KR101514945B1 - 디에틸렌글리콜을 사용한 산화갈륨 나노입자의 제조방법 및 이로부터 제조된 산화갈륨 - Google Patents

Abstract

본 발명은 a) 갈륨화합물에 디에틸렌글리콜을 혼합하여 용액을 제조하는 단계; b) 상기 용액에 pH 조절제를 혼합하는 단계; 및 c) 상기 b) 단계 용액을 방치하여 숙성반응을 진행하는 단계; 을 포함하는 유기용매를 사용한 산화갈륨 나노입자의 제조방법 및 이로부터 제조된 산화갈륨에 관한 것이다.
본 발명에 따른 산화갈륨 나노입자의 제조방법은 특정 종류 및 조성비의 유기용매를 사용함에 따라 종래의 습식 침전법에서는 제조하기 어려운 1 내지 300 ㎚ 크기의 평균입경을 가지는 산화갈륨을 제조할 수 있으며, 다른 금속산화물과 입자 크기가 유사하여 반도체 제조 시 1차 분쇄 공정이 불필요하고, 불순물의 혼입을 최소화할 수 있다는 장점이 있어서 산화물 반도체 소재로 크게 활용할 수 있을 것으로 전망된다.

Description

디에틸렌글리콜을 사용한 산화갈륨 나노입자의 제조방법 및 이로부터 제조된 산화갈륨{Manufacturing method of gallium oxide nano particle using diethylene glycol and gallium oxide therefrom}

본 발명은 유기용매를 사용한 산화갈륨 나노입자의 제조방법 및 이로부터 제조된 산화갈륨에 관한 것으로, 상세하게는 갈륨화합물과 특정 유기용매의 혼합비율을 조절하여 제조되는 산화갈륨(β-Ga₂O₃)의 평균 입경이 나노사이즈를 가지는 산화갈륨 나노입자의 제조방법 및 이로부터 제조된 산화갈륨에 관한 것이다.

근래에는 전자, 전기장치의 소형화, 고집적화로 인해 각 장치에 사용되는 소자 또한 소형화, 고집적화되고 있다. 상기 소자들에 대한 소형화, 고집적화를 실현하기 위한 것으로 반도체 또는 산화물 박막 소자가 널리 사용되며, 얇으면서도 넓고, 고르게 박막을 성형시키는 것이 무엇보다도 중요하다.

또한 이러한 박막 소자에 사용되는 전극으로써는 가격이 저렴하고, 안전하며, 우수한 광투과도와 전기전도도를 가지는 금속산화물이 널리 사용되며, 특히 인듐, 티타늄, 갈륨 등의 산화물 등이 널리 알려져 있다.

이러한 반도체 또는 산화물 박막을 성형하기 위해서 스파터링증착법 또는 펄스화레이저증착법 등이 널리 연구되어 오고 있는데, 소정 기판 상부에 전극을 박막형태로 증착하고, 그 상부에 유전체 박막을 증착시킨 후 상부에 전극을 증착시키는 구조로 이루어진다. 즉 기판에 대향되는 위치에 타겟(전극 또는 유전체)을 위치시키고 스파터링 또는 펄스화레이저에 의해 타겟을 이루는 성분들이 기판 상부에 그대로 증착되도록 한 것이다.

그러나 이러한 증착법에 있어서 가장 큰 문제는 타겟의 제조방법이다. 일반적으로 타겟의 제조방법은 일단 원료 시료를 분말형태로 분쇄하여 볼 밀링하고, 해당 타겟의 조성비에 맞게 무게를 측정하여 각 원료 시료를 골고루 섞는다. 그 다음 펠렛형태의 성형틀에 상기 원료 시료를 넣어 소정압력으로 프레스몰딩하고 소정온도에서 소정시간 동안 소결시켜 펠렛 형태의 타겟을 얻게 된다.

그러나 금속산화물 반도체의 주재료로 사용되는 산화인듐(In₂O₃)의 경우 30 내지 50㎚, 산화아연(ZnO)의 경우 50 내지 100㎚으로, 일반적인 합성기술로 제조되는 산화갈륨의 평균입경인 1 내지 5 ㎛에 비해 상당히 작아 타겟 제조 시 분쇄 및 볼 밀링을 위한 시간이 상당히 많이 소요되며, 프레스몰딩 및 소결시키기 위한 장치가 복잡할 뿐만 아니라 소결과정에 있어서 상당한 시간이 소요되므로 시간상, 노력상, 비용상 비경제적인 문제점이 있다. 거기에 무엇보다도 원료 시료를 분쇄할 때 불순물의 혼입이 발생할 수 있어 제품의 불량 원인으로 작용할 수 있다.

대한민국 등록특허 10-0734811 또한 이러한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것이나, 금속산화물을 조성하는 각 조성물을 혼합 시 적정 크기로 분쇄하는 공정이 추가되어야 하며, 이는 앞서 설명한 불순물 혼입의 원인이 될 수 있다는 단점이 존재한다.

이처럼 1차 분쇄 공정이 불필요하면서도 타겟의 순도를 높이고, 제조시간 및 공정을 개선시킨 고품질의 금속산화물 타겟 제조방법이 강력히 요구되고 있다.

대한민국 등록특허 10-0734811 (2007년 07월 03일)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 갈륨화합물과 특정 유기용매의 혼합비율을 조절하여 제조되는 산화갈륨(β-Ga₂O₃)의 평균 입경이 나노사이즈를 가지는 산화갈륨 나노입자의 제조방법 및 이로부터 제조된 산화갈륨의 제공을 목적으로 한다.

본 발명은 유기용매를 사용한 산화갈륨 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.

본 발명의 일 양태는

a) 갈륨화합물에 유기용매를 혼합하여 용액을 제조하는 단계;

b) 상기 용액에 pH 조절제를 혼합하는 단계; 및

c) 상기 b) 단계 용액을 방치하여 숙성반응을 진행하는 단계;

을 포함하는 유기용매를 사용한 산화갈륨 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.

이때 상기 유기용매는 갈륨화합물 100 중량부에 대하여 50 내지 200 중량부 포함할 수 있으며, 상기 갈륨화합물은 갈륨할로겐화물, 갈륨질산염, 갈륨황산염 및 갈륨과염소산염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있다.

또한 상기 pH 조절제는 암모니아(NH₄OH), 탄산수소암모늄((NH₄)₂CO₃), 황산암모늄((NH₄)₂SO₄) 및 가성소다(NaOH)에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있으며, 상기 용액의 pH는 6 내지 10 범위를 가질 수 있다.

본 발명에 있어서 상기 유기용매는 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 아세톤, 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노아세테이트, 프로필렌글리콜 모노아세테이트, 메틸락테이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트 및 에틸렌글리콜 메틸에테르 아세테이트에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있다.

본 발명의 다른 양태는 상기 제조방법으로 제조되며, 평균입경 1 내지 300 ㎚, 비표면적 1 내지 100 ㎡/g인 산화갈륨에 관한 것이다.

본 발명에 따른 산화갈륨 나노입자의 제조방법은 특정 종류 및 조성비의 유기용매를 사용함에 따라 종래의 습식 침전법에서는 제조하기 어려운 1 내지 300 ㎚ 크기의 평균입경을 가지는 산화갈륨을 제조할 수 있으며, 다른 금속산화물과 입자 크기가 유사하여 반도체 제조 시 1차 분쇄 공정이 불필요하고, 불순물의 혼입을 최소화할 수 있다는 장점이 있어서 산화물 반도체 소재로 크게 활용할 수 있을 것으로 전망된다.

도 1 내지 4는 실시예 1 및 비교예 1 내지 3을 통해 제조된 산화갈륨의 SEM 결과를 도시한 것으로 scale bar는 각각 100㎚(도 1, 도 2), 10㎛(도 3), 1㎛(도 4)이다.
도 5는 실시예 1을 통해 제조된 산화갈륨의 X-선 회절분석(X-ray Diffraction, XRD)결과를 도시한 것이다.

이하 구체예 또는 실시예를 통해 본 발명에 따른 유기용매를 사용한 산화갈륨 나노입자의 제조방법을 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 구체예 또는 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있다.

또한 달리 정의되지 않은 한, 모든 기술적 용어 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 당업자 중 하나에 의해 일반적으로 이해되는 의미와 동일한 의미를 갖는다. 본원에서 설명에 사용되는 용어는 단지 특정 구체예를 효과적으로 기술하기 위함이고 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다.

또한 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서 사용되는 단수 형태는 문맥에서 특별한 지시가 없는 한 복수 형태도 포함하는 것으로 의도할 수 있다.

본 발명에 따른 산화갈륨 나노입자의 제조방법은

a) 갈륨화합물에 유기용매를 혼합하여 용액을 제조하는 단계;

b) 상기 용액에 pH 조절제를 혼합하는 단계; 및

c) 상기 b) 단계 용액을 방치하여 숙성반응을 진행하는 단계;

을 포함하여 진행할 수 있다.

먼저 상기 a) 단계는 갈륨화합물에 유기용매를 혼합하여 용액을 제조할 수 있다.

상기 갈륨화합물은 원소 사이의 반응 또는 산화물 등을 산에 녹여 얻을 수 있는 물질로서 보통 산화물반도체용 전구체 용액일 수 있다. 상기 갈륨화합물로 예를 들면, 갈륨할로겐화물, 갈륨질산염, 갈륨황산염 및 갈륨과염소산염 질산갈륨 사용가능하며, 더욱 상세하게는 갈륨 나이트레이트(Gallium nitride), 갈륨 포스파이드(Gallium phosphide), 갈륨(II) 클로라이드(Gallium(II) chloride), 갈륨(III) 아세틸아세토네이트(Gallium(III) acetylacetonate), 갈륨(III) 브로마이드(Gallium(III) bromide), 갈륨(III) 클로라이드(Gallium(III) chloride), 갈륨(III) 플로라이드(Gallium(III) fluoride), 갈륨(III) 이오다이드(Gallium(III) iodide), 갈륨(III) 나이트레이트 하이드레이트(Gallium(III) nitrate hydrate), 갈륨(III) 설페이트(Gallium(III) sulfate), 갈륨(III) 설페이트 하이드레이트(Gallium(III) sulfate hydrate) 및 이들의 수화물을 들 수 있으며 이들 중에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.

또한 상기 갈륨화합물이 두 가지 이상일 경우, 하나의 갈륨화합물을 용매에 투입한 후 교반을 통해 균질한 용액을 형성시킨 후, 다시 다른 갈륨화합물을 첨가하는 것이 좋다. 이때 상기 갈륨화합물은 용매를 기준으로 0.01 내지 5 몰농도로 용매에 혼합하는 것이 좋다.

상기 유기용매는 상기 갈륨화합물을 용해시키는 목적 이외에 제조되는 산화갈륨 입자들의 응집을 막고, 이에 따른 소결을 방지하면서 입자들의 평균입경을 300㎚ 이하로 유지시키는 역할을 수행한다. 일반적으로 산화 갈륨 분말을 액상 침전에 의해 합성하는 경우, 물을 용매로 사용하면 입자의 크기가 일반적으로 1 내지 3㎛ 이상으로 커지는 경향이 있어 나노사이즈의 산화갈륨을 얻을 수가 없을 뿐만 아니라 형상을 조절하는데 어려움이 있다. 그러나 유기용매를 사용하면 입자들의 평균입경을 300㎚ 조밀하게 형성할 수 있으며, 응집 및 소결을 막는 효과가 있다.

상기 유기용매는 갈륨화합물을 균일하게 용해시킬 수 있는 용매라면 종류에 한정하지 않으며, 예를 들어 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 아세톤, 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노아세테이트, 프로필렌글리콜 모노아세테이트, 메틸락테이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트 및 에틸렌글리콜 메틸에테르 아세테이트에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상일 수 있다.

상기 유기용매는 갈륨화합물 100 중량부에 대하여 50 내지 200 중량부, 더욱 바람직하게는 갈륨화합물 100 중량부에 대하여 50 내지 100 중량부 포함하는 것이 바람직하다. 상기 유기용매가 50 중량부 미만 첨가되는 경우, 입자의 성장으로 인하여 유기용매 첨가에 따른 물성 개선 효과가 제대로 발현되기 어려우며, 200 중량부 초과 첨가되는 경우 입자들의 과도한 응집으로 열처리 후 소결현상이 발생 할 수 있다.

또한 상기 a) 단계는 용액 제조 시 주변 온도 및 분위기를 한정하지 않으며, 더욱 균일한 혼합을 위해 교반기 등을 이용할 수 있다. 그리고 상기 갈륨화합물을 용해시킬 수 있는 용매를 더 포함할 수도 있다. 추가되는 용매는 상기 용매와 동일 또는 상이할 수 있으며, 용매로 예를 들면 탈이온수, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-프로폭시에탄올 2-부톡시에탄올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에틸에테르, 메틸메톡시프로피온산, 에틸에톡시프로피온산, 에틸락트산, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈, γ-부틸로락톤, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디글라임, 테트라히드로퓨란, 아세틸아세톤 및 아세토니트릴 등에서 선택될 수 있으며, 이들 중에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.

제조된 용액은 상기 b) 단계와 같이 pH 조절제를 투입하여 용액의 pH를 일정범위로 조절함과 동시에 갈륨 수산화물(Ga(OH)₃)을 포함하는 현탁액을 제조하기 위한 단계이다.

본 발명에 따른 pH 조절제는 상기 용액의 pH를 6 내지 10, 바람직하게는 7.5 내지 8.5의 범위로 조절하기 위한 것으로, 예를 들어 암모니아(NH₄OH), 탄산수소암모늄((NH₄)₂CO₃), 황산암모늄((NH₄)₂SO₄), 가성소다(NaOH) 등이 있으며, 바람직하게는 농도 15 내지 30%의 암모니아를 사용하는 것이 바람직하다.

상기 pH 조절제로 암모니아수를 사용하는 경우 암모니아수의 농도가 15% 미만이면 침전 시 침전용량이 커져 생산 효율이 떨어지며, 암모니아수의 농도가 30% 초과하면 반응온도가 증가하여 균일한 입자를 얻을 수가 없으며, 입자가 300㎚ 이상 성장할 수 있다.

또한 상기 pH 조절제를 통해 조절된 용액의 pH가 6 미만의 경우 완전한 반응이 일어나지 않아 회수율에 문제가 생기게 되며, 입자가 불균일하고, 입자들의 강한 응집으로 인해 해쇄에 문제가 발생 하게 된다. 또한, pH가 10 초과인 경우 침전물의 재용해가 일어나 이 또한 회수율에 문제가 생기게 된다.

pH 조절제를 투입한 용액은 용이한 갈륨수산화물 생성을 위해 상기 c) 단계와 같이 방치하여 숙성반응을 진행할 수 있다. 이때 숙성조건은 본 발명에서 한정하고 있지는 않으나 상온에서 1 내지 24시간 동안 숙성반응을 진행할 수 있다.

숙성반응이 끝나면 상기 용액에서 갈륨수산화물을 분리하여 침전물과 액을 분리 하고, 초순수에 투입하여 교반 및 세척한다. 본 발명에서는 교반속도, 교반시간 및 세척회수 등을 한정하고 있지 않으며, 완전한 세척이 일어날 수 있도록 충분한 세척이 필요하다. 또한 상기 교반 및 세척이 끝난 초순수(세척폐수) 내의 갈륨 농도는 10 내지 40 ppm인 것이 바람직하다.

세척이 끝난 갈륨 수산화물은 초순수로부터 여과한 후 건조하여 갈륨 수산화물(GaOOH)을 수득할 수 있다. 이때 상기 건조단계는 100 내지 150 ℃에서 12 내지 24 시간동안 진행하는 것이 바람직하다.

다음으로 수득한 갈륨 수산화물(GaOOH)을 하소하여 산화갈륨(Ga₂O₃)을 수득한다. 상기 하소단계는 700 내지 1,000℃, 바람직하게는 800 내지 900℃에서 1 내지 6시간, 바람직하게는 2 내지 4시간 동안 진행하는 것이 일정한 형태의 산화갈륨을 수득할 수 있어 바람직하다. 특히 하소온도가 700℃ 미만의 경우 원하는 순수한 Ga₂O₃를 얻을 수 없고, GaOOH과 Ga₂O₃이 혼재되어 석출된다. 또한, 열처리 온도가 1,000℃보다 높을 경우 분말의 소결로 인하여 해쇄/분쇄의 공정에 어려움이 있으며 원하는 입자크기보다 커지게 된다.

상기 방법을 통해 제조된 산화갈륨(β-Ga₂O₃)은 단사정계(monoclinic)이며 평균입경이 1 내지 300 ㎚, 비표면적 1 내지 100 ㎡/g일 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 산화갈륨은 투명전도성 산화물의 일종으로 밴드-캡이 커서(Eg=4.8eV) 가시광선 영역뿐만 아니라 250 내지 260㎚ 의 자외선 영역까지 투명하여 파워 디바이스에 응용할 경우 더욱 뛰어난 특성을 기대할 수 있다. 또한 간편한 융액성장방법으로 단결정 기판을 만들 수 있어 산업적 측면에서도 우수한 장점이 있다.

이하, 실시예 및 비교예를 통해 본 발명에 따른 산화갈륨 합성방법을 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 예시일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.

하기 실시예 및 비교예를 통해 제조된 산화갈륨의 물성을 다음과 같이 측정하였다.

(SEM)

JEOL 사의 JSM-6390를 사용하여 측정하였다.

(평균입경)

Malvern 사의 PSA(particle size analyzer, mastersize 2000)를 이용하여 D50 입자 직경을 측정하였다.

(비표면적)

BET법으로 측정하였으며 측정장치는 micromeritics사의 TristarⅡ를 사용하였다.

(분말의 결정도)

분말의 결정도는 XRD를 이용하여 분석하였으며, Rigaku사의 Max-2000을 사용하였다.

(분말의 순도)

ICP(inductively coupled plasma, optima 7300, Perkin Elmer)를 이용하여 순도를 측정하였다.

(실시예 1)

1M의 갈륨 나이트레이트(gallium nitrate) 용액 500 ㎖과 디에틸렌글리콜 500 ㎖를 상온(20℃)에서 혼합하여 용액을 제조한 후, 상기 용액을 폴리테트라플루오르에틸렌 재질의 교반봉을 이용하여 100rpm의 속도로 교반하면서 28% 농도의 암모니아수를 용액의 pH가 8이 될 때까지 적하한 후 60분간 교반하여 현탁액을 얻었다. 얻어진 현탁액을 상온에서 24시간 동안 방치하였다.

숙성과정이 끝난 후, 침전물(갈륨수산화물)을 현탁액과 분리한 후, 세척액(초순수)을 이용하여 침전물을 4회 교반 및 세척하였다. 세척된 침전물은 초순수와 분리하고 100℃에서 24시간 건조시켜 갈륨 수산화물(GaOOH)을 얻었다. 그리고 이 갈륨 수산화물(GaOOH)을 해쇄한 다음, 알루미나 도가니에 넣고 800℃에서 2시간 동안 산화갈륨 분말을 얻었다. 얻어진 산화갈륨 분말의 비표면적, 평균입경, 순도 및 분말의 결정도를 측정하여 하기 표 1에 기재하였다.

(비교예 1)

디에틸렌글리콜을 50 ㎖ 첨가한 것을 제외하고 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 산화갈륨 분말을 제조하였다. 제조된 산화갈륨 분말의 비표면적, 평균입경, 순도 및 분말의 결정도를 측정하여 하기 표 1에 기재하였다.

(비교예 2)

에틸렌글리콜을 500 ㎖ 첨가한 것을 제외하고 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 산화갈륨 분말을 제조하였다. 제조된 산화갈륨 분말의 비표면적, 평균입경, 순도 및 분말의 결정도를 측정하여 하기 표 1에 기재하였다.

(비교예 3)

1,4-부탄디올을 500 ㎖ 첨가한 것을 제외하고 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 산화갈륨 분말을 제조하였다. 제조된 산화갈륨 분말의 비표면적, 평균입경, 순도, 분말의 결정도 및 SEM을 측정하여 하기 표 1 및 도 1 내지 4에 기재하였다.

[표 1]

상기 표 1과 같이 본원발명에 따른 산화갈륨 합성방법은 용매로 디에틸렌글리콜을 사용하며, 용매 및 갈륨화합물의 조성비를 조절함에 따라 평균입경이 100㎚ 내외인 β-Ga₂O₃을 얻을 수 있었다. 또한 순도 측면에서도 99.999%를 기록하여 불순물이 거의 혼입되지 않은 것을 확인할 수 있었다. 이와 달리 디에틸렌글리콜의 함량이 갈륨화합물 대비 1/10 첨가된 비교예 1, 용매로 각각 에틸렌글리콜, 1,4-부탄디올을 사용한 비교예 2, 3의 경우, 제조된 산화갈륨의 평균입경이 ㎛로, 본원발명의 목적에 부합하지 않는 것을 알 수 있었다. 특히 비교예 2, 3의 경우, 도 3, 4와 같이 입자들의 응집이 상당히 심하고, 이로 인해 입자들의 소결이 이루어진 것을 확인할 수 있었다.

Claims (8)

1. a) 갈륨화합물 100 중량부에 대하여 디에틸렌글리콜 50 내지 200 중량부 혼합하여 용액을 제조하는 단계;
   b) 상기 용액에 pH 조절제를 혼합하는 단계; 및
   c) 상기 b) 단계 용액을 방치하여 숙성반응을 진행하는 단계;
   을 포함하는 디에틸렌글리콜을 사용한 산화갈륨 나노입자의 제조방법.
2. 삭제
3. 제 1항에 있어서,
   상기 갈륨화합물은 갈륨할로겐화물, 갈륨질산염, 갈륨황산염 및 갈륨과염소산염에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 디에틸렌글리콜을 사용한 산화갈륨 나노입자의 제조방법.
4. 제 1항에 있어서,
   상기 pH 조절제는 암모니아(NH₄OH), 탄산수소암모늄((NH₄)₂CO₃), 황산암모늄((NH₄)₂SO₄) 및 가성소다(NaOH)에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 디에틸렌글리콜을 사용한 산화갈륨 나노입자의 제조방법.
5. 제 1항에 있어서,
   상기 b) 단계 후 상기 용액의 pH는 6 내지 10 범위인 것인 디에틸렌글리콜을 사용한 산화갈륨 나노입자의 제조방법.
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제

Images