JP2013539823A - シリコンの製造に適した機械式流動化反応器システム及び方法 - Google Patents
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- B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
- B01J2208/00743—Feeding or discharging of solids
- B01J2208/00752—Feeding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
- B01J2208/00743—Feeding or discharging of solids
- B01J2208/00761—Discharging
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
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Abstract
【選択図】図1
Description
本出願は、その全体を引用によりここに組み入れる2010年10月7日付で出願された米国仮特許出願番号第61/390,977号の、米国特許法第119条(e)の下での利益を主張する。
102、200、300、400:機械式流動床装置
104:格納容器又は反応容器
106:格納容器の内部
108:格納容器の外部
110:容器壁
112:反応ガス供給サブシステム
114:粒子供給サブシステム
116:排気ガス回収サブシステム
118:反応生成物収集サブシステム
120:自動制御サブシステム
122、202、302、402:トレー又はパン
122a、202a、302a、402a:底面
122b、202b、302b、402b:外周壁
124、206、306、406:加熱要素
126:揺動器
128:凹部
133:冷却ジャケット
137:冷却フィン
144、164、178、182:流量調節弁
148:粒子
149:投入ロック・ホッパ
150:運搬サブシステム
170:反応生成物
172:漏斗又はシュート
176:吐出ロック・ホッパ
204:楕円軸受又はカム
208、308、408:基部
210、410:弾性部材
304:圧電トランスデューサ又はアクチュエータ
404:超音波トランスデューサ又はアクチュエータ
Claims (82)
- 複数の微粉、ビーズ又は他の粒子の表面を、第1の気体状化学種を含むガスに対して実質的に露出させるための機械的手段と、
前記微粉、ビーズ若しくは他の粒子、又は前記微粉、ビーズ若しくは他の粒子の前記表面を十分に高い温度まで加熱して、前記表面と接触した第1の気体状化学種が化学的に分解して前記表面上に第2の化学種を実質的に堆積させるようにするための加熱手段と、
加熱により、そのうちの1つが実質的に不揮発性種であって近接した熱い表面上に堆積する傾向にある1つ以上の第2の化学種に分解する化学種から選択された第1のガスの源と、
を含むことを特徴とする、化学蒸着反応器システム。 - 前記第1の化学種はシランガス(SiH4)であることを特徴とする、請求項1に記載の反応器システム。
- 前記第1の化学種はトリクロロシランガス(SiHCl3)であることを特徴とする、請求項1に記載の反応器システム。
- 前記第1の化学種はジクロロシランガス(SiH2C12)であることを特徴とする、請求項1に記載の反応器システム。
- 前記機械的手段は振動床であることを特徴とする、請求項1に記載の反応器システム。
- 前記振動床は、偏心フライホイール、圧電トランスデューサ又は音波トランスデューサのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項5に記載の振動床。
- 前記機械的手段は、毎分約1〜4000サイクルの周波数範囲で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。
- 前記機械的手段は、毎分約500〜と3500サイクルの周波数で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。
- 前記機械的手段は、毎分約1000〜3000サイクルの周波数で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。
- 前記機械的手段は、毎秒約2500サイクルの周波数で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。
- 前記機械的手段は、約1/100〜4インチの振幅で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。
- 前記機械的手段は、約1/64〜1/4インチの振幅で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。
- 前記機械的手段は、約1/32〜1/8インチの振幅で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。
- 前記機械的手段は、約1/64インチの振幅で振動又は揺動を発生させる少なくとも1つの振動又は揺動源を含むことを特徴とする、請求項1に記載の振動床。
- 内部及び外部を有する格納容器を更に含み、
前記機械的手段の少なくとも一部は、前記格納容器の前記内部に配置された振動床を含むことを特徴とする、請求項1に記載の反応器システム。 - 加熱手段は、前記格納容器の前記内部に少なくとも部分的に配置されることを特徴とする、請求項1に記載の反応器システム。
- 前記格納容器の前記内部は、第1の反応物及び第3の非反応性種を含有するガスで満たされることを特徴とする、請求項15に記載の格納容器。
- 前記格納容器は、少なくとも1つの壁を含み、前記少なくとも1つの壁は、前記格納容器の外側に配置された冷却ジャケット又は空冷フィンにより低温に保持されることを特徴とする、請求項15に記載の格納容器。
- 前記冷却ジャケットを通って冷媒が流れ、前記冷媒は、前記格納容器の前記内部における前記ガスの温度が所望の低温に制御されるように制御された、温度及び流量を有することを特徴とする、請求項18に記載の冷却システム。
- 前記格納容器の前記内部における前記ガスの混合平均温度は、30〜500℃に制御されることを特徴とする、請求項19に記載のシステム。
- 前記格納容器の前記内部における前記ガスの混合平均温度は、50〜300℃に制御されることを特徴とする、請求項19に記載のシステム。
- 前記格納容器の前記内部における前記ガスの混合平均温度は、100℃に制御されることを特徴とする、請求項19に記載のシステム。
- 前記格納容器の前記内部における前記ガスの混合平均温度は、50℃に制御されることを特徴とする、請求項19に記載のシステム。
- 前記振動床は、平坦なパンとそこから延びた少なくとも1つの外周壁を含むことを特徴とする、請求項5に記載の振動床。
- 前記振動床は底面を含み、前記底面は、平面であり、加熱されることを特徴とする、請求項24に記載の振動床。
- 前記底面及び前記少なくとも1つの外周壁はコンテナを形成し、第2の種の前記微粉、ビーズ又は他の粒子は、前記コンテナ内に置かれることを特徴とする、請求項25に記載のシステム。
- 前記床の前記加熱された部分の表面温度は、100〜1300℃になるように制御されることを特徴とする、請求項26に記載のシステム。
- 前記床の前記加熱された部分の表面温度は、100〜900℃になるように制御されることを特徴とする、請求項26に記載のシステム。
- 前記床の前記加熱された部分の表面温度は、200〜700℃になるように制御されることを特徴とする、請求項26に記載のシステム。
- 前記床の前記加熱された部分の表面温度は、300〜600℃になるように制御されることを特徴とする、請求項26に記載のシステム。
- 前記床の前記加熱された部分の表面温度は、約450℃になるように制御されることを特徴とする、請求項26に記載のシステム。
- 前記第1の種の分解速度は、前記表面温度を制御することによって制御されることを特徴とする、請求項27に記載のシステム。
- 生成される前記ビーズのサイズは、前記コンテナの前記外周壁の高さにより制御されることを特徴とする、請求項32に記載のシステム。
- 前記外周壁の前記高さを高くすることにより、より大きいビーズが形成され、前記外周壁の前記高さを低くすることにより、より小さいビーズが形成されることを特徴とする、請求項33に記載のシステム。
- 前記床は電気的に加熱されることを特徴とする、請求項27に記載のシステム。
- 前記格納容器の前記内部における前記ガスの圧力は、7〜200psigになるように制御されることを特徴とする、請求項17に記載のシステム。
- 前記格納容器の前記内部における前記ガスは前記第1の反応物を含み、第3の非反応性種が前記格納容器に加えられ、第1の反応物と第3の非反応性希釈剤と前記分解反応により形成された前記第2の種のうちの1つとを含むガスが前記格納容器から引き出されることを特徴とする、請求項17に記載のシステム。
- 前記第1の反応物と第3の非反応性種とを含むガスが前記格納容器に連続的に加えられ、第1の反応物と第3の非反応性希釈剤と前記分解反応により形成された前記第2の種のうちの1つとを含むガスが、前記格納容器から連続的に引き出されることを特徴とする、請求項37に記載のシステム。
- 前記第1の反応物の反応率の程度が、前記格納容器の内側の蒸気空間をサンプリングすることにより連続的に監視されることを特徴とする、請求項38に記載のシステム。
- 前記第1の反応物と第3の非反応性種とを含むガスが前記格納容器にバッチ式に加えられ、第1の反応物と第3の非反応性希釈剤と前記分解反応により形成された前記第2の種のうちの1つとを含むガスが、前記格納容器からバッチ式に引き出されることを特徴とする、請求項37に記載のシステム。
- 前記第1の反応物の反応率の程度は、前記格納容器の内側の前記蒸気空間をサンプリングすることにより、及び/又は、前記格納容器内で上昇若しくは低下する圧力を監視することにより、連続的に監視されることを特徴とする、請求項40に記載のシステム。
- 前記格納容器に加えられる前記ガスは、シランガス(SiH4)と水素希釈剤とを含み、前記格納容器から引き出される前記ガスは、未反応シランガスと水素希釈剤と前記分解反応により形成された水素ガスとを含み、前記床に加えられる前記微粉及び前記ビーズは、シリコンを含むことを特徴とする、請求項37に記載のシステム。
- シランガスの分解はポリシリコンを生成し、前記ポリシリコンは前記微粉上に堆積してビーズを形成し、前記ビーズ上に堆積してより大きなビーズを形成することを特徴とする、請求項42に記載のシステム。
- 前記床からビーズが連続的に採取され、前記採取されるビーズの平均サイズは、前記コンテナの前記外周壁の高さを調整することにより制御されることを特徴とする、請求項43に記載のシステム。
- 前記コンテナの前記外周壁の高さを高くすることにより、より大きいビーズが形成され、前記コンテナの前記外周壁の前記高さを低くすることにより、より小さいビーズが形成されることを特徴とする、請求項44に記載のシステム。
- ビーズの平均サイズは、直径1/100〜1/4インチに制御されることを特徴とする、請求項45に記載のシステム。
- ビーズの平均サイズは、直径1/64〜3/16インチに制御されることを特徴とする、請求項45に記載のシステム。
- ビーズの平均サイズは、直径1/32〜1/8インチに制御されることを特徴とする、請求項45に記載のシステム。
- ビーズの平均サイズは、直径1/8インチに制御されることを特徴とする、請求項45に記載のシステム。
- 前記格納容器内の前記ガスの圧力は、5〜300psiaに制御されることを特徴とする、請求項37に記載のシステム。
- 前記格納容器内の前記ガスの圧力は、14.7〜200psiaに制御されることを特徴とする、請求項38に記載のシステム。
- 前記格納容器内の前記ガスの圧力は、30〜100psiaに制御されることを特徴とする、請求項38に記載のシステム。
- 前記格納容器内の前記ガスの圧力は、70psiaに制御されることを特徴とする、請求項38に記載のシステム。
- 前記格納容器内の前記ガスの圧力は、前記バッチ反応の開始時には14.7psiaに制御され、前記バッチ反応の終了時には28〜32psiaに制御されることを特徴とする、請求項40に記載のシステム。
- 前記第1の化学種の反応率は、前記床の温度、前記振動の周波数、前記振動の振幅、前記格納容器内の第1の種の濃度、前記格納容器内のガスの圧力、及び前記格納容器内の前記ガスの滞留時間を調整することにより制御されることを特徴とする、請求項37に記載のシステム。
- シランの反応率は、前記床の温度、前記振動の周波数、前記振動の振幅、前記格納容器内の第1の種の濃度、前記格納容器内のガスの圧力、及び前記格納容器内の前記ガスの滞留時間を調整することにより制御されることを特徴とする、請求項42に記載のシステム。
- 前記シランガスの反応率は、20〜100%に制御されることを特徴とする、請求項56に記載のシステム。
- 前記シランガスの反応率は、40〜100%に制御されることを特徴とする、請求項56に記載のシステム。
- 前記シランガスの反応率は、80〜100%に制御されることを特徴とする、請求項56に記載のシステム。
- 前記シランガスの反応率は、98%に制御されることを特徴とする、請求項56に記載のシステム。
- 前記外周壁の高さは、1/4〜15インチであることを特徴とする、請求項24に記載のシステム。
- 前記外周壁の高さは、1/2〜15インチであることを特徴とする、請求項24に記載のシステム。
- 前記外周壁の高さは、1/2〜5インチであることを特徴とする、請求項24に記載のシステム。
- 前記外周壁の高さは、1/2〜3インチであることを特徴とする、請求項24に記載のシステム。
- 前記外周壁の高さは、約2インチであることを特徴とする、請求項24に記載のシステム。
- 前記電気的加熱は、前記パンの前記表面の下に配置された抵抗加熱コイルにより行われることを特徴とする、請求項35に記載のシステム。
- 前記抵抗加熱コイルは、シール容器内に配置されることを特徴とする、請求項66に記載のシステム。
- 前記シール容器は、前記パンの下側に直接接触する側を除く全ての側で絶縁されたことを特徴とする、請求項67に記載のシステム。
- 前記パンの下側は、前記加熱コイルを保持する前記シール容器の上側を形成することを特徴とする、請求項68に記載のシステム。
- 前記複数のビーズの前記表面を第1の気体状化学種を含むガスに対して実質的に露出させるための前記機械的手段、及び、前記ビーズ又は前記ビーズの前記表面を加熱するための前記加熱手段は、金属若しくはグラファイト又は金属及びグラファイトの組合せから作られたことを特徴とする、請求項1に記載のシステム。
- 前記金属は316SS又はニッケルであることを特徴とする、請求項70に記載のシステム。
- 前記ビーズの形成速度が微粉の形成速度と一致することを特徴とする、請求項44に記載のシステム。
- 前記微粉の形成速度は、前記振動の周波数、前記振動の振幅、及び前記側部の前記高さを調整することにより制御されることを特徴とする、請求項72に記載のシステム。
- 前記格納容器から引き出された前記水素は、関連付けられたシラン製造プロセスにおける使用のため又は販売用に回収されることを特徴とする、請求項42に記載のシステム。
- 前記ビーズに同伴する水素ガス、又は前記ビーズを構成する前記第2の化学種の中に取り込まれる水素ガスの残留濃度は、前記格納容器に加えられる前記ガス中の前記水素希釈剤の濃度を制御することにより制御されることを特徴とする、請求項42に記載のシステム。
- 前記水素希釈剤の前記濃度は、0〜90モルパーセントに制御されることを特徴とする、請求項75に記載のシステム。
- 前記水素希釈剤の前記濃度は、0〜80モルパーセントに制御されることを特徴とする、請求項75に記載のシステム。
- 前記水素希釈剤の前記濃度は、0〜90モルパーセントに制御されることを特徴とする、請求項75に記載のシステム。
- 前記水素希釈剤の前記濃度は、0〜50モルパーセントに制御されることを特徴とする、請求項75に記載のシステム。
- 前記水素希釈剤の前記濃度は、0〜20モルパーセントに制御されることを特徴とする、請求項75に記載のシステム。
- 2つ以上の分離バルブと中間の第2の格納容器とを含む吐出ロック・ホッパを更に含み、前記平坦なパンから溢れた粒子は、前記吐出ロック・ホッパを通って前記格納容器から取り出されることを特徴とする、請求項44に記載のシステム。
- 2つ以上の分離バルブと中間の第2の格納容器とを含む投入ロック・ホッパを更に含み、前記投入ロック・ホッパは、前記格納容器の前記内部に結合し、粒子を前記格納容器の前記内部に選択的に供給するように動作可能であることを特徴とする、請求項15に記載のシステム。
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