JP2014005165A - 酸化インジウムガリウム亜鉛、その製造方法および応用 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、まず、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む原料を混合し、乾燥、仮焼などの工程を経て、均一でかつ高純度の酸化インジウムガリウム亜鉛を作製する酸化インジウムガリウム亜鉛の作製方法を提供する。また、本発明は、さらに、多元金属酸化物を含有する混合物であって、特に前述の作製方法により作製された酸化インジウムガリウム亜鉛を含む、酸化インジウムガリウム亜鉛ターゲット材を作製するための組成物を提供する。なお、本発明は、また、ターゲット材がInGaZnO4を主成分とし、ZnGa2O4を実質的に有しない、前述の酸化インジウムガリウム亜鉛を使用して酸化インジウムガリウム亜鉛ターゲット材を作製する方法およびその製品を提供する。
【選択図】図5
Description
1.二元金属酸化物の作製
純度4N(99.99%)以上の金属インジウムおよび金属ガリウムを硝酸溶液に投入し、酸溶解して出発溶液を形成した。該出発溶液に水酸化アンモニウム水溶液を滴下して出発溶液のpH値を6.5または7.5に調整した。
前述の作製方法で形成された酸化インジウムガリウム粉末と過量の酸化亜鉛粉末(酸化亜鉛粉末は約酸化インジウムガリウム粉末の計量比の1.5〜2倍)とを湿式ボールミル法により混合して、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含有する沈殿物を形成した。このうち、酸化インジウムガリウム粉末の純度は99.99%以上であった。その後、さらにインジウム、ガリウムおよび亜鉛を含有する該沈殿物を二回目ボールミリングした。
純度4N(99.99%)以上の金属インジウムおよび金属ガリウムを硝酸溶液に投入し、酸溶解して二元金属酸化物を含有する出発溶液を形成した。その後、過量の酸化亜鉛を投入し、さらに水酸化アンモニウム水溶液を滴下して溶液のpH値を6〜8の間になる調整した。pH値が適切な範囲に調整された後、出発溶液中のインジウムイオン、ガリウムイオン、および亜鉛イオンが共沈反応を発生した。
実施例1または実施例2で作製されたIGZO粉末を使用し、それを0.3μm未満になるまでボールミリングした後、冷間等方加圧成形法または鋳込み成形法で成形させ、グリーン成形体を得た。その後、当該グリーン成形体を脱脂し、かつ1480℃の温度で10時間焼結すると、相対密度が95%を超えるIGZOターゲット材を得た。
Claims (16)
- 酸化インジウムガリウム亜鉛(indium−gallium−zinc oxide,IGZO)の作製方法であって、
(A)インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む原料を混合してインジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む混合物を形成する工程と、
(B)インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含有する前記混合物を乾燥する工程と、
(C)インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含有する、乾燥された前記混合物を仮焼して酸化インジウムガリウム亜鉛を作製する工程と
を含む方法。 - インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む前記原料が、純インジウム金属、純ガリウム金属、純亜鉛金属、酸化インジウム(In2O3)、酸化ガリウム(Ga2O3)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウムガリウム(indium gallium oxide,IGO)、酸化インジウム亜鉛(indium zinc oxide,IZO)および酸化ガリウム亜鉛(gallium zinc oxide,GZO)からなる群から選択される、請求項1に記載の作製方法。
- インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む前記原料が、純インジウム金属、純ガリウム金属または純亜鉛金属を含み、かつ工程(A)が、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む前記原料を酸溶解し、そのpH値を6〜8の間になるように調整してインジウム、ガリウムおよび亜鉛を含有する前記混合物を形成することを含む、請求項1に記載の作製方法。
- インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む前記原料が、酸化インジウムガリウムと酸化亜鉛との組合せ、酸化インジウム亜鉛と酸化ガリウム(Ga2O3)との組合せまたは酸化ガリウム亜鉛と酸化インジウムとの組合せであり、かつ前記工程(A)が、ボールミル法でインジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む前記原料を混合してインジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む前記混合物を形成することを含む、請求項1に記載の作製方法。
- インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む前記原料が、酸化インジウムガリウムと酸化亜鉛との組合せである、請求項4に記載の作製方法。
- 酸化インジウムガリウム亜鉛ターゲット材(indium−gallium−zinc oxide target,IGZO target)を作製するための組成物であって、酸化インジウムガリウムと酸化亜鉛とを含有する混合物、酸化インジウム亜鉛と酸化ガリウムとを含有する混合物、酸化ガリウム亜鉛と酸化インジウムとを含有する混合物、酸化インジウムガリウム亜鉛およびこれらの組成物からなる、多元金属酸化物を含有する混合物の群から選択される組成物。
- 前記組成物が酸化インジウムガリウム亜鉛である、請求項6に記載の組成物。
- 酸化インジウムガリウム亜鉛が、請求項1〜5のいずれか一項に記載の作製方法により作製される、請求項6に記載の組成物。
- 前記酸化インジウムガリウム亜鉛の混合物中で、インジウム:ガリウム:亜鉛の原子比が1:0.95:0.95〜1:1.05:1.05の間にある、請求項6に記載の組成物。
- 酸化インジウムガリウム亜鉛の平均粒径が1〜3μmの間にあり、かつ比表面積が5〜15m2/gの間にある、請求項6に記載の組成物。
- (A)請求項6〜10のいずれか一項に記載の組成物をボールミリングして、粒径0.3μm以下の研磨された粉末を形成させる工程と、
(B)研磨された粉末を成形させてグリーン成形体を得る工程と、
(C)前記グリーン成形体を脱脂する工程と、
(D)1400℃〜1600℃で前記グリーン成形体を焼結して酸化インジウムガリウム亜鉛ターゲット材を作製する工程と
を含む、酸化インジウムガリウム亜鉛ターゲット材の作製方法。 - 前記工程(B)が、冷間等方加圧成形法(cold isostatic pressing molding)または鋳込み成形法(slip casting)を用いて研磨された粉末を成形させることを含む、請求項11に記載の作製方法。
- 請求項11または12に記載の作製方法により作製される、InGaZnO4化合物を含有する酸化インジウムガリウム亜鉛ターゲット材。
- 前記酸化インジウムガリウム亜鉛ターゲット材中のインジウム:ガリウム:亜鉛の原子比が1:0.95:0.95〜1:1.05:1.05の間にある、請求項13に記載の酸化インジウムガリウム亜鉛ターゲット材。
- ZnGa2O4化合物を実質的に有しない、請求項13に記載の酸化インジウムガリウム亜鉛ターゲット材。
- 相対密度が95%より高い、請求項13〜15のいずれか一項に記載の酸化インジウムガリウム亜鉛ターゲット材。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015146252A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット |
KR101605503B1 (ko) | 2014-08-25 | 2016-03-22 | 유니스주식회사 | 저순도 인듐 금속과 주석 금속을 이용한 고순도 ito 타겟용 분말의 제조방법 |
JP2016169140A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-23 | 国立大学法人室蘭工業大学 | Igzoの製造方法 |
CN113716953A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-11-30 | 基迈克材料科技(苏州)有限公司 | 氧化铈掺杂izo粉体、靶材及制备方法 |
CN114853465A (zh) * | 2022-04-21 | 2022-08-05 | 株洲火炬安泰新材料有限公司 | 一种用于靶材制作的高纯氧化物制备方法 |
CN115636435A (zh) * | 2022-09-05 | 2023-01-24 | 西安邮电大学 | 一种由锌、镓和氧组成的化合物的制备方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06234522A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-08-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 導電性材料およびその製造方法 |
JPH08295514A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-12 | Hoya Corp | 導電性酸化物およびそれを用いた電極 |
JP2000044236A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-15 | Hoya Corp | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2010202451A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | In−Ga−Zn系複合酸化物焼結体の製造方法 |
WO2010140548A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体、その製造方法及び酸化物焼結体製造用原料粉末 |
JP2011178640A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Hitachi Maxell Ltd | 酸化物半導体粉末及びその製造方法 |
JP2011195409A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | In−Ga−Zn系複合酸化物焼結体およびその製造方法 |
JP2012052227A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-03-15 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット |
JP2012162440A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化ガリウム粉末 |
-
2012
- 2012-06-22 JP JP2012140815A patent/JP5809605B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06234522A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-08-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 導電性材料およびその製造方法 |
JPH08295514A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-12 | Hoya Corp | 導電性酸化物およびそれを用いた電極 |
JP2000044236A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-15 | Hoya Corp | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2010202451A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | In−Ga−Zn系複合酸化物焼結体の製造方法 |
WO2010140548A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体、その製造方法及び酸化物焼結体製造用原料粉末 |
JP2011178640A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Hitachi Maxell Ltd | 酸化物半導体粉末及びその製造方法 |
JP2011195409A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | In−Ga−Zn系複合酸化物焼結体およびその製造方法 |
JP2012052227A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-03-15 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット |
JP2012162440A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化ガリウム粉末 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6014006193; Chun-Chieh LO et al.: 'Preparation of IGZO sputtering target and its applications to thin-film transistor devices' Ceramics International Vol.38, 20120128, pp.3977-3983 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015146252A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット |
JP5884001B1 (ja) * | 2014-03-28 | 2016-03-15 | Jx金属株式会社 | 酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット |
KR101605503B1 (ko) | 2014-08-25 | 2016-03-22 | 유니스주식회사 | 저순도 인듐 금속과 주석 금속을 이용한 고순도 ito 타겟용 분말의 제조방법 |
JP2016169140A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-23 | 国立大学法人室蘭工業大学 | Igzoの製造方法 |
CN113716953A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-11-30 | 基迈克材料科技(苏州)有限公司 | 氧化铈掺杂izo粉体、靶材及制备方法 |
CN114853465A (zh) * | 2022-04-21 | 2022-08-05 | 株洲火炬安泰新材料有限公司 | 一种用于靶材制作的高纯氧化物制备方法 |
CN114853465B (zh) * | 2022-04-21 | 2023-06-02 | 株洲火炬安泰新材料有限公司 | 一种用于靶材制作的高纯氧化物制备方法 |
CN115636435A (zh) * | 2022-09-05 | 2023-01-24 | 西安邮电大学 | 一种由锌、镓和氧组成的化合物的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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