JP2014016355A - 荷電粒子ビーム検査方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】荷電粒子ビーム検査装置71は、試料Sを搭載するステージ29と、荷電粒子ビームを試料Sに照射する荷電粒子ビーム源と、試料Sから得られる信号を検出する検出器47と、検出器47からの信号から像を形成する画像処理部61と、試料Sへ照射する荷電粒子ビームのビームエネルギーを制御するエネルギー制御部65と、検査中の試料Sを真空状態に保持するメインチャンバ11と、メインチャンバ11へ試料Sを搬送する搬送ロボット27と、搬送ロボット27を真空状態に保持する搬送チャンバ9と、搬送チャンバ9内に設けられた除電装置73とを備える。
【選択図】 図7
Description
図1は、本実施の形態に係る荷電粒子ビーム検査装置(以下、単に検査装置という)を示している。この例では、荷電粒子ビームが電子ビームである。また、後述するように、本実施の形態では、検査装置1が、SEM式ではなく、写像投影式の装置である。
に、図示されないが、ロードロック室7、搬送チャンバ9及びメインチャンバ11は、開閉可能な隔壁で区切られている。
M式の検査装置は、専らパターン欠陥検査のみに使われている。
設定されている。特に、電子ビーム照射条件としてのビームエネルギー(ランディングエネルギー)が下記の通りに設定されており、これにより、下記に説明するように検査が効率的に行われる。
E1:パターン欠陥検査におけるビームエネルギー
E2:パーティクル検査におけるビームエネルギー
E3:多層膜中欠陥検査におけるビームエネルギー
ム照射の影響を排除でき、多層膜中欠陥検査の精度と安定性を向上できる。
次に、図7を参照し、本発明の別の実施の形態について説明する。第1の実施の形態では、除電装置がミニエンバイロメントに備えられていたのに対して、本実施の形態では除電装置が搬送チャンバに備えられる。第1の実施の形態と共通する事項の説明は省略する。
い。バルブは、ガスジェットノズル83の上流に好適に設けられる。これにより、パルス状の断続的なガス供給を行うことができる。パルス状のガス供給により、ガス供給量を最小限に抑えることができ、真空度の低下(圧力上昇)を極力抑えることができる。
次に、図9を参照し、本発明の更に別の実施の形態について説明する。以下の説明において、第1及び第2の実施の形態と共通する事項の説明は省略する。
が、X線の照射部位の中心点に集まるように配置されており、かつ、試料S上の噴射領域が直径約1〜3mmの狭い範囲に設定されている。
本発明のその他の実施の形態は、例えば下記の通りである。
上述の荷電粒子ビーム検査方法又は装置を用いて、被検査物であるマスクの検査を行うマスク検査方法又は装置。
上記の荷電粒子ビーム検査方法又は装置を用いてマスク製作工程の検査を行うマスク製造方法又は装置。
上記のマスク検査方法又は装置により検査されたマスク。上記のマスク製造方法又は装置により製造されたマスク。
上記のマスクを用いて半導体装置を製造する半導体製造方法又は装置。
上記のマスクを用いて製造された半導体装置。上記の半導体製造方法又は装置により製造された半導体装置。
(1)ウエハを製造するウエハ製造工程(又はウエハを準備するウエハ準備工程)
(2)露光に使用するマスクを製造するマスク製造工程(又はマスクを準備するマスク準備工程)
(3)ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシング工程
(4)ウエハ上に形成されたチップを1個ずつ切り出し、動作可能にするチップ組立工程(5)チップを検査するチップ検査工程
(A)絶縁層となる誘電体薄膜、配線部及び電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程(CVD、スパッタリング等を用いる)
(B)薄膜層及びウエハ基板を酸化する酸化工程
(C)薄膜層及びウエハ基板等を選択的に加工するためにマスク(レクチル)を用いてレジストパターンを形成するリソグラフィー工程
(D)レジストパターンに従って薄膜層及び基板を加工するエッチング工程(例えばドライエッチング技術を用いる)
(E)イオン・不純物注入拡散工程
(F)レジスト剥離工程
(G)加工されたウエハを検査する工程
(a)前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上にレジストをコートするレジスト塗布工程
(b)レジストを露光する工程
(c)露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像工程
(d)現像されたレジストパターンを安定化するためのアニール工程
実施の形態の別の態様は、上記の荷電粒子ビーム検査方法を用いてマスク製作工程の検査を行うマスク製造方法である。
実施の形態の別の態様は、上記のマスク検査方法により検査されたマスク、又は、上記のマスク製造方法により製造されたマスクである。
実施の形態の別の態様は、上記のマスクを用いて半導体装置を製造する半導体製造方法である。
実施の形態の別の態様は、上記のマスクを用いて製造された半導体装置、又は、上記の半導体製造方法により製造された半導体装置である。
マスクの種類としては、例えばCrマスク、EUVマスク、ナノインプリント用マスクが挙げられる。Crマスクは光露光に用いられ、EUVマスクはEUV露光に用いられ、ナノインプリントマスクは、ナノインプリントによるレジストパターン形成に用いられる。これらのマスクの各々について、パターンが形成されたマスクが検査の対象であってよい。また、パターン形成前の膜が形成された状態のマスク(ブランクス)が検査の対象であってよい。
これらの態様によっても上述の実施の形態の利点が同様に得られる。また、上述した実施の形態の各種の構成もこれらの態様に同様に適用されてよい。
実施の形態の別の態様は、上記の荷電粒子ビーム検査装置を用いてマスク製作工程の検査を行うマスク製造装置である。
実施の形態の別の態様は、上記のマスク検査装置により検査されたマスク、又は、上記のマスク製造装置により製造されたマスクである。
実施の形態の別の態様は、上記のマスクを用いて半導体装置を製造する半導体製造装置である。
実施の形態の別の態様は、上記のマスクを用いて製造された半導体装置、又は、上記の半導体製造装置により製造された半導体装置である。
これらの態様によっても上述の実施の形態の利点が同様に得られる。また、上述した実施の形態の各種の構成もこれらの態様に同様に適用されてよい。
3 キャリアケース
5 ミニエンバイロメント
7 ロードロック室
9 搬送チャンバ
11 メインチャンバ
13 電子ビームコラム
21 搬送ロボット
23 試料アライナー
25,73,93 除電装置
27 真空搬送ロボット
29 ステージ
41 電子銃
43 一次レンズ系
45 二次レンズ系
47 検出器
61 画像処理部
63 制御部
65 エネルギー制御部
81 X線照射部
83 ガスジェットノズル
101 X線照射部
103 ガイド
105 X線ミラー
107 ガスジェットノズル
Claims (5)
- 被検査物を搭載するステージと、
荷電粒子ビームを前記被検査物に照射する荷電粒子ビーム源と、
前記被検査物から得られる信号を検出する検出器と、
前記検出器からの前記信号から像を形成する画像処理部と、
前記被検査物へ照射する前記荷電粒子ビームのビームエネルギーを制御するエネルギー制御部と、
検査中の被検査物を真空状態に保持するメインチャンバと、
前記メインチャンバへ被検査物を搬送する搬送ロボットと、
前記搬送ロボットを真空状態に保持する搬送チャンバと、
前記搬送チャンバ内に設けられた除電装置と、
を備える荷電粒子ビーム検査装置。 - 被検査物を搭載するステージと、
荷電粒子ビームを前記被検査物に照射する荷電粒子ビーム源と、
前記被検査物から得られる信号を検出する検出器と、
前記検出器からの前記信号から像を形成する画像処理部と、
前記被検査物へ照射する前記荷電粒子ビームのビームエネルギーを制御するエネルギー制御部と、
検査中の被検査物を真空状態に保持するメインチャンバと、
前記メインチャンバ内に設けられた除電装置と、
を備える荷電粒子ビーム検査装置。 - 前記除電装置は、検査の進行方向に沿って、前記荷電粒子ビームの照射部位より下流側の場所の除電を行うように配置されている請求項2に記載の荷電粒子ビーム検査装置。
- 前記除電装置は、
X線照射部と、
ガスジェットノズルと開閉バルブとを有するガス供給部とを備える請求項1乃至3のいずれかに記載の荷電粒子ビーム検査装置。 - 前記除電装置は、
X線照射部と、
X線を照射部位に導くX線ミラーと、
X線ミラーの周りに配置された複数のガスジェットノズルと、
を備える請求項1乃至3のいずれかに記載の荷電粒子ビーム検査装置。
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