JP2013539220A - ヒート・シンクを介した一体型の送電および配電のための方法、3次元vlsi、データ処理システム(集積回路のためのヒート・シンク一体型送電および配電) - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この機構は、第1の結合デバイス・セットを介してシグナリングおよび入出力(I/O)レイヤに結合されたプロセッサ・レイヤと、第2の結合デバイス・セットを介してプロセッサ・レイヤに結合されたヒート・シンクと、を含む。この機構において、ヒート・シンクが一面上に複数の溝を含み、各溝が、プロセッサ・レイヤに送出される電力のための経路または接地のための経路のいずれかを提供する。この機構において、ヒート・シンクは、送電専用であり、機構の要素にデータ通信信号を供給せず、シグナリングおよび入出力(I/O)レイヤは、プロセッサ・レイヤへのデータ通信信号の送信およびプロセッサ・レイヤからのデータ通信信号の受信のみに専用であり、プロセッサ・レイヤの要素に電力を供給しない。
【選択図】図2
Description
Claims (24)
- 3次元超大規模集積回路(VLSI)デバイスであって、
第1の結合デバイス・セットを介して少なくとも1つのシグナリングおよび入出力(I/O)レイヤに結合されたプロセッサ・レイヤと、
第2の結合デバイス・セットを介して前記プロセッサ・レイヤに結合されたヒート・シンクと、
を含み、
前記ヒート・シンクが一面上に複数の溝を含み、
前記複数の溝における各溝が、前記プロセッサ・レイヤに送出される電力のための経路または接地のための経路のいずれかを提供し、
前記ヒート・シンクが、送電専用であり、前記3次元VLSIデバイスの要素にデータ通信信号を供給せず、
前記少なくとも1つのシグナリングおよび入出力(I/O)レイヤが、前記プロセッサ・レイヤへの前記データ通信信号の送信および前記プロセッサ・レイヤからの前記データ通信信号の受信のみに専用であり、前記プロセッサ・レイヤの要素に電力を供給しない、3次元VLSIデバイス。 - 前記複数の溝における各溝が、前記ヒート・シンクと、前記電力のための経路または前記接地のための経路のいずれかを供給する導体との間に絶縁性材料を含む、請求項1に記載の3次元VLSIデバイス。
- 前記絶縁性材料が、セラミック、酸化物、またはポリマーの少なくとも1つである、請求項2に記載の3次元VLSIデバイス。
- 前記酸化物が、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、または二酸化シリコン(SiO2)の少なくとも1つである、請求項3に記載の3次元VLSIデバイス。
- 前記ヒート・シンクが熱伝導性材料であり、前記熱伝導性材料が銅またはアルミニウムの少なくとも1つである、請求項2に記載の3次元VLSIデバイス。
- 前記導体が銅またはアルミニウムの少なくとも1つである、請求項2に記載の3次元VLSIデバイス。
- 前記ヒート・シンクが前記プロセッサ・レイヤに接地電位を供給する、請求項1に記載の3次元VLSIデバイス。
- 前記複数の溝が前記プロセッサ・レイヤにおける複数のプロセッサの配置と一致している、請求項1に記載の3次元VLSIデバイス。
- データ処理システムであって、
第1の結合デバイス・セットを介して少なくとも1つのシグナリングおよび入出力(I/O)レイヤに結合されたプロセッサ・レイヤと、
第2の結合デバイス・セットを介して前記プロセッサ・レイヤに結合されたヒート・シンクと、
を含み、
前記ヒート・シンクが一面上に複数の溝を含み、
前記複数の溝における各溝が、前記プロセッサ・レイヤに送出される電力のための経路または接地のための経路のいずれかを提供し、
前記ヒート・シンクが、送電専用であり、前記データ処理システムの要素にデータ通信信号を供給せず、
前記少なくとも1つのシグナリングおよび入出力(I/O)レイヤが、前記プロセッサ・レイヤへの前記データ通信信号の送信および前記プロセッサ・レイヤからの前記データ通信信号の受信のみに専用であり、前記プロセッサ・レイヤの要素に電力を供給しない、データ処理システム。 - 前記複数の溝における各溝が、前記ヒート・シンクと、前記電力のための経路または前記接地のための経路のいずれかを供給する導体との間に絶縁性材料を含む、請求項9に記載のデータ処理システム。
- 前記絶縁性材料が、セラミック、酸化物、またはポリマーの少なくとも1つである、請求項10に記載のデータ処理システム。
- 前記酸化物が、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、または二酸化シリコン(SiO2)の少なくとも1つである、請求項11に記載のデータ処理システム。
- 前記ヒート・シンクが熱伝導性材料であり、前記熱伝導性材料が銅またはアルミニウムの少なくとも1つである、請求項10に記載のデータ処理システム。
- 前記導体が銅またはアルミニウムの少なくとも1つである、請求項10に記載のデータ処理システム。
- 前記ヒート・シンクが前記プロセッサ・レイヤに接地電位を供給する、請求項9に記載のデータ処理システム。
- 前記複数の溝が前記プロセッサ・レイヤにおける複数のプロセッサの配置と一致している、請求項9に記載のデータ処理システム。
- データ処理システムにおいて、3次元超大規模集積回路(VLSI)デバイスでヒート・シンクを介して集積回路に対して一体型の送電および配電を行うための方法であって、
第1の結合デバイス・セットを用いて少なくとも1つのシグナリングおよび入出力(I/O)レイヤにプロセッサ・レイヤを結合することと、
第2の結合デバイス・セットを用いて前記プロセッサ・レイヤにヒート・シンクを結合することと、
を含み、
前記ヒート・シンクが一面上に複数の溝を含み、
前記複数の溝における各溝が、前記プロセッサ・レイヤに送出される電力のための経路または接地のための経路のいずれかを提供し、
前記ヒート・シンクが、送電専用であり、前記データ処理システムの要素にデータ通信信号を供給せず、
前記少なくとも1つのシグナリングおよび入出力(I/O)レイヤが、前記プロセッサ・レイヤへの前記データ通信信号の送信および前記プロセッサ・レイヤからの前記データ通信信号の受信のみに専用であり、前記プロセッサ・レイヤの要素に電力を供給しない、方法。 - 前記複数の溝における各溝が、前記ヒート・シンクと、前記電力のための経路または前記接地のための経路のいずれかを供給する導体との間に絶縁性材料を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記絶縁性材料が、セラミック、酸化物、またはポリマーの少なくとも1つである、請求項18に記載の方法。
- 前記酸化物が、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、または二酸化シリコン(SiO2)の少なくとも1つである、請求項19に記載の方法。
- 前記ヒート・シンクが熱伝導性材料であり、前記熱伝導性材料が銅またはアルミニウムの少なくとも1つである、請求項18に記載の方法。
- 前記導体が銅またはアルミニウムの少なくとも1つである、請求項18に記載の方法。
- 前記ヒート・シンクが前記プロセッサ・レイヤに接地電位を供給する、請求項17に記載の方法。
- 前記複数の溝が前記プロセッサ・レイヤにおける複数のプロセッサの配置と一致している、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/914,697 | 2010-10-28 | ||
US12/914,697 US8405998B2 (en) | 2010-10-28 | 2010-10-28 | Heat sink integrated power delivery and distribution for integrated circuits |
PCT/EP2011/068427 WO2012055782A1 (en) | 2010-10-28 | 2011-10-21 | Heat sink integrated power delivery and distribution for integrated circuits |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013539220A true JP2013539220A (ja) | 2013-10-17 |
JP5613334B2 JP5613334B2 (ja) | 2014-10-22 |
Family
ID=44883231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013527650A Expired - Fee Related JP5613334B2 (ja) | 2010-10-28 | 2011-10-21 | ヒート・シンクを介した一体型の送電および配電のための方法、3次元vlsi、データ処理システム(集積回路のためのヒート・シンク一体型送電および配電) |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8405998B2 (ja) |
JP (1) | JP5613334B2 (ja) |
CN (1) | CN103180946B (ja) |
DE (1) | DE112011102966B4 (ja) |
GB (1) | GB2498310B (ja) |
WO (1) | WO2012055782A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2010
- 2010-10-28 US US12/914,697 patent/US8405998B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-21 JP JP2013527650A patent/JP5613334B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-21 WO PCT/EP2011/068427 patent/WO2012055782A1/en active Application Filing
- 2011-10-21 GB GB1307552.8A patent/GB2498310B/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-21 CN CN201180051958.8A patent/CN103180946B/zh active Active
- 2011-10-21 DE DE112011102966.7T patent/DE112011102966B4/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112011102966B4 (de) | 2016-11-03 |
WO2012055782A1 (en) | 2012-05-03 |
GB2498310A (en) | 2013-07-10 |
CN103180946A (zh) | 2013-06-26 |
US8405998B2 (en) | 2013-03-26 |
US20120106074A1 (en) | 2012-05-03 |
DE112011102966T5 (de) | 2013-06-27 |
GB2498310B (en) | 2014-03-12 |
JP5613334B2 (ja) | 2014-10-22 |
CN103180946B (zh) | 2016-01-13 |
GB201307552D0 (en) | 2013-06-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20130722 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140805 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140819 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140905 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |