JP2014036216A - 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理室と、処理ガス原料の流量制御装置183と、圧力検出器501と、圧力調整器242と、圧力検出器、圧力調整器及び流量制御装置に接続されて検出された圧力値に応じて圧力調整器および流量制御装置を制御する制御部240とを備えた基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法において、前記処理室内の基板に対して流量制御装置を介して少なくとも第1の処理ガスを供給する工程と、前記第1の処理ガスを供給する工程後、前記処理室内をパージするパージガスを供給する第1のパージ工程と、前記第1のパージ工程後少なくとも第2の処理ガスを供給する工程と、前記第2の処理ガスを供給する工程後、前記処理室内をパージするパージガスを供給する第2のパージ工程とを有する。
【選択図】図5
Description
しかしながら、ウエハ(基板)が例えば300mmから450mmへと大口径化することにより、収容容器や反応炉などの各部材の大きさもそれぞれ大型化するため、結果として装置全体が大型化することになり、300mmウエハ対応の縦型熱処理装置と同等の処理プロセスではウエハの処理に時間がかかってしまい、スループットが低下することになってしまう。
を有する基板処理装置が提供される。
発明者等は、鋭意研究の結果、処理室内の基板に対して第1の原料ガスを供給する工程と、第1の原料ガスの供給を停止した状態で、処理室内に残留する第1の原料ガスを排気ラインにより排気する工程と、処理室内の基板に対して第2の原料ガスを供給する工程と、第2の原料ガスの供給を停止した状態で、処理室内に残留する第2の原料ガスを排気ラインにより排気する工程と、を所定回数繰り返すこと基板上に薄膜を形成する処理を行う基板処理方法では、スループット向上を目的として原料ガスを供給または排気することで処理室内を素早く所定の圧力に調整する必要があるが、処理対象となる基板が大口径化すると、処理室内の容積が増大するために供給するガス流量も増加するため、ガス供給の流量を制御するマスフローコントローラ(MFC)を用いて処理室内の圧力を一定にしようとすると流量調整のタイミングを遅くするとオーバーシュートが発生し、タイミングが早すぎるとアンダーシュートを発生しやすくなってしまうという課題があることを突き止めた。
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
本発明が適用される実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC)の製造方法における処理装置を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理などを行う縦型の装置(以下、単に処理装置という)を適用した場合について述べる。図1は、本発明が適用される基板処理装置の斜視図として示されている。また、図2は図1に示す基板処理装置の側面透視図である。
筐体111の正面壁111aにはポッド搬入搬出口112が筐体111の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口112はフロントシャッタ113によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口112の正面前方側には、搬入搬出部として用いられるロードポート114が設置されており、ロードポート114はポッド110を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド110はロードポート114上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート114上から搬出されるようになっている。
ボート217は複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、25〜200枚程度)のウエハ200をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、ノッチ合わせ装置135及びウエハ移載装置125a、待機部126にあるボート217に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体111の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環され、再びクリーンユニット134によって、移載室124内に吹き出されるように構成されている。
尚、以下の説明において、基板処理装置100を構成する各部の動作は、コントローラ240により制御される。
図3には、前記基板処理装置100の処理炉202及び処理炉202周辺の概略構成図であり、縦断面図が示されている。
コントローラ240は、温度制御部238、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置100全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238、主制御部239は、コントローラ240として構成されている。
例えばコントローラ240は駆動制御部241を介して、ポッド搬送装置118、ポッド棚105、ウエハ移載機構125、ボートエレベータ115等を制御する。
搬入されたポッド110はポッド棚105の指定された載置部117へポッド搬送装置118によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、ポッド棚105から一方のポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載される。この際、ポッドオープナ121のウエハ搬入搬出口120はキャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、移載室124にはクリーンエア133として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が20ppm以下と、筐体111の内部(大気雰囲気)の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
ポッド110がポッドオープナ121によって開放されると、ウエハ200はポッド110からウエハ移載装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、図示しないノッチ合わせ装置135にてウエハを整合した後、移載室124の後方にある待機部126へ搬入され、ボート217に装填(チャージング)される。ボート217にウエハ200を受け渡したウエハ移載装置125aはポッド110に戻り、次のウエハ200をボート217に装填する。
処理後は、図示しないノッチ合わせ装置135でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ200及びポッド110は筐体の外部へ払い出される。
図3に示されるように、処理炉202は加熱機構としてのヒータ206を有する。
ヒータ206は円筒形状であり、ヒータ素線とその周囲に設けられた断熱部材より構成され、図示しない保持体に支持されることにより垂直に据え付けられている。
さらにガス供給管に設けられているガス供給のためのガス供給孔はウエハの積載間隔と同一の間隔でガス供給孔が設けられるような多孔ノズルでも良いし、ガス供給を均一にするためのバッファ室を設けていても良い。
圧力計及びAPCバルブ242には、圧力制御部236が電気的に接続されており、圧力制御部236は、圧力計により検出された圧力値に基づいてAPCバルブ242の開度を調節することにより、処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するよう構成されている。
シールキャップ219には、回転機構254が設けられている。
回転機構254の回転軸255はシールキャップ219を貫通して前記ボート217に接続されており、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。
シールキャップ219は、処理炉202の外側に設けられた昇降機構としての後述する昇降モータ248によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201に対し搬入搬出することが可能となっている。
回転機構254及び昇降モータ248には、駆動制御部237が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するよう構成されている。
ヒータ206及び温度センサには、電気的に温度制御部238が接続されており、温度センサにより検出された温度情報に基づきヒータ206への通電具合を調節することにより処理室201内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
また、第2の処理ガスは、第2のガス供給源181から供給され、MFC184でその流量が調節された後、バルブ178を介してガス供給管232により処理室201内に供給される。
第3の処理ガスは、第3のガス供給源182から供給され、MFC185でその流量が調節された後、バルブ179を介してガス供給管232より処理室201内に供給される。
また、処理室201内のガスは、ガス排気管231に接続された真空排気装置246としての真空ポンプにより、処理室201から排気される。
ボール螺子244は上基板247に設けられた昇降モータ248により回転される。ボール螺子244が回転することにより昇降台249が昇降するように構成されている。
サブ筐体119と昇降台249との間には昇降シャフト250の周囲を覆うように伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ265がサブ筐体119を気密に保つために設けられる。
ベローズ265は昇降台249の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、ベローズ265の内径は昇降シャフト250の外形に比べ充分に大きくベローズ265の伸縮で接触することがないように構成されている。
次に、上述した基板処理装置100を用いてウエハ200上に所定の膜を形成する基板処理工程について図3、図4を用いて説明する。図4は本発明に適用される基板処理装置の処理炉内の圧力変化について設定値と測定値を比較したグラフである。
ン、イソブチルアミン等のアミンを含む)などがある。
同様に、本実施の形態におけるガス供給源から供給される不活性ガスとしては、窒素(N2)ガスの他、Arガス、Heガス、Neガス、Xeガスなどの希ガスなどがある。
また、クリーニングガスとしては、塩素原子を含有する塩素含有ガスや、フッ素原子を含有するフッ素含有ガス等があり、例えば、塩素ガス(Cl2)、塩化水素(HCl)、ClF3などが挙げられる。
尚、必要に応じてエッチング(クリーニング)ガスを供給しても良い。
ここで、第2の原料ガス供給工程(S403)や第2の原料ガスパージ工程(S404)についても同様な制御を行うが、上述した制御内容だけでなく、目的や条件によって制御内容を変更することになんら問題はない。
すなわち、MFCとAPCバルブを連動させることでオーバーシュートやアンダーシュートの発生を抑制する。
本実施の形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
次に本発明の第2の実施の形態について説明する。
図に示すように、反応室701内に、上部開口がサセプタ702によって覆われた中空のヒータユニット718が設けられる。ヒータユニット718の内部にはヒータ703が設けられ、ヒータ703によってサセプタ702上に載置されるウエハ704を加熱するようになっている。サセプタ702上に載置されるウエハ704は、例えば半導体シリコンウェハ、ガラス等である。
などの有機材料を用いる。また、不活性ガスとしてはAr、He、N2 などを用いる。成膜原料供給ユニット709に設けられた原料ガス供給管705bと、不活性ガス供給ユニット710に設けられた不活性ガス供給管705aとを一本化して、シャワーヘッド706に接続される原料供給管705が設けられる。原料供給管705は、ウエハ704上に所望の膜を形成する成膜工程で、シャワーヘッド706に第3の原料ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給するようになっている。原料ガス供給管705b、不活性ガス供給管705aにはそれぞれバルブ721、720を設け、これらのバルブ721、720を開閉することにより、第3の原料ガスと不活性ガスとの混合ガスの供給を制御することが可能となっている。
などの有機材料を用いる場合は、例えば酸素ラジカルが良い。これは酸素ラジカルにより、HfO2膜形成直後にCやHなどの不純物除去処理を効率的に実施することができるからである。また、クリーニング工程で用いるラジカルはClF3ラジカルが良い。改質工程において、例えば酸素含有ガス(O2
、N2O、NO等)をプラズマによって分解した酸素ラジカル雰囲気中で、膜を酸化させる処理をリモートプラズマ酸化処理(RPO[remote plasma oxidation]処理)という。
図8は本発明の第2の実施の形態に適用される基板処理装置における周辺構成を簡易的に示した図面であり、図9は本発明の第2の実施の形態に適用される基板処理装置の処理炉内の圧力変化について設定値と測定値を比較したグラフである。
コントローラ725は、液体流量制御装置728とMFC746、755、756、757に流量制御信号を通知する事でガス流量を制御するとともに、処理炉701とAPCバルブ715の間に設けられた圧力計801から圧力測定値を受信してAPCバルブ715に開度制御信号と流量変更情報を通知する事によって、処理炉内701内の圧力を所望の圧力値に維持することが可能となる。
気化した原料ガスが供給されることで処理炉701内の圧力が予め設定された圧力値となり、所定の時間経過すると、処理炉701に設けられたガス排気管707によって排気されるとともに、不活性ガス供給ユニット710から不活性ガスが供給され、処理炉701内に供給された気化した原料ガスがパージされる(S902)。
気化した原料ガスがパージされると、第4のガス供給ユニット747から供給されるガスが、反応物活性化ユニット711によって活性化されラジカルを含むガスとしてシャワーヘッド706を介して処理炉701内へ供給され、処理炉701内が予め設定された圧力値となるまで供給される(S903)。
ラジカルを含むガスによって処理炉701内が所定の圧力値となり、所定の時間経過すると、再度ガス排気管707によって排気されるとともに、不活性ガス供給ユニット710から不活性ガスが供給され、処理炉701内に供給されたラジカルを含むガスがパージされる(S904)。
ここで、第2の原料ガス供給工程(S903)や第2の原料ガスパージ工程(S904)についても同様な制御を行うが、上述した制御内容だけでなく、目的や条件によって制御内容を変更することになんら問題はない。
上述した第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
(付記1)
基板を処理する処理室と、処理ガス原料の供給流量を調整する流量制御装置と、圧力を計測する圧力検出器と、前記処理室内圧力を調整する圧力調整器と、少なくとも前記圧力検出器、前記圧力調整器および前記流量制御装置に接続されて前記圧力検出器によって検出された圧力値に応じて、前記圧力調整器および前記流量制御装置を制御する制御部とを備えた基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記処理室内の基板に対して流量制御装置を介して少なくとも第1の処理ガスを供給する工程と、
前記第1の処理ガスを供給する工程後、前記処理室内をパージするパージガスを供給する第1のパージ工程と、
前記第1のパージ工程後、少なくとも第2の処理ガスを供給する工程と、
前記第2の処理ガスを供給する工程後、前記処理室内をパージするパージガスを供給する第2のパージ工程とを有する半導体装置の製造方法。
(付記2)
基板を処理する処理室と、処理ガス原料の供給流量を調整する流量制御装置と、圧力を計測する圧力検出器と、前記処理室内圧力を調整する圧力調整器と、少なくとも前記圧力検出器、前記圧力調整器および前記流量制御装置に接続されて前記圧力検出器によって検出された圧力値に応じて、前記圧力調整器および前記流量制御装置を制御する制御部とを備えた基板処理装置を用いた基板処理方法において、
前記処理室内の基板に対して流量制御装置を介して少なくとも第1の処理ガスを供給する工程と、
前記第1の処理ガスを供給する工程後、前記処理室内をパージするパージガスを供給する第1のパージ工程と、
前記第1のパージ工程後、少なくとも第2の処理ガスを供給する工程と、
前記第2の処理ガスを供給する工程後、前記処理室内をパージするパージガスを供給する第2のパージ工程とを有する基板処理方法。
(付記3)
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給源と、前記ガス供給源から供給されるガスの流量を可変するガス流量制御装置を備えたガス供給部と、
前記ガス供給部から前記処理室内に供給されたガスを排気する排気管と、
前記処理室と前記排気管との間に設けられ、圧力を測定する圧力検出器と、
前記処理室内の圧力を調整する圧力調整器と、
少なくとも前記ガス流量制御装置と前記圧力検出器および前記圧力調整器に接続されて、前記圧力検出器の測定値に応じて前記ガス流量制御装置と前記圧力調整器を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
Claims (3)
- 基板を処理する処理室と、処理ガス原料の供給流量を調整する流量制御装置と、圧力を計測する圧力検出器と、前記処理室内圧力を調整する圧力調整器と、少なくとも前記圧力検出器、前記圧力調整器および前記流量制御装置に接続されて前記圧力検出器によって検出された圧力値に応じて、前記圧力調整器および前記流量制御装置を制御する制御部とを備えた基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記処理室内の基板に対して流量制御装置を介して少なくとも第1の処理ガスを供給する工程と、
前記第1の処理ガスを供給する工程後、前記処理室内をパージするパージガスを供給する第1のパージ工程と、
前記第1のパージ工程後、少なくとも第2の処理ガスを供給する工程と、
前記第2の処理ガスを供給する工程後、前記処理室内をパージするパージガスを供給する第2のパージ工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する処理室と、処理ガス原料の供給流量を調整する流量制御装置と、圧力を計測する圧力検出器と、前記処理室内圧力を調整する圧力調整器と、少なくとも前記圧力検出器、前記圧力調整器および前記流量制御装置に接続されて前記圧力検出器によって検出された圧力値に応じて、前記圧力調整器および前記流量制御装置を制御する制御部とを備えた基板処理装置を用いた基板処理方法において、
前記処理室内の基板に対して流量制御装置を介して少なくとも第1の処理ガスを供給する工程と、
前記第1の処理ガスを供給する工程後、前記処理室内をパージするパージガスを供給する第1のパージ工程と、
前記第1のパージ工程後、少なくとも第2の処理ガスを供給する工程と、
前記第2の処理ガスを供給する工程後、前記処理室内をパージするパージガスを供給する第2のパージ工程とを有する基板処理方法。 - 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に処理ガスの原料を供給するガス供給源と、前記ガス供給源から供給される原料の流量を可変する流量制御装置を備えたガス供給部と、
前記ガス供給部から前記処理室内に供給されたガスを排気する排気管と、
前記処理室と前記排気管との間に設けられ、圧力を測定する圧力検出器と、
前記処理室内の圧力を調整する圧力調整器と、
少なくとも前記流量制御装置と前記圧力検出器および前記圧力調整器に接続されて、前記圧力検出器の測定値に応じて前記ガス流量制御装置と前記圧力調整器を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
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