JP2014053434A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Description
本発明の１つの側面は、画素領域および周辺回路領域を有する固体撮像装置の製造方法に係り、前記製造方法は、半導体基板の上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜の上に絶縁膜を形成する工程と、前記周辺回路領域において前記絶縁膜および前記酸化膜に第１開口を形成する工程と、前記絶縁膜をマスクとして使って前記第１開口を通して前記半導体基板をエッチングすることによって前記周辺回路領域において前記半導体基板に溝を形成する工程と、前記酸化膜を貫通しないように前記画素領域において前記絶縁膜に第２開口を形成する工程と、前記溝および前記第２開口の中に絶縁体を形成する工程と、を含む。
Claims (10)
- 画素領域および周辺回路領域を有する固体撮像装置の製造方法であって、
半導体基板の上に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記周辺回路領域において前記絶縁膜および前記酸化膜に第１開口を形成する工程と、
前記絶縁膜をマスクとして使って前記第１開口を通して前記半導体基板をエッチングすることによって前記周辺回路領域において前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記酸化膜を貫通しないように前記画素領域において前記絶縁膜に第２開口を形成する工程と、
前記溝および前記第２開口の中に絶縁体を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 画素領域および周辺回路領域を有する固体撮像装置の製造方法であって、
半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記周辺回路領域において前記絶縁膜に第１開口を形成する工程と、
前記絶縁膜をマスクとして使って前記第１開口を通して前記半導体基板をエッチングすることによって前記周辺回路領域において前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記画素領域において前記絶縁膜に第２開口を形成する工程と、
前記溝および前記第２開口の中に絶縁体を形成する工程と、を含み、
前記溝を形成する工程において前記絶縁膜が薄くなり、
前記第２開口を形成する工程は、前記溝を形成する工程の後に実施される、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記絶縁膜を形成する工程の前に前記半導体基板の上に酸化膜が形成され、前記絶縁膜を形成する工程では、前記酸化膜の上に前記絶縁膜を形成し、
前記溝を形成する工程では、前記第１開口を通して前記酸化膜をエッチングした後に前記半導体基板をエッチングする、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第２開口を形成する工程では、前記酸化膜が露出するように前記絶縁膜に前記第２開口を形成する、
ことを特徴とする請求項１又は３に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第１開口および前記第２開口が形成される前記絶縁膜を第１絶縁膜として、
前記絶縁体を形成する工程では、前記溝、前記第１開口および前記第２開口を埋めるように第２絶縁膜を形成し、前記第２絶縁膜のうち第１絶縁膜の上面よりも上に存在する部分を除去する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記絶縁膜を形成する工程では、前記溝の深さの１／２以上の厚さを有するように前記絶縁膜を形成する、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記溝を形成する工程において、前記絶縁膜の厚さは、前記溝を形成する工程の実施前における厚さの４／５以下まで薄くなる、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記画素領域において前記半導体基板に前記第２開口を通してイオンを注入してチャネルストップ領域を形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記絶縁体を形成する工程の前に、熱酸化により、前記溝の側面および底面に絶縁膜を形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記画素領域において、前記半導体基板に前記第２開口を通してイオンを注入して第１チャネルストップ領域を形成する工程と、
前記画素領域において、前記半導体基板に前記第２開口を通してイオンを注入して、前記第１チャネルストップ領域と前記半導体基板の表面との間に、第２チャネルストップ領域を形成する工程と、
前記第１チャネルストップ領域を形成する工程と前記第２チャネルストップ領域を形成する工程との間に、熱酸化により、前記溝の側面および底面に絶縁膜を形成する工程と、を差に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012196639A JP6118053B2 (ja) | 2012-09-06 | 2012-09-06 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US14/014,716 US9029182B2 (en) | 2012-09-06 | 2013-08-30 | Method of manufacturing solid-state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012196639A JP6118053B2 (ja) | 2012-09-06 | 2012-09-06 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014053434A JP2014053434A (ja) | 2014-03-20 |
| JP2014053434A5 true JP2014053434A5 (ja) | 2015-08-13 |
| JP6118053B2 JP6118053B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=50188116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012196639A Active JP6118053B2 (ja) | 2012-09-06 | 2012-09-06 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9029182B2 (ja) |
| JP (1) | JP6118053B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9006080B2 (en) * | 2013-03-12 | 2015-04-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Varied STI liners for isolation structures in image sensing devices |
| JP6164951B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-07-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法、光電変換装置、及び撮像システム |
| JP2015122374A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003218195A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004039832A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Sony Corp | 光電変換装置及びその製造方法 |
| JP2004221485A (ja) | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JP4539176B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2010-09-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4496866B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2010-07-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4578321B2 (ja) | 2005-05-25 | 2010-11-10 | Ｎｔｎ株式会社 | 軸継手 |
| US7468307B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-12-23 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor structure and method |
| KR101316058B1 (ko) * | 2007-08-09 | 2013-10-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP2009064980A (ja) | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Canon Inc | 撮像装置の製造方法、撮像装置、及び撮像システム |
| JP2009088447A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2009272596A (ja) | 2008-04-09 | 2009-11-19 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| EP2109143B1 (en) | 2008-04-09 | 2013-05-29 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method thereof, and electronic device |
| KR101038789B1 (ko) * | 2008-09-22 | 2011-06-03 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
| KR101540083B1 (ko) | 2008-10-22 | 2015-07-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
| JP2010206174A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Canon Inc | 光電変換装置およびその製造方法ならびにカメラ |
| JP5326937B2 (ja) * | 2009-08-26 | 2013-10-30 | ソニー株式会社 | Ｃｍｏｓ固体撮像素子の駆動方法 |
| JP5240146B2 (ja) | 2009-09-24 | 2013-07-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP2011176207A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
| JP2010219543A (ja) | 2010-04-27 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2012
- 2012-09-06 JP JP2012196639A patent/JP6118053B2/ja active Active
-
2013
- 2013-08-30 US US14/014,716 patent/US9029182B2/en not_active Expired - Fee Related
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