JP2013184882A - ガリウム・インジウム複合酸化物粉末 - Google Patents

ガリウム・インジウム複合酸化物粉末 Download PDF

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Abstract

【課題】スラリー粘度を高めることができ、IGZO焼結体の焼結密度をさらに高めることができる新たなIGZO原料を提供する。
【解決手段】多面体形状を呈するガリウム・インジウム複合酸化物粒子を主な粒子として含有するガリウム・インジウム複合酸化物粉末を提案する。
【選択図】図2

Description

本発明は、例えばIn−Ga−Zn複合酸化物の焼結体(「IGZO焼結体」と称する)を製造するのに好適に用いることができるIGZO焼結体原料としてのガリウム・インジウム複合酸化物粉末に関する。
非晶質のIn−Ga−Zn複合酸化物(以下、単に「IGZO」と呼称する)は、電気抵抗率が半導体的な値を示し、室温成膜が可能である上、信号応答性の高い材料であるため、例えば電子ペーパーや液晶パネル、有機ELを駆動するTFTの半導体層材料として注目を集めている材料の一つである。この材料から形成される薄膜は、可視光を透過するため、透明の膜をつくることができるばかりか、室温〜150℃といった低温プロセスで膜を形成でき、プラスチック基板等、高温プロセスに適さない基板材料にも適用可能であるため様々な分野での利用が期待されている。
IGZOからなる半導体膜(「IGZO薄膜」と称する)は、スパッタリング法で形成されるのが一般的であり、この際スパッタリングターゲットとして用いられるのがIGZO焼結体である。
このIGZO焼結体は、酸化ガリウム、酸化亜鉛、酸化インジウムなどの原料粉末を混合し、得られた混合粉末をスラリーとし、これを鋳型に鋳込んで成形し、焼成して製造するのが一般的である。
IGZO焼結体並びにIGZO薄膜の性能に酸化ガリウム粉末等の原料の物性が影響するため、用途に応じて酸化ガリウム粉末を改良することが望まれていた。
酸化ガリウムは、ガリウム塩溶液にアルカリを添加して中和することによって水酸化ガリウム(中間体)を沈澱生成させ、これを濾過乾燥した後、焼成することによって製造するのが一般的である。
酸化ガリウムに関しては、従来、例えば特許文献1において、流動性に優れた酸化ガリウム粉末を製造するべく、ガリウムを陽極として電解することにより得られた水酸化ガリウムを仮焼して酸化ガリウム粉末を得る製法が提案されている。
また、特許文献2には、塩素などの不純物の少ない酸化ガリウム粉末を製造するべく、溶融ガリウムメタルを入れた温水浴中に塩素ガスを吹き込み、塩化ガリウム水溶液とし、これを中和して得られる水酸化ガリウムを脱水・乾燥し、次いで、ばい焼、解砕する酸化ガリウム粉末の製造方法が提案されている。
特許文献3には、ガリウム塩溶液にシュウ酸を加えて、シュウ酸の存在下で中和することによって水酸化ガリウム(中間体)を沈澱生成させ、これを濾過乾燥した後焼成することによって、比表面積(BET値)が3〜10m2/gであって、0.1〜10μmの範囲に粒子の99%(体積基準)が含まれる酸化ガリウム粉末を得る方法が提案されている。
特許文献4には、ガリウム塩溶液を硫酸イオンとアンモニウムイオンの共存下で中和して得られるガリウム化合物(ガリウム酸アンモニウム)を焼成して得られる酸化ガリウムが開示されている。
特許文献5には、粒度分布が揃い、粒子形状が等方的である粒子を提供するべく、ガリウム塩の水溶液に硫酸イオンとアンモニウムイオンとを共存させて反応させることで、粒子形状が等方的な多面体形状を有するガリウム化合物(NH4Ga3(SO42(OH)6・H2O)粉末を得る方法が提案されている。
特許文献6には、ガリウム濃度、アルカリ濃度、反応終了pHを制御することにより水酸化ガリウムの粒径を任意の粒径に制御し、所定時間以上の熟成によって粒子の顆粒化を促進して粒度分布の揃った水酸化ガリウムを得て、この水酸化ガリウムを濾過、乾燥、焼成することによって目的の酸化ガリウム粉末、すなわち、粒径D50が0.8〜2.4μmで、かつ、粒径比(D90−D10)/D50が1.0未満である酸化ガリウム粉末を得る方法が提案されている。
また、特許文献7には、酸化インジウム粉末との均一混合性に優れた酸化ガリウム粉末として、嵩密度(AD)が0.40〜0.70g/cm3であることを特徴とする酸化ガリウム粉末が提案されている。
特開平10−273318号公報 特開平10−338522号公報 特開平11−322335号公報 特開2002−20122号公報 特開2002−20122号公報 特開2004−142969号公報 特許4649536号公報
ところで、酸化ガリウムの密度は、文献値としての密度が6.4であるのに対し、実際に製造された酸化ガリウムの密度をアルキメデス法で測定してみると、当該文献値よりも低い6.2程度であることが多く、実際に製造されている多くの酸化ガリウム粉末粒子は内部に空隙を多く含んでいることが分かってきた。
そして、このような酸化ガリウム粉末を原料としてIGZO焼結体を作製すると、酸化ガリウム粒子内部に存在する空隙は、IGZO焼結体を作製ずる際の焼成では抜けずにそのままIGZO焼結体に移行することになり、これがIGZO焼結体の焼結密度を高める際の障害となっている可能性があることが分かってきた。
そこで本発明は、スラリー粘度を高めることができ、IGZO焼結体の焼結密度をさらに高めることができる新たなIGZO原料を提供せんとするものである。
本発明は、多面体形状を呈するガリウム・インジウム複合酸化物粒子を主な粒子として含有するガリウム・インジウム複合酸化物粉末を提案する。
上述のように、通常の酸化ガリウム粉末粒子は粒子内部に空隙を有しているが、インジウムと複合化させて多面体形状を呈するガリウム・インジウム複合酸化物粒子とすることにより、粒子内部の空隙を顕著に減らすことができることが新たに判明した。よって、このようなガリウム・インジウム複合酸化物粒子を主な粒子とするガリウム・インジウム複合酸化物粉末を用いてIGZO焼結体を作製すれば、すなわち、本発明が提案するガリウム・インジウム複合酸化物粉末と、酸化亜鉛粉末を混合し、得られた混合粉末をスラリーとすれば、スラリー粘度を高めることができる。そして、これを鋳型に鋳込むことで成形して焼成すれば、IGZO焼結体の密度をより一層高めることができる。また、原料段階から酸化ガリウムと酸化インジウムを複合化させることができるため、より一層均質なIGZO焼結体を製造することができる。
実施例1で得たガリウム・インジウム複合酸化物粉末のSEM写真(倍率20000)である。 実施例2で得たガリウム・インジウム複合酸化物粉末のSEM写真(倍率20000)である。 実施例3で得たガリウム・インジウム複合酸化物粉末のSEM写真(倍率20000)である。 比較例1で得た粉末のSEM写真(倍率20000)である。 比較例2で得た粉末のSEM写真(倍率20000)である。 比較例3で得た粉末のSEM写真(倍率20000)である。 比較例4で得た粉末のSEM写真(倍率5000)である。
以下、本発明の一実施形態の例(以下、「本実施形態」という)について説明するが、本発明が下記本実施形態に限定されるものではない。
本実施形態に係るガリウム・インジウム複合酸化物粉末(以下、「本複合粉末」という)は、ガリウムとインジウムの複合酸化物からなる粒子(「ガリウム・インジウム複合酸化物粒子」と称する)を主な粒子として含有するガリウム・インジウム複合酸化物粉末であり、該ガリウム・インジウム複合酸化物粒子のほかに、酸化ガリウム粒子及び酸化インジウム粒子を含有してもよい。
ここで、「ガリウム・インジウム複合酸化物」とは、酸化ガリウムにインジウムが取り込まれた固溶体の状態となっている複合酸化物の意味である。酸化ガリウムにインジウムが取り込まれた固溶体の状態となっているか否かは、X線回折により確認することができる。
また、「ガリウム・インジウム複合酸化物粒子を主な粒子として含有する」とは、ガリウム・インジウム複合酸化物粒子が全粒子の中で最も多い種類の粒子として含有すること、言い換えれば、ガリウム・インジウム複合酸化物粒子が全粒子中の50%(個数)以上、中でも70%以上、その中でも90%以上占めることを意味する。
(粒子形状)
ガリウム・インジウム複合酸化物粒子としての2次粒子の粒子形状は、多面体形状であるのが好ましい。多面体形状とは平面によって囲まれた形状の意味である。中でも、例えば直方体や立法体などの6面体形状を呈する粒子であるのがより好ましい。よって、本複合粉末を構成する全粒子(2次粒子)のうち50%以上、中でも70%以上、その中でも特に90%以上を多面体形状、特に六面体形状を呈する粒子が占めるのが好ましい。
このように本複合粉末を構成する多くの粒子が微粒であって、多面体形状を呈していれば、パッキングし易く、水の中で分散性が良くてしまりやすいため、成型密度及び焼結密度を高くすることができるので好ましい。
なお、本複合粉末の2次粒子の粒子形状は、SEM(走査型電子顕微鏡、5000〜20000倍)により観察することができる。
本複合粉末を構成する全粒子(2次粒子)のうちの50%以上(個数)を、多面体形状を呈する粒子が占めるようにするには、InとGaの混合塩溶液をアルカリで中和して、共沈することで本複合粉末を製造するのが好ましい。
(ガリウムとインジウムとの比率)
ガリウム・インジウム複合酸化物粒子におけるガリウムとインジウムとの比率(Ga:In)は、特に限定するものではない。ガリウム・インジウム複合酸化物粒子を多面体形状、特に6面体形状にする観点から、Ga:Inの重量比で47:30〜56:20又は48:28〜54:22の範囲内であるのが好ましい。
(D50)
本複合粉末のD50、すなわちレーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布による(超音波分散後)D50は、0.5〜10.0μmであるのが好ましい。本複合粉末のD50の値が0.5μm以上であれば、粒径が大き過ぎることがないため、より一層均一且つ最密に充填することができる。他方、10.0μm以下であれば、微粉が多いために分散性が低下するのを避けることができる。
かかる観点から、本複合粉末のD50は、0.7μm以上或いは5.0μm以下であるのがより一層好ましく、3.0μm以下であるのがより一層好ましい。
なお、D50は、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準累積度数50%の粒子径の意味である。
本複合粉末のD50は、中和熟成時のガリウム濃度を制御することで調整することができる。この際、ガリウム濃度が低い方が、粒子径は小さくなり、逆に高い場合、粒子径は大きくなる。焼成温度も多少影響し、高温焼成の方が粒子径は大きくなる傾向はあるが、酸化ガリウム粒子の特徴として、焼成の前後で粒径がほとんど変わらないという特徴がある。すなわち、中和熟成完了時点で、最終の焼成粉の粒子形状・粒子径はほぼ完成するため、中和熟成時の条件を調整するのが効果的である。
(粘度)
本複合粉末は、水を30wt%、分散剤としてのポリカルボン酸アンモニウムを1wt%、及びバインダーとしてのポリビニルアルコールを0.5wt%混合したスラリーとして東機産業製E型粘度計RE205で測定される粘度が10〜55cPであるのが好ましい。当該粘度が55cP以上であれば、高粘度であるため、金型の隅などにまで充填することが困難になるため成型体の密度を高めることが難しくなる一方、10cP以下であれば、低粘度であるため、沈降などが生じて成型体に反りや割れなどが発生する可能性がある。かかる観点から、当該粘度は25cP以上或いは45cP以下であるのがさらに好ましい。
(製造方法)
次に、本複合粉末の製造方法の一例について説明する。但し、あくまで一例であって、本複合粉末の製造方法が以下に説明する製造方法に限定されるものではない。
具体的には、先ず、硝酸ガリウム塩溶液と硝酸インジウム塩溶液を、アルカリに添加して中和することによって水酸化ガリウムと水酸化インジウムを共沈させる。例えばアンモニア水を加えてpH7〜10に調整することで、水酸化ガリウムと水酸化インジウムの複合物を共沈させ、所定の温度で所定時間保持することにより水熱熟成すればよい。
中和にはアンモニア水以外にも、例えばアンモニア、水酸化ナトリウム、尿素などの他のアルカリを用いることもできる。
中和工程では、反応過程で中和熱が発生するために液温が高くなる可能性があるが、液温が高くならないように制御することも必要である。具体的には、初期の液温と中和後の液温の差が±15℃となり、中和後の液温が50℃以下、特に10〜50℃、中でも20〜40℃となるように制御することが好ましい。
この際、温度制御手段としては、中和に要する時間を十分長くとることで、一気に中和熱が発生するのを抑える方法を挙げることができる。
かかる観点から、ガリウム塩溶液のガリウム濃度は50〜300g/Lが好ましく、また、アルカリ溶液、例えばアンモニア水におけるアンモニア濃度は1〜10wt%とするのが好ましい。
中和が完了したら、均一に撹拌を行い、70〜90℃にて1時間以上の熟成を行って粒子を成長させることが重要である。この際、熟成温度及び時間は、粒子の形状や形成度合に影響するため、70℃以上で1時間以上熟成することが好ましい。
このように熟成を行った後、得られたスラリーを洗浄、濾過を行い、十分に乾燥させる、具体的には105℃以上で少なくとも5時間以上乾燥させるのが好ましい。
水酸化ガリウムと水酸化インジウムの複合物を洗浄濾過乾燥する手段としては、例えば純水を用いてデカンテーションを繰り返すなどして、例えば硝酸根等を洗浄除去した後、濾過等によって固液分離し、乾燥させて乾燥体(ケーキ)を得、その後解砕して焼成するようにすればよい。
焼成は、大気雰囲気において、600〜1300℃を1時間〜6時間保持するように行うのが好ましい。
焼成温度(保持温度)は、600℃以上の適宜温度で行うのが好ましい。
また、保持温度での保持時間は、1時間〜6時間、特に1時間〜5時間とするのが好ましい。
(用途)
本複合粉末は、ターゲット材料、例えばIGZOなどのように、酸化亜鉛粉末などと混合して圧縮成形する用途に特に好適に用いることができる。例えばIGZO焼結体であれば、本複合粉末と、酸化亜鉛粉末とを混合して圧縮成型した後、焼結してIGZO焼結体を製造することができる。
(語句の説明)
本明細書において「X〜Y」(X,Yは任意の数字)と表現する場合、特にことわらない限り「X以上Y以下」の意と共に、「好ましくはXより大きい」或いは「好ましくYより小さい」の意も包含する。
また、「X以上」(Xは任意の数字)と表現する場合、特にことわらない限り「好ましくはXより大きい」の意を包含し、「Y以下」(Yは任意の数字)と表現する場合、特にことわらない限り「好ましくYより小さい」の意を包含する。
以下、本発明の実施例について説明する。
<粒子形状>
走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて20000倍にて観察し、実施例・比較例で得た粉末(サンプル)を構成する主な粒子の形状と、6面体形状を呈する粒子の個数割合を測定した。
<粒度測定>
実施例・比較例で得た粉末(サンプル)を、少量ビーカーに取り、2%ヘキサメタリン酸ナトリウムを2、3滴添加して、粉末になじませてから、純水を50mL添加し、その後、超音波分散器TIPφ20(日本精機製作所製、OUTPUT:8、TUNING:5)を用いて2分間分散処理して測定用サンプルを調製した。この測定用サンプルを、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置MT3300(日機装製)を用いて、体積累積基準D50を測定した。
なお、超音波分散の有無によるD50の差を測定する際には、上記測定方法において、超音波分散の有の場合は、超音波分散器TIPφ20(日本精機製作所製、OUTPUT:8、TUNING:5)を用いて5分間分散処理し、他方、超音波分散無しの場合は、超音波分散せずに薬さじで撹拌して、3分間循環させてから測定を開始し、D50を測定し、両者の差を算出した。
<粘度>
実施例・比較例で得た粉末(サンプル)に、水を30wt%、分散剤としてのポリカルボン酸アンモニウムを1wt%、及びバインダーとしてのポリビニルアルコールを0.5wt%混合してスラリーを作製し、東機産業製E型粘度計RE205で粘度を測定した。
<実施例1>
35℃に調整したGa濃度170g/Lの硝酸ガリウム塩水溶液330mL(Ga56g)と、35℃に調整したIn濃度350g/Lの硝酸インジウム塩水溶液57mL(In20g)を混合し、攪拌しながら、35℃に調整したアンモニア水を加えてpH8に調整した。
その後、撹拌を継続したまま90℃まで昇温した。昇温にかかった時間は40分間であった。更に90℃を保持しつつ撹拌を継続したまま3時間熟成させた。
熟成終了後、常温まで自然冷却し、純水によるデカンテーションを繰り返し、アンモニア、硝酸成分を洗浄した。
洗浄した後、濾過により固液分離を行い、更に105℃にて24時間乾燥させて乾燥物を得た。
このようにして得られた乾燥物を、乳鉢を用いて解砕し、セラミック製の焼成容器(焼成匣鉢)に入れ、大気雰囲気にて1000℃で3時間の焼成を行い、60メッシュの網目の振動篩によって造粒してガリウム・インジウム複合酸化物粉末(Ga,In)23粉末(サンプル)を得た。
<実施例2−3>
硝酸ガリウム塩水溶液の量とGa濃度、並びに、硝酸インジウム塩水溶液の量とIn濃度を調整して表1のようにGaとInの量を変更した以外、実施例1と同様にしてガリウム・インジウム複合酸化物粉末(Ga,In)23粉末(サンプル)を得た。
<比較例1−3>
硝酸ガリウム塩水溶液の量とGa濃度、並びに、硝酸インジウム塩水溶液の量とIn濃度を調整して表1のようにGaとInの量を変更した以外、実施例1と同様にして粉末(サンプル)を得た。
<比較例4>
市販の酸化ガリウム粉末75gと市販の酸化インジウム粉末24gを用い、Ga:In=56:20になるように混合して、混合粉末を得た。
(考察)
実施例1〜3で得られたガリウム・インジウム複合酸化物粉末をX線回折で分析した結果、酸化ガリウムにインジウムが取り込まれた固溶体の状態となっていることを確認することができた。
すなわち、酸化ガリウムをインジウムと複合化して、酸化ガリウムにインジウムが取り込まれた固溶体とすることにより、多面体形状を呈する粒子からなるガリウム・インジウム複合酸化物粒子を作製することができ、粒子内部の空隙を顕著に減らすことができ、その結果、スラリー粘度を高めることができることが分かった。

Claims (5)

  1. 多面体形状を呈するガリウム・インジウム複合酸化物粒子を主な粒子として含有するガリウム・インジウム複合酸化物粉末。
  2. ガリウム・インジウム複合酸化物粒子のほかに、酸化ガリウム粒子及び酸化インジウム粒子を含有する請求項1記載のガリウム・インジウム複合酸化物粉末。
  3. レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布によるD50が0.5μm〜10.0μmである請求項1又は2記載のガリウム・インジウム複合酸化物粉末。
  4. 水を30wt%、分散剤としてのポリカルボン酸アンモニウムを1wt%、及びバインダーとしてのポリビニルアルコールを0.5wt%混合したスラリーとしてE型粘度計で測定される粘度が10cP〜55cPであることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のガリウム・インジウム複合酸化物粉末。
  5. 請求項1〜4の何れかに記載のガリウム・インジウム複合酸化物粉末を原料としてなるスパッタリングターゲット。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017168906A1 (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲット材及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット
CN111569856A (zh) * 2020-04-03 2020-08-25 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 In-Ga2O3复合光催化剂及其制备方法和应用

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07182924A (ja) * 1993-10-27 1995-07-21 At & T Corp ガリウム−インジウム酸化物を含む透明導電体
JP2007210823A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化物焼結体および、それを用いて得られる酸化物膜、それを含む透明基材
JP2007277039A (ja) * 2006-04-06 2007-10-25 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化物焼結体及びそれを用いた酸化物透明導電膜の製造方法
JP2009044019A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Nippon Light Metal Co Ltd 酸化ガリウム‐酸化インジウム混晶の製造方法及び製造された混晶を用いた受光素子
JPWO2009008297A1 (ja) * 2007-07-06 2010-09-09 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、及びそれを用いて得られる透明導電膜ならびに透明導電性基材
JP2011178640A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Hitachi Maxell Ltd 酸化物半導体粉末及びその製造方法
JP2011213507A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 酸化ガリウム粉末

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07182924A (ja) * 1993-10-27 1995-07-21 At & T Corp ガリウム−インジウム酸化物を含む透明導電体
JP2007210823A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化物焼結体および、それを用いて得られる酸化物膜、それを含む透明基材
JP2007277039A (ja) * 2006-04-06 2007-10-25 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化物焼結体及びそれを用いた酸化物透明導電膜の製造方法
JPWO2009008297A1 (ja) * 2007-07-06 2010-09-09 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、及びそれを用いて得られる透明導電膜ならびに透明導電性基材
JP2009044019A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Nippon Light Metal Co Ltd 酸化ガリウム‐酸化インジウム混晶の製造方法及び製造された混晶を用いた受光素子
JP2011178640A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Hitachi Maxell Ltd 酸化物半導体粉末及びその製造方法
JP2011213507A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 酸化ガリウム粉末

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6015040903; PATZKE, G. et al: 'Investigations in the beta-Ga2O3/In2O3 system: crystal growth of solid solutions' Solid State Sciences Vol.2, No.7, 20001101, p.689-699 *
JPN6015040906; EDWARDS, D. D. et al: 'Phase Equilibria in the Ga2O3-In2O3 System' J. Am. Ceram. Soc. Vol.80, No.1, 199701, p.253-257 *
JPN6015040909; GARCIA, R. et al: 'New combustion synthesis technique for the production of (InxGa1-x)2O3 powders: Hydrazine/metal nitr' J. Mater. Res. Vol.16, No.4, 20110131, p.1059-1065 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017168906A1 (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲット材及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット
JPWO2017168906A1 (ja) * 2016-03-28 2019-02-07 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲット材及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット
TWI772284B (zh) * 2016-03-28 2022-08-01 日商三井金屬鑛業股份有限公司 濺鍍靶材及其製造方法、以及濺鍍靶
CN111569856A (zh) * 2020-04-03 2020-08-25 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 In-Ga2O3复合光催化剂及其制备方法和应用

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