JP2014011275A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光効率を向上できる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１の半導体層は、第１の面と、第１の面の反対側に設けられ、ｐ側領域と複数のｎ側領域とを有する第２の面とを有する。発光層はｐ側領域上に設けられている。第２の半導体層は発光層上に設けられている。ｐ側電極は第２の半導体層上に設けられている。複数のｎ側電極のそれぞれは複数のｎ側領域のそれぞれの上に設けられている。ｎ側配線部は、第１の絶縁膜上に設けられ、第１の絶縁膜を貫通する第２のビアを通じて複数のｎ側電極に対して共通に接続されている。第２の面において、複数のｎ側領域はつながらずに互いに分離され、それぞれのｎ側領域のまわりをｐ側領域が囲んでいる。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。

発光層を含む半導体層における光取り出し面の反対側の面にｐ側電極とｎ側電極が形成された構造が知られている。この構造では、電極が光取り出し面からの光取り出しを妨げないため、電極の形状やレイアウトの自由度が高い。電極の形状やレイアウトは、電気特性や発光効率に影響するため、適切なデザインが求められる。

特表２００７−５２７１２３号公報 特開２００８−１３５７８９号公報

本発明の実施形態は、発光効率を向上できる半導体発光装置を提供する。

実施形態によれば、半導体発光装置は、第１の半導体層と、発光層と、第２の半導体層と、ｐ側電極と、複数のｎ側電極と、第１の絶縁膜と、ｐ側配線部と、ｎ側配線部と、を備えている。前記第１の半導体層は、第１の面と、前記第１の面の反対側に設けられ、ｐ側領域と複数のｎ側領域とを有する第２の面と、を有する。前記発光層は、前記ｐ側領域上に設けられている。前記第２の半導体層は、前記発光層上に設けられている。前記ｐ側電極は、前記第２の半導体層上に設けられている。前記複数のｎ側電極のそれぞれは、前記複数のｎ側領域のそれぞれの上に設けられている。前記第１の絶縁膜は、前記第ｐ側電極上及び前記ｎ側電極上に設けられている。前記ｐ側配線部は、前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の絶縁膜を貫通する第１のビアを通じて前記ｐ側電極と接続されている。前記ｎ側配線部は、前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の絶縁膜を貫通する第２のビアを通じて複数の前記ｎ側電極に対して共通に接続されている。前記第２の面において、前記複数のｎ側領域はつながらずに互いに分離され、それぞれの前記ｎ側領域のまわりを前記ｐ側領域が囲んでいる。

第１実施形態の半導体発光装置の模式平面図。 図１におけるＡ−Ａ’断面図。 図１におけるＢ−Ｂ’断面図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式平面図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式平面図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式平面図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式平面図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式平面図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 第１実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 第１実施形態の半導体発光装置の変形例を示す模式断面図。 第２実施形態の半導体発光装置の模式平面図。 図１２におけるＣ−Ｃ’断面図。 図１２におけるＤ−Ｄ’断面図。 第２実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式平面図。 第２実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式平面図。 第２実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式平面図。 第２実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 第２実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 第２実施形態の半導体発光装置の変形例を示す模式断面図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第３実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第４実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第４実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第３〜５実施形態の半導体発光装置の変形例の模式平面図。 第５実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第５実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第５実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第５実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第５実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第５実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第５実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第５実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第５実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第５実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第５実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第５実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式図。 第６実施形態の半導体発光装置の模式断面図。 第６実施形態の半導体発光装置の模式平面図。 第６実施形態の半導体発光装置の模式平面図。 第７実施形態の半導体発光装置の模式平面図。 第３実施形態の半導体発光装置の変形例の模式平面図。

以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の半導体発光装置１の模式平面図である。
図２は、図１におけるＡ−Ａ’断面図である。
図３は、図１におけるＢ−Ｂ’断面図である。

図１は、半導体層１５の第１の面１５ａの反対側の第２の面側を示し、絶縁膜及び樹脂層を除いた要素の平面レイアウトを示す。

図２、３に示すように、半導体発光装置１は、半導体層１５を有する。半導体層１５は、第１の半導体層１１と、第２の半導体層１２と、発光層１３とを含む。第１の半導体層１１、第２の半導体層１２および発光層１３は、いずれも、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化物半導体である。なお、導電型を制御するために添加される不純物を含むものも「窒化物半導体」に含まれるものとする。

第１の半導体層１１は、第１の面１５ａと、第１の面１５ａの反対側に設けられた第２の面とを有する。さらに、第２の面は、ｐ側領域１４ａとｎ側領域１４ｂとを有する。第１の半導体層１１は、例えば、下地バッファ層、ｎ型ＧａＮ層を含む。

第１の半導体層１１の第２の面におけるｐ側領域１４ａ上に、発光層（活性層）１３が設けられている。発光層１３は、例えば、ＩｎＧａＮ井戸層と、ＧａＮまたはＩｎＧａＮ障壁層との対を複数対積層させたＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造を有し、青、紫、青紫、紫外光などを発光する。

発光層１３上には、ｐ型ＧａＮ層を含む第２の半導体層１２が設けられている。発光層１３は、第１の半導体層１１と第２の半導体層１２との間に設けられている。第１の半導体層１１の第２の面におけるｎ側領域１４ｂには、発光層１３及び第２の半導体層１２が設けられていない。

ｎ側領域１４ｂは、第１の半導体層１１の第２の面の全面に形成された発光層１３及び第２の半導体層１２の一部を選択的に除去することで、第１の半導体層１１の表面が露出されて形成される。

第１の半導体層１１の第１の面１５ａは光の主な取り出し面として機能し、発光層１３の発光光は、第１の面１５ａから主に半導体層１５の外部に出射される。第１の面１５ａの反対側に、以下に説明するｐ側電極、ｎ側電極、ｐ側配線部、ｎ側配線部が設けられている。

第２の半導体層１２上に、ｐ側電極１６ａが設けられている。ｐ側電極１６ａは第２の半導体層１２にオーミック接触している。第１の半導体層１１の第２の面におけるｎ側領域１４ｂには、ｎ側電極１７ａが設けられている。ｎ側電極１７ａは、第１の半導体層１１にオーミック接触している。

ｐ側電極１６ａ及びｎ側電極１７ａは、半導体層１５における主な光取り出し面である第１の面１５ａの反対側の同じ面側に設けられ、ｐ側電極１６ａは発光層１３を含む領域上に設けられ、ｎ側電極１７ａは発光層１３を含まないｎ側領域１４ｂ上に設けられている。

さらに、ｐ側電極１６ａの表面及び側面に、ｐ側電極１６ａを覆うｐ側パッド１６ｂが設けられている。ｐ側電極１６ａは、発光層１３の発光光に対する反射率が高い材料、例えばＡｇ、Ａｇ合金などを含む。ｐ側パッド１６ｂは、ｐ側電極１６ａを腐食から保護する材料、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕなどを含む。

また、ｎ側電極１７ａの表面及び側面に、ｎ側電極１７ａを覆うｎ側パッド１７ｂが設けられている。ｎ側電極１７ａは、半導体層１５に含まれるガリウム（Ｇａ）と合金を形成可能な、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）およびロジウム（Ｒｈ）のうちの少なくとも１つを含む。ｎ側パッド１７ｂは、ｎ側電極１７ａを腐食から保護する材料、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕなどを含む。

図４は、第２の面上における、ｐ側領域１４ａ、ｎ側領域１４ｂ、ｐ側電極１６ａ、ｐ側パッド１６ｂ、ｎ側電極１７ａ、およびｎ側パッド１７ｂの平面レイアウトを示す。

第２の面全体に広がるｐ側領域１４ａ内に、複数のｎ側領域１４ｂが均等に散在している。それぞれのｎ側領域１４ｂは、例えば円形の領域として形成されている。第２の面において、複数のｎ側領域１４ｂはつながらずに互いに分離され、それぞれのｎ側領域１４ｂのまわりをｐ側領域１４ａが囲んでいる。

複数のｎ側領域１４ｂのそれぞれの上にｎ側電極１７ａが設けられている。複数のｎ側電極１７ａは、第２の面上にドット状または島状に均等に散在している。

図２に示すように、それぞれのｎ側電極１７ａ及びｎ側パッド１７ｂのまわりを第２の半導体層１２が囲んでいる。第１の半導体層１１のｎ側領域１４ｂ、そのｎ側領域１４ｂ上に設けられたｎ側電極１７ａ、およびｎ側電極１７ａを覆うｎ側パッド１７ｂは、発光層１３および発光層１３上に積層された第２の半導体層１２によって仕切られ、第２の面上で複数に分離されている。

図２、３に示すように、半導体層１５の第２の面側に、第１の絶縁膜（以下、単に絶縁膜と言う）１８が設けられている。絶縁膜１８は、ｎ側領域１４ｂ、第２の半導体層１２の表面、第２の半導体層１２の側面、発光層１３の側面、ｐ側パッド１６ｂおよびｎ側パッド１７ｂを覆っている。

なお、絶縁膜１８と半導体層１５との間に別の絶縁膜（例えばシリコン酸化膜）が設けられることもある。絶縁膜１８は、例えば、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂である。あるいは、絶縁膜１８としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機膜を用いてもよい。

絶縁膜１８における、半導体層１５とは反対側の表面上には、図２に示すｎ側配線層（第１のｎ側配線層）２２と、図３に示すｐ側配線層（第１のｐ側配線層）２１が設けられている。

図２に示すように、それぞれのｎ側パッド１７ｂ上には、絶縁膜１８を貫通してｎ側ビア２２ａが設けられている。ｎ側配線層２２は、それぞれのｎ側ビア２２ａを通じて、それぞれのｎ側パッド１７ｂ及びｎ側電極１７ａと電気的に接続されている。

図３に示すように、ｐ側パッド１６ｂ上には、絶縁膜１８を貫通して複数のｐ側ビア２１ａが設けられている。ｐ側配線層２１は、複数の第１のｐ側ビア２１ａを通じてｐ側パッド１６ｂ及びｐ側電極１６ａと電気的に接続されている。

図５は、ｎ側ビア２２ａおよびｐ側ビア２１ａの平面レイアウトを示し、図６は、図５に対してｎ側配線層２２およびｐ側配線層２１を重ねた平面図を示す。

第２の面上で分離して設けられた複数（図６では例えば３つ）のｎ側電極１７ａが、図６において第１の方向Ｘに延びる１つの共通のｎ側配線層２２に対して、それぞれｎ側ビア２２ａを介して接続されている。図２に示すように、ｐ側電極１６ａ及びｐ側パッド１６ｂの上を絶縁膜１８を介してまたぐように、１つのｎ側配線層２２は複数のｎ側電極１７ａに対して共通に接続されている。

ｎ側配線層２２は複数設けられ、それぞれのｎ側配線層２２は、図６において第１の方向Ｘに延びている。第１の方向Ｘに対して直交する第２の方向Ｙで隣り合うｎ側配線層２２の間の領域に、ｐ側配線層２１が設けられている。

複数のｎ側配線層２２と、複数のｐ側配線層２１とが、絶縁膜１８上で、第２の方向Ｙに互いに離間して交互に配列されている。

図２及び図３に示すように、絶縁膜１８上、ｎ側配線層２２上およびｐ側配線層２１上には、絶縁膜４１が設けられている。絶縁膜４１も、絶縁膜１８と同様の材料、例えば、シリコン酸化膜等の無機絶縁膜、ポリイミド等の樹脂膜である。絶縁膜４１は、ｎ側配線層２２およびｐ側配線層２１を覆っている。

絶縁膜４１上には、ｎ側配線層（第２のｎ側配線層）３２と、ｐ側配線層（第２のｐ側配線層）３１が設けられている。

図２に示すように、ｎ側配線層２２上には、絶縁膜４１を貫通してｎ側ビア３３が設けられている。ｎ側配線層３２は、ｎ側ビア３３を通じて、ｎ側配線層２２と電気的に接続されている。

図３に示すように、ｐ側配線層２１上には、絶縁膜４１を貫通してｐ側ビア３４が設けられている。ｐ側配線層３１は、ｐ側ビア３４を通じて、ｐ側配線層２１と電気的に接続されている。

図７は、ｎ側ビア３３およびｐ側ビア３４の平面レイアウトを示し、図８は、図７に対してｎ側配線層３２およびｐ側配線層３１を重ねた平面図を示す。

１つのｎ側配線層２２に対して１つのｎ側ビア３３が設けられている。したがって、ｎ側配線層２２の数に対応して、複数のｎ側ビア３３が、第２の方向Ｙに配列されている。

１つのｐ側配線層２１に対して１つのｐ側ビア３４が設けられている。したがって、ｐ側配線層２１の数に対応して、複数のｐ側ビア３４が、第２の方向Ｙに配列されている。

複数のｎ側ビア３３と複数のｐ側ビア３４とは、第１の方向Ｘの中心に対して、左右に分かれて設けられている。図７及び８において第１の方向Ｘの中心よりも左側の領域にｎ側ビア３３が設けられ、第１の方向Ｘの中心よりも右側の領域にｐ側ビア３４が設けられている。

ｎ側配線層３２は、図８において第１の方向Ｘの中心よりも左側の領域に広がっている。複数のｎ側配線層２２が、１つの共通のｎ側配線層３２に対してｎ側ビア３３を介して接続されている。

ｐ側配線層３１は、図８において第１の方向Ｘの中心よりも右側の領域に広がっている。複数のｐ側配線層２１が、１つの共通のｐ側配線層３１に対してｐ側ビア３４を介して接続されている。

第１の方向Ｘの中心を挟んで、ｎ側配線層３２とｐ側配線層３１とが、同じ面積で左右に分かれて広がっている。ｎ側配線層３２とｐ側配線層３１とは、絶縁膜４１上で互いに離間している。

図２、３に示すように、ｐ側配線層３１上には、ｐ側金属ピラー２３が設けられている。ｐ側配線層２１、ｐ側配線層３１、およびｐ側金属ピラー２３は、本実施形態におけるｐ側配線部を構成する。

ｎ側配線層３２上には、ｎ側金属ピラー２４が設けられている。ｎ側配線層２２、ｎ側配線層３２、およびｎ側金属ピラー２４は、本実施形態におけるｎ側配線部を構成する。

絶縁膜４１上には、第２の絶縁膜として例えば樹脂層２５が積層されている。樹脂層２５は、ｎ側配線層３２の周囲、ｎ側金属ピラー２４の周囲、ｐ側配線層３１の周囲、およびｐ側金属ピラー２３の周囲を覆っている。また、樹脂層２５は、ｐ側配線層３１とｎ側配線層３２との間、およびｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間に充填されている。

ｐ側金属ピラー２３の側面およびｎ側金属ピラー２４の側面は、樹脂層２５で覆われている。ｐ側金属ピラー２３におけるｐ側配線層３１に対する反対側の面は、樹脂層２５から露出し、ｐ側外部端子２３ａとして機能する。ｎ側金属ピラー２４におけるｎ側配線層３２に対する反対側の面は、樹脂層２５から露出し、ｎ側外部端子２４ａとして機能する。

ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、図示しない実装基板に形成されたパッドに、はんだなどを介して接合される。

樹脂層２５における同じ面（図２及び３における上面）で露出するｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間の距離は、絶縁膜４１上でのｐ側配線層３１とｎ側配線層３２との間の距離よりも大きい。また、ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間の距離は、絶縁膜１８上でのｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間の距離よりも大きい。

ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとは、実装基板への実装時にはんだによって相互に短絡しない距離を隔てて離れている。

ｐ側配線層２１は、プロセス上の限界まで、ｎ側配線層２２に近づけることができ、ｐ側配線層３１の面積を広くできる。ｐ側配線層３１も、プロセス上の限界まで、ｎ側配線層３２に近づけることができる。この結果、ｐ側配線層２１およびｐ側配線層３１の面積を広くでき、電流分布及び放熱性を向上できる。

ｐ側配線層２１が複数のｐ側ビア２１ａを通じてｐ側パッド１６ｂと接する面積は、ｎ側配線層２２が複数のｎ側ビア２２ａを通じてｎ側パッド１７ｂと接する面積よりも大きい。よって、発光層１３への電流分布が向上し、且つ発光層１３の熱の放熱性が向上できる。

絶縁膜１８上に広がるｎ側配線層２２の面積は、ｎ側配線層２２が、ｎ側ビア２２ａを介してｎ側パッド１７ｂと接続する面積よりも大きい。

実施形態によれば、ｎ側電極１７ａよりも広い領域にわたって広がる発光層１３によって高い光出力を得ることができる。なおかつ、発光層１３を含む領域よりも狭いｎ側領域１４ｂに設けられたｎ側電極１７ａが、より面積の大きなｎ側配線層２２として、光取り出し面（第１の面１５ａ）の反対側に引き出されている。

図２に示すように、第１の半導体層１１は、ｎ側電極１７ａ、ｎ側パッド１７ｂ、ｎ側ビア２２ａ、ｎ側配線層２２、ｎ側ビア３３、ｎ側配線層３２、およびｎ側金属ピラー２４を介して、ｎ側外部端子２４ａと電気的に接続されている。

図３に示すように、第２の半導体層１２は、ｐ側電極１６ａ、ｐ側パッド１６ｂ、ｐ側ビア２１ａ、ｐ側配線層２１、ｐ側ビア３４、ｐ側配線層３１、およびｐ側金属ピラー２３を介して、ｐ側外部端子２３ａと電気的に接続されている。

ｐ側金属ピラー２３は、ｐ側配線層２１よりも厚く、ｐ側配線層３１よりも厚い。ｎ側金属ピラー２４は、ｎ側配線層２２よりも厚く、ｎ側配線層３２よりも厚い。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５のそれぞれの厚さは、半導体層１５よりも厚い。なお、ここでの「厚さ」は、図２及び３において上下方向の厚さを表す。

また、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４のそれぞれの厚さは、半導体層１５、ｐ側電極１６ａ、ｐ側パッド１６ｂ、ｎ側電極１７ａおよびｎ側パッド１７ｂを含むチップの厚さよりも厚い。なお、各金属ピラー２３、２４のアスペクト比（平面サイズに対する厚みの比）は１以上であることに限らず、その比は１よりも小さくてもよい。すなわち、金属ピラー２３、２４は、その平面サイズよりも厚さが小さくてもよい。

実施形態によれば、半導体層１５を形成するために使用した基板が除去されても、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５を含む支持体によって、半導体層１５を安定して支持し、半導体発光装置１の機械的強度を高めることができる。

ｐ側ビア２１ａ、ｐ側配線層２１、ｐ側ビア３４、ｐ側配線層３１、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側ビア２２ａ、ｎ側配線層２２、ｎ側ビア３３、ｎ側配線層３２、ｎ側金属ピラー２４の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。

樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を補強する。樹脂層２５は、実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層２５として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。

また、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａを介して、半導体発光装置１を実装基板に実装した状態において、はんだを介して半導体層１５に加わる応力を、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４が吸収することで緩和することができる。

半導体層１５を形成するときに使った基板は第１の面１５ａ上から除去される。このため、半導体発光装置１を低背化できる。

第１の面１５ａ上には、図１１に示すように、蛍光体層５０を設けることができる。蛍光体層５０は、透明媒体としての透明樹脂５１と、透明樹脂５１中に分散された複数の粒子状の蛍光体５２とを有する。

透明樹脂５１は、発光層１３の発光光及び蛍光体５２の発光光に対する透過性を有し、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フェニル樹脂などを用いることができる。

蛍光体５２は、発光層１３の発光光（励起光）を吸収し波長変換光を発光可能である。このため、実施形態の半導体発光装置は、発光層１３の発光光と、蛍光体５２の波長変換光との混合光を出射可能である。

例えば、蛍光体５２が黄色光を発光する黄色蛍光体とすると、ＩｎＧａＮ系材料である発光層１３の青色光と、蛍光体５２における波長変換光である黄色光との混合色として、白色または電球色などを得ることができる。なお、蛍光体層５０は、複数種の蛍光体（例えば、赤色光を発光する赤色蛍光体と、緑色光を発光する緑色蛍光体）を含む構成であってもよい。

実施形態の半導体発光装置１は、光の主な取り出し面である第１の面１５ａの反対側の第２の面にｐ側電極１６ａとｎ側電極１７ａが設けられている。したがって、第１の面１５ａからの光取り出しが電極によって妨げられない。ｐ側電極１６ａは、発光層１３を含む領域上に設けられている。ｎ側電極１７ａは、発光層１３を含まない第１の半導体層１１上に設けられている。

実施形態によれば、ｎ側電極１７ａと第１の半導体層１１とのコンタクト面、すなわち第１の半導体層１１の第２の面におけるｎ側領域１４ｂが、ドット状に第２の面に均等配置されている。このため、発光層１３を含まない領域を小さくして発光面積の拡大を図りつつも、発光層１３の面方向の均一電流分布を実現できる。

正孔は、ｐ側電極１６ａから、ｐ側電極１６ａと第２の半導体層１２とのコンタクト面を通じて発光層１３へと供給される、電子は、ｎ側電極１７ａからｎ側電極１７ａと第１の半導体層１１とのコンタクト面を通じて発光層１３へと供給される。発光層１３における電流密度はｎ側電極１７ａに近い領域で高くなりやすい。

実施形態によれば、ｎ側領域１４ｂ及びｎ側電極１７ａのまわりのすべてにｐ側領域１４ａ及び発光層１３が存在している。したがって、図４において模式的に破線で表すように、１つのｎ側電極１７ａからその周囲３６０度方向に電流が広がり、発光層１３の全領域に効率良く電流を供給できる。したがって、実施形態によれば、発光層１３の全領域を効率良く発光させることができる。

複数のｎ側電極１７ａは、第１の半導体層１１の第２の面上では互いに分離されているが、光取り出し面（第１の面１５ａ）の反対側で、実装基板との実装を担う共通のｎ側配線部に対して接続されている。このため、複数のｎ側電極１７ａのそれぞれに対してワイヤボンディングをすることなく、簡単な構成で複数のｎ側電極１７ａに同電位を与えることができる。

次に、図４〜図１０（ｂ）を参照して、第１実施形態の半導体発光装置１の製造方法について説明する。

図９（ａ）は、図４におけるＡ−Ａ’断面を表し、図９（ｂ）は、図４におけるＢ−Ｂ’断面を表す。

半導体層１５は基板１０上に形成される。まず、基板１０の主面上に第１の半導体層１１が形成され、その上に発光層１３が形成され、その上に第２の半導体層１２が形成される。

Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化物半導体である半導体層１５は、例えばサファイア基板上にＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition）法で結晶成長させることができる。あるいは、基板１０としてはシリコン基板を用いることもできる。

半導体層１５は基板１０の全面に形成される。その後、図示しないレジストを用いた例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法で、図９（ａ）に示すように、発光層１３及び第２の半導体層１２の一部を除去して、第１の半導体層１１の一部を露出させる。第１の半導体層１１は、ドット状もしくは島状に選択的に露出される。

第１の半導体層１１が露出された領域は、発光層１３及び第２の半導体層１２を含まないｎ側領域１４ｂとなる。第２の半導体層１２及び発光層１３が残された領域は、ｐ側領域１４ａとなる。

ｎ側領域１４ｂ上にはｎ側電極１７ａ及びｎ側パッド１７ｂが形成される。ｐ側領域１４ａの第２の半導体層１２の表面上には、ｐ側電極１６ａ及びｐ側パッド１６ｂが形成される。

ｐ側パッド１６ｂとｎ側パッド１７ｂとの間や、発光層１３の端面（側面）にパッシベーション膜として、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜をＣＶＤ（chemical vapor deposition）法で形成してもよい。

次に、基板１０の主面上の露出している部分すべてを図１０（ａ）及び（ｂ）に示す絶縁膜１８で覆った後、エッチングにより絶縁膜１８をパターニングし、絶縁膜１８に選択的に第１の開口１８ａと第２の開口１８ｂを形成する。図１０（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図９（ａ）及び（ｂ）の断面に対応する。

図１０（ｂ）に示すように、第１の開口１８ａは複数形成され、それぞれの第１の開口１８ａはｐ側パッド１６ｂに達する。図１０（ａ）に示すように、複数のｎ側パッド１７ｂのそれぞれの上に第２の開口１８ｂが形成され、それぞれの第２の開口１８ｂはｎ側パッド１７ｂに達する。

図１０（ａ）は、図４における第１の方向Ｘに沿った断面を表し、その第１の方向Ｘで隣り合うｎ側領域１４ｂの間のｐ側パッド１６ｂ上には、第１の開口１８ａは形成されない。したがって、第１の開口１８ａ内に埋め込まれるｐ側ビア２１ａも、第１の方向Ｘで隣り合うｎ側領域１４ｂの間のｐ側パッド１６ｂ上には形成されない。

絶縁膜１８としては、例えば、感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene）などの有機材料を用いることができる。この場合、レジストを使わずに、絶縁膜１８に対して直接露光及び現像が可能である。

あるいは、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの無機膜を絶縁膜１８として使用してもよい。絶縁膜１８が無機膜の場合、絶縁膜１８上に形成したレジストをパターニングした後のエッチングによって第１の開口１８ａ及び第２の開口１８ｂが形成される。

次に、絶縁膜１８の表面、第１の開口１８ａの内壁（側壁及び底部）、および第２の開口１８ｂの内壁（側壁及び底部）に、図示しない金属膜を形成した後、その金属膜をシードメタル（電流経路）としたＣｕ電解めっきを行う。

これにより、図２、３および５に示すように、第１の開口１８ａ内にｐ側ビア２１ａが形成され、第２の開口１８ｂ内にｎ側ビア２２ａが形成され、絶縁膜１８上にｐ側配線層２１とｎ側配線層２２が形成される。ｐ側ビア２１ａ、ｎ側ビア２２ａ、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２は、図示しないめっきレジストを用いためっき法により同時に形成される例えば銅材料からなる。

次に、図２および３に示すように、ｐ側配線層２１上およびｎ側配線層２２上に絶縁膜４１を形成する。そして、前述したｐ側ビア２１ａ、ｎ側ビア２２ａ、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２を含む１層目の配線部と同様に、Ｃｕ電解めっき法により、図２、３、７および８に示す、ｐ側ビア３４、ｎ側ビア３３、ｐ側配線層３１およびｎ側配線層３２を含む２層目の配線部を形成する。さらに、やはり、Ｃｕ電解めっき法により、ｐ側配線層３１上にｐ側金属ピラー２３を形成し、ｎ側配線層３２上にｎ側金属ピラー２４を形成する。

ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を形成した後、絶縁膜４１上に樹脂層２５を積層する。樹脂層２５は、ｐ側配線層３１、ｎ側配線層３２、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を覆う。

次に、半導体層１５を形成するために使った前述した基板１０を除去する。基板１０がサファイア基板の場合、例えばレーザーリフトオフ法によって基板１０を除去することができる。具体的には、基板１０の裏面側から第１の半導体層１１に向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板１０に対して透過性を有し、第１の半導体層１１に対しては吸収領域となる波長を有する。

レーザ光が基板１０と第１の半導体層１１との界面に到達すると、その界面付近の第１の半導体層１１はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。第１の半導体層１１はガリウム（Ｇａ）と窒素ガスに分解する。この分解反応により、基板１０と第１の半導体層１１との間に微小な隙間が形成され、基板１０と第１の半導体層１１とが分離する。

レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板１０を除去する。

基板１０がシリコン基板の場合には、エッチングによって基板１０を除去することができる。

基板１０の主面上に形成された前述した積層体は、半導体層１５よりも厚いｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５によって補強されているため、基板１０がなくなっても、ウェーハ状態を保つことが可能である。

また、樹脂層２５も、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を構成する金属も、半導体層１５に比べて柔軟な材料である。そのような柔軟な支持体に半導体層１５は支持されている。そのため、基板１０上に半導体層１５をエピタキシャル成長させる際に生じた大きな内部応力が、基板１０の剥離時に一気に開放されても、半導体層１５が破壊されるのを回避できる。

基板１０が除去された半導体層１５の第１の面１５ａは洗浄される。例えば、希フッ酸等で、第１の面１５ａに付着したガリウム（Ｇａ）を除去する。

その後、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の面１５ａをウェットエッチングする。これにより、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いによって、第１の面１５ａに凹凸が形成される。あるいは、レジストでパターニングした後にエッチングを行って、第１の面１５ａに凹凸を形成してもよい。第１の面１５ａに凹凸が形成されることで、光取り出し効率を向上できる。

必要に応じて、第１の面１５ａ上には、図１１に示す蛍光体層５０が形成される。蛍光体５２が分散された液状の透明樹脂５１を、例えば、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって第１の面１５ａ上に供給した後、熱硬化させる。

その後、上記積層体を切断し、複数の半導体発光装置１に個片化する。例えば、ダイシングブレードを用いて切断する。あるいは、レーザ照射によって、切断してもよい。

個片化された半導体発光装置１は、ひとつの半導体層１５を含むシングルチップ構造でも、複数の半導体層１５を含むマルチチップ構造であってもよい。

ダイシングされる前までの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。

（第２実施形態）
図１２は、第２実施形態の半導体発光装置２の模式平面図である。
図１３は、図１２におけるＣ−Ｃ’断面図である。
図１４は、図１２におけるＤ−Ｄ’断面図である。

第２実施形態の半導体発光装置２も半導体層１５を有し、半導体層１５は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）で表される第１の半導体層１１と、第２の半導体層１２と、発光層１３とを含む。

図１２は、半導体層１５の第１の面１５ａの反対側の第２の面側を示し、絶縁膜及び樹脂層を除いた要素の平面レイアウトを示す。

第２実施形態においても、発光層１３及び第２の半導体層１２を含まない第１の半導体層１１のｎ側領域１４ｂ上に、ｎ側電極１７ａ及びｎ側パッド１７ｂが設けられている。

第１の半導体層１１の第２の面におけるｎ側領域１４ｂ以外の領域であるｐ側領域１４ａ上には、発光層１３及び第２の半導体層１２が設けられている。その第２の半導体層１２の表面上に、ｐ側電極１６ａ及びｐ側パッド１６ｂが設けられている。

第２実施形態によれば、ｎ側領域１４ｂ、その上に設けられたｎ側電極１７ａ及びｎ側パッド１７ｂの平面レイアウトが第１実施形態と異なる。

図１５は、第２の面上における、ｐ側領域１４ａ、ｎ側領域１４ｂ、ｐ側電極１６ａ、ｐ側パッド１６ｂ、ｎ側電極１７ａ、およびｎ側パッド１７ｂの平面レイアウトを示す。

第２の面全体に広がるｐ側領域１４ａ内に、複数（図示では例えば３つ）のｎ側領域１４ｂが均等に配置されている。それぞれのｎ側領域１４ｂは、例えば矩形状の領域として形成されている。第２の面において、複数のｎ側領域１４ｂはつながらずに互いに分離され、それぞれのｎ側領域１４ｂのまわりをｐ側領域１４ａが囲んでいる。

複数のｎ側領域１４ｂのそれぞれの上にｎ側電極１７ａが設けられている。複数のｎ側電極１７ａは、第２の面上で矩形状に形成されている。

それぞれのｎ側電極１７ａ及びｎ側パッド１７ｂのまわりは、図１３に示すように、第２の半導体層１２が囲んでいる。第１の半導体層１１のｎ側領域１４ｂ、そのｎ側領域１４ｂ上に設けられたｎ側電極１７ａ、およびｎ側電極１７ａを覆うｎ側パッド１７ｂは、発光層１３および発光層１３上に積層された第２の半導体層１２によって仕切られ、第２の面上で複数に分離されている。

図１３、１４に示すように、半導体層１５の第２の面側に、絶縁膜１８が設けられている。絶縁膜１８は、ｎ側領域１４ｂ、第２の半導体層１２の表面、第２の半導体層１２の側面、発光層１３の側面、ｐ側パッド１６ｂおよびｎ側パッド１７ｂを覆っている。

なお、絶縁膜１８と半導体層１５との間に別の絶縁膜（例えばシリコン酸化膜）が設けられることもある。絶縁膜１８は、例えば、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂である。あるいは、絶縁膜１８としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機膜を用いてもよい。

第２実施形態では、第１実施形態と異なり、絶縁膜１８上には単層構造のｐ側配線層とｎ側配線層が設けられている。絶縁膜１８における、半導体層１５とは反対側の表面上には、ｎ側配線層３２とｐ側配線層３１が設けられている。

図１３及び１６に示すように、複数のｎ側パッド１７ｂのそれぞれの上には、絶縁膜１８を貫通してｎ側ビア２２ａが設けられている。ｎ側配線層３２は、ｎ側ビア２２ａを通じて、ｎ側パッド１７ｂ及びｎ側電極１７ａと電気的に接続されている。

図１４及び１６に示すように、ｐ側パッド１６ｂ上には、絶縁膜１８を貫通して複数のｐ側ビア２１ａが設けられている。ｐ側配線層３１は、ｐ側ビア２１ａを通じて、ｐ側パッド１６ｂ及びｐ側電極１６ａと電気的に接続されている。

図１６は、ｎ側ビア２２ａおよびｐ側ビア２１ａの平面レイアウトを示し、図１７は、図１６に対してｎ側配線層３２およびｐ側配線層３１を重ねた平面図を示す。

ｎ側ビア２２ａとｐ側ビア２１ａとは、第１の方向Ｘの中心に対して、左右に分かれて設けられている。図１６及び１７おいて第１の方向Ｘの中心よりも左側の領域にｎ側ビア２２ａが設けられ、第１の方向Ｘの中心よりも右側の領域にｐ側ビア２１ａが設けられている。

ｎ側配線層３２は、図１７において第１の方向Ｘの中心よりも左側の領域に広がっている。複数のｎ側電極１７ａが、１つの共通のｎ側配線層３２に対して、それぞれｎ側ビア２２ａを介して電気的に接続されている。

ｐ側配線層３１は、図１７において第１の方向Ｘの中心よりも右側の領域に広がっている。ｎ側領域１４ｂ以外の第２の面全体に広がるｐ側電極１６ａが、１つの共通のｐ側配線層３１に対して複数のｐ側ビア２１ａを介して電気的に接続されている。

第１の方向Ｘの中心を挟んで、ｎ側配線層３２とｐ側配線層３１とが、同じ面積で左右に分かれて広がっている。ｎ側配線層３２とｐ側配線層３１とは、絶縁膜１８上で互いに離間している。

図１２、１３および１４に示すように、ｐ側配線層３１上には、ｐ側金属ピラー２３が設けられている。ｐ側配線層３１およびｐ側金属ピラー２３は、本実施形態におけるｐ側配線部を構成する。ｎ側配線層３２上には、ｎ側金属ピラー２４が設けられている。ｎ側配線層３２およびｎ側金属ピラー２４は、本実施形態におけるｎ側配線部を構成する。

絶縁膜１８上には、樹脂層２５が積層されている。樹脂層２５は、ｎ側配線層３２の周囲、ｎ側金属ピラー２４の周囲、ｐ側配線層３１の周囲、およびｐ側金属ピラー２３の周囲を覆っている。また、樹脂層２５は、ｐ側配線層３１とｎ側配線層３２との間、およびｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間に充填されている。

ｐ側金属ピラー２３の側面およびｎ側金属ピラー２４の側面は、樹脂層２５で覆われている。ｐ側金属ピラー２３におけるｐ側配線層３１に対する反対側の面は、樹脂層２５から露出し、ｐ側外部端子２３ａとして機能する。ｎ側金属ピラー２４におけるｎ側配線層３２に対する反対側の面は、樹脂層２５から露出し、ｎ側外部端子２４ａとして機能する。

ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、図示しない実装基板に形成されたパッドに、はんだなどを介して接合される。

ｐ側配線層３１が複数のｐ側ビア２１ａを通じてｐ側パッド１６ｂと接する面積は、ｎ側配線層３２が複数のｎ側ビア２２ａを通じてｎ側パッド１７ｂと接する面積よりも大きい。よって、発光層１３への電流分布が向上し、且つ発光層１３の熱の放熱性が向上できる。

絶縁膜１８上に広がるｎ側配線層３２の面積は、ｎ側配線層３２が、ｎ側ビア２２ａを介してｎ側パッド１７ｂと接続する面積よりも大きい。

第２実施形態によれば、ｎ側電極１７ａよりも広い領域にわたって広がる発光層１３によって高い光出力を得ることができる。なおかつ、発光層１３を含む領域よりも狭いｎ側領域１４ｂに設けられたｎ側電極１７ａが、より面積の大きなｎ側配線層３２として、光取り出し面（第１の面１５ａ）の反対側に引き出されている。

図１３に示すように、第１の半導体層１１は、ｎ側電極１７ａ、ｎ側パッド１７ｂ、ｎ側ビア２２ａ、ｎ側配線層３２、およびｎ側金属ピラー２４を介して、ｎ側外部端子２４ａと電気的に接続されている。

図１４に示すように、第２の半導体層１２は、ｐ側電極１６ａ、ｐ側パッド１６ｂ、ｐ側ビア２１ａ、ｐ側配線層３１、およびｐ側金属ピラー２３を介して、ｐ側外部端子２３ａと電気的に接続されている。

ｐ側金属ピラー２３は、ｐ側配線層２１よりも厚く、ｐ側配線層３１よりも厚い。ｎ側金属ピラー２４は、ｎ側配線層２２よりも厚く、ｎ側配線層３２よりも厚い。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５のそれぞれの厚さは、半導体層１５よりも厚い。また、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４のそれぞれの厚さは、半導体層１５、ｐ側電極１６ａ、ｐ側パッド１６ｂ、ｎ側電極１７ａおよびｎ側パッド１７ｂを含むチップの厚さよりも厚い。

第２実施形態によれば、半導体層１５を形成するために使用した基板が除去されても、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５を含む支持体によって、半導体層１５を安定して支持し、半導体発光装置１の機械的強度を高めることができる。

また、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａを介して、半導体発光装置２を実装基板に実装した状態において、はんだを介して半導体層１５に加わる応力を、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４が吸収することで緩和することができる。

半導体層１５を形成するときに使った基板は第１の面１５ａ上から除去される。このため、半導体発光装置２を低背化できる。

第１の面１５ａ上には、図２０に示すように、蛍光体層５０を設けることができる。蛍光体層５０は、透明媒体としての透明樹脂５１と、透明樹脂５１中に分散された複数の粒子状の蛍光体５２とを有する。

透明樹脂５１は、発光層１３の発光光及び蛍光体５２の発光光に対する透過性を有し、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フェニル樹脂などを用いることができる。

蛍光体５２は、発光層１３の発光光（励起光）を吸収し波長変換光を発光可能である。このため、第２実施形態の半導体発光装置は、発光層１３の発光光と、蛍光体５２の波長変換光との混合光を出射可能である。

例えば、蛍光体５２が黄色光を発光する黄色蛍光体とすると、ＩｎＧａＮ系材料である発光層１３の青色光と、蛍光体５２における波長変換光である黄色光との混合色として、白色または電球色などを得ることができる。なお、蛍光体層５０は、複数種の蛍光体（例えば、赤色光を発光する赤色蛍光体と、緑色光を発光する緑色蛍光体）を含む構成であってもよい。

第２実施形態の半導体発光装置２は、光の主な取り出し面である第１の面１５ａの反対側の第２の面にｐ側電極１６ａとｎ側電極１７ａが設けられている。したがって、第１の面１５ａからの光取り出しが電極によって妨げられない。ｐ側電極１６ａは、発光層１３を含む領域上に設けられている。ｎ側電極１７ａは、発光層１３を含まない第１の半導体層１１上に設けられている。

第２実施形態によれば、ｎ側電極１７ａと第１の半導体層１１とのコンタクト面、すなわち第１の半導体層１１の第２の面におけるｎ側領域１４ｂが、第２の面に均等配置されている。このため、発光層１３を含まない領域を小さくして発光面積の拡大を図りつつも、発光層１３の面方向の均一電流分布を実現できる。

また、第２実施形態においても、ｎ側領域１４ｂ及びｎ側電極１７ａのまわりのすべてにｐ側領域１４ａ及び発光層１３が存在している。したがって、１つのｎ側電極１７ａからその周辺領域すべてに電流が広がり、発光層１３の全領域に効率良く電流を供給できる。したがって、第２実施形態によれば、発光層１３の全領域を効率良く発光させることができる。

複数のｎ側電極１７ａは、第１の半導体層１１の第２の面上では互いに分離されているが、光取り出し面（第１の面１５ａ）の反対側で、実装基板との実装を担う共通のｎ側配線部に対して接続されている。このため、複数のｎ側電極１７ａのそれぞれに対してワイヤボンディングをすることなく、簡単な構成で複数のｎ側電極１７ａに同電位を与えることができる。

次に、図１５〜図１９（ｂ）を参照して、第２実施形態の半導体発光装置２の製造方法について説明する。

図１８（ａ）は、図１５におけるＣ−Ｃ’断面を表し、図１８（ｂ）は、図１５におけるＤ−Ｄ’断面を表す。

第１実施形態と同様、半導体層１５は基板１０の全面に形成される。その後、図示しないレジストを用いた例えばＲＩＥ法で、図１８（ａ）に示すように、発光層１３及び第２の半導体層１２の一部を除去して、第１の半導体層１１の一部を露出させる。第１の半導体層１１は、矩形状に選択的に露出される。

第１の半導体層１１が露出された領域は、発光層１３及び第２の半導体層１２を含まないｎ側領域１４ｂとなる。第２の半導体層１２及び発光層１３が残された領域は、ｐ側領域１４ａとなる。

ｎ側領域１４ｂ上にはｎ側電極１７ａ及びｎ側パッド１７ｂが形成される。ｐ側領域１４ａの第２の半導体層１２の表面上には、ｐ側電極１６ａ及びｐ側パッド１６ｂが形成される。

ｐ側パッド１６ｂとｎ側パッド１７ｂとの間や、発光層１３の端面（側面）にパッシベーション膜として、例えばシリコン窒化膜やシリコン酸化膜をＣＶＤ法で形成してもよい。

次に、基板１０の主面上の露出している部分すべてを図１９（ａ）及び（ｂ）に示す絶縁膜１８で覆った後、エッチングにより絶縁膜１８をパターニングし、絶縁膜１８に選択的に第１の開口１８ａと第２の開口１８ｂを形成する。図１９（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図１８（ａ）及び（ｂ）の断面に対応する。

図１９（ｂ）に示すように、第１の開口１８ａは複数形成され、それぞれの第１の開口１８ａはｐ側パッド１６ｂに達する。図１９（ａ）に示すように、複数のｎ側パッド１７ｂのそれぞれの上に第２の開口１８ｂが形成され、それぞれの第２の開口１８ｂはｎ側パッド１７ｂに達する。

次に、絶縁膜１８の表面、第１の開口１８ａの内壁（側壁及び底部）、および第２の開口１８ｂの内壁（側壁及び底部）に、図示しない金属膜を形成した後、その金属膜をシードメタル（電流経路）としたＣｕ電解めっきを行う。

これにより、図１３、１４、１６および１７に示すように、第１の開口１８ａ内にｐ側ビア２１ａが形成され、第２の開口１８ｂ内にｎ側ビア２２ａが形成され、絶縁膜１８上にｐ側配線層３１とｎ側配線層３２が形成される。ｐ側ビア２１ａ、ｎ側ビア２２ａ、ｐ側配線層３１およびｎ側配線層３２は、図示しないめっきレジストを用いためっき法により同時に形成される例えば銅材料からなる。

さらに、やはり、Ｃｕ電解めっき法により、ｐ側配線層３１上にｐ側金属ピラー２３を形成し、ｎ側配線層３２上にｎ側金属ピラー２４を形成する。

ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を形成した後、絶縁膜４１上に樹脂層２５を積層する。樹脂層２５は、ｐ側配線層３１、ｎ側配線層３２、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を覆う。

次に、半導体層１５を形成するために使った前述した基板１０を除去する。基板１０がサファイア基板の場合、例えばレーザーリフトオフ法によって基板１０を除去することができる。基板１０がシリコン基板の場合には、エッチングによって基板１０を除去することができる。

基板１０の主面上に形成された前述した積層体は、半導体層１５よりも厚いｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５によって補強されているため、基板１０がなくなっても、ウェーハ状態を保つことが可能である。

また、樹脂層２５も、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を構成する金属も、半導体層１５に比べて柔軟な材料である。そのような柔軟な支持体に半導体層１５は支持されている。そのため、基板１０上に半導体層１５をエピタキシャル成長させる際に生じた大きな内部応力が、基板１０の剥離時に一気に開放されても、半導体層１５が破壊されるのを回避できる。

基板１０が除去された半導体層１５の第１の面１５ａは洗浄される。その後、例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等で、第１の面１５ａをウェットエッチングする。これにより、結晶面方位に依存したエッチング速度の違いによって、第１の面１５ａに凹凸が形成される。あるいは、レジストでパターニングした後にエッチングを行って、第１の面１５ａに凹凸を形成してもよい。第１の面１５ａに凹凸が形成されることで、光取り出し効率を向上できる。

必要に応じて、第１の面１５ａ上には、図２０に示す蛍光体層５０が形成される。蛍光体５２が分散された液状の透明樹脂５１を、例えば、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって第１の面１５ａ上に供給した後、熱硬化させる。

その後、上記積層体を切断し、複数の半導体発光装置２に個片化する。例えば、ダイシングブレードを用いて切断する。あるいは、レーザ照射によって、切断してもよい。

個片化された半導体発光装置１は、ひとつの半導体層１５を含むシングルチップ構造でも、複数の半導体層１５を含むマルチチップ構造であってもよい。

ダイシングされる前までの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。

前述した実施形態において、ｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４を設けずに、ｐ側配線層３１及びｎ側配線層３２を実装基板のパッドに対して接合させてもよい。

また、ｐ側配線層３１とｐ側金属ピラー２３とは別体であることに限らず、ｐ側配線層３１とｐ側金属ピラー２３とを同じ工程で一体に設けてもよい。同様に、ｎ側配線層３２とｎ側金属ピラー２４とは別体であることに限らず、ｎ側配線層３２とｎ側金属ピラー２４とを同じ工程で一体に設けてもよい。

（第３実施形態）
図３２（ａ）は、第３実施形態の半導体発光装置３の模式平面図であり、図３２（ｂ）は、第３実施形態の半導体発光装置３の模式断面図である。
図３２（ａ）は、ウェーハ状態から個片化された例えば４つの半導体発光装置３を示す。図３２（ｂ）は、図３２（ａ）におけるＥ−Ｅ’断面図である。

第３実施形態の半導体発光装置３も、上記第１、第２実施形態と同様、半導体層１５を有する。半導体層１５は、第１の半導体層１１と、第２の半導体層１２と、発光層１３とを含む。

第１の半導体層１１は、第１の面１５ａと、第１の面１５ａの反対側に設けられた第２の面とを有する。さらに、第２の面は、図３２（ｂ）に示すように、ｐ側領域８０ａとｎ側領域８０ｂとを有する。第１の半導体層１１は、例えば、下地バッファ層、ｎ型ＧａＮ層を含む。

第１の半導体層１１の第２の面におけるｐ側領域８０ａ上に、発光層（活性層）１３が設けられている。発光層１３は、例えば、ＩｎＧａＮ井戸層と、ＧａＮまたはＩｎＧａＮ障壁層との対を複数対積層させたＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造を有し、青、紫、青紫、紫外光などを発光する。

発光層１３上には、ｐ型ＧａＮ層を含む第２の半導体層１２が設けられている。発光層１３は、第１の半導体層１１と第２の半導体層１２との間に設けられている。第１の半導体層１１の第２の面におけるｎ側領域８０ｂには、発光層１３及び第２の半導体層１２が設けられていない。

第１の半導体層１１の第１の面１５ａは光の主な取り出し面として機能し、発光層１３の発光光は、第１の面１５ａから主に半導体層１５の外部に出射される。第１の面１５ａの反対側に、以下に説明するｐ側電極６２、ｎ側電極６１、ｎ側反射電極６３が設けられている。

第２の半導体層１２の表面に、ｐ側電極６２が設けられている。第１の半導体層１１の第２の面におけるｎ側領域８０ｂ上に、ｎ側電極６１が設けられている。

図２２（ａ）及び（ｂ）に示すように、ｎ側領域８０ｂは、第１の半導体層１１の第２の面の全面に形成された発光層１３及び第２の半導体層１２の一部を選択的に除去することで、第１の半導体層１１の表面が露出されて形成される。

ひとつのチップにつき、複数箇所（例えば２箇所）にｎ側領域８０ｂが形成される。それぞれのｎ側領域８０ｂの上にｎ側電極６１が設けられている。２つのｎ側電極６１は、第２の半導体層１２を第２の面の面方向に挟んで位置している。

２つのｎ側電極６１に挟まれた第２の半導体層１２上には絶縁膜７１が設けられ、ｐ側電極６２は設けられていない。２つのｎ側電極６１上、およびそれらｎ側電極６１で挟まれた第２の半導体層１２上の絶縁膜７１上には、ｎ側反射電極６３が設けられている。

すなわち、ｎ側反射電極６３は、２つのｎ側電極６１のそれぞれの上に設けられた２つのｎ側ビア６３ａと、それら２つのｎ側ビア６３ａ間をつなぐ連結部６３ｂとを有し、ｎ側ビア６３ａおよび連結部６３ｂは同じ材料で一体に設けられている。連結部６３ｂは、２つのｎ側ビア６３ａをつなぐ方向に延び、２つのｎ側電極６１で挟まれた第２の半導体層１２上に絶縁膜７１を介して設けられている。

ｎ側反射電極６３は、２つのｎ側電極６１間に設けられた第２の半導体層１２をまたぐように設けられ、ｎ側反射電極６３の平面形状は、図２５（ａ）に示すように、矩形状に形成されている。

ｎ側反射電極６３が延びる方向を第１の方向Ｘ、図２５（ａ）の平面図上で第１の方向Ｘに対して直交する方向を第２の方向Ｙとする。ｎ側反射電極６３の第２の方向Ｙの両側には、発光層１３、第２の半導体層１２およびｐ側電極６２が設けられている。ｐ側電極６２は、第２の方向Ｙにｎ側反射電極６３を挟んでいる。

ｐ側電極６２、ｎ側電極６１およびｎ側反射電極６３は、半導体層１５における主な光取り出し面である第１の面１５ａの反対側の同じ面側に設けられている。ｐ側電極６２は発光層１３を含む領域上に設けられ、ｎ側電極６１は発光層１３を含まないｎ側領域８０ｂ上に設けられている。ｎ側反射電極６３は、ｎ側電極６１上、およびｎ側電極６１間の発光層１３上に設けられている。

ｐ側電極６２は、第２の半導体層１２と接触し、第２の半導体層１２に含まれるガリウム（Ｇａ）と合金を形成可能な、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）およびロジウム（Ｒｈ）のうちの少なくとも１つを含むコンタクト層を含む。さらに、ｐ側電極６２は、コンタクト層上に設けられ、コンタクト層よりも発光層１３の発光光に対する反射率が高く、主成分として例えば銀（Ａｇ）を含む反射層を含む。

ｎ側電極６１は、第１の半導体層１１と接触し、第１の半導体層１１に含まれるガリウム（Ｇａ）と合金を形成可能な、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）およびロジウム（Ｒｈ）のうちの少なくとも１つを含む。

ｎ側反射電極６３は、ｐ側電極６２と同材料で同時に形成される。ｎ側反射電極６３は、ｎ側電極６１よりも発光層１３の発光光に対する反射率が高く、主成分として例えば銀（Ａｇ）を含む。

絶縁膜７１上、ｐ側電極６２上およびｎ側反射電極６３上には、絶縁膜７６が設けられている。絶縁膜７６は、ｐ側電極６２上およびｎ側反射電極６３を覆っている。

絶縁膜７６は、例えば、ポリイミド等の樹脂である。あるいは、絶縁膜７６としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機膜を用いてもよい。

絶縁膜７６上には、ｐ側配線層６５とｎ側配線層６６とが互いに離間して設けられている。ｐ側配線層６５及びｎ側配線層６６は、後述するように電解めっき法により形成される。そのめっき時のシードメタルとして使われる金属膜６４も含めてｐ側配線層６５とする。同様に、シードメタルとして使われる金属膜６４も含めてｎ側配線層６６とする。

ｐ側配線層６５は、絶縁膜７６を介してｐ側電極６２上に設けられている。絶縁膜７６にはｐ側電極６２に達する第１の開口が形成され、その第１の開口内に設けられたｐ側ビアを通じて、ｐ側配線層６５はｐ側電極６２と電気的に接続されている。

ｎ側配線層６６は、絶縁膜７６を介してｎ側反射電極６３上に設けられている。絶縁膜７６にはｎ側反射電極６３に達する第２の開口が形成され、その第２の開口内に設けられたｎ側ビアを通じて、ｎ側配線層６６はｎ側反射電極６３及びｎ側電極６１と電気的に接続されている。

ｐ側配線層６５上には、ｐ側金属ピラー６７が設けられている。ｐ側配線層６５及びｐ側金属ピラー６７は、本実施形態におけるｐ側配線部を構成する。ｎ側配線層６６上には、ｎ側金属ピラー６８が設けられている。ｎ側配線層６６及びｎ側金属ピラー６８は、本実施形態におけるｎ側配線部を構成する。

絶縁膜７６上には、他の絶縁膜として樹脂層７７が積層されている。樹脂層７７は、ｐ側配線部の周囲及びｎ側配線部の周囲を覆っている。また、樹脂層７７は、ｐ側金属ピラー６７とｎ側金属ピラー６８との間に充填されている。

ｐ側金属ピラー６７の側面およびｎ側金属ピラー６８の側面は、樹脂層７７で覆われている。ｐ側金属ピラー６７におけるｐ側配線層６５に対する反対側の面は、樹脂層７７から露出し、ｐ側外部端子６７ａとして機能する。ｎ側金属ピラー６８におけるｎ側配線層６６に対する反対側の面は、樹脂層７７から露出し、ｎ側外部端子６８ａとして機能する。ｐ側外部端子６７ａ及びｎ側外部端子６８ａは、図示しない実装基板に形成されたパッドに、はんだなどを介して接合される。

樹脂層７７における同じ面（図３２（ｂ）における上面）で露出するｐ側外部端子６７ａとｎ側外部端子６８ａとの間の距離は、絶縁膜７６上でのｐ側配線層６５とｎ側配線層６６との間の距離よりも大きい。ｐ側外部端子６７ａとｎ側外部端子６８ａとは、実装基板への実装時にはんだ等によって相互に短絡しない距離を隔てて離れている。

ｐ側配線層６５とｎ側配線層６６とはプロセス上の限界まで近づけることができ、それらｐ側配線層６５及びｎ側配線層６６の面積を広くできる。この結果、電流分布及び放熱性を向上できる。

絶縁膜７６上に広がるｎ側配線層６６の面積は、第２の面上における複数のｎ側電極６１の総面積よりも大きい。

第３実施形態によれば、ｎ側電極６１よりも広い領域にわたって形成された発光層１３によって高い光出力を得ることができる。なおかつ、発光層１３を含む領域よりも狭い領域に設けられたｎ側電極６１が、より面積の大きなｎ側配線層６６として実装面側に引き出されている。

ｐ側金属ピラー６７はｐ側配線層６５よりも厚く、ｎ側金属ピラー６８はｎ側配線層６６よりも厚い。ｐ側金属ピラー６７、ｎ側金属ピラー６８および樹脂層７７のそれぞれの厚さは、半導体層１５よりも厚い。なお、ここでの「厚さ」は、図３２（ｂ）において上下方向の厚さを表す。

また、ｐ側金属ピラー６７及びｎ側金属ピラー６８のそれぞれの厚さは、半導体層１５、ｐ側電極６２、ｎ側電極６１およびｎ側反射電極６３を含む積層体（チップ）の厚さよりも厚い。なお、各金属ピラー６７、６８のアスペクト比（平面サイズに対する厚みの比）は１以上であることに限らず、その比は１よりも小さくてもよい。すなわち、金属ピラー６７、６８は、その平面サイズよりも厚さが小さくてもよい。

第３実施形態によれば、半導体層１５を形成するために使用した後述する基板１０が除去されても、ｐ側金属ピラー６７、ｎ側金属ピラー６８および樹脂層７７を含む支持体によって、半導体層１５を安定して支持し、半導体発光装置３の機械的強度を高めることができる。

ｐ側配線層６５、ｎ側配線層６６、ｐ側金属ピラー６７およびｎ側金属ピラー６８の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材料との優れた密着性が得られる。

樹脂層７７は、ｐ側金属ピラー６７及びｎ側金属ピラー６８を補強する。樹脂層７７は、実装基板と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層２５として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。

ｐ側外部端子６７ａ及びｎ側外部端子６８ａを介して、半導体発光装置３を実装基板に実装した状態において、はんだを介して半導体層１５に加わる応力を、ｐ側金属ピラー６７とｎ側金属ピラー６８が吸収することで緩和することができる。

後述するように、半導体層１５を形成するときに使った基板１０は第１の面１５ａ上から除去される。このため、半導体発光装置３を低背化できる。

第１の面１５ａ上には、蛍光体層５０が設けられている。蛍光体層５０は、透明媒体としての透明樹脂５１と、透明樹脂５１中に分散された複数の粒子状の蛍光体５２とを有する。

透明樹脂５１は、発光層１３の発光光及び蛍光体５２の発光光に対する透過性を有し、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フェニル樹脂などを用いることができる。

蛍光体５２は、発光層１３の発光光（励起光）を吸収し波長変換光を発光可能である。このため、第３実施形態の半導体発光装置３は、発光層１３の発光光と、蛍光体５２の波長変換光との混合光を出射可能である。

例えば、蛍光体５２が黄色光を発光する黄色蛍光体とすると、ＩｎＧａＮ系材料である発光層１３の青色光と、蛍光体５２における波長変換光である黄色光との混合色として、白色または電球色などを得ることができる。なお、蛍光体層５０は、複数種の蛍光体（例えば、赤色光を発光する赤色蛍光体と、緑色光を発光する緑色蛍光体）を含む構成であってもよい。

第３実施形態の半導体発光装置３は、光の主な取り出し面である第１の面１５ａの反対側の第２の面にｐ側電極６２、ｎ側電極６１およびｎ側反射電極６３が設けられている。したがって、第１の面１５ａからの光取り出しが電極によって妨げられない。

第１の半導体層１１の第２の面におけるｎ側領域８０ｂ、およびそのｎ側領域８０ｂ上に設けられたｎ側電極６１は、ドット状もしくは島状に第２の面に散在されている。このため、発光層１３を含まない領域を小さくして発光面積の拡大を図りつつも、発光層１３の面方向の均一電流分布を実現できる。

さらに、図２５（ａ）に示すように、光取り出し面（第１の面１５ａ）の反対側の面のほぼ全面にわたって、いずれも発光層１３の発光光に対して高い反射性を有するｐ側電極６２およびｎ側反射電極６３が広がっている。したがって、発光層１３から光取り出し面（第１の面１５ａ）の反対側に放射された光の反射面積を広くでき、高い光取り出し効率が得られる。

ｎ側電極６１は、第１の半導体層１１の第２の面上では複数に分離されている。それら複数のｎ側電極６１は、複数のｎ側電極６１間に存在する第２の半導体層１２上に絶縁膜７１を介して設けられたｎ側反射電極６３によって互いに電気的に接続されている。

複数のｎ側電極６１を接続するための電極として、反射率の高い例えば銀を含む材料を用いることで、光取り出し面の反対側の反射面積を拡大できる。なおかつ、そのｎ側反射電極６３を、ｐ側電極６２の形成時に、ｐ側電極６２と同じ材料で形成することで、工程の増加をまねかず、コスト低減を図れる。

次に、図２１（ａ）〜図３２（ｂ）を参照して、第３実施形態の半導体発光装置３の製造方法について説明する。図２１（ａ）〜図３２（ｂ）は、ウェーハ状態における一部領域を表す。

図２１（ｂ）、図２２（ｂ）、図２３（ｂ）、図２４（ｂ）、図２５（ｂ）、図２６（ｂ）、図２７（ｂ）、図２８（ｂ）、図２９（ｂ）、図３０（ｂ）、図３２（ｂ）は、それぞれ、図２１（ａ）、図２２（ａ）、図２３（ａ）、図２４（ａ）、図２５（ａ）、図２６（ａ）、図２７（ａ）、図２８（ａ）、図２９（ａ）、図３０（ａ）、図３２（ａ）におけるＥ−Ｅ’断面を表す。

図２１（ｂ）に示すように、半導体層１５は基板１０上に形成される。まず、基板１０の主面上に第１の半導体層１１が形成され、その上に発光層１３が形成され、その上に第２の半導体層１２が形成される。

Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）で表される窒化物半導体である半導体層１５は、例えばサファイア基板上にＭＯＣＶＤ法で結晶成長させることができる。あるいは、基板１０としてはシリコン基板を用いることもできる。

半導体層１５は基板１０の全面に形成される。その後、図示しないレジストを用いた例えばＲＩＥ法で、図２２（ａ）及び（ｂ）に示すように、発光層１３及び第２の半導体層１２の一部を除去して、第１の半導体層１１の一部を露出させる。また、半導体層１５は、例えば格子状平面パターンで形成された溝７３により、基板１０上で複数に分離される。

第１の半導体層１１が露出された領域は、発光層１３及び第２の半導体層１２を含まないｎ側領域８０ｂとなる。

次に、基板１０上の露出部分のすべてを図２３（ａ）及び（ｂ）に示す絶縁膜７１で覆った後、絶縁膜７１に選択的に開口７４を形成する。絶縁膜７１は、樹脂膜、あるいはシリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの無機膜である。

開口７４は、第１の半導体層１１が露出された部分（ｎ側領域８０ｂ）の上に形成され、ｎ側領域８０ｂの表面に達する。その開口７４内には、ｎ側電極６１が形成される。

次に、第２の半導体層１２の表面を覆っていた絶縁膜７１の一部を、図２４（ａ）及び（ｂ）に示すように除去して、第２の半導体層１２上の絶縁膜７１に開口７５を形成する。ｎ側電極６１によってＸ方向に挟まれた第２の半導体層１２上には開口７５が形成されず、ｎ側電極６１間の第２の半導体層１２の表面は絶縁膜７１で覆われたままである。

図２５（ａ）及び（ｂ）に示すように、開口７４内のｎ側電極６１上にｎ側ビア６３ａが形成され、ｎ側電極６１間の第２の半導体層１２上の絶縁膜７１上に連結部６３ｂが形成され、開口７５内の第２の半導体層１２の表面上にｐ側電極６２が形成される。すなわち、ｐ側電極６２と、ｎ側反射電極６３とが同材料で同時に形成される。ｐ側電極６２およびｎ側反射電極６３は、例えば図示しないマスクを用いたスパッタ法で形成することができる。

次に、基板１０主面上の露出している部分すべてを図２６（ｂ）に示す絶縁膜７６で覆った後、ｐ側電極６２上の絶縁膜７６の一部を除去して第１の開口７６ａを形成し、ｎ側反射電極６３上の絶縁膜７６の一部を除去して第２の開口７６ｂを形成する。第１の開口７６ａにはｐ側電極６２が露出し、第２の開口７６ｂにはｎ側反射電極６３が露出する。

次に、絶縁膜７６の表面、第１の開口７６ａの内壁（側壁及び底部）、および第２の開口７６ｂの内壁（側壁及び底部）に、図２７（ｂ）に示すように、金属膜６４を形成する。金属膜６４は、後述するめっきのシードメタルとして使われる。

金属膜６４は、例えばスパッタ法で形成される。金属膜６４は、例えば、下層側から順に積層されたチタン（Ｔｉ）と銅（Ｃｕ）との積層膜を含む。あるいは、チタン膜の代わりにアルミニウム膜を使ってもかまわない。

そして、金属膜６４上に選択的にレジスト８１を形成し、金属膜６４を電流経路としたＣｕ電解めっきを行う。

これにより、金属膜６４上に、選択的にｐ側配線層６５とｎ側配線層６６が形成される。ｐ側配線層６５及びｎ側配線層６６はめっき法により同時に形成される例えば銅材料からなる。

次に、図２８（ａ）及び（ｂ）に示すように、金属ピラー形成用のレジスト８２を形成する。レジスト８２は、前述のレジスト８１よりも厚い。なお、前の工程でレジスト８１は除去せずに残し、そのレジスト８１にレジスト８２を重ねて形成してもよい。

そして、レジスト８２をマスクに用いて、金属膜６４を電流経路としたＣｕ電解めっきを行う。これにより、ｐ側配線層６５上にｐ側金属ピラー６７が、ｎ側配線層６６上にｎ側金属ピラー６８が形成される。ｐ側金属ピラー６７及びｎ側金属ピラー６８は、めっき法により同時に形成される例えば銅材料からなる。

レジスト８２は、例えば溶剤もしくは酸素プラズマを用いて図２９（ｂ）に示すように除去される。この後、シードメタルとして使った金属膜６４の露出している部分をウェットエッチングにより除去する。これにより、図２９（ｂ）に示すように、ｐ側配線層６５とｎ側配線層６６との金属膜６４を通じた電気的接続が分断される。

次に、図３０（ａ）及び（ｂ）に示すように、ｐ側配線層６５、ｎ側配線層６６、ｐ側金属ピラー６７およびｎ側金属ピラー６８を覆う樹脂層７７を形成した後、樹脂層７７を研削し、ｐ側金属ピラー６７の端面（ｐ側外部端子６７ａ）と、ｎ側金属ピラー６８の端面（ｎ側外部端子６８ａ）を樹脂層７７から露出させる。

樹脂層７７は、絶縁性を有する。また、樹脂層７７に、例えばカーボンブラックを含有させて、発光層１３の発光光に対して遮光性を与えてもよい。

次に、図３１（ａ）に示すように、基板１０を除去する。基板１０がサファイア基板の場合、例えばレーザーリフトオフ法によって基板１０を除去することができる。具体的には、基板１０の裏面側から第１の半導体層１１に向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板１０に対して透過性を有し、第１の半導体層１１に対しては吸収領域となる波長を有する。

レーザ光が基板１０と第１の半導体層１１との界面に到達すると、その界面付近の第１の半導体層１１はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。第１の半導体層１１はガリウム（Ｇａ）と窒素ガスに分解する。この分解反応により、基板１０と第１の半導体層１１との間に微小な隙間が形成され、基板１０と第１の半導体層１１とが分離する。

レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板１０を除去する。

基板１０がシリコン基板の場合には、エッチングによって基板１０を除去することができる。

基板１０の主面上に形成された前述した積層体は、半導体層１５よりも厚いｐ側金属ピラー６７、ｎ側金属ピラー６８および樹脂層７７によって補強されているため、基板１０がなくなっても、ウェーハ状態を保つことが可能である。

また、樹脂層７７も、ｐ側金属ピラー６７及びｎ側金属ピラー６８を構成する金属も、半導体層１５に比べて柔軟な材料である。そのような柔軟な支持体に半導体層１５は支持されている。そのため、基板１０上に半導体層１５をエピタキシャル成長させる際に生じた大きな内部応力が、基板１０の剥離時に一気に開放されても、半導体層１５が破壊されるのを回避できる。

基板１０の除去により露出された第１の面１５ａ上には、図３１（ｂ）に示すように、蛍光体層５０が形成される。なお、前述の樹脂層７７の研削工程は、基板１０の除去工程後に行っても良いし、蛍光体層５０の形成後に行っても構わない。

蛍光体５２が分散された液状の透明樹脂５１を、例えば、印刷、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法によって第１の面１５ａ上に供給した後、熱硬化させ、蛍光体層５０が形成される。

次に、前述した図２２（ａ）に示す溝７３の位置で、樹脂層７７、絶縁膜７６、絶縁膜７１、第１の半導体層１１、および蛍光体層５０を切断し、図３２（ａ）及び（ｂ）に示すように、複数の半導体発光装置３に個片化する。

なお、個片化された半導体発光装置３は、ひとつの半導体層１５を含むシングルチップ構造でも、複数の半導体層１５を含むマルチチップ構造であってもよい。

ダイシングされる前までの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。

（第４実施形態）
図３４（ａ）は、第４実施形態の半導体発光装置４の模式平面図であり、図３４（ｂ）は、第４実施形態の半導体発光装置４の模式断面図である。

図３４（ａ）は、ウェーハ状態から個片化された例えば４つの半導体発光装置４を示す。図３４（ｂ）は、図３４（ａ）におけるＥ−Ｅ’断面図である。

第４実施形態の半導体発光装置４は、金属ピラー６７、６８および樹脂層７７を有しない点で第３実施形態の半導体発光装置３と異なる。

第４実施形態の半導体発光装置４では、第１の面１５ａ上に、半導体層１５の成長に用いた基板１０が残され、その基板１０が半導体層１５の支持体として機能する。基板１０は、発光層１３の発光光に対して透過性を有する例えばサファイア基板である。

ＧａＮ層、サファイア基板、空気の屈折率は、それぞれ、２．４、１．８、１．０であり、光が取り出される方向に媒質の屈折率が段階的に変化している。このため、光の取り出し効率を向上できる。なお、基板１０上に、蛍光体層５０を設けてもよい。

ｐ側配線層６５上にははんだ９１が設けられ、ｎ側配線層６６上にははんだ９２が設けられ、半導体発光装置４は、はんだ９１及び９２を実装基板のパッドに接合させて、実装基板上に実装される。

図２７（ａ）及び（ｂ）に示す工程までは、上記第３実施形態と同様に進められる。その後、レジスト８１をマスクにしためっき法により、図３３（ａ）及び（ｂ）に示すように、ｐ側配線層６５上にはんだ９１を、ｎ側配線層６６上にはんだ９２を形成する。

その後、レジスト８１を除去し、めっきのシードメタルとして使った金属膜６４の露出部を、図３４（ｂ）に示すように除去する。これにより、ｐ側配線層６５とｎ側配線層６６との金属膜６４を通じた電気的接続が分断される。

その後、絶縁膜７６、絶縁膜７１、第１の半導体層１１および基板１０を切断して、複数の半導体発光装置４に個片化する。

（第５実施形態）
図４７（ａ）は、第５実施形態の半導体発光装置５の模式平面図であり、図４７（ｂ）は、第５実施形態の半導体発光装置５の模式断面図である。
図４７（ａ）は、ウェーハ状態から個片化された例えば４つの半導体発光装置５を示す。図４７（ｂ）は、図４７（ａ）におけるＥ−Ｅ’断面図である。

第５実施形態の半導体発光装置５は、前述した第３実施形態の半導体発光装置３の各要素に加えて、透明電極９５を有する。透明電極９５は、発光層１３の発光光に対して透過性を有し（透明であり）、透明電極９５の材料は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）である。

透明電極９５は、第２の半導体層１２上に設けられ、ｎ側領域８０ｂには設けられていない。透明電極９５は、ｐ側電極６２と第２の半導体層１２との間に設けられ、ｐ側電極６２及び第２の半導体層１２と電気的に接続されている。

さらに、透明電極９５は、ｎ側反射電極６３の下の第２の半導体層１２上にも設けられている。ｎ側反射電極６３と透明電極９５との間には絶縁膜７１が設けられ、ｎ側反射電極６３と透明電極９５とは接続されていない。

透明電極９５の上面図を表す図３７（ａ）に示すように、透明電極９５は第２の半導体層１２と同じ平面パターンで第２の半導体層１２上に設けられている。

ｐ側電極６２の下の透明電極９５と、ｎ側反射電極６３の下の透明電極９５は、一体につながっている。したがって、ｎ側反射電極６３の下の発光層１３には、透明電極９５を通じてｐ側電極６２から電流を供給することができる。

ｎ型ＧａＮに比べて高抵抗なｐ型ＧａＮを含む第２の半導体層１２は、横方向（厚さ方向に垂直な方向）に電流を流す能力が、ｎ型ＧａＮを含む第１の半導体層１１よりも劣る。

しかしながら、第５実施形態によれば、第２の半導体層１２上に透明電極９５を設けることで、第２の半導体層１２側から発光層１３に供給される電流の、横方向に流れる能力を向上できる。この結果、特に、ｐ側電極６２が設けられていない、ｎ側反射電極６３の下の領域での発光強度を高めることができる。

また、発光層１３とｎ側反射電極６３との間の距離が、発光層１３の発光波長の１／２になるように、透明電極９５の厚さを制御することで、干渉による反射ロスが抑制でき、高い反射効率が得られる。

次に、図３６（ａ）〜図４７（ｂ）を参照して、第５実施形態の半導体発光装置５の製造方法について説明する。図３６（ａ）〜図４７（ｂ）は、ウェーハ状態における一部領域を表す。

図３６（ｂ）、図３７（ｂ）、図３８（ｂ）、図３９（ｂ）、図４０（ｂ）、図４１（ｂ）、図４２（ｂ）、図４３（ｂ）、図４４（ｂ）、図４５（ｂ）、図４７（ｂ）は、それぞれ、図３６（ａ）、図３７（ａ）、図３８（ａ）、図３９（ａ）、図４０（ａ）、図４１（ａ）、図４２（ａ）、図４３（ａ）、図４４（ａ）、図４５（ａ）、図４７（ａ）におけるＥ−Ｅ’断面を表す。

図３６（ｂ）に示すように、第１の半導体層１１、発光層１３および第２の半導体層１２を含む半導体層１５を基板１０上に形成した後、第２の半導体層１２上の全面に、透明電極９５を形成する。

次に、図示しないレジストを用いた例えばＲＩＥ法で、図３７（ａ）及び（ｂ）に示すように、透明電極９５、第２の半導体層１２および発光層１３の積層膜の一部を除去して、第１の半導体層１１の一部を露出させる。第１の半導体層１１が露出された領域は、透明電極９５、第２の半導体層１２および発光層１３を含まないｎ側領域８０ｂとなる。

次に、基板１０上の露出部分のすべてを図３８（ａ）及び（ｂ）に示す絶縁膜７１で覆った後、絶縁膜７１に選択的に開口７４を形成する。また、透明電極９５の表面を覆っていた絶縁膜７１の一部を、図３９（ａ）及び（ｂ）に示すように除去して、透明電極９５上の絶縁膜７１に開口７５を形成する。

図４０（ａ）及び（ｂ）に示すように、開口７４内のｎ側電極６１上にｎ側ビア６３ａが形成され、ｎ側電極６１間の第２の半導体層１２上の絶縁膜７１上に連結部６３ｂが形成され、開口７５内の透明電極９５の表面上にｐ側電極６２が形成される。

次に、基板１０主面上の露出している部分すべてを図４１（ｂ）に示す絶縁膜７６で覆った後、ｐ側電極６２上の絶縁膜７６の一部を除去して第１の開口７６ａを形成し、ｎ側反射電極６３上の絶縁膜７６の一部を除去して第２の開口７６ｂを形成する。第１の開口７６ａにはｐ側電極６２が露出し、第２の開口７６ｂにはｎ側反射電極６３が露出する。

次に、絶縁膜７６の表面、第１の開口７６ａの内壁（側壁及び底部）、および第２の開口７６ｂの内壁（側壁及び底部）に、図４２（ｂ）に示すように、金属膜６４を形成する。

そして、金属膜６４上に選択的にレジスト８１を形成し、金属膜６４を電流経路としたＣｕ電解めっきを行う。これにより、金属膜６４上に、選択的にｐ側配線層６５とｎ側配線層６６が形成される。

次に、図４３（ａ）及び（ｂ）に示すように、金属ピラー形成用のレジスト８２を形成する。そして、レジスト８２をマスクに用いて、金属膜６４を電流経路としたＣｕ電解めっきを行う。これにより、ｐ側配線層６５上にｐ側金属ピラー６７が、ｎ側配線層６６上にｎ側金属ピラー６８が形成される。

レジスト８２は、例えば溶剤もしくは酸素プラズマを用いて図４４（ｂ）に示すように除去される。この後、シードメタルとして使った金属膜６４の露出している部分をウェットエッチングにより除去する。これにより、図４４（ｂ）に示すように、ｐ側配線層６５とｎ側配線層６６との金属膜６４を通じた電気的接続が分断される。

次に、図４５（ａ）及び（ｂ）に示すように、ｐ側配線層６５、ｎ側配線層６６、ｐ側金属ピラー６７およびｎ側金属ピラー６８を覆う樹脂層７７を形成した後、樹脂層７７を研削し、ｐ側金属ピラー６７の端面（ｐ側外部端子６７ａ）と、ｎ側金属ピラー６８の端面（ｎ側外部端子６８ａ）を樹脂層７７から露出させる。

次に、図４６（ａ）に示すように、基板１０を除去する。基板１０がサファイア基板の場合、例えばレーザーリフトオフ法によって基板１０を除去することができる。基板１０がシリコン基板の場合には、エッチングによって基板１０を除去することができる。

基板１０の除去により露出された第１の面１５ａ上には、図４６（ｂ）に示すように、蛍光体層５０が形成される。なお、前述の樹脂層７７の研削工程は、基板１０の除去工程後に行っても良いし、蛍光体層５０の形成後に行っても構わない。

次に、図３７（ａ）に示す溝７３の位置で、樹脂層７７、絶縁膜７６、絶縁膜７１、第１の半導体層１１、および蛍光体層５０を切断し、図４７（ａ）及び（ｂ）に示すように、複数の半導体発光装置５に個片化する。

本実施形態においても、ダイシングされる前までの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々のデバイスごとに、配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに配線及びパッケージングが済んでいる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。

図３５は、第３〜５実施形態の半導体発光装置の変形例を表し、図２５（ａ）の平面図におけるひとつのチップ領域に対応する。

すなわち、図３５の構造では、前述した第１、第２実施形態と同様に、ｎ側領域８０ｂ及びその上に設けられたｎ側電極６１のまわりのすべてにｐ側領域８０ａ、発光層１３及び第２の半導体層１２が存在している。

したがって、１つのｎ側電極６１からその周辺領域すべてに電流が広がり、発光層１３の全領域に効率良く電流を供給できる。したがって、発光層１３の全領域を効率良く発光させることができる。

（第６実施形態）
図４８は、第６実施形態の半導体発光装置６の模式断面図である。
図５０（ｃ）は、第６実施形態の半導体発光装置６の模式平面図であり、図４８は、図５０（ｃ）におけるＦ−Ｆ’断面に対応する。
図４９（ａ）〜図５０（ｂ）は、第６実施形態の半導体発光装置６における第２の面側の各要素の模式平面図である。

第６実施形態の半導体発光装置６も、上記実施形態と同様、半導体層１５を有する。半導体層１５は、第１の半導体層１１と、第２の半導体層１２と、発光層１３とを含む。

ｎ型ＧａＮ層を含む第１の半導体層１１は、第１の面１５ａと、第１の面１５ａの反対側に設けられた第２の面とを有する。さらに、第２の面は、図４９（ａ）に示すように、ｐ側領域８０ａとｎ側領域８０ｂとを有する。

第１の半導体層１１の第２の面におけるｐ側領域８０ａ上に、発光層（活性層）１３が設けられ、その発光層１３上に、ｐ型ＧａＮ層を含む第２の半導体層１２が設けられている。発光層１３は、第１の半導体層１１と第２の半導体層１２との間に設けられている。第１の半導体層１１の第２の面におけるｎ側領域８０ｂには、発光層１３及び第２の半導体層１２が設けられていない。

第２の半導体層１２の表面に、ｐ側電極６２が設けられている。第１の半導体層１１の第２の面におけるｎ側領域８０ｂ上に、ｎ側電極６１が設けられている。

ｎ側領域８０ｂは、第１の半導体層１１の第２の面の全面に形成された発光層１３及び第２の半導体層１２の一部を選択的に除去することで、第１の半導体層１１の表面が露出されて形成される。

図４９（ａ）に示すように、ひとつのチップにつき、複数箇所（例えば２箇所）にｎ側領域８０ｂが形成される。図４９（ｂ）に示すように、それぞれのｎ側領域８０ｂの上にｎ側電極６１が設けられている。

２つのｎ側電極６１に挟まれた第２の半導体層１２上にも、ｐ側電極６２が設けられている。ｐ側電極６２は発光層１３を含む領域上に設けられ、ｎ側電極６１は発光層１３を含まないｎ側領域８０ｂ上に設けられている。

ｐ側電極６２上には絶縁膜７１が設けられている。ｎ側電極６１の側面、発光層１３の側面、第２の半導体層１２の側面、およびｐ側電極６２の側面にも、絶縁膜７１が設けられている。

ｐ側電極６２は、第２の半導体層１２と接触し、第２の半導体層１２に含まれるガリウム（Ｇａ）と合金を形成可能な、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）およびロジウム（Ｒｈ）のうちの少なくとも１つを含むコンタクト層を含む。さらに、ｐ側電極６２は、コンタクト層上に設けられ、コンタクト層よりも発光層１３の発光光に対する反射率が高く、主成分として例えば銀（Ａｇ）を含む反射層を含む。

絶縁膜７１上には、金属膜６４を介して、ｐ側配線層６５とｎ側配線層６６とが互いに離間して設けられている。
図５０（ａ）に、ｐ側配線層６５とｎ側配線層６６の平面レイアウトを示す。

ｐ側配線層６５及びｎ側配線層６６は、上記実施形態と同様、電解めっき法により形成される。金属膜６４は、そのめっき時のシードメタルとして使われる。

絶縁膜７１には、図４９（ｃ）に示すように、ｐ側電極６２に達する第１の開口７１ａが形成され、その第１の開口７１ａ内に設けられたｐ側ビア６５ａ（図４８に示す）を通じて、ｐ側配線層６５はｐ側電極６２と電気的に接続されている。

絶縁膜７１には、図４９（ｃ）に示すように、ｎ側電極６１に達する第２の開口７１ｂが形成され、その第２の開口７１ｂ内に設けられたｎ側ビア６６ａ（図４８に示す）を通じて、ｎ側配線層６６はｎ側電極６１と電気的に接続されている。

さらに、ｎ側配線層６６は、２つのｎ側電極６１間の半導体層１５上の絶縁膜７１上にも設けられている。

ｐ側配線層６５上には、ｐ側金属ピラー６７が設けられている。ｎ側配線層６６上には、ｎ側金属ピラー６８が設けられている。
図５０（ｂ）に、ｐ側金属ピラー６７とｎ側金属ピラー６６の平面レイアウトを示す。

ｐ側配線層６５及びｐ側金属ピラー６７は、本実施形態におけるｐ側配線部を構成する。ｎ側配線層６６及びｎ側金属ピラー６８は、本実施形態におけるｎ側配線部を構成する。

絶縁膜７１上には、樹脂層７７が積層されている。樹脂層７７は、ｐ側配線部の周囲及びｎ側配線部の周囲を覆っている。また、樹脂層７７は、ｐ側金属ピラー６７とｎ側金属ピラー６８との間に充填されている。

第６実施形態においても、ｎ側電極６１よりも広い領域にわたって形成された発光層１３によって高い光出力を得ることができる。なおかつ、発光層１３を含む領域よりも狭い領域に設けられたｎ側電極６１が、より面積の大きなｎ側配線層６６として実装面側に引き出されている。

ｐ側電極６２は、単層配線（ｐ側配線層６５）を介して、実装時の外部端子６７ａを有するｐ側金属ピラー６７に接続されている。ｎ側電極６１は、単層配線（ｎ側配線層６６）を介して、実装時の外部端子６８ａを有するｐ側金属ピラー６８に接続されている。

第１の面１５ａ上には、蛍光体層５０が設けられている。蛍光体層５０は、透明媒体としての透明樹脂５１と、透明樹脂５１中に分散された複数の粒子状の蛍光体５２とを有する。

第６実施形態の半導体発光装置６においても、光の主な取り出し面である第１の面１５ａの反対側の第２の面にｐ側電極６２およびｎ側電極６１が設けられているため、第１の面１５ａからの光取り出しが電極によって妨げられない。

第１の半導体層１１の第２の面におけるｎ側領域８０ｂ、およびそのｎ側領域８０ｂ上に設けられたｎ側電極６１は、ドット状もしくは島状に第２の面に散在されている。このため、発光層１３を含まない領域を小さくして発光面積の拡大を図りつつも、発光層１３の面方向の均一電流分布を実現できる。

さらに、図４９（ｂ）に示すように、第２の面のほぼ全面にわたって、発光層１３の発光光に対して高い反射性を有するｐ側電極６２が広がっている。したがって、発光層１３から光取り出し面（第１の面１５ａ）の反対側に放射された光の反射面積を広くでき、高い光取り出し効率が得られる。

また、図４８、図４９（ａ）及び（ｂ）に示すように、ｎ側領域８０ｂ及びｎ側電極６１のまわりのすべてに発光層１３及びｐ側電極６２が存在している。したがって、１つのｎ側電極６１からその周囲３６０度方向に電流が広がり、発光層１３の全領域に効率良く電流を供給できる。したがって、本実施形態によれば、発光層１３の全領域を効率良く発光させることができる。

また、第６実施形態の構造において、前述した第５実施形態のように、第２の半導体層１２とｐ側電極６２との間に透明電極を設けてもよい。発光層１３とｐ側電極６２との間の距離が、発光層１３の発光波長の１／２になるように、透明電極の厚さを制御することで、干渉による反射ロスが抑制でき、高い反射効率が得られる。

（第７実施形態）
図５１（ａ）〜（ｄ）は、第７実施形態の半導体発光装置７における第２の面側の各要素の模式平面図である。

第７実施形態の半導体発光装置７は、ｐ側領域８０ａ、ｎ側領域８０ｂ、ｐ側電極６２、ｎ側電極６１、ｐ側配線層６５、ｎ側配線層６６、ｐ側金属ピラー６７およびｎ側金属ピラー６８の平面レイアウトが、上記第６実施形態の半導体発光装置６と異なる。

図５１（ａ）は、上記第６実施形態の図４９（ｂ）に対応し、第７実施形態の半導体発光装置７におけるｐ側電極６２とｎ側電極６１の平面レイアウトを示す。
図５１（ｂ）は、上記第６実施形態の図４９（ｃ）に対応し、第７実施形態の半導体発光装置７における絶縁膜７１及び開口７１ａ、７１ｂの平面図を示す。
図５１（ｃ）は、上記第６実施形態の図５０（ａ）に対応し、第７実施形態の半導体発光装置７におけるｐ側配線層６５とｎ側配線層６６の平面レイアウトを示す。
図５１（ｄ）は、上記第６実施形態の図５０（ｂ）に対応し、第７実施形態の半導体発光装置７におけるｐ側金属ピラー６７とｎ側金属ピラー６８の平面レイアウトを示す。

上記実施形態と同様、ｎ側領域８０ｂは、第１の半導体層１１の第２の面の全面に形成された発光層１３及び第２の半導体層１２の一部を選択的に除去することで、第１の半導体層１１の表面が露出されて形成される。

ひとつのチップにつき、複数箇所にｎ側領域８０ｂが形成される。本実施形態では、例えばチップの４隅に４つのｎ側領域８０ｂが形成される。そして、それぞれのｎ側領域８０ｂの上にｎ側電極６１が設けられている。図５１（ａ）の平面視にて、ｎ側電極６１の間にもｐ側電極６２が設けられている。

そして、上記実施形態と同様、図５１（ｃ）に示すように、絶縁膜７１上に、ｐ側配線層６５とｎ側配線層６６とが互いに離間して設けられている。

絶縁膜７１には、図５１（ｂ）に示すように、ｐ側電極６２に達する第１の開口７１ａが形成され、その第１の開口７１ａ内に設けられたｐ側ビアを通じて、ｐ側配線層６５はｐ側電極６２と電気的に接続されている。

また、絶縁膜７１には、図５１（ｂ）に示すように、ｎ側電極６１に達する第２の開口７１ｂが形成され、その第２の開口７１ｂ内に設けられたｎ側ビアを通じて、ｎ側配線層６６はｎ側電極６１と電気的に接続されている。

複数のｎ側電極６１は第２の面上ではつながらずに互いに分離されている。それら複数のｎ側電極６１は、絶縁膜７１上に広がる共通のｎ側配線層６６に対して接続されている。

図５１（ｄ）に示すように、ｐ側配線層６５上にはｐ側金属ピラー６７が設けられ、ｎ側配線層６６上にはｎ側金属ピラー６８が設けられている。

ｐ側電極６２は、単層配線（ｐ側配線層６５）を介してｐ側金属ピラー６７に接続されている。ｎ側電極６１は、単層配線（ｎ側配線層６６）を介してｐ側金属ピラー６８に接続されている。

第７実施形態においても、ｎ側電極６１よりも広い領域にわたって形成された発光層１３によって高い光出力を得ることができる。なおかつ、発光層１３を含む領域よりも狭い領域に設けられたｎ側電極６１が、より面積の大きなｎ側配線層６６として実装面側に引き出されている。

また、ｎ側領域８０ｂ、およびそのｎ側領域８０ｂ上に設けられたｎ側電極６１は、ドット状もしくは島状に第２の面に散在されている。このため、発光層１３を含まない領域を小さくして発光面積の拡大を図りつつも、発光層１３の面方向の均一電流分布を実現できる。

さらに、図５１（ａ）に示すように、四隅以外の第２の面のほぼ全面にわたって、発光層１３の発光光に対して高い反射性を有するｐ側電極６２が広がっている。したがって、発光層１３から光取り出し面（第１の面１５ａ）の反対側に放射された光の反射面積を広くでき、高い光取り出し効率が得られる。

図５２（ａ）〜（ｄ）は、前述した第３実施形態の半導体発光装置３における第２の面側の各要素の平面レイアウトの変形例を示す模式平面図である。

図５２（ａ）は、上記図２５（ａ）に対応し、ｐ側電極６２、ｎ側電極６１およびｎ側反射電極６３の平面レイアウトを示す。
図５２（ｂ）は、上記図２６（ａ）に対応し、絶縁膜７６及び開口７６ａ、７６ｂの平面図を示す。
図５２（ｃ）は、上記図２７（ａ）に対応し、ｐ側配線層６５とｎ側配線層６６の平面レイアウトを示す。
図５２（ｄ）は、上記図２９（ａ）に対応し、ｐ側金属ピラー６７とｎ側金属ピラー６８の平面レイアウトを示す。

この変形例でも、ひとつのチップにつき、複数箇所（例えば３箇所）にｎ側領域８０ｂが形成され、それぞれのｎ側領域８０ｂの上にｎ側電極６１が設けられている。３つのｎ側電極６１は、例えばチップの長手方向（図２５（ａ）におけるＸ方向）に配列されている。

この変形例では、上記第３実施形態と異なり、図５２（ａ）に示すように、ひとつのチップ内で、ｐ側電極６２がｎ側反射電極６３によって２つに分断されている。ｎ側反射電極６３は、ｎ側電極６１上、およびｎ側電極６１間の発光層１３上に設けられている。

ｐ側電極６２およびｎ側反射電極６３上に設けられた絶縁膜７６には、図５２（ｂ）に示すように、１つの（第２の）開口７６ｂと、２つの（第１の）ｐ側開口７６ａが形成されている。

開口７６ｂは、ｎ側反射電極６３上に形成され、ｎ側反射電極６３に通じている。ｎ側反射電極６３によって分断された２つのｐ側電極６２のそれぞれの上に開口７６ａが形成され、開口７６ａはｐ側電極６２に通じている。

図５２（ｃ）に示すように、絶縁膜７６上に、ｐ側配線層６５およびｎ側配線層６６が互いに離間して設けられている。

絶縁膜７６に形成された開口７６ａ内に設けられたｐ側ビアを通じて、ｐ側配線層６５はｐ側電極６２と電気的に接続されている。絶縁膜７６に形成された開口７６ｂ内に設けられたｎ側ビアを通じて、ｎ側配線層６６はｎ側反射電極６３及びｎ側電極６１と電気的に接続されている。

図５２（ｄ）に示すように、ｐ側配線層６５上にはｐ側金属ピラー６７が設けられ、ｎ側配線層６６上にはｎ側金属ピラー６８が設けられている。

この変形例においても、ｎ側電極６１よりも広い領域にわたって形成された発光層１３によって高い光出力を得ることができる。なおかつ、発光層１３を含む領域よりも狭い領域に設けられたｎ側電極６１が、より面積の大きなｎ側配線層６６として実装面側に引き出されている。

また、ｎ側領域８０ｂ、およびそのｎ側領域８０ｂ上に設けられたｎ側電極６１は、ドット状もしくは島状に第２の面に散在されている。このため、発光層１３を含まない領域を小さくして発光面積の拡大を図りつつも、発光層１３の面方向の均一電流分布を実現できる。

さらに、図５２（ａ）に示すように、光取り出し面（第１の面１５ａ）の反対側の面のほぼ全面にわたって、いずれも発光層１３の発光光に対して高い反射性を有するｐ側電極６２およびｎ側反射電極６３が広がっている。したがって、発光層１３から光取り出し面（第１の面１５ａ）の反対側に放射された光の反射面積を広くでき、高い光取り出し効率が得られる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１〜７…半導体発光装置、１１…第１の半導体層、１２…第２の半導体層、１３…発光層、１５…半導体層、１４ａ，８０ａ…ｐ側領域、１４ｂ，８０ｂ…ｎ側領域、１５ａ…第１の面、１６ａ，６２…ｐ側電極、１７ａ，６１…ｎ側電極、２１，３１，６５…ｐ側配線層、２２，３２，６６…ｎ側配線層、２３，６７…ｐ側金属ピラー、２４，６８…ｎ側金属ピラー、５０…蛍光体層、６３…ｎ側反射電極、６３ａ…ｎ側ビア、６３ｂ…連結部、９５…透明電極

Claims (10)

1. 第１の面と、前記第１の面の反対側に設けられ、ｐ側領域と複数のｎ側領域とを有する第２の面と、を有する第１の半導体層と、
   前記ｐ側領域上に設けられた発光層と、
   前記発光層上に設けられた第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層上に設けられたｐ側電極と、
   前記複数のｎ側領域のそれぞれの上に設けられた複数のｎ側電極と、
   前記第ｐ側電極上及び前記ｎ側電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の絶縁膜を貫通する第１のビアを通じて前記ｐ側電極と接続されたｐ側配線部と、
   前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の絶縁膜を貫通する第２のビアを通じて複数の前記ｎ側電極に対して共通に接続されたｎ側配線部と、
   を備え、
   前記第２の面において、前記複数のｎ側領域はつながらずに互いに分離され、それぞれの前記ｎ側領域のまわりを前記ｐ側領域が囲んでいる半導体発光装置。
2. 前記複数のｎ側電極が、前記第２の面上にドット状に散在している請求項１記載の半導体発光装置。
3. 前記ｐ側配線部は、
   前記第１の絶縁膜上に設けられたｐ側配線層と、
   前記ｐ側配線層上に設けられ、前記ｐ側配線層よりも厚いｐ側金属ピラーと、
   を有し、
   前記ｎ側配線部は、
   前記第１の絶縁膜上に設けられたｎ側配線層と、
   前記ｎ側配線層上に設けられ、前記ｎ側配線層よりも厚いｎ側金属ピラーと、
   を有する請求項１または２に記載の半導体発光装置。
4. 前記ｐ側配線部と前記ｎ側配線部との間に設けられた第２の絶縁膜をさらに備えた請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
5. 前記第２の絶縁膜は、前記ｐ側配線部の周囲及び前記ｎ側配線部の周囲を連続して覆っている請求項４記載の半導体発光装置。
6. 前記ｐ側配線層は前記第１の絶縁膜上に設けられた単層構造であり、前記ｎ側配線層は前記第１の絶縁膜上に設けられた単層構造である請求項３〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
7. 第１の面と、前記第１の面の反対側に設けられ、ｐ側領域と複数のｎ側領域とを有する第２の面と、を有する第１の半導体層と、
   前記ｐ側領域上に設けられた発光層と、
   前記発光層上に設けられた第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層上に設けられ、前記発光層の発光光に対して反射性を有するｐ側電極と、
   前記複数のｎ側領域のそれぞれの上に設けられた複数のｎ側電極と、
   前記複数のｎ側電極間の前記第２の半導体層上に設けられた絶縁膜と、
   前記複数のｎ側電極のそれぞれの上に設けられた複数のｎ側ビアと、前記絶縁膜上に設けられ、前記複数のｎ側ビアをつなぐ連結部とを有し、前記ｎ側電極よりも前記発光層の発光光に対する反射率が高く、前記ｐ側電極と同じ材料のｎ側反射電極と、
   を備えた半導体発光装置。
8. 前記ｐ側電極及び前記ｎ側反射電極は、銀を含む請求項７記載の半導体発光装置。
9. 前記ｎ側反射電極と前記第２の半導体層との間で前記第２の半導体層上に設けられた透明電極をさらに備えた請求項７または８に記載の半導体発光装置。
10. 第１の面と、前記第１の面の反対側に設けられ、ｐ側領域と複数のｎ側領域とを有する第２の面と、を有する第１の半導体層と、
    前記ｐ側領域上に設けられた発光層と、
    前記発光層上に設けられた第２の半導体層と、
    前記第２の半導体層上に設けられ、前記発光層の発光光に対して反射性を有するｐ側電極と、
    前記複数のｎ側領域のそれぞれの上に設けられた複数のｎ側電極と、
    前記第ｐ側電極上及び前記ｎ側電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の絶縁膜を貫通する第１のビアを通じて前記ｐ側電極と接続されたｐ側配線部と、
    前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１の絶縁膜を貫通する第２のビアを通じて複数の前記ｎ側電極に対して共通に接続されたｎ側配線部と、
    を備え、
    前記第２の面において、前記複数のｎ側領域はつながらずに互いに分離されている半導体発光装置。

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