziumschicht 3 wird in einem nachfolgenden Prozessschritt die Drucksensormembran 21 oberhalb einer Kaverne 25 realisiert, die hier als auslenkbare Elektrode des Messkondensators fungiert. Im Bereich der Mikrofonstruktur 10 dient die Polysiliziumschicht 3 als Sockelschicht.
  • In einem nächsten Prozessschritt wird eine weitere Siliziumoxidschicht 4 auf der Polysiliziumschicht 3 abgeschieden. Diese Siliziumoxidschicht 4 wird im Folgenden als oberes Sockeloxid 4 bezeichnet. Im Bereich der Drucksensorstruktur 20 bestimmt die Dicke des Sockeloxids 4 den Abstand zwischen dem Bereich der Polysiliziumschicht 3, der die Drucksensormembran 21 repräsentiert, und dem Drucksensorgegenelement 22 und damit den Elektrodenabstand des Messkondensators. Im Bereich der Mikrofonstruktur 10 wird mit Hilfe des Sockeloxids 4 die Randanbindung 12 der Mikrofonmembran 11 an den Schichtaufbau realisiert. Vorteilhafterweise wird die Dicke des Sockeloxids 4 so gewählt, dass der Messkondensator einen definierten Elektrodenabstand einhält aber auch die konstruktiven Anforderungen der Mikrofonstruktur 10 erfüllt werden. Der Elektrodenabstand des Messkondensators kann aber auch weitestgehend unabhängig von der Mikrofonstruktur 10 vorgegeben werden, indem das Sockeloxid 4 in mehreren Oxidschichten abgeschieden wird, die unterschiedlich strukturiert werden. Auf diese Weise können unterschiedliche Schichtdicken des Sockeloxids 4 im Bereich der Drucksensorstruktur 20 und im Bereich der Mikrofonstruktur 10 realisiert werden.
  • Das Sockeloxid 4 wird dann noch einmal insgesamt strukturiert, was in 1c dargestellt ist. Dabei wird zum einen der Bereich der Drucksensorstruktur 20 definiert und zum anderen die Position der Randanbindung 12 der Mikrofonmembran 11.
  • 1d zeigt, dass auf dem so strukturierten Sockeloxid 4 eine weitere Polysiliziumschicht 5 abgeschieden wird. In dieser Polysiliziumschicht 5 wird die feststehende Gegenelektrode 23 des Messkondensators der Drucksensorstruktur realisiert. Im Bereich der Mikrofonstruktur 10 dient sie als Membranschicht.
  • In einem nächsten Prozessschritt wird die Polysiliziumschicht 5 strukturiert, und zwar nur im Bereich der Drucksensorstruktur 20, um die Gegenelektrode 23 des Messkondensators zu definieren und Ätzzugangsöffnungen 51 zum Sockeloxid 4 zu erzeugen. Das Ergebnis dieses Strukturierungsprozesses ist in 1e dargestellt.
  • 1f zeigt den Schichtaufbau nach einem Opferschichtätzprozess, bei dem das Sockeloxid 4 aus dem Drucksensorbereich 20 entfernt wurde. Der Ätzangriff erfolgt über die Ätzzugangsöffnungen 51 nasschemisch oder durch Gasphasenätzen.
  • Nach dem Opferschichtätzen werden die Ätzzugangsöffnungen 51 mittels LPCVD (low pressure chemical vapour deposition) von SiO2 52 wieder verschlossen. Über die dabei herrschenden Prozessbedingungen, insbesondere Temperatur und Druck, kann der später in der Druckzelle 24 der Drucksensorkomponente 20 herrschende Referenzdruck eingestellt werden. Nach dem Verschließen der Druckzelle 24 wird die Polysiliziumschicht 5 im Bereich der Mikrofonstruktur 10 strukturiert, um die Mikrofonmembran 11 und deren Randanbindung 12 an den Schichtaufbau zu definieren. Wie 1g zeigt, wurde im hier dargestellten Ausführungsbeispiel dazu zunächst das zuvor abgeschiedene LPCVD-SiO2 entfernt. Es kann aber auch im Schichtaufbau verbleiben.
  • In einem nächsten Prozessschritt – dargestellt in 1h – wird eine dicke Siliziumoxidschicht 6 auf die Polysiliziumschicht 5 aufgebracht und strukturiert. Die Siliziumoxidschicht 6 dient im Bereich der Mikrofonstruktur 10 als Opferschicht, so dass deren Dicke den Abstand zwischen der Mikrofonmembran 11 und dem feststehenden Mikrofongegenelement 13 definiert. Im Bereich der Drucksensorstruktur 20 wird die Siliziumoxidschicht 6 nur strukturiert, um die Elektroden 21 und 23 des Messkondensators zu kontaktieren. Außerdem kann die mechanische Stabilität des Drucksensorgegenelements 22 durch eine Strukturierung der Siliziumoxidschicht 6 erhöht werden.
  • 1i zeigt den Schichtaufbau, nachdem eine weitere dicke Schicht 7, hier eine Polysiliziumschicht 7, auf der strukturierten Siliziumoxidschicht 6 abgeschieden und zumindest im Bereich der Mikrofonstruktur 10 strukturiert worden ist. Dabei wurde das Mikrofongegenelement 13 mit Durchgangsöffnungen 14 erzeugt. Dieses Mikrofongegenelement 13 dient als Träger für mindestens eine feststehende Gegenelektrode des Mikrofonkondensators, die hier nicht im Einzelnen dargestellt ist. Im Bereich der Drucksensorstruktur 20 bleibt die Polysiliziumschicht 7 geschlossen und bildet zusammen mit der Siliziumoxidschicht 6 das Drucksensorgegenelement 22 mit der Drucksensorgegenelektrode 23 in der Polysiliziumschicht 5.
  • In einem gemeinsamen Rückseitenätzprozess – hier einem Trenchprozess werden die Mikrofonmembran 11 und die Drucksensormembran 21 (bestehend aus dem Teil der Polysiliziumschicht 3, die sich oberhalb der Kaverne 25 befindet) rückseitig freigelegt. Dabei werden zwei voneinander unabhängige Kavernen 15 und 25 in der Substratrückseite erzeugt, was in 1j dargestellt ist. Im Fall der Mikrofonstruktur 10 stoppt der Trenchprozess auf der Siliziumoxidschicht 2 und dem oberen Sockeloxid 4, während der Trenchprozess im Fall der Drucksensorstruktur 20 ausschließlich auf der Siliziumoxidschicht 2 stoppt.
  • In einem abschließenden Opferschichtätzprozess wird dann noch die Mikrofonmembran 11 freigestellt, indem die Siliziumoxidschicht 2, das obere Sockeloxid 4 und die Siliziumoxid-Opferschicht 6 aus dem Bereich der Mikrofonstruktur 10 entfernt wird. Dabei wird auch die Siliziumoxidschicht 2 aus dem Bereich der Drucksensorstruktur 20 entfernt. Das Ergebnis dieses Opferschichtätzprozesses ist in 1k dargestellt.

Claims (6)

  1. Verfahren zur Herstellung mindestens einer Mikrofonstruktur (10) und mindestens einer Drucksensorstruktur (20) im Schichtaufbau eines MEMS-Bauelements, • wobei die Mikrofonstruktur (10) eine schalldruckempfindliche Mikrofonmembran (11) und ein feststehendes akustisch durchlässiges Mikrofongegenelement (13) umfasst, die jeweils mit mindestens einer Elektrode eines Mikrofonkondensators versehen sind, und • wobei die Drucksensorstruktur (20) eine druckempfindliche Drucksensormembran (21) mit einer auslenkbaren Elektrode eines Messkondensators und ein feststehendes Drucksensorgegenelement (22) mit einer feststehenden Gegenelektrode (23) des Messkondensators umfasst, bei dem die Mikrofonstruktur (10) und die Drucksensorstruktur (20) im Schichtaufbau nebeneinander ausgebildet werden, und bei dem in der Bauelementrückseite jeweils mindestens eine Anschlussöffnung (15, 25) für die Mikrofonmembran (11) und für die Drucksensormembran (21) erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet, • dass die Drucksensormembran (21) aus einer ersten Schicht (3) herausstrukturiert wird, die als Sockelschicht für die Mikrofonmembran (11) fungiert, • dass die feststehende Gegenelektrode (23) des Messkondensators aus einer elektrisch leitfähigen zweiten Schicht (5) herausstrukturiert wird, die als Membranschicht der Mikrofonstruktur (10) fungiert, und • dass das feststehende Drucksensorgegenelement (22) aus einer dritten und einer vierten Schicht (6, 7) herausstrukturiert wird, wobei die dritte Schicht (6) im Bereich der Mikrofonstruktur (10) als Opferschicht fungiert, deren Dicke im Bereich der Mikrofonstruktur (10) den Elektrodenabstand des Mikrofonkondensators bestimmt und wobei aus der vierten Schicht (7) das Mikrofongegenelement (13) herausstrukturiert wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht (3) aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet wird, so dass die Drucksensormembran (21) als auslenkbare Elektrode des Messkondensators fungiert.
  3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass über der ersten Schicht (3) mindestens eine erste Opferschicht (4) erzeugt wird, deren Dicke im Bereich der Drucksensorstruktur (20) den Elektrodenabstand des Messkondensators bestimmt, dass die elektrisch leitfähige zweite Schicht (5) auf die erste Opferschicht (4) aufgebracht wird und dass die erste Opferschicht (4) dann über Ätzzugangsöffnungen in der zweiten Schicht (5) aus dem Membranbereich der Drucksensorstruktur (20) entfernt wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die erste, die zweite und/oder vierte Schicht (3, 5, 7) aus Polysiliziummaterial gebildet werden.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Opferschicht (4, 6) aus SiO2-Material gebildet wird.
  6. MEMS-Bauelement mit mindestens einer Mikrofonstruktur (10) und mindestens einer Drucksensorstruktur (20), wobei die Mikrofonstruktur (10) und die Drucksensorstruktur (20) im Schichtaufbau des MEMS-Bauelements nebeneinander ausgebildet sind, insbesondere hergestellt mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, • so dass die Mikrofonstruktur (10) eine schalldruckempfindliche Mikrofonmembran (11) und ein feststehendes akustisch durchlässiges Mikrofongegenelement (13) umfasst, die jeweils mit mindestens einer Elektrode eines Mikrofonkondensators versehen sind, und • so dass die Drucksensorstruktur (20) eine druckempfindliche Drucksensormembran (21) mit einer auslenkbaren Elektrode eines Messkondensators und ein feststehendes Drucksensorgegenelement (22) mit einer feststehenden Gegenelektrode (23) des Messkondensators umfasst, wobei in der Bauelementrückseite jeweils mindestens eine Anschlussöffnung (15, 25) für die Mikrofonmembran (11) und für die Drucksensormembran (21) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, • dass die Drucksensormembran (21) aus einer ersten Schicht (3) herausstrukturiert ist, die als Sockelschicht für die Mikrofonmembran (11) fungiert, • dass die feststehende Gegenelektrode (23) des Messkondensators aus einer elektrisch leitfähigen zweiten Schicht (5) herausstrukturiert ist, die als Membranschicht der Mikrofonstruktur (10) fungiert, und • dass das feststehende Drucksensorgegenelement (22) aus einer dritten und einer vierten Schicht (6, 7) herausstrukturiert ist, wobei die dritte Schicht (6) im Bereich der Mikrofonstruktur (10) entfernt ist und wobei aus der vierten Schicht das Mikrofongegenelement (13) herausstrukturiert ist.
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