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  1. 有機電子デバイス用の正孔伝導層であって、
    正孔伝導体マトリックス中へ、中心原子と配位子とを含む平面四角形の単核遷移金属錯体を含むドーパントが導入されており、その際に該遷移金属錯体が次の式:
    Figure 2013527599
    [式中、
    1 、Y 2 は互いに独立して、N、C−R又はC−Hからなり、
    1 及びX 2 は、互いに独立してO又はN−Rであり、
    R、R 1a 、R 1b 、R 2a 及びR 2b は互いに独立して、非分枝鎖状の、分枝鎖状の、縮合された、環状の又は完全にか又は部分的に置換されたC 1 〜C 20 アルキル基、置換又は非置換の芳香族又はヘテロ環である]を有する、有機電子デバイス用の正孔伝導層。
  2. 前記配位子が、アセチルアセトナート(acac)、トリフルオロアセチルアセトナート(tfac)、ヘキサフルオロアセチルアセトナート(hfac)、6,6,7,7,8,8,8−ヘプタフルオロ−2,2−ジメチル−3,5−オクタンジオナート(fod)、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナート(dpm)の群から選択されている、請求項記載の正孔伝導層。
  3. 有機電子デバイスにおける、請求項1又は2記載の正孔伝導層の使用。
  4. ドープされた正孔伝導層を有する有機電子デバイスであって、
    そのドープ物質が、単核であり、かつ平面四角形であり、かつ次の式:
    Figure 2013527599
    [式中、
    1 、Y 2 は互いに独立して、N、C−R又はC−Hからなり、
    1 及びX 2 は、互いに独立してO又はN−Rであり、
    R、R 1a 、R 1b 、R 2a 及びR 2b は互いに独立して、非分枝鎖状の、分枝鎖状の、縮合された、環状の又は完全にか又は部分的に置換されたC 1 〜C 20 アルキル基、置換又は非置換の芳香族又はヘテロ環である]を有する遷移金属錯体を含む、ドープされた正孔伝導層を有する有機電子デバイス。
  5. 自己発光デバイスである、請求項記載のデバイス。
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