JP5883367B2 - 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法 - Google Patents
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Description
(Zn2SnO4相+InGaZnO4相)/(Zn2SnO4相+InGaZnO4相+InGaZn2O5相+SnO2相)≧70体積%・・・(1)
Zn2SnO4相/(Zn2SnO4相+InGaZnO4相+InGaZn2O5相+SnO2相)≧30体積%・・・(2)
InGaZnO4相/(Zn2SnO4相+InGaZnO4相+InGaZn2O5相+SnO2相)≧10体積%・・・(3)
かつ、
InGaZn2O5相が下記式(4)を満足するところに要旨を有する。
InGaZn2O5相/(Zn2SnO4相+InGaZnO4相+InGaZn2O5相+SnO2相)≦ 3体積%・・・(4)
40原子%≦[Zn]≦50原子%・・・(5)
30原子%≦([In]+[Ga])≦45原子%・・・(6)
(ただし、[In]は4原子%以上、[Ga]は5原子%以上)
15原子%≦[Sn]≦25原子%・・・(7)
分析条件
ターゲット:Cu
単色化:モノクロメートを使用(Kα)
ターゲット出力:40kV−200mA
(連続焼測定)θ/2θ走査
スリット:発散1/2°、散乱1/2°、受光0.15mm
モノクロメータ受光スリット:0.6mm
走査速度:2°/min
サンプリング幅:0.02°
測定角度(2θ):5〜90°
Zn2SnO4化合物(相)は、本発明の酸化物焼結体を構成するZnOとSnO2が結合して形成されるものである。またInGaZnO4化合物(相)は、本発明の酸化物焼結体を構成するInとGaとZnが結合して形成される酸化物である。本発明において上記化合物は、酸化物焼結体の相対密度の向上と比抵抗の低減に大きく寄与するものである。その結果、安定した直流放電が継続して得られ、異常放電抑制効果が向上する。
体積比が小さくなると異常放電発生率が高くなるため、70%以上とする必要があり、好ましくは75%以上、より好ましくは80%以上である。一方、上限については、性能上は高いほどよく、例えば100%であってもよいが、製造容易性の観点から好ましくは97.5%以下、より好ましくは95%以下である。
上記比率(1)を満足していても比率(2)が小さいと、異常放電抑制効果が十分に得られないことがあるため、30%以上とする必要があり、好ましくは40%以上、より好ましくは50%以上、更に好ましくは55%以上である。一方、上限については特に限定されないが、InGaZnO4相を確保する観点から好ましくは90%以下、より好ましくは80%以下、更に好ましくは70%以下である。
上記比率(1)および/または比率(2)を満足していても比率(3)が小さいと、相対密度を高めることができず、異常放電抑制効果が十分に得られないことがあるため、10%以上とする必要があり、好ましくは12%以上、より好ましくは15%以上である。一方、上限については特に限定されないが、Zn2SnO4相を確保する観点から好ましくは60%以下であり、また製造容易性の観点からは、より好ましくは30%以下、更に好ましくは25%以下である。
InGaZn2O5相は、本発明の酸化物焼結体を構成するInとGaとZnが結合して形成される酸化物である。本発明では、上記X線回折を行ったとき、InGaZn2O5相は下記(4)を満足することが必要である。
比率(4)が3%を超えると異常放電やターゲット材の割れが発生しやすくなる。したがって比率(4)は3%以下、好ましくは2.5%以下、より好ましくは2.0%以下、さらに好ましくは1.0%以下、特に好ましくは0.5%以下である。比率(4)は0%であってもよい。
40原子%≦[Zn]≦50原子%・・・(5)
30原子%≦([In]+[Ga])≦45原子%・・・(6)
(ただし、[In]は4原子%以上、[Ga]は5原子%以上)
15原子%≦[Sn]≦25原子%・・・(7)
純度99.99%の酸化インジウム粉末(In2O3)、純度99.99%の酸化亜鉛粉末(ZnO)、純度99.99%の酸化ガリウム粉末(Ga2O3)、純度99.99%の酸化錫粉末(SnO2)を表2に示す比率で配合し、水と分散剤(ポリカルボン酸アンモニウム)を加えてジルコニアボールミルで24時間混合した。次に、上記工程で得られた混合粉末を乾燥して造粒を行った。
このようにして得られたスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、DC(直流)マグネトロンスパッタリング法で、ガラス基板(サイズ:100mm×100mm×0.50mm)上に、酸化物半導体膜を形成した。スパッタリング条件は、DCスパッタリングパワー150W、Ar/0.1体積%O2雰囲気、圧力0.8mTorrとした。さらにこの条件で成膜した薄膜を使用して、チャネル長10μm、チャネル幅100μmの薄膜トランジスタを作製した。
相対密度は、スパッタリング後、ターゲットをバッキングプレートから取り外して研磨し、アルキメデス法により算出した。相対密度は85%以上を合格と評価した(表4中、「相対密度(%)」参照)。
焼結体の比抵抗は、上記製作したスパッタリングターゲットについて四端子法により測定した。比抵抗は1Ω・cm以下を合格と評価した。
結晶粒の平均結晶粒径は、酸化物焼結体表面の組織をSEM(倍率:400倍)で観察し、任意の方向に100μmの長さの直線を引き、この直線内に含まれる結晶粒の数(N)を求め、[100/N]から算出される値を当該直線上での平均結晶粒径とした。同様に20〜30μmの間隔で直線を20本作成して各直線上での平均結晶粒径を算出し、更に[各直線上での平均結晶粒径の合計/20]から算出される値を結晶粒の平均結晶粒径とした。結晶粒は平均結晶粒径10μm未満を合格と評価した(表4中、「平均粒径(μm)参照」)。
各化合物相の比率は、スパッタリング後、ターゲットをバッキングプレートから取り外して10mm角の試験片を切出し、X線回折で回折線の強度を測定して求めた。
分析条件:
ターゲット:Cu
単色化:モノクロメートを使用(Kα)
ターゲット出力:40kV−200mA
(連続焼測定)θ/2θ走査
スリット:発散1/2°、散乱1/2°、受光0.15mm
モノクロメータ受光スリット:0.6mm
走査速度:2°/min
サンプリング幅:0.02°
測定角度(2θ):5〜90°
[Zn2SnO4]=I[Zn2SnO4]/(I[Zn2SnO4]+I[InGaZnO4]+I[InGaZn2O5]+I[SnO2])×100・・・(2)
[InGaZnO4]=I[InGaZnO4]/(I[Zn2SnO4]+I[InGaZnO4]+I[InGaZn2O5]+I[SnO2])×100・・・(3)
[InGaZn2O5]=I[InGaZn2O5]/(I[Zn2SnO4]+I[InGaZnO4]+I[InGaZn2O5]+I[SnO2])×100・・・(4)
なお、上記以外の化合物相のピークはほとんど観察されなかった。
上記焼結体を直径4インチ、厚さ5mmの形状に加工し、バッキングプレートにボンディングしてスパッタリングターゲットを得る。そのようにして得られたスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、DC(直流)マグネトロンスパッタリングを行う。スパッタリングの条件は、DCスパッタリングパワー150W、Ar/0.1体積%O2雰囲気、圧力0.8mTorrとする。この時の100分当りのアーキングの発生回数をカウントし2回以下、かつ、100時間放電後のターゲット材の割れが無いものを合格(○)と評価した(表4中、「異常放電回数」,「割れの有無」参照)。なお、ターゲット材の割れの有無は目視で観察した。
Claims (6)
- 酸化亜鉛と;酸化インジウムと;酸化ガリウムと;酸化錫を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、
前記酸化物焼結体の相対密度が85%以上、
前記酸化物焼結体の平均結晶粒径が10μm未満であり、
前記酸化物焼結体をX線回折したとき、
Zn 2 SnO 4 相、InGaZnO 4 相、InGaZn 2 O 5 相、およびSnO 2 相の合計割合は、全化合物相に対して75%以上であり、
Zn2SnO4相とInGaZnO4相はそれぞれ下記式(1)〜(3)を満足し、
(Zn2SnO4相+InGaZnO4相)/(Zn2SnO4相+InGaZnO4相+InGaZn2O5相+SnO2相)≧70体積% ・・・(1)
Zn2SnO4相/(Zn2SnO4相+InGaZnO4相+InGaZn2O5相+SnO2相)≧30体積% ・・・(2)
InGaZnO4相/(Zn2SnO4相+InGaZnO4相+InGaZn2O5相+SnO2相)≧10体積% ・・・(3)
かつ、
InGaZn2O5相が下記式(4)を満足するものであることを特徴とする酸化物焼結体。
0体積%≦InGaZn2O5相/(Zn2SnO4相+InGaZnO4相+InGaZn2O5相+SnO2相)≦3体積% ・・・(4) - 前記酸化物焼結体に含まれる全金属元素に対する亜鉛、インジウム、ガリウム、錫の含有量の割合(原子%)をそれぞれ、[Zn]、[In]、[Ga]、[Sn]としたとき、下記式(5)〜(7)を満足するものである請求項1に記載の酸化物焼結体。
40原子%≦[Zn]≦50原子% ・・・(5)
30原子%≦([In]+[Ga])≦45原子% ・・・(6)
(ただし、[In]は4原子%以上、[Ga]は5原子%以上)
15原子%≦[Sn]≦25原子% ・・・(7) - 請求項1または2に記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットであって、
比抵抗が1Ω・cm以下であること特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1または2に記載の酸化物焼結体の製造方法であって、
酸化亜鉛と;酸化インジウムと;酸化ガリウムと;酸化錫とを混合し、黒鉛型にセットした後、
600℃/hr以下の平均昇温速度で焼結温度950〜1150℃まで昇温した後、
該温度域での保持時間0.1〜5時間で焼結することを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 - 前記焼結温度を975〜1150℃とする請求項4に記載の製造方法。
- 前記焼結は、不活性ガス雰囲気で行う請求項4または5に記載の製造方法。
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