JP2013545319A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013545319A5
JP2013545319A5 JP2013543252A JP2013543252A JP2013545319A5 JP 2013545319 A5 JP2013545319 A5 JP 2013545319A5 JP 2013543252 A JP2013543252 A JP 2013543252A JP 2013543252 A JP2013543252 A JP 2013543252A JP 2013545319 A5 JP2013545319 A5 JP 2013545319A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sulfuric acid
mixed
mixed acidic
phosphoric acid
stream
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013543252A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2013545319A (ja
JP6236320B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2011/063441 external-priority patent/WO2012078580A1/en
Publication of JP2013545319A publication Critical patent/JP2013545319A/ja
Publication of JP2013545319A5 publication Critical patent/JP2013545319A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6236320B2 publication Critical patent/JP6236320B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2013543252A 2010-12-10 2011-12-06 基板から窒化物を選択的に除去する方法 Expired - Fee Related JP6236320B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US42180810P 2010-12-10 2010-12-10
US61/421,808 2010-12-10
PCT/US2011/063441 WO2012078580A1 (en) 2010-12-10 2011-12-06 Process for selectively removing nitride from substrates

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013545319A JP2013545319A (ja) 2013-12-19
JP2013545319A5 true JP2013545319A5 (enExample) 2015-01-29
JP6236320B2 JP6236320B2 (ja) 2017-11-22

Family

ID=46198261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013543252A Expired - Fee Related JP6236320B2 (ja) 2010-12-10 2011-12-06 基板から窒化物を選択的に除去する方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9059104B2 (enExample)
JP (1) JP6236320B2 (enExample)
KR (1) KR101837226B1 (enExample)
CN (2) CN110189995A (enExample)
TW (1) TWI528432B (enExample)
WO (1) WO2012078580A1 (enExample)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074601A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US9257292B2 (en) * 2011-03-30 2016-02-09 Tokyo Electron Limited Etch system and method for single substrate processing
US20120248061A1 (en) * 2011-03-30 2012-10-04 Tokyo Electron Limited Increasing masking layer etch rate and selectivity
US9355874B2 (en) * 2011-09-24 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Silicon nitride etching in a single wafer apparatus
JP5854230B2 (ja) * 2012-12-13 2016-02-09 栗田工業株式会社 基板洗浄液および基板洗浄方法
US9017568B2 (en) 2013-01-22 2015-04-28 Tel Fsi, Inc. Process for increasing the hydrophilicity of silicon surfaces following HF treatment
US8871108B2 (en) * 2013-01-22 2014-10-28 Tel Fsi, Inc. Process for removing carbon material from substrates
JP6352385B2 (ja) * 2013-03-15 2018-07-04 ティーイーエル エフエスアイ，インコーポレイティド 加熱されたエッチング溶液を供する処理システム及び方法
CN105121040B (zh) * 2013-05-08 2018-04-10 东京毅力科创Fsi公司 用于雾度消除和残留物去除的包括水蒸气的方法
JP6225067B2 (ja) * 2013-06-21 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
US10269591B2 (en) * 2013-10-23 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of selectively removing silicon nitride and single wafer etching apparatus thereof
TWI578396B (zh) * 2013-12-11 2017-04-11 斯克林集團公司 基板處理方法及基板處理裝置
JP6434367B2 (ja) * 2015-05-14 2018-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
TWI629720B (zh) * 2015-09-30 2018-07-11 東京威力科創股份有限公司 用於濕蝕刻製程之溫度的動態控制之方法及設備
GB201815163D0 (en) * 2018-09-18 2018-10-31 Lam Res Ag Wafer washing method and apparatus
JP7209556B2 (ja) * 2019-02-05 2023-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
CN111829941A (zh) * 2020-05-27 2020-10-27 盐城工学院 一种用于检测氧化镓单晶加工表面损伤层的腐蚀液及检测方法
JP7779723B2 (ja) * 2021-12-17 2025-12-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
US20230365863A1 (en) * 2022-05-13 2023-11-16 Entegris, Inc. Silicon nitride etching compositions and method

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5885903A (en) 1997-01-22 1999-03-23 Micron Technology, Inc. Process for selectively etching silicon nitride in the presence of silicon oxide
TW380284B (en) * 1998-09-09 2000-01-21 Promos Technologies Inc Method for improving etching uniformity during a wet etching process
US6406551B1 (en) 1999-05-14 2002-06-18 Fsi International, Inc. Method for treating a substrate with heat sensitive agents
US6488272B1 (en) 2000-06-07 2002-12-03 Simplus Systems Corporation Liquid delivery system emulsifier
US6835667B2 (en) 2002-06-14 2004-12-28 Fsi International, Inc. Method for etching high-k films in solutions comprising dilute fluoride species
JP4494840B2 (ja) * 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
CN1914710A (zh) * 2003-12-30 2007-02-14 艾奎昂有限责任公司 在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法
JP4439956B2 (ja) 2004-03-16 2010-03-24 ソニー株式会社 レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置
JP4495022B2 (ja) 2005-03-30 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR100993311B1 (ko) 2005-04-01 2010-11-09 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 하나 이상의 처리 유체로 마이크로일렉트로닉 작업물을 처리하는 장치용 이동 및 중첩 가능한 배플들을 포함하는 소형 덕트 시스템
JP4986566B2 (ja) * 2005-10-14 2012-07-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP4728402B2 (ja) 2005-11-23 2011-07-20 エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド 支持体から物質を除去する方法
JP5181085B2 (ja) 2006-06-22 2013-04-10 リバーベル株式会社 処理装置及び処理方法
CN101484974B (zh) 2006-07-07 2013-11-06 Fsi国际公司 用于处理微电子工件的设备和方法以及遮挡结构
JP4799332B2 (ja) * 2006-09-12 2011-10-26 株式会社東芝 エッチング液、エッチング方法および電子部品の製造方法
JP5199339B2 (ja) * 2007-05-18 2013-05-15 ティーイーエル エフエスアイ，インコーポレイティド 水蒸気または蒸気を用いた基板の処理方法
CN102683249B (zh) 2008-05-09 2015-06-17 泰尔Fsi公司 用于处理微电子工件的系统
US9355874B2 (en) 2011-09-24 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Silicon nitride etching in a single wafer apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013545319A5 (enExample)
JP6236320B2 (ja) 基板から窒化物を選択的に除去する方法
JP6502633B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2015135943A5 (enExample)
JP2014510417A5 (enExample)
MX2012007017A (es) Un proceso de secado por aspersion.
CN104437055A (zh) 一种对真空泵前氨汽进行脱氨处理的负压蒸氨工艺及设备
CN102560496B (zh) 种子层的蚀刻方法
US20140230853A1 (en) Device and method for post-treating a metal strip
CN103868370A (zh) 一种结晶罐真空冷凝器
CN106397362B (zh) 一种环氧丙烷装置中脱氨并回收环氧丙烷、丙烯的方法及设备
JP2013544901A5 (enExample)
CN205903890U (zh) 用于异戊橡胶生产的凝聚装置
JP5909030B2 (ja) 組成物からジオキサンを除去する方法
CN204933234U (zh) 一种复合式脱硫塔
MX2012007018A (es) Un proceso de secado por aspersion.
JP2012506766A (ja) ガス洗浄装置及びガス洗浄方法
CN104078352B (zh) 晶圆清洗方法及晶圆清洗装置
CN204325190U (zh) 一种生物柴油甲醇酸性中和装置
CN211302127U (zh) 脱除聚异戊二烯胶乳中有机溶剂的装置
CN104962322A (zh) 焦炉煤气净化系统
CN223196573U (zh) 一种新型高效汽化闪蒸装置
CN107552481A (zh) 一种硅片清洗工艺
CN219764964U (zh) 一种湿法脱硫塔
CN105435559A (zh) 联产硝酸铵的三聚氰胺尾气处理装置