KR102208815B1 - 기판 처리 시스템의 제어 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판을 처리할 수 있는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 플라즈마를 공급할 수 있도록 상기 공정 챔버에 설치되고, 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 공급되는 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 제 1 압력 측정 장치가 설치되는 제 1 플라즈마 반응 장치; 상기 제 1 플라즈마 반응 장치에 전력을 인가하는 제 1 전력 인가 장치; 상기 제 1 플라즈마 반응 장치에 상기 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 장치; 및 상기 제 1 전력 인가 장치 또는 상기 제 1 가스 공급 장치에 제어 신호를 인가하는 제어부;를 포함하는 기판 처리 시스템의 제어 방법에 있어서, 상기 제어부가 상기 제 1 압력 측정 장치의 이상적인 정상 수치 정보를 입력받는 정상 수치 정보 입력 단계; 상기 제 1 압력 측정 장치로부터 측정된 실제 측정 정보를 입력받는 실제 측정 정보 입력 단계; 및 상기 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보를 벗어나면 상기 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치로 전력 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치로 가스 공급 압력 제어 신호를 인가하는 피드백 단계;를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 시스템의 제어 방법{Control method of substrate processing system}

본 발명은 기판 처리 시스템의 제어 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공정 챔버에 플라즈마를 균일하게 공급할 수 있게 하는 기판 처리 시스템의 제어 방법에 관한 것이다.

플라즈마란 초에너지 상태에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 기체 상태를 말하는 것으로서, 이러한 플라즈마 상태의 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있다. 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각, 증착, 세정, 에싱 등 다양하게 사용되고 있다.

최근, 반도체 장치의 제조를 위한 웨이퍼나 LCD 글라스 기판은 더욱 대형화 되어 가고 있다. 그러므로 플라즈마 이온 에너지에 대한 제어 능력이 높고, 대면적의 처리 능력을 갖는 확장성이 용이한 플라즈마 소스가 요구되고 있다.

이러한, 플라즈마를 이용한 반도체 제조 공정에서 원격 플라즈마의 사용은 매우 유용한 것으로 알려져 있다.

예를 들어, 공정 챔버의 세정이나 포토레지스트 스트립을 위한 에싱 공정에서 유용하게 사용되고 있다. 그런데 피처리 기판의 대형화에 따라 공정 챔버의 볼륨도 증가되고 있어서 고밀도의 활성 가스를 충분히 원격으로 공급할 수 있는 플라즈마 소스가 요구되고 있다.

한편, 원격 플라즈마 반응기(또는 원격 플라즈마 발생기라 칭함)는 변압기 결합 플라즈마 소스(transformer coupled plasma source)를 사용한 것과 유도 결합 플라즈마 소스(inductively coupled plasma source)를 사용한 것이 있다. 변압기 결합 플라즈마 소스를 사용한 원격 플라즈마 반응기는 토로이달 구조의 반응기 몸체에 일차 권선 코일을 갖는 마그네틱 코어가 장착된 구조를 갖는다. 유도 결합 플라즈마 소스를 사용한 원격 플라즈마 반응기는 중공형 튜브 구조의 반응기 몸체에 유도 결합 안테나가 장착된 구조를 갖는다.

예컨대, 플라즈마 반응기로 주입된 가스가 전기적인 힘에 의하여 가스 형태의 물질을 이온, 자유 라디칼, 원자, 분자를 포함하는 플라즈마 형태로 만들고 이러한 플라즈마는 일정 거리만큼 떨어진 곳에서 식각, 증착, 세정등 다양한 목적으로 사용되고 있다.

여기서, 플라즈마를 발생시키는 것에 있어서 압력은 매우 중요한 요소 중에 하나이다. 압력의 높고 낮음에 따라 플라즈마의 초기 점화가 용이할 수도 있고 불리할 수도 있다

또한, 플라즈마 발생 시 내부 압력 값을 알 수 있다면 플라즈마 반응기의 성능을 가늠할 수 있는 지표로 삼을 수 있다. 동일한 조건(반응기, Gas, 전력등)에서 반응기의 압력이 높을수록 Gas를 플라즈마 형태로 만드는 능력이 좋은 반응기라고 볼 수 있다.

종래의 플라즈마 반응 장치는, 인입되는 가스의 압력이나 공정 챔버의 압력 변화 등 다양한 요인들에 의해 내부의 가스나 플라즈마의 압력이 수시로 변화하는 데, 이러한 내부 압력과는 상관 없이 공급되는 전력 형태나 주파수는 항상 일정했었다.

그러나, 이처럼 수시로 변화되는 가스 또는 플라즈마 압력에 능동적으로 대응하지 못하는 경우, 가스의 분해율이나, 플라즈마 밀도를 확인할 수 있는 방법이 없기 때문에 플라즈마 발생 상태나 플라즈마 효율을 정확하게 확인할 수 없었고, 이로 인하여 최적의 상태로 플라즈마를 항상 운영할 수 없어서 플라즈마 효율이 크게 떨어지고, 심지어, 플라즈마가 발생되지 않는 플라즈마 페일(fail) 상태를 확인하지 못하여 장비를 정상적으로 운영할 수 없었던 문제점들이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 문제점들을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 플라즈마 압력을 정확하게 측정하여 전원을 실시간으로 제어함으로써 가스의 분해율이나 플라즈마 밀도에 맞추어서 최적의 플라즈마 상태를 유지할 수 있고, 이를 통해서 플라즈마 효율을 극대화할 수 있으며, 플라즈마 페일 현상 등을 방지할 수 있고, 공정 챔버에 복수개의 플라즈마 반응 장치를 설치하는 경우에도 플라즈마를 공정 챔버 내부로 균일하게 공급할 수 있게 하는 기판 처리 시스템의 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 기판 처리 시스템의 제어 방법은, 기판을 처리할 수 있는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 플라즈마를 공급할 수 있도록 상기 공정 챔버에 설치되고, 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 공급되는 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 제 1 압력 측정 장치가 설치되는 제 1 플라즈마 반응 장치; 상기 제 1 플라즈마 반응 장치에 전력을 인가하는 제 1 전력 인가 장치; 상기 제 1 플라즈마 반응 장치에 상기 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 장치; 및 상기 제 1 전력 인가 장치 또는 상기 제 1 가스 공급 장치에 제어 신호를 인가하는 제어부;를 포함하는 기판 처리 시스템의 제어 방법에 있어서, 상기 제어부가 상기 제 1 압력 측정 장치의 이상적인 정상 수치 정보를 입력받는 정상 수치 정보 입력 단계; 상기 제 1 압력 측정 장치로부터 측정된 실제 측정 정보를 입력받는 실제 측정 정보 입력 단계; 및 상기 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보를 벗어나면 상기 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치로 전력 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치로 가스 공급 압력 제어 신호를 인가하는 피드백 단계;를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 피드백 단계는, 상기 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 미만이면, 상기 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치로 전력 상승 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치로 제 1 가스 공급 압력 증가 제어 신호를 인가하고, 상기 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 이상이면, 상기 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치로 전력 하강 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치로 제 1 가스 공급 압력 감소 제어 신호를 인가할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 가스는 상기 공정 챔버를 세정할 수 있는 세정용 가스 또는 공정 가스일 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 제 1 플라즈마 반응 장치는, 일측에 가스 유입부가 형성되고, 타측에 플라즈마 배출부가 형성되며, 내부에 환형 루프 공간이 형성되는 반응 본체; 상기 반응 본체의 적어도 일부분을 둘러싸는 형상으로 형성되고, 상기 환형 루프 공간 내의 상기 가스를 여기시켜서 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 일차 권선을 갖는 마그네틱 코어; 및 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 상기 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 압력 측정 장치;를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 반응 본체는, 상기 가스 유입부를 통해 유입된 가스를 제 1 유로와 제 2 유로로 분지시키는 상부 블록; 상기 상부 블록과 연결되고, 상기 제 1 유로 및 상기 제 2 유로에 각각 연결되는 중간 블록; 및 상기 중간 블록과 연결되고, 상기 제 1 유로와 상기 제 2 유로를 합지부로 합지시켜서 상기 플라즈마를 상기 플라즈마 배출부로 배출시키는 하부 블록;을 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 압력 측정 장치는, 선단부가 상기 하부 블록의 상기 합지부와 연결되는 압력 전달 유로부; 및 상기 압력 전달 유로부의 후단부에 설치되어 상기 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 상기 압력 전달 유로부를 통해 전달받아서 압력을 측정하는 압력 센서;를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 플라즈마의 하방 흐름으로부터 상기 압력 센서가 보호될 수 있도록 상기 압력 전달 유로부는 그 선단부가 상기 하부 블록의 상기 합지부의 측부와 연결될 수 있다.

한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 기판 처리 시스템의 제어 방법은, 기판을 처리할 수 있는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 플라즈마를 공급할 수 있도록 상기 공정 챔버의 일측에 설치되고, 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 공급되는 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 제 1 압력 측정 장치가 설치되는 제 1 플라즈마 반응 장치; 상기 공정 챔버에 플라즈마를 공급할 수 있도록 상기 공정 챔버의 타측에 설치되고, 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 공급되는 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 제 2 압력 측정 장치가 설치되는 제 2 플라즈마 반응 장치; 상기 제 1 플라즈마 반응 장치에 전력을 인가하는 제 1 전력 인가 장치; 상기 제 2 플라즈마 반응 장치에 전력을 인가하는 제 2 전력 인가 장치; 상기 제 1 플라즈마 반응 장치에 상기 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 장치; 상기 제 2 플라즈마 반응 장치에 상기 가스를 공급하는 제 2 가스 공급 장치; 및 상기 제 1 전력 인가 장치와 상기 제 2 전력 인가 장치 또는 상기 제 1 가스 공급 장치와 상기 제 2 가스 공급 장치에 제어 신호를 인가하는 통합 제어부;를 포함하는 기판 처리 시스템의 제어 방법에 있어서, 상기 통합 제어부가 상기 제 1 압력 측정 장치와 상기 제 2 압력 측정 장치의 이상적인 정상 수치 정보를 입력받는 통합 정상 수치 정보 입력 단계; 상기 제 1 압력 측정 장치로부터 측정된 제 1 실제 측정 정보를 입력받고, 상기 제 2 압력 측정 장치로부터 측정된 제 2 실제 측정 정보를 입력받는 통합 실제 측정 정보 입력 단계; 및 상기 제 1 실제 측정 정보 또는 상기 제 2 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보를 벗어나면 상기 통합 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치 또는 상기 제 2 전력 인가 장치로 전력 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치 또는 상기 제 2 가스 공급 장치로 가스 공급 압력 제어 신호를 인가하는 통합 피드백 단계;를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 통합 피드백 단계는, 상기 제 1 실제 측정 정보 또는 상기 제 2 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 미만이면, 상기 통합 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치 또는 상기 제 2 전력 인가 장치로 전력 상승 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치 또는 상기 제 2 가스 공급 장치로 가스 공급 압력 증가 제어 신호를 인가하고, 상기 제 1 실제 측정 정보 또는 상기 제 2 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 이상이면, 상기 통합 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치 또는 상기 제 2 전력 인가 장치로 전력 하강 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치 또는 상기 제 2 가스 공급 장치로 가스 공급 압력 감소 제어 신호를 인가할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 통합 피드백 단계는, 상기 제 1 실제 측정 정보와 상기 제 2 실제 측정 정보를 비교하여 이들이 서로 동일하거나 또는 일정한 비율이 되도록 상기 통합 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치 또는 상기 제 2 전력 인가 장치로 전력 동기 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치 또는 상기 제 2 가스 공급 장치로 가스 공급 압력 동기 제어 신호를 인가할 수 있다.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 제어 방법에 따르면, 플라즈마 압력을 정확하게 측정하여 전원을 실시간으로 제어함으로써 가스의 분해율이나 플라즈마 밀도에 맞추어서 최적의 플라즈마 상태를 유지할 수 있고, 이를 통해서 플라즈마 효율을 극대화할 수 있으며, 플라즈마 페일 현상 등을 방지할 수 있고, 공정 챔버에 복수개의 플라즈마 반응 장치를 설치하는 경우에도 플라즈마를 공정 챔버 내부로 균일하게 공급할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 시스템의 제어 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 시스템의 제어 방법의 신호의 흐름을 나타내는 관계도이다.
도 4 내지 도 10은 도 1의 기판 처리 시스템의 제 1 플라즈마 반응 장치들의 여러 실시예들을 나타내는 도면들이다.
도 11은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 개념도이다.
도 12는 도 11의 기판 처리 시스템의 제어 방법을 나타내는 순서도이다.
도 13은 도 11의 기판 처리 시스템의 제어 방법의 신호의 흐름을 나타내는 관계도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 시스템(1000)을 나타내는 개념도이다. 그리고, 도 2는 도 1의 기판 처리 시스템(1000)의 제어 방법을 나타내는 순서도이다.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 시스템(1000)은, 기판(1)을 처리할 수 있는 공정 챔버(C)와, 상기 공정 챔버(C)에 플라즈마를 공급할 수 있도록 상기 공정 챔버(C)에 설치되고, 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 공급되는 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 제 1 압력 측정 장치(1301)가 설치되는 제 1 플라즈마 반응 장치(101)와, 상기 제 1 플라즈마 반응 장치(101)에 전력을 인가하는 제 1 전력 인가 장치(1101)와, 상기 제 1 플라즈마 반응 장치에 상기 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 장치(1201) 및 상기 제 1 전력 인가 장치(1101) 또는 상기 제 1 가스 공급 장치(1201)에 제어 신호를 인가하는 제어부(1401)를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 가스는 상기 공정 챔버(C)를 세정할 수 있는 세정용 가스 또는 상기 기판(1)을 처리할 수 있는 각종의 공정 가스일 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 예컨대, 상기 가스는 각종 버퍼 가스이거나 또는 공정 진행 후, 외부로 배출되는 배출 가스인 것도 가능하다.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)의 제어 방법은, 상기 제어부(1401)가 상기 제 1 압력 측정 장치(1301)의 이상적인 정상 수치 정보를 입력받는 정상 수치 정보 입력 단계(S11)와, 상기 제 1 압력 측정 장치(1301)로부터 측정된 실제 측정 정보를 입력받는 실제 측정 정보 입력 단계(S12) 및 상기 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보를 벗어나면 상기 제어부(1401)가 상기 제 1 전력 인가 장치(1101)로 전력 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치(1201)로 가스 공급 압력 제어 신호를 인가하는 피드백 단계(S13)를 포함할 수 있다.

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 피드백 단계(S13)는, 상기 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 미만이면, 상기 제어부(1401)가 상기 제 1 전력 인가 장치(1101)로 전력 상승 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치(1201)로 제 1 가스 공급 압력 증가 제어 신호를 인가하고, 상기 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 이상이면, 상기 제어부(1401)가 상기 제 1 전력 인가 장치(1101)로 전력 하강 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치(1201)로 제 1 가스 공급 압력 감소 제어 신호를 인가할 수 있다.

도 3은 도 1의 기판 처리 시스템(1000)의 제어 방법의 신호의 흐름을 나타내는 관계도이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 도 1의 기판 처리 시스템(1000)의 제어 방법의 신호의 흐름을 살펴보면, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 반응 장치, 즉 RPS(111)(Remote Plasma System)는 파워 컨트롤러 회로부(112)와 연결되는 것으로서, 이러한 파워 컨트롤러 회로부(112)는 점화 회로부(113)(Ignition)를 통해 점화 과정을 수행할 수 있다. 이러한 점화 회로부(113)의 점화 과정은 Power 회로부(114)를 통해 제어하거나, 또는 공급되는 가스의 Pressure 회로부(115)를 통해 제어할 수 있다. 따라서, 2가지 종류의 회로부 또는 컨트롤 PC(116) 등을 이용하여 상기 파워 컨트롤러 회로부(112)를 피드백 제어하면서 실시간으로 플라즈마 페일이 발생되는 경우, 점화 전력을 강화하거나 가스 공급을 증대시켜서 점화를 안정적으로 이루어지게 할 수 있다.

따라서, 사전에 플라즈마 압력을 정확하게 측정하여 전원을 실시간으로 제어함으로써 가스의 분해율이나 플라즈마 밀도에 맞추어서 최적의 플라즈마 상태를 유지할 수 있고, 이를 통해서 플라즈마 효율을 극대화할 수 있으며, 플라즈마 페일 현상 등을 방지할 수 있다.

도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 압력 측정이 가능한 상기 제 1 플라즈마 반응 장치(101)의 일례인 플라즈마 반응 장치(100)를 나타내는 외관 사시도이다. 그리고, 도 5는 도 4의 압력 측정이 가능한 플라즈마 반응 장치(100)의 환형 튜브 공간(A)을 나타내는 사시도이다.

먼저, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 압력 측정이 가능한 플라즈마 반응 장치(100)는, 크게 반응 본체(10)와, 마그네틱 코어(20)와, 압력 측정 장치(30) 및 제어부(40)를 포함할 수 있다.

예컨대, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 반응 본체(10)는, 일측에 가스 유입부(10a)가 형성되고, 타측에 플라즈마 배출부(10b)가 형성되며, 내부에 환형 루프 공간(A)이 형성될 수 있다.

더욱 구체적으로 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 반응 본체(10)는, 상기 가스 유입부(10a)를 통해 유입된 가스를 제 1 유로(F1)와 제 2 유로(F2)로 분지시키는 상부 블록(11)과, 상기 상부 블록(11)과 연결되고, 상기 제 1 유로(F1) 및 상기 제 2 유로(F2)에 각각 연결되는 중간 블록(12) 및 상기 중간 블록(12)과 연결되고, 상기 제 1 유로(F1)와 상기 제 2 유로(F2)를 합지부(P)로 합지시켜서 상기 플라즈마를 상기 플라즈마 배출부(10b)로 배출시키는 하부 블록(13)을 포함할 수 있다.

여기서, 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 상부 블록(10)은, 상기 가스를 2 갈레로 분지시키는 환형 루프 공간의 상부 수평부를 형성하기 위해서, 내부를 절삭 가공한 블록들을 이용하여 제작이 용이하도록 상기 가스 유입부(10a)를 포함하는 상부 확장형 내면이 형성되는 제 1 블록(11-1) 및 상기 제 1 블록(11-1)과 조립되어 확장된 내경면을 2 갈레로 분지시키는 내면이 형성되는 제 2 블록(11-2)으로 이루어질 수 있다.

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 제 1 블록(11-1) 및 상기 제 2 블록(11-2)은 도전성 특성을 갖는 알루미늄이나 알루미늄 합금이나 스틸이나 스테인레스 스틸 등의 전도성 재질로 이루어지는 금속 블록체일 수 있다.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 블록(11-1) 및 상기 제 2 블록(11-2)은 각각 직육면체의 블록 형태를 예시하였으나, 반드시 도면에 국한되지 않고 다각 구조체나 곡면 구조체 등 매우 다양한 형태의 블록 구조체가 모두 적용될 수 있다.

또한, 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 중간 블록(12)은, 상기 상부 블록(11)의 하면과 연결되는 블록 구조체로서, 환형의 플라즈마 루프 공간의 수직 부분을 형성할 수 있도록 상기 제 1 유로(F1) 및 상기 제 2 유로(F2)에 각각 연결되는 2개의 사각 파이프 형태의 블록일 수 있다.

그러나, 상기 중간 블록(12)은 도면에 반드시 국한되지 않고, 원형 파이프나 다각 파이프 형태 등 매우 다양한 형태의 블록 구조체가 모두 적용될 수 있다.

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 중간 블록(12)은 도전성 특성을 갖는 알루미늄이나 알루미늄 합금이나 스틸이나 스테인레스 스틸 등의 전도성 재질로 이루어지는 금속 블록체일 수 있다.

여기서, 상술된 상기 상부 블록(11)과 상기 중간 블록(12)은 블록 점화 기능이나 누설 전류를 차단하거나 전원 효율을 높이기 위해서 서로 절연 상태를 유지할 필요가 있는 것으로서, 상기 상부 블록(11)과 상기 중간 블록(12)은 일정한 간격을 사이에 두고 서로 이격될 수 있다.

한편, 예컨대, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 하부 블록(13)은, 상기 중간 블록(12)과 연결되고, 상기 제 1 유로(F1)와 상기 제 2 유로(F2)를 합지시켜서 환형 루프를 통해 발생된 플라즈마를 플라즈마 배출부(10b)로 배출시키는 블록 구조체일 수 있다.

더욱 구체적으로 예를 들면, 2 갈레로 분지된 가스를 하나로 합지시키기 위해서, 상기 하부 블록(13)은, 내부를 절삭 가공한 블록들을 이용하여 제작이 용이하도록 분지된 가스를 하나로 모으기 위해 축소형 내면이 형성되는 제 3 블록(13-1) 및 상기 제 3 블록(13-1)과 조립되어 하나로 축소된 내경면을 상기 플라즈마 배출부(10b)로 합지시키는 내면이 형성되는 제 4 블록(13-2)으로 이루어질 수 있다.

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 제 3 블록(13-1) 및 상기 제 4 블록(13-2)은 도전성 특성을 갖는 알루미늄이나 알루미늄 합금이나 스틸이나 스테인레스 스틸 등의 전도성 재질로 이루어지는 금속 블록체일 수 있다.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 3 블록(13-1) 및 상기 제 4 블록(13-2)은 각각 직육면체의 블록 형태를 예시하였으나, 반드시 도면에 국한되지 않고 다각 구조체나 곡면 구조체 등 매우 다양한 형태의 블록 구조체가 모두 적용될 수 있다.

또한, 예컨대, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 하부 블록(13)은, 상기 중간 블록(12)의 하면과 연결되는 블록 구조체로서, 환형의 플라즈마 루프 공간의 하부 수평 부분을 형성할 수 있도록 직육면체 블록체일 수 있다.

그러나, 상기 하부 블록(13)은 도면에 반드시 국한되지 않고, 원형 파이프나 다각 파이프 형태 등 매우 다양한 형태의 블록 구조체가 모두 적용될 수 있다.

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 하부 블록(13)은 도전성 특성을 갖는 알루미늄이나 알루미늄 합금이나 스틸이나 스테인레스 스틸 등의 전도성 재질로 이루어지는 금속 블록체일 수 있다.

여기서, 상술된 상기 중간 블록(12)과 상기 하부 블록(13)은 블록 점화 기능이나 누설 전류를 차단하거나 전원 효율을 높이기 위해서 서로 절연 상태를 유지할 필요가 있는 것으로서, 상기 중간 블록(12)과 상기 하부 블록(13)은 일정한 간격을 사이에 두고 서로 이격될 수 있다.

따라서, 도시하지 않았지만, 각종 클램프나 브라켓이나 볼트나 나사나 너트 등을 이용하여 상술된 상기 상부 블록(11)과 상기 중간 블록(12) 및 상기 하부 블록(13)은 착탈이 가능하게 서로 체결될 수 있다.

한편, 예컨대, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 마그네틱 코어(20)는, 상기 반응 본체(10)의 적어도 일부분을 둘러싸는 형상으로 형성되고, 상기 환형 루프 공간(A) 내의 상기 가스를 여기시켜서 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 일차 권선(미도시)을 갖는 구조체일 수 있다.

이러한 상기 마그네틱 코어(20)는 환형의 얇은 판체를 겹겹이 적층하여 이루어지거나 다양한 블록들을 서로 연결시켜서 환형을 형성할 수 있는 것으로서, 도면에 국한되지 않고 매우 다양한 형태로 형성될 수 있다.

한편, 예컨대, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 압력 측정 장치(30)는, 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 상기 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 장치일 수 있다.

예를 들면, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 압력 측정 장치(30)는, 선단부가 상기 하부 블록(13)의 상기 합지부(P)와 연결되는 압력 전달 유로부(31) 및 상기 압력 전달 유로부(31)의 후단부에 설치되어 상기 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 상기 압력 전달 유로부(31)를 통해 전달받아서 압력을 측정하는 압력 센서(32)를 포함할 수 있다.

따라서, 상기 압력 측정 장치(30)는 상기 압력 전달 유로부(31)를 통해서 상기 플라즈마의 압력을 전달받아 압력을 측정할 수 있고, 이러한 본 발명의 상기 압력 전달 유로부(31)를 통한 압력 전달 측정 방식은 최대한 플라즈마의 흐름을 방해하지 않고, 플라즈마에 의해 발생되는 각종 래디컬에 의한 영향을 최소화하면서상기 압력 센서(32)를 가혹한 환경으로부터 보호할 수 있게 하여 보다 정밀하고 안전하며 신뢰성이 높은 압력 측정이 가능하다.

더욱 구체적으로 예를 들면, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마의 주된 하방 흐름으로부터 상기 압력 센서(32)가 보호될 수 있도록 상기 압력 전달 유로부(31)는 그 선단부가 상기 하부 블록(13)의 상기 합지부(P)의 측부, 내경면의 측면부와 연결될 수 있다.

또한, 예컨대, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 압력 전달 유로부(31)는, 상기 합지부(P)의 측방으로 길게 연장되는 측방 유로부(31-1)를 포함할 수 있다.

또한, 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제어부(40)는, 상기 압력 측정 장치(30)에서 측정된 압력 신호가 기준치 보다 낮은 경우, 상기 마그네틱 코어(20) 또는 상기 반응 본체(10)에 인가되는 전자기적 신호를 강화시키는 강화 신호, 즉, 공급되는 전압 또는 전류를 높이거나, 주파수를 높이는 등 전자기적 에너지 밀도를 높게 하는 제어 신호를 인가하고, 기준치 보다 높은 경우, 상기 마그네틱 코어(20) 또는 상기 반응 본체(10)에 인가되는 전자기적 신호를 약화시키는 약화 신호, 즉, 공급되는 전압 또는 전류를 낮추거나, 주파수를 낮추는 등 전자기적 에너지 밀도를 낮게 하는 제어 신호를 인가할 수 있다.

그러므로, 플라즈마 압력을 정확하게 측정하여 전원을 실시간으로 제어함으로써 가스의 분해율이나 플라즈마 밀도에 맞추어서 최적의 플라즈마 상태를 유지할 수 있고, 이를 통해서 플라즈마 효율을 극대화할 수 있으며, 플라즈마 페일 현상 등을 방지할 수 있다.

도 6은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 압력 측정이 가능한 플라즈마 반응 장치(200)를 나타내는 외관 사시도이고, 도 7는 도 6의 압력 측정이 가능한 플라즈마 반응 장치(200)의 환형 튜브 공간(A)을 나타내는 사시도이고, 도 8는 도 7의 압력 측정이 가능한 플라즈마 반응 장치(200)의 압력 전달 유로부(33)를 나타내는 단면도이다.

도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 압력 측정이 가능한 플라즈마 반응 장치(200)의 압력 전달 유로부(33)는, 상기 플라즈마의 하방 흐름으로부터 상기 압력 센서(32)가 보호될 수 있도록 그 선단부가 상기 하부 블록(13)의 상기 합지부(P)의 상부와 연결될 수 있다.

여기서, 예컨대, 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 이러한 상기 압력 전달 유로부(33)를 다축 방향으로 절곡시켜서 고온, 고압, 고진공압 등 각종 압력파나 열적 스트레스나 래티컬 충돌 등에 의한 악영향을 최소화할 수 있도록, 상기 압력 전달 유로부(33)는, 상기 합지부(P)로부터 Z축 방향으로 길게 연장되는 제 1 유로부(33-1)와, 상기 플라즈마의 흐름으로부터 상기 압력 센서(32)가 보호될 수 있도록 상기 제 1 유로부(33-1)로부터 절곡되어 X축 방향으로 길게 연장되는 제 2 유로부(33-2)와, 상기 플라즈마의 흐름으로부터 상기 압력 센서(32)가 보호될 수 있도록 상기 제 2 유로부(33-2)로부터 절곡되어 Y축 방향으로 길게 연장되는 제 3 유로부(33-3) 및 상기 제 2 유로부와 상기 제 3 유로부 사이에 Z축 방향으로 길게 연장되는 제 4 유로부(33-4)를 포함할 수 있다.

그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 설치 환경이나 스팩 등에 의해 상기 유로부들은 선택적으로 적용될 수 있다.

따라서, 다축 방향으로 절곡된 형태의 상기 압력 전달 유로부(33)는 다축 방향으로 작용될 수 있는 모든 방향 충격이나 스트레스나 이물질 유입 등으로부터 상기 압력 센서(32)를 보호할 수 있는 것은 물론이고, 플라즈마의 주된 흐름에 대해서 방해적인 요소를 갖고 있지 않기 때문에 최적의 상태로 플라즈마를 형성할 수 있어서 장치를 최고 효율로 실시간 운행할 수 있다.

도 9은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 압력 측정이 가능한 플라즈마 반응 장치(300)를 나타내는 외관 사시도이고, 도 10은 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 압력 측정이 가능한 플라즈마 반응 장치(400)를 나타내는 외관 사시도이다.

도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 압력 측정 장치(30)의 형상은 매우 다양할 수 있는 것으로서, 예컨대, 도 9의 측방 유로부(31-2)는 지그 재그 형상으로 형성되어 상기 압력 센서(32)를 충격이나 이물질로부터 보호할 수 있고, 이외에도, 도 10에 도시된 바와 같이, 측방 유로부(31-3)은 코일 형상으로 형성되어 상기 압력 센서(32)를 충격이나 이물질로부터 보호할 수 있다. 이와 같이, 상기 유로부들의 형상은 매우 다양하게 형성될 수 있음은 물론이다.

한편, 본 발명의 기술적 사상에 따른 플라즈마 반응 장치는 예컨대, 공정 챔버 내부의 불순물을 제거하기 위한 각종 세정용 플라즈마 가스나 공정 챔버에 반응성 기체종을 공급시키는 반응용 플라즈마 가스를 발생시키는 원격 플라즈마 발생 장치(RPG; Remote Plasma Generator)에 적용될 수 있다. 그러나 이에 반드시 국한되지 않고 예컨대, 공정 챔버로부터 배출되는 각종 배출 가스들을 처리하기 위한 BPTS(By-Product Treatment System)에도 적용될 수 있다. 이외에도 각종 플라즈마를 발생시킬 수 있는 다양한 장치에 모두 적용될 수 있다.

도 11은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 기판 처리 시스템(2000)을 나타내는 개념도이고, 도 12는 도 11의 기판 처리 시스템(2000)의 제어 방법을 나타내는 순서도이다.

도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 기판 처리 시스템(2000)은, 1개의 공정 챔버(C)에 복수개(예컨대, N개)의 플라즈마 반응 장치가 설치될 수 있다.

즉, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 기판 처리 시스템(2000)은, 기판(1)을 처리할 수 있는 공정 챔버(C)와, 상기 공정 챔버(C)에 플라즈마를 공급할 수 있도록 상기 공정 챔버(C)의 일측에 설치되고, 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 공급되는 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 제 1 압력 측정 장치(1301)가 설치되는 제 1 플라즈마 반응 장치(101)와, 상기 공정 챔버에 플라즈마를 공급할 수 있도록 상기 공정 챔버(C)의 타측에 설치되고, 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 공급되는 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 제 2 압력 측정 장치(1302)가 설치되는 제 2 플라즈마 반응 장치(102) 및 상기 공정 챔버에 플라즈마를 공급할 수 있도록 상기 공정 챔버(C)의 또 다른 타측에 설치되고, 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 공급되는 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 제 N 압력 측정 장치(130N)가 설치되는 제 N 플라즈마 반응 장치(10N)를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 기판 처리 시스템(2000)은, 상기 제 1 플라즈마 반응 장치(101)에 전력을 인가하는 제 1 전력 인가 장치(1101)와, 상기 제 2 플라즈마 반응 장치(102)에 전력을 인가하는 제 2 전력 인가 장치(1102) 및 상기 제 N 플라즈마 반응 장치(10N)에 전력을 인가하는 제 2 전력 인가 장치(110N)를 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 기판 처리 시스템(2000)은, 상기 제 1 플라즈마 반응 장치(101)에 상기 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 장치(1201)와, 상기 제 2 플라즈마 반응 장치(102)에 상기 가스를 공급하는 제 2 가스 공급 장치(1202) 및 상기 제 N 플라즈마 반응 장치(10N)에 상기 가스를 공급하는 제 N 가스 공급 장치(120N)를 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 기판 처리 시스템(2000)은, 상기 제 1 전력 인가 장치(1101)와 상기 제 2 전력 인가 장치(1102) 또는 상기 제 1 가스 공급 장치(1201)와 상기 제 2 가스 공급 장치(1202)에 제어 신호를 인가하는 통합 제어부(1402)를 더 포함할 수 있다.

도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 이러한 본 발명의 기판 처리 시스템(2000)의 제어 방법은, 상기 통합 제어부(1402)가 상기 제 1 압력 측정 장치(1301)와 상기 제 2 압력 측정 장치(1302)의 이상적인 정상 수치 정보를 입력받는 통합 정상 수치 정보 입력 단계(S21)와, 상기 제 1 압력 측정 장치(1301)로부터 측정된 제 1 실제 측정 정보를 입력받고, 상기 제 2 압력 측정 장치(1302)로부터 측정된 제 2 실제 측정 정보를 입력받는 통합 실제 측정 정보 입력 단계(S22) 및 상기 제 1 실제 측정 정보 또는 상기 제 2 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보를 벗어나면 상기 통합 제어부(1402)가 상기 제 1 전력 인가 장치(1101) 또는 상기 제 2 전력 인가 장치(1102)로 전력 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치(1201) 또는 상기 제 2 가스 공급 장치(1202)로 가스 공급 압력 제어 신호를 인가하는 통합 피드백 단계(S23)를 포함할 수 있다.

예컨대, 상기 통합 피드백 단계(S23)는, 상기 제 1 실제 측정 정보 또는 상기 제 2 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 미만이면, 상기 통합 제어부(1402)가 상기 제 1 전력 인가 장치(1101) 또는 상기 제 2 전력 인가 장치(1102)로 전력 상승 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치(1201) 또는 상기 제 2 가스 공급 장치(1202)로 가스 공급 압력 증가 제어 신호를 인가하고, 상기 제 1 실제 측정 정보 또는 상기 제 2 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 이상이면, 상기 통합 제어부(1402)가 상기 제 1 전력 인가 장치(1101) 또는 상기 제 2 전력 인가 장치(1102)로 전력 하강 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치(1201) 또는 상기 제 2 가스 공급 장치(1202)로 가스 공급 압력 감소 제어 신호를 인가할 수 있다.

또한, 예컨대, 상기 통합 피드백 단계(S23)는, 상기 제 1 실제 측정 정보와 상기 제 2 실제 측정 정보를 비교하여 이들이 서로 동일하거나 또는 일정한 비율이 되도록 상기 통합 제어부(1402)가 상기 제 1 전력 인가 장치(1101) 또는 상기 제 2 전력 인가 장치(1102)로 전력 동기 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치(1201) 또는 상기 제 2 가스 공급 장치(1202)로 가스 공급 압력 동기 제어 신호를 인가할 수 있다.

도 13은 도 11의 기판 처리 시스템(2000)의 제어 방법의 신호의 흐름을 나타내는 관계도이다.

도 13에 도시된 바와 같이, 도 11의 기판 처리 시스템(2000)의 제어 방법의 신호의 흐름을 살펴보면, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 제 1 플라즈마 반응 장치, 즉 RPS(111)(Remote Plasma System)는 파워 컨트롤러 회로부(112)와 연결되는 것으로서, 이러한 파워 컨트롤러 회로부(112)는 점화 회로부(113)(Ignition)를 통해 점화 과정을 수행할 수 있다. 이러한 점화 회로부(113)의 점화 과정은 Power 회로부(114)를 통해 제어하거나, 또는 공급되는 가스의 Pressure 회로부(115)를 통해 제어할 수 있다. 따라서, 2가지 종류의 회로부 또는 컨트롤 PC(317) 등을 이용하여 상기 파워 컨트롤러 회로부(112)를 피드백 제어하면서 실시간으로 플라즈마 페일이 발생되는 경우, 점화 전력을 강화하거나 가스 공급을 증대시켜서 점화를 안정적으로 이루어지게 할 수 있다.

또한, 예컨대, 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 제 2 플라즈마 반응 장치, 즉 RPS(211)(Remote Plasma System)는 파워 컨트롤러 회로부(212)와 연결되는 것으로서, 이러한 파워 컨트롤러 회로부(212)는 점화 회로부(213)(Ignition)를 통해 점화 과정을 수행할 수 있다. 이러한 점화 회로부(213)의 점화 과정은 Power 회로부(214)를 통해 제어하거나, 또는 공급되는 가스의 Pressure 회로부(215)를 통해 제어할 수 있다. 따라서, 2가지 종류의 회로부 또는 컨트롤 PC(317) 등을 이용하여 상기 파워 컨트롤러 회로부(212)를 피드백 제어하면서 실시간으로 플라즈마 페일이 발생되는 경우, 점화 전력을 강화하거나 가스 공급을 증대시켜서 점화를 안정적으로 이루어지게 할 수 있다.

여기서, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 컨트롤 PC(317)는 압력 비교 회로부(316)(Pressure Comparison)를 이용하여 상기 RPS(111)와 상기 RPS(211) 내부의 압력을 서로 비교해서 이들을 동기화시킬 수 있다.

따라서, 사전에 플라즈마 압력을 정확하게 측정하여 전원을 실시간으로 제어함으로써 가스의 분해율이나 플라즈마 밀도에 맞추어서 최적의 플라즈마 상태를 유지할 수 있고, 이를 통해서 플라즈마 효율을 극대화할 수 있으며, 플라즈마 페일 현상 등을 방지할 수 있는 것은 물론이고, 하나의 공정 챔버(C)에 복수개의 플라즈마 반응 장치를 설치하는 경우에도 공급되는 플라즈마의 압력이 모두 동일하거나 일정한 비율로 이루어지도록 하여 플라즈마를 상기 공정 챔버(C) 내부로 균일하게 공급할 수 있다.

더욱 구체적으로 예를 들면, 플라즈마 기류가 집중되기 쉬운 상기 공정 챔버(C)의 중심부에 설치된 플라즈마 반응 장치의 플라즈마 압력은 상대적으로 낮게 제어하고, 상기 공정 챔버(C)의 테두리부에 설치된 플라즈마 반응 장치의 플라즈마 압력은 상대적으로 높게 제어하여 전체적으로 골고루 플라즈마 세정 가스가 공급되게 하는 것도 가능하다.

이외에도, 예컨대, 플라즈마 기류의 형상이나 상기 공정 챔버(C)의 형태나 반응 조건 등에 따라 각각의 특정 플라즈마 반응 장치에서 측정되는 플라즈마의 압력이 서로 동일하거나 서로 다르게 제어하는 것도 모두 가능하다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

1: 기판
C: 공정 챔버
1000, 2000: 기판 처리 시스템
101: 제 1 플라즈마 반응 장치
102: 제 2 플라즈마 반응 장치
10N: 제 N 플라즈마 반응 장치
1101: 제 1 전력 인가 장치
1102: 제 2 전력 인가 장치
110N: 제 N 전력 인가 장치
1201: 제 1 가스 공급 장치
1202: 제 2 가스 공급 장치
120N: 제 N 가스 공급 장치
1301: 제 1 압력 측정 장치
1302: 제 2 압력 측정 장치
130N: 제 N 압력 측정 장치
1401: 제어부
1402: 통합 제어부
10: 반응 본체
10a: 가스 유입부
10b: 플라즈마 배출부
A: 환형 루프 공간
F1: 제 1 유로
F2: 제 2 유로
P: 합지부
11: 상부 블록
11-1: 제 1 블록
11-2: 제 2 블록
12: 중간 블록
13: 하부 블록
13-1: 제 3 블록
13-2: 제 4 블록
20: 마그네틱 코어
30: 압력 측정 장치
31, 33: 압력 전달 유로부
31-1, 31-2, 31-3: 측방 유로부
33-1: 제 1 유로부
33-2: 제 2 유로부
33-3: 제 3 유로부
33-4: 제 4 유로부
32: 압력 센서
40: 제어부
100, 200, 300, 400: 플라즈마 반응 장치

Claims (10)

1. 내부에서 플라즈마를 발생시켜 공정 챔버에 상기 플라즈마를 공급할 수 있도록 상기 공정 챔버의 일측에 설치되고, 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 공급되는 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 제 1 압력 측정 장치가 설치되는 제 1 플라즈마 반응 장치; 상기 제 1 플라즈마 반응 장치에 전력을 인가하는 제 1 전력 인가 장치; 상기 제 1 플라즈마 반응 장치에 상기 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 장치; 및 상기 제 1 전력 인가 장치 또는 상기 제 1 가스 공급 장치에 제어 신호를 인가하는 제어부;를 포함하는 기판 처리 시스템의 제어 방법에 있어서,
   상기 제어부가 상기 제 1 압력 측정 장치의 이상적인 정상 수치 정보를 입력받는 정상 수치 정보 입력 단계;
   상기 제 1 압력 측정 장치로부터 측정된 실제 측정 정보를 입력받는 실제 측정 정보 입력 단계; 및
   상기 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보를 벗어나면 상기 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치로 전력 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치로 가스 공급 압력 제어 신호를 인가하는 피드백 단계;
   를 포함하고,
   상기 제 1 플라즈마 반응 장치는,
   일측에 가스 유입부가 형성되고, 타측에 플라즈마 배출부가 형성되며, 내부에 환형 루프 공간이 형성되는 반응 본체; 및
   상기 반응 본체의 적어도 일부분을 둘러싸는 형상으로 형성되고, 상기 환형 루프 공간 내의 상기 가스를 여기시켜서 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 일차 권선을 갖는 마그네틱 코어;
   를 더 포함하고,
   상기 압력 측정 장치는,
   상기 반응 본체에 형성된 상기 환형 루프 공간에서 상기 마그네틱 코어가 형성되는 영역보다 하부에 연결되고, 상기 반응 본체의 내경면의 측부와 연결되어 형성되고,
   상기 피드백 단계는,
   상기 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 미만이면, 상기 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치로 전력 상승 제어 신호를 인가하고, 상기 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 이상이면, 상기 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치로 전력 하강 제어 신호를 인가하는, 기판 처리 시스템의 제어 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 피드백 단계는,
   상기 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 미만이면, 상기 제어부가 상기 제 1 가스 공급 장치로 제 1 가스 공급 압력 증가 제어 신호를 인가하고, 상기 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 이상이면, 상기 제 1 가스 공급 장치로 제 1 가스 공급 압력 감소 제어 신호를 인가하는, 기판 처리 시스템의 제어 방법.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 가스는 상기 공정 챔버를 세정할 수 있는 세정용 가스 또는 공정 가스인, 기판 처리 시스템의 제어 방법.
4. 삭제
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 반응 본체는,
   상기 가스 유입부를 통해 유입된 가스를 제 1 유로와 제 2 유로로 분지시키는 상부 블록;
   상기 상부 블록과 연결되고, 상기 제 1 유로 및 상기 제 2 유로에 각각 연결되는 중간 블록; 및
   상기 중간 블록과 연결되고, 상기 제 1 유로와 상기 제 2 유로를 합지부로 합지시켜서 상기 플라즈마를 상기 플라즈마 배출부로 배출시키는 하부 블록;
   을 포함하는, 기판 처리 시스템의 제어 방법.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 압력 측정 장치는,
   선단부가 상기 하부 블록의 상기 합지부와 연결되는 압력 전달 유로부; 및
   상기 압력 전달 유로부의 후단부에 설치되어 상기 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 상기 압력 전달 유로부를 통해 전달받아서 압력을 측정하는 압력 센서;
   를 포함하는, 기판 처리 시스템의 제어 방법.
7. 제 6 항에 있어서,
   상기 플라즈마의 하방 흐름으로부터 상기 압력 센서가 보호될 수 있도록 상기 압력 전달 유로부는 그 선단부가 상기 하부 블록의 상기 합지부의 측부와 연결되는, 기판 처리 시스템의 제어 방법.
8. 내부에서 플라즈마를 발생시켜 공정 챔버에 상기 플라즈마를 공급할 수 있도록 상기 공정 챔버의 일측에 설치되고, 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 공급되는 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 제 1 압력 측정 장치가 설치되는 제 1 플라즈마 반응 장치; 상기 공정 챔버에 플라즈마를 공급할 수 있도록 상기 공정 챔버의 타측에 설치되고, 상기 플라즈마의 발생 여부 또는 발생 상태를 감지할 수 있도록 공급되는 가스 또는 상기 플라즈마의 압력을 측정하는 제 2 압력 측정 장치가 설치되는 제 2 플라즈마 반응 장치; 상기 제 1 플라즈마 반응 장치에 전력을 인가하는 제 1 전력 인가 장치; 상기 제 2 플라즈마 반응 장치에 전력을 인가하는 제 2 전력 인가 장치; 상기 제 1 플라즈마 반응 장치에 상기 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 장치; 상기 제 2 플라즈마 반응 장치에 상기 가스를 공급하는 제 2 가스 공급 장치; 및 상기 제 1 전력 인가 장치와 상기 제 2 전력 인가 장치 또는 상기 제 1 가스 공급 장치와 상기 제 2 가스 공급 장치에 제어 신호를 인가하는 통합 제어부;를 포함하는 기판 처리 시스템의 제어 방법에 있어서,
   상기 통합 제어부가 상기 제 1 압력 측정 장치와 상기 제 2 압력 측정 장치의 이상적인 정상 수치 정보를 입력받는 통합 정상 수치 정보 입력 단계;
   상기 제 1 압력 측정 장치로부터 측정된 제 1 실제 측정 정보를 입력받고, 상기 제 2 압력 측정 장치로부터 측정된 제 2 실제 측정 정보를 입력받는 통합 실제 측정 정보 입력 단계; 및
   상기 제 1 실제 측정 정보 또는 상기 제 2 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보를 벗어나면 상기 통합 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치 또는 상기 제 2 전력 인가 장치로 전력 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치 또는 상기 제 2 가스 공급 장치로 가스 공급 압력 제어 신호를 인가하는 통합 피드백 단계;
   를 포함하고,
   상기 제 1 플라즈마 반응 장치는,
   일측에 가스 유입부가 형성되고, 타측에 플라즈마 배출부가 형성되며, 내부에 환형 루프 공간이 형성되는 반응 본체; 및
   상기 반응 본체의 적어도 일부분을 둘러싸는 형상으로 형성되고, 상기 환형 루프 공간 내의 상기 가스를 여기시켜서 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 일차 권선을 갖는 마그네틱 코어;
   를 더 포함하고,
   상기 압력 측정 장치는,
   상기 반응 본체에 형성된 상기 환형 루프 공간에서 상기 마그네틱 코어가 형성되는 영역보다 하부에 연결되고, 상기 반응 본체의 내경면의 측부와 연결되어 형성되고,
   상기 통합 피드백 단계는,
   상기 제 1 실제 측정 정보 또는 상기 제 2 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 미만이면, 상기 통합 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치 또는 상기 제 2 전력 인가 장치로 전력 상승 제어 신호를 인가하고,
   상기 제 1 실제 측정 정보 또는 상기 제 2 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 이상이면, 상기 통합 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치 또는 상기 제 2 전력 인가 장치로 전력 하강 제어 신호를 인가하는, 기판 처리 시스템의 제어 방법.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 통합 피드백 단계는,
   상기 제 1 실제 측정 정보 또는 상기 제 2 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 미만이면, 상기 제 1 가스 공급 장치 또는 상기 제 2 가스 공급 장치로 가스 공급 압력 증가 제어 신호를 인가하고,
   상기 제 1 실제 측정 정보 또는 상기 제 2 실제 측정 정보가 상기 정상 수치 정보 이상이면, 상기 제 1 가스 공급 장치 또는 상기 제 2 가스 공급 장치로 가스 공급 압력 감소 제어 신호를 인가하는, 기판 처리 시스템의 제어 방법.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 통합 피드백 단계는,
    상기 제 1 실제 측정 정보와 상기 제 2 실제 측정 정보를 비교하여 이들이 서로 동일하거나 또는 일정한 비율이 되도록 상기 통합 제어부가 상기 제 1 전력 인가 장치 또는 상기 제 2 전력 인가 장치로 전력 동기 제어 신호를 인가하거나 또는 상기 제 1 가스 공급 장치 또는 상기 제 2 가스 공급 장치로 가스 공급 압력 동기 제어 신호를 인가하는, 기판 처리 시스템의 제어 방법.

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