JP2013518109A - シクロヘキサシラン化合物を生成する方法 - Google Patents

シクロヘキサシラン化合物を生成する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013518109A
JP2013518109A JP2012551225A JP2012551225A JP2013518109A JP 2013518109 A JP2013518109 A JP 2013518109A JP 2012551225 A JP2012551225 A JP 2012551225A JP 2012551225 A JP2012551225 A JP 2012551225A JP 2013518109 A JP2013518109 A JP 2013518109A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tertiary
trichlorosilane
reagent composition
dianion
polyamine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012551225A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5697692B2 (ja
JP2013518109A5 (ja
Inventor
アルムガサミー エランゴバン
ケネス アンダーソン
フィリップ アール. ブードジョーク
ダグラス エル. シュルツ
Original Assignee
エヌディーエスユー リサーチ ファウンデーション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エヌディーエスユー リサーチ ファウンデーション filed Critical エヌディーエスユー リサーチ ファウンデーション
Publication of JP2013518109A publication Critical patent/JP2013518109A/ja
Publication of JP2013518109A5 publication Critical patent/JP2013518109A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5697692B2 publication Critical patent/JP5697692B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04Hydrides of silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/025Silicon compounds without C-silicon linkages
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/21Cyclic compounds having at least one ring containing silicon, but no carbon in the ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
    • C07F9/02Phosphorus compounds
    • C07F9/28Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
    • C07F9/54Quaternary phosphonium compounds
    • C07F9/5442Aromatic phosphonium compounds (P-C aromatic linkage)

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)

Abstract

トリクロロシランからシクロヘキサシラン化合物を調製する方法が提供される。該方法は、トリクロロシランと試薬組成物とを接触させることで、テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン、例えばテトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物を生成する工程を含む。試薬組成物は、(a) 第三級ポリアミン配位子; および(b) 少なくとも約10.5のpKaを有する第三級アミンなどの脱プロトン化試薬を典型的に含む。テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物をシクロヘキサシランまたはドデカオルガノシクロヘキサシランに変換する方法もまた提供される。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、「Method of Producing Cyclohexasilane Compounds」と題する2010年1月28日出願の米国仮出願第61/299,287号、および「Method of Producing Cyclohexasilane Compounds」と題する2010年3月5日出願の米国仮出願第61/311,118号の米国特許法第119(e)条に基づく恩典を主張し、これらの開示はその全体が参照により本明細書に組み入れられる。
政府の権利の表明
本発明は、米国エネルギー省補助金第DE-FG36-08GO88160号に基づく政府の支援により行った。政府は本発明において一定の権利を有する。
背景
テトラデカハロシクロヘキサシラン化合物、例えば式YmSi6X14-nX'n(Y=+1電荷およびm=2、または+2電荷およびm=1のカチオンであり; XおよびX'=F、Cl、Br、Iであり、n=0〜13である)で表されるものは、シクロヘキサシランSi6H12および他のシラン化合物の生成における重要な中間体である。シクロヘキサシランは、エレクトロニクスグレードのケイ素材料およびケイ素素子用の液体前駆体として使用することができる。シクロヘキサシランは、ケイ素ベースの電子産業で採用される様々なプロセスおよび技術における、ガス状SiH4および/または腐食性トリクロロシラン(HSiCl3)の相対的に無害な液相代替物である。Y2Si6Cl14中間体塩を生成する既存の方法は、求核性有機アミンを配位子として典型的に使用する。そのような合成は広範な副反応の傾向があり、副反応は有用な出発原料を減損させ、中間体Y2Si6Cl14塩の低収率(典型的には約10%)をもたらす。
概要
本出願は、トリクロロシランからシクロヘキサシラン化合物を調製する方法に関する。該方法は、トリクロロシランと試薬組成物とを接触させることで、テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン、例えばテトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物を生成する工程を含む。試薬組成物は、(a) 第三級ポリアミン配位子、例えばアルキル置換ポリアルキレンポリアミン; および(b) ポリアミン配位子以外の化合物を含む脱プロトン化試薬を典型的に含む。脱プロトン化試薬は、少なくとも約10.5、多くの場合11以上のpKaを有する第三級アミンを含みうる。反応成分および反応条件に応じて、1〜72時間の反応時間を一般的に使用することができ、相対的に短い反応時間(例えば2〜10時間)が望ましい。本方法は、テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオン生成物の非常に増大した収率をもたらすことができる。
特定の態様では、試薬組成物は、(a) 第三級ポリアルキレンポリアミン; および(b) 少なくとも約10.5のpKaを有するトリアルキルアミンなどの脱プロトン化試薬を含みうる。第三級ポリアミン配位子は、窒素原子をアルキル、アリールおよび/またはアラルキル置換基(望ましくはアルキルおよび/またはアラルキル)のみと共に含有するポリアミンでありうる。好適な第三級ポリアルキレンポリアミンの例としては、N,N,N',N'-テトラエチルエチレンジアミン(TEEDA)およびN,N,N',N'',N''-ペンタエチルジエチレントリアミン(PEDETA)などのペンタアルキルジエチレントリアミンおよびテトラアルキルエチレンジアミン、ならびに、N,N,N',N'-テトラエチル-N''-ベンジルジエチレントリアミンなどのN,N,N',N'-テトラアルキル-N''-ベンジルジエチレントリアミンが挙げられる。
試薬組成物は、少なくとも約10.5のpKaを有する第三級アミンを含むことが望ましいことがある。好適な例としては、3個のアルキル、アリールおよび/またはアラルキル置換基で置換された、少なくとも約10.5のpKaを有する第三級アミンが挙げられる。例えば、試薬組成物は、アルキル基がメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチルおよび/または他の分岐/直鎖アルキル基(望ましくは6個以下の炭素原子を有する)であるN,N-ジイソプロピルアルキルアミンおよび/またはN,N-ジイソブチルアルキルアミンを含みうる。第三級アミンは、ベンジルおよび/またはフェネチルなどの1個または複数のアラルキル基で置換されていてもよい。いくつかの態様では、試薬組成物は、n-アルキル基が6個以下の炭素原子を典型的に有するトリ-n-アルキルアミン(例えばトリエチルアミン、トリ-(n-プロピル)アミンおよび/またはトリ-(n-ブチル)アミン)を含みうる。好適な第三級アミンの他の例としては、アルキル基が望ましくはC1〜C6アルキル、好ましくはメチルであるN,N,N',N'-テトラアルキル-1,8-ナフタレンジアミン(例えばN,N,N',N'-テトラメチル-1,8-ナフタレンジアミンおよび/またはN,N,N',N'-テトラエチル-1,8-ナフタレンジアミン)が挙げられる。
いくつかの態様では、高pKa第三級アミン(例えば、少なくとも約10.5のpKaを有するトリアルキルアミン)などの脱プロトン化試薬は、ポリアミン配位子としてのPEDETAとの組み合わせで使用する場合、テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン塩、例えばテトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオン塩の向上した収率をもたらす。この有益な効果は、高pKa第三級アミンをポリアミン配位子としてのTEEDAとテトラアリールホスホニウム塩などの第四級塩との組み合わせと共に使用する場合にも見られる。いくつかの場合、立体障害第三級アミン(例えばEDIPA(登録商標))の使用が有利でありうる。多くの場合、試薬組成物中の脱プロトン化試薬(例えば立体障害第三級アミン)が存在しないことは、大部分は望まれない副反応の発生による低生成物収率(一般的には10%未満)をもたらす。
テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物をシクロヘキサシランまたはドデカオルガノシクロヘキサシランに変換する方法も提供される。例えば、本方法により生成されるテトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物を、金属水素化物還元剤との反応を通じてシクロヘキサシランに変換することができる。テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物と、式RMgX(式中、Rはアルキルまたはアリールであり、Xはハロゲン化物である)を有する試薬とを反応させることで、ドデカオルガノシクロヘキサシラン化合物を生成することもできる。
詳細な説明
本出願は、相対的に高pKaの第三級アミン(例えば、立体障害非求核性アミンであるN,N-ジイソプロピルアミン(EDIPA(登録商標))などの脱プロトン化試薬の使用に関し、またホスホニウム対イオン材料などの第四級対イオン材料を使用することで、副反応を減少させ、所望のテトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオン生成物の有効な析出を促進することができる。このアプローチは正反応を推進するものであり、収率を劇的に増大させることができる。実験の過程で、ジクロロメタン溶媒中のPEDETA・H2SiCl2錯体に対するEDIPA(登録商標)の作用による、(既に報告された方法を使用する約10%の最大収率に対して)3倍以上の収率の向上が観察された。第三級ポリアミンPEDETAとHSiCl3との反応にEDIPA(登録商標)を最適な比で直接加えた際に、(PEDETA・SiH2Cl)2(Si6Cl14)塩の収率は、従来のプロセスで実現した約10%の収率に対して約1桁(65〜85%)向上した。いくつかの場合では、第四級塩(例えばRnR'4-nEX、ここでn=1〜4であり、R、R'=H、アルキル、アリールであり; E=N、P、As、Sb、Biである)を反応に加えることができる。例えば、ポリアミン配位子としてのTEEDAおよび脱プロトン化試薬としてのEDIPA(登録商標)の使用は、Ph4PClを使用して対イオン材料を導入する場合、テトラデカクロロシクロ-ヘキサシランジアニオン塩(Y2Si6Cl14)の収率を7倍以上増大させる。好適な第四級塩の別の例は第四級アンモニウム塩である。
高pKa第三級アミン(例えばEDIPA(登録商標)またはトリエチルアミン(TEA))が、ポリアミン配位子としてのPEDETAと共に使用される場合にY2Si6Cl14の非常に増大した収率(例えば65〜85%)をもたらすことができることが示された。向上した収率は、高pKa第三級アミンをポリアミン配位子としてのTEEDAとテトラフェニルホスホニウムカチオンなどのテトラアリールホスホニウムカチオンとの組み合わせと共に使用する場合にも見られる。多くの場合、試薬組成物中の脱プロトン化試薬(すなわち上記の高pKa第三級アミン)が存在しないことは、大部分は望まれない副反応の発生による低Y2Si6Cl14収率(すなわち一般的には10%未満)を生じさせる。
好適な第三級ポリアミン配位子の他の例としては第三級ポリアルキルポリ-アルケンアミン、第三級ポリアルキレンポリアルケンアミン、第三級ポリアリールポリアルケンアミン、第三級ポリアラルキルポリエンアミン、および窒素上に1個または複数のシリル基を有する第三級アミンが挙げられる。好適な第三級ポリアミン配位子としては、窒素原子上でアルキルおよび/またはアラルキル置換基の混合物で置換された第三級ポリアルキレンポリアミンを挙げることもできる。例としてはN,N,N',N'-テトラエチル-N''-ベンジルジエチレントリアミンなどのN,N,N',N'-テトラアルキル-N''-ベンジルジエチレン-トリアミン、ならびにアルキルおよび/またはベンジル基が炭化水素または有機ケイ素基で置き換えられた関連誘導体が挙げられるがそれに限定されない。
EDIPA(登録商標)などの立体障害第三級アミンが、本方法に従ってポリアミンとの組み合わせで使用される場合の脱プロトン化試薬としての使用に好適である。EDIPA(登録商標)の立体障害性および相対的に高いpKa(すなわち11.3)は、求核剤として作用するその役割を制限しながら、プロトン引き抜き効率を増大させうる。両方の特徴が、四塩化ケイ素などの望まれない副生成物の形成を制限すると考えられる。また、テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオン生成物の収率は、高pKaプロトン引き抜き剤(すなわち脱プロトン化試薬)として作用する他の第三級アミンの使用により第三級ポリアミン(例えばPEDETA)を多座配位子として機能させることを通じて増大しうる。
好適な高pKa第三級アミンの他の例としてはN,N-ジイソプロピル-アラルキルアミン、N,N-イソプロピルジアラルキルアミン、N,N-ジイソプロピルアリールアミン、N,N-ジアリールアルキル-アミン、N,N,N-トリアリールアミンおよび/またはN,N,N-トリアラルキルアミンが挙げられ、そのような第三級アミンは少なくとも約10.5のpKaを有することが好ましい。
好適な高pKa第三級アミンの他の例としては、N-アルキルピペラジン、N-アラルキル置換ピペラジン、N-アルキルピロリジンおよびN-アラルキル置換ピロリジンなどのアルキル化環状アミンが挙げられる。N-アルキルピペラジンおよびN-アルキルピロリジンは、窒素原子上の置換基としてのかさ高いアルキル基(例えばN-イソプロピル、N-イソブチルまたはN-シクロヘキシル)を含むことが望ましいことがある。環状アミン中で窒素原子に直ちに隣接した炭素原子は1個または複数のアルキル基で置換されていてもよい。好適なN-アルキルピロリジンの例としてはN-イソプロピルピロリジン、N-エチル-2-メチルピロリジンおよびN-ベンジル-ピロリジンが挙げられる。好適なN-アルキルピペラジンの例としてはN-イソプロピルピペラジン、N-エチル-2-メチルピペラジンおよびN-フェネチルピペラジンが挙げられる。そのような第三級アルキル化環状アミンは少なくとも約10.5のpKaを有することが望ましい。
本方法において使用することができる好適な脱プロトン化試薬の他の例としては、金属水素化物試薬が挙げられる。例えば、LiH、NaH、KH、MgH2、CaH2、SrH2およびBaH2などの金属水素化物は、良好な脱プロトン化剤であることが知られており、第三級アミン脱プロトン化試薬の代わりにまたはそれと組み合わせて使用することができる。さらに、アルカリ金属アミド(すなわちMNR2、ここでM=Li、Na、Kであり、R=アルキル、アリール、アラルキルまたは有機シリル基である)およびアルカリ土類アミド(すなわちM(NR2)2、ここでM=Mg、Ca、Sr、Baであり、R=アルキル、アリール、アラルキルまたは有機シリル基である)を脱プロトン化試薬として使用することができる。そのような金属アミドの典型例はリチウムジイソプロピルアミド(LiN(i-Pr)2)およびナトリウムヘキサメチルジシラジド(NaN(SiMe3)2)である。
本方法では、トリクロロシランと試薬組成物との接触を、クロロシランと別の反応物質とを接触させるために好適な任意の標準反応器中で行うことができる。反応器は、例えば連続攪拌回分式反応器、半回分式反応器または連続式反応器でありうる。いくつかの態様では、密封可能な容器中で本反応を行うことにより、反応の過程での揮発性成分の潜在的損失を最小化することが有利なことがある。密封式反応器の使用は、溶媒、または反応混合物の他の成分の沸点(例えばHSiCl3、沸点32℃)を超える温度で反応を実行させることもできる。
本方法は実質的に無水の条件下で行うことが好ましい。これは、窒素またはアルゴンなどの乾燥不活性ガスで反応器をパージした後、反応器中にそのような不活性ガスのブランケットを維持することにより実現することができる。多くの場合、すべてのガラス器具は使用前に洗浄され、140〜150℃で少なくとも数時間乾燥される。すべての手順は標準シュレンク技術を使用して窒素および/またはアルゴン雰囲気下で行うことができる。
Y2Si6Cl14は希釈剤の非存在下で本方法を介して調製することができるが、トリクロロシランと試薬組成物とを接触させる工程は有機溶媒の存在下で典型的に行われる。テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンを形成するためのトリクロロシランのカップリング反応に干渉しないあらゆる有機溶媒または有機溶媒の混合物を使用することができる。有機溶媒は、クロロホルム、ジクロロメタンおよび/または1,2-ジクロロエタンなどのハロ有機溶媒を含みうる。非常に多くの場合、有機溶媒はジクロロメタンおよび/または1,2-ジクロロエタンである。存在する場合、有機溶媒の量は全試薬の合計体積の典型的には0.01〜100倍(好ましくは0.5〜10倍)である。
トリクロロシランと試薬組成物とを0〜120℃の温度で接触させることができ、一般的な反応温度は20〜75℃(好ましくは約40〜65℃)である。比較的高い温度を、高圧下で、または還流条件下の比較的高沸点の溶媒中で実現することができる。トリクロロシランと試薬組成物とを15〜75℃、多くの場合約25〜65℃の温度で接触させることができる。いくつかの態様では、トリクロロシランを反応混合物に相対的に低い温度、例えば-40〜25℃で導入することができる。トリクロロシランの添加が完了した後、上記の比較的高い温度で反応を典型的に進行させる。
テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物を反応混合物から結晶化/析出により単離することができる。例えば、テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物の回収を、結晶化を促進する十分な量の有機溶媒を加えることで実現することができる。結晶化は室温以下で起こりうる。あるいは、テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物の反応混合物からの回収を、該化合物の析出を支援する十分な量の有機溶媒を加えることで(例えば、テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオン塩の塩素化有機溶媒溶液に炭化水素非溶媒を加えることで)行うこともできる。いくつかの場合では、ブレンド溶媒系を使用することが有利なことがある。そのような混合物は塩素化有機溶媒(例えばCH2Cl2および/もしくはC2H4Cl2)、ならびに/または脂肪族炭化水素(例えばペンタン、ヘキサンおよび/もしくはシクロヘキサン)、ならびに/またはエーテル(例えばジエチルエーテルおよび/もしくはテトラヒドロフラン)、ならびに/または芳香族炭化水素(例えばベンゼンおよび/もしくはトルエン)溶媒を利用する。
テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物の反応混合物からの結晶化または析出を実行し、回収中の該化合物とは反応しない、あらゆる有機溶媒またはそのような溶媒の混合物を、本方法において使用することができる。好適な有機溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンおよびノナンなどの炭化水素、ならびにジエチルエーテルおよびテトラヒドロフランなどのエーテルが挙げられる。好ましくは、本方法により生成される化合物の結晶化または析出を実行するために使用される有機溶媒は、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンまたはノナンである。特に好適な溶媒の一例はペンタンである。
テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン、例えばテトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンをシクロヘキサシランに化学的に還元することができる。還元反応は、テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物と金属水素化物還元剤とを有機溶媒中、-110〜150℃の温度で接触させることで行うことができる。好適な還元剤としては水素化アルミニウムリチウムおよび水素化ジイソブチルアルミニウムが挙げられる。
テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン、例えばテトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンとグリニャール試薬とを接触させてドデカオルガノシクロヘキサシランを形成することもできる。グリニャール試薬は式RMgXで表され、式中、Rはアルキルまたはアリールであり、XはCl、BrまたはIである。好適なR基としてはメチル、エチル、プロピル、tert-ブチルおよびフェニルが挙げられるがそれに限定されない。テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物とグリニャール試薬との反応は、クロロシランとグリニャール試薬とを反応させるための当技術分野で公知の標準的方法により行うことができる。
本発明を例示し、かつ当業者がそれを実施および使用することを支援するために、以下の実施例を提示する。これらの実施例は、本発明の範囲を別途限定するようには決して意図されていない。すべての収率は、別途記述がない限り重量パーセントによる。別途指定がない限り、すべての手順は、標準シュレンク技術を使用して窒素雰囲気下で、または慎重に乾燥させて窒素で充填したグローブボックス中で行う。すべてのガラス器具は使用前に適切に洗浄され、140〜150℃で少なくとも2時間乾燥される。
比較例1
脱プロトン化試薬を用いない(PEDETA・SiH 2 Cl) 2 (Si 6 Cl 14 )の合成
マグネチックスターラおよびフリードリヒ冷却器を備えた3L三つ口丸底フラスコ(事前にオーブン中140℃で乾燥)を窒素で洗い流した。フラスコにジクロロメタン(400mL)、続いてN,N,N',N'',N''-ペンタエチルジエチレントリアミン(PEDETA、115.4g、474mmol)を装入した。この混合物にトリクロロシラン(250mL、1.37mol)を1時間かけて滴下した。添加中に発熱が観察され、蒸気を凝縮してフラスコに戻した(フリードリヒ冷却器の冷媒温度は-10℃に維持)。発熱が沈静した後、反応混合物を窒素雰囲気下、還流(約45℃)で72時間攪拌した。この期間の最後に加熱を中断し、析出物を沈殿させた。反応混合物を吸引濾過し、得られた生成物をジクロロメタン(200mL)で洗浄して無色固体30g(23.4mmol)(PEDETAに対して収率9.8%)を得た。
比較例2
脱プロトン化試薬を用いない(Ph 4 P) 2 (Si 6 Cl 14 )の合成
テトラフェニルホスホニウムクロリド(Ph4PCl、1.87g、4.99mmol)のジクロロメタン10mL溶液にN,N,N',N'-テトラエチルエチレンジアミン(TEEDA)(1.09mL、5.11mmol)を加えた。冷却したシリンジを使用して、トリクロロシラン(2.02mL)を攪拌溶液にゆっくりと加えた。反応溶液を72時間還流し、その間に生成物が無色固体として析出した。固体を濾過し、ジクロロメタンで洗浄し、高真空下で3時間乾燥させて(Ph4P)2(Si6Cl14)塩(0.687g、20.4%)を得た。
実施例1
脱プロトン化試薬を用いる(PEDETA・SiH 2 Cl) 2 (Si 6 Cl 14 )の合成
マグネチックスターラおよびフリードリヒ冷却器を備えた3L三つ口丸底フラスコを窒素で洗い流した。次にフラスコにジクロロメタン(400mL)、続いてPEDETA(81.5g、320mmol)およびEDIPA(登録商標)(143g、1.10mol)を装入した。トリクロロシラン(187mL、1.85mol)をこの混合物に1時間かけて滴下し、発熱により形成された蒸気を凝縮してフラスコに戻した(フリードリヒ冷却器の冷媒温度は-10℃に維持)。添加後、反応混合物を窒素雰囲気下、還流(約45℃)で42〜72時間攪拌した。この期間の最後に加熱を中断し、無色析出物を吸引濾過した。得られた生成物を窒素下、ジクロロメタン100mLで洗浄して(PEDETA・SiH2Cl)2(Si6Cl14) 165g(128mmol)を収率81%(PEDETAに対する)で得た。
実施例2
脱プロトン化試薬としてのEDIPA(登録商標)を用いる(Ph 4 P) 2 (Si 6 Cl 14 )の合成
Ph4PCl(1.88g、5.02mmol)のジクロロメタン20mL溶液にTEEDA(1.09mL、5.11mmol)およびEDIPA(登録商標)(2.61mL、15.0mmol)を加えた。冷却したシリンジを使用して、トリクロロシラン(3.10mL、30.7mmol)を攪拌溶液にゆっくりと加えた。このクロロシランの添加によって、溶液は昇温し、わずかに黄色になった。反応溶液を72時間還流し、その間に生成物が無色固体として析出した。固体を濾過し、ジクロロメタンで洗浄し、真空下で3時間乾燥させて(Ph4P)2(Si6Cl14) 2.37gを収率70.3%(Ph4PClに対する)で得た。
実施例3
脱プロトン化試薬としてのトリエチルアミンを用いる(Ph 4 P) 2 (Si 6 Cl 14 )の合成
Ph4PCl(1.88g、5.02mmol)のジクロロメタン20mL溶液にTEEDA(1.10mL、5.16mmol)およびトリエチルアミン(2.09mL、15.0mmol)を加えた。冷却したシリンジを使用して、トリクロロシラン(3.10mL、30.7mmol)を攪拌溶液にゆっくりと加えた。添加中、形成されたゲル状の固体を攪拌によってゆっくりと溶解させた。反応液を72時間還流させた。無色析出物を濾過し、ジクロロメタンで洗浄した後、真空下で3時間乾燥させて(Ph4P)2(Si6Cl14) 2.20gを収率65.6%(Ph4PClに対する)で得た。
実施例4
テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオン塩の合成 − 溶媒の変動
ジクロロメタンに加えて1,2-ジクロロエタンおよびアセトニトリルを使用して反応を行って、収率に対する溶媒極性の効果を試験した。この試験の結果を表1に示す。試験では、反応を以下のプロトコールに従って行った。PEDETA(2.00g、8.22mmol)およびEDIPA(登録商標)(3.19g、24.7mmol)を乾燥溶媒(11mL)で希釈し、PTFEでコートされた磁気攪拌子を含有する20mL反応バイアルに移した。このアミン溶液を含有する反応バイアルをラバーセプタムで密封し、-30℃に冷却した。攪拌しながら、冷却したシリンジを使用して、トリクロロシラン(4.15mL、41.1mmol)をアミン溶液にセプタムを通じて加えた。得られた溶液を-30℃に冷却し、反応バイアル上のセプタムを中圧(20バール)クリンプキャップに速やかに取り替えた。次に反応混合物を55〜60℃に7時間加熱した。生成物混合物を-30℃に反応期間後23時間冷却した。真空濾過により単離し、CH2Cl2ですすいだ後、1,2-ジクロロエタン、アセトニトリルおよびCH2Cl2中で行われた反応について40%を超える生成物収率が観察された。
(表1)反応収率に対する溶媒の効果
Figure 2013518109
実施例5
テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオン塩の合成 − 混合溶媒
いくつかの場合では、ブレンド溶媒系を使用することが有利なことがある。そのような混合物は塩素化有機溶媒(例えばCH2Cl2および/もしくはC2H4Cl2)、ならびに/または脂肪族炭化水素(例えばペンタン、ヘキサンおよび/もしくはシクロヘキサン)、ならびに/またはエーテル(例えばジエチルエーテルおよび/もしくはテトラヒドロフラン)、ならびに/または芳香族炭化水素(例えばベンゼンおよび/もしくはトルエン)を利用する。ベンゼン、テトラヒドロフランおよびシクロヘキサンとのジクロロメタン系混合物を使用して反応を行った。この試験の結果を表2に示す。試験では、反応を以下のプロトコールに従って行った。PEDETA(0.5g、2.06mmol)およびEDIPA(登録商標)(0.8g、6.19mmol)を攪拌子付きの5mL反応バイアル中で混合し、乾燥ジクロロメタン(2.5mL)および乾燥二次溶媒(0.5mL)で希釈した。反応容器をラバーセプタムで蓋をし、-30℃に冷却した。冷却したシリンジを使用して、トリクロロシラン(1.05mL)を反応容器にセプタムを通じて加えた。反応容器を-30℃に冷却した後、ラバーセプタムを中圧(20バール)クリンプキャップに速やかに取り替えた。次に反応容器を加熱油浴中、55〜60℃で7時間、攪拌しながら配置した。真空濾過により単離し、CH2Cl2ですすいだ後、すべての混合溶媒反応について40%を超える生成物収率が観察された(表2)。
(表2)反応収率に対する混合溶媒の効果
Figure 2013518109
実施例6
テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオン塩の合成 − 一般的変更
Si6Cl14 2-塩を生成するための時間を、いくつかの代替反応条件を使用して、上記実施例に記載された通常の42〜72時間から約7時間に減少させることができる。一般的アプローチは、中圧(最大約20バール)に耐えることが可能な密封式反応容器中で反応を行うこととした。以下に記載される種々の方法を使用してエネルギー/熱を反応混合物に導入し、室温で5日間制御反応を行った。別途指定がない限りの一般的反応スキームは以下に示す通りである。
Figure 2013518109
反応の化学量論を以下のように要約することができる。
2 PEDETA + 6 EDIPA + 10 HSiCl3 → [PEDETA・SiH2Cl]2[Si6Cl14] + 2 SiCl4 + 6 EDIPA・HCl
変更された反応の典型的な手順をここに示す。これは、表3に記載のすべての試料について使用した一般的手順である。PEDETA(2.00g、8.22mmol)およびEDIPA(登録商標)(3.19g、24.7mmol)を乾燥ジクロロメタン(11mL)で希釈し、PTFEでコートされた磁気攪拌子を含有する20mL反応バイアルに移した。このアミン溶液を含有する反応バイアルをラバーセプタムで密封し、-30℃に冷却した。攪拌しながら、冷却したシリンジを使用して、トリクロロシラン(4.15mL、41.1mmol)をアミン溶液にセプタムを通じて加えた。得られた溶液を-30℃に冷却し、反応バイアル上のセプタムを中圧(20バール)クリンプキャップに速やかに取り替えた。従来の熱反応用に60℃に維持した油浴を使用して、溶液を様々な期間加熱した。別々の実験において、同様の溶液をBiotage Initiatorマイクロ波または従来の超音波洗浄浴中に配置した。実験の1つは、PEDETAの代わりにTEEDAおよびPPh4Clをそれぞれ配位子および対イオン源として使用した。表3に列挙した各実験について、生成物混合物を-30℃に反応期間後23時間冷却した。PEDETA約0.5g、EDIPA(登録商標)約0.8gおよびトリクロロシラン約1.0gを使用して4分の1規模で超音波化学反応および室温制御実験を行った。
一般的変更実験の結果を以下の表3に要約する。大部分の場合、長期間の後にさらなる生成物が濾液から析出して2回目の結晶が生じる。40〜60℃で7時間の反応後、40〜60%の単離収率が典型的に観察された。室温での反応で同等の収率を得るには長い反応時間を必要とした。標準超音波浴を使用して0℃で1/4規模の反応を行って、超音波処理の効果を精査した。超音波処理中には生成物は観察されなかったが、23℃で終夜静置後には析出物が観察された。同一の超音波化学反応を50℃で行ったところ、7時間後に収率32%が得られた。
(表3)マイクロ波実験および熱実験の条件の要旨
Figure 2013518109
[a]この反応はTEEDAをポリアミンとし、Ph4PClをカチオン源として実行した。
例示的態様
以下では、本明細書に記載の主題のいくつかの例示的態様に言及する。以下の態様は、本明細書に記載の主題の様々な特徴、特性および/または利点を含みうる、いくつかの選択される態様のみを例示する。したがって、以下の態様は、すべての可能な態様を包括するものと考えるべきではない。
一態様によれば、トリクロロシランと、(a) 第三級ポリアミン、例えば第三級ポリアルキレンポリアミン; および(b) 少なくとも約10.5のpKaを有する第三級アミンを含む試薬組成物とを接触させることで、テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン、例えばテトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物を生成する工程を含む方法により、シクロヘキサシラン化合物を調製することができる。反応混合物は、第三級ポリアミン配位子、脱プロトン化試薬およびトリクロロシランを、1:3:3〜1:400:700の、第三級ポリアミン配位子:脱プロトン化試薬:トリクロロシランのモル比で典型的に含む。特定の態様では、第三級ポリアルキレンポリアミン、トリアルキルアミンおよびトリクロロシランを、1:3:3〜1:400:700の、第三級ポリアルキレンポリアミン:トリアルキルアミン:トリクロロシランのモル比で含む反応混合物を使用することが望ましいことがある。特定の態様では、第三級ポリアルキレンポリアミン、トリアルキルアミンおよびトリクロロシランを、1:3:5〜1:30:50の、第三級ポリアルキレンポリアミン:トリアルキルアミン:トリクロロシランのモル比で含む反応混合物を使用することが望ましいことがある。
別の態様によれば、トリクロロシランと、(a) 求核性第三級ポリアミン; (b) 立体障害非求核性アミンを含む試薬組成物とを接触させることで、テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物(例えば(PEDETA・SiH2Cl)2(Si6Cl14)または(RnR'4-nEX)2(Si6Cl14)、ここでn=1〜4であり、R、R'=H、アルキル、アリールであり; E=N、P、As、Sb、Biである)を生成する工程を含む方法により、シクロヘキサシラン化合物を調製することができる。
別の態様によれば、本方法は、トリクロロシランと、(a) 第三級ポリアミン配位子; および(b) 高pKa第三級アミン(例えば少なくとも10.5のpKaを有する第三級アミン)を含む試薬組成物とを接触させる工程を含む。第三級ポリアミン配位子は第三級ポリアルキレンポリアミンを含みうる。第三級アミンは、N,N-ジイソプロピルアルキルアミンおよび/またはN,N-ジイソブチルアルキルアミンなどの立体障害非求核性アミンを含みうる。第三級ポリアミン配位子は、アルキル基がC1〜C6アルキルであることが好ましいペンタアルキルジアルキレントリアミン、テトラアルキルアルキレンジアミンまたはヘキサアルキルトリアルキレン-テトラミンなどの完全アルキル化ポリアミンでありうる。例えば、第三級ポリアミン配位子はN,N,N',N'',N''-ペンタ(n-アルキル)ジエチレントリアミンおよび/またはN,N,N',N'-テトラ(n-アルキル)エチレンジアミンを含みうる。本方法において使用されるペンタアルキルジエチレントリアミンおよびテトラアルキルエチレンジアミンの特に好適な例としてはN,N,N',N'-テトラエチルエチレンジアミン(TEEDA)およびN,N,N',N'',N''-ペンタエチル-ジエチレントリアミン(PEDETA)が挙げられる。
試薬組成物は、テトラアリールホスホニウム塩(例えばテトラアリールホスホニウムハライド)などの第四級塩をさらに含みうる。本方法において使用されるテトラアリールホスホニウム塩の好適な例は、テトラフェニルホスホニウムハライド(例えばPh4PCl、Ph4PBrおよび/またはPh4PI)を含む。試薬組成物がテトラアリールホスホニウム塩を含む場合、テトラデカクロロシクロ-ヘキサシランジアニオン含有反応生成物は、式(Ph4P)2(Si6Cl14)を有する化合物などのテトラアリールホスホニウム塩として単離することができる。反応混合物は、第四級塩、第三級ポリアミン配位子、脱プロトン化試薬およびトリクロロシランを、1:1:3:5〜100:1:400:600の、第四級塩:第三級ポリアミン配位子:脱プロトン化試薬:トリクロロシランのモル比で典型的に含む。特定の態様では、第四級塩、第三級ポリアルキレンポリアミン、第三級アミン(例えばトリアルキルアミン)およびトリクロロシランを、1:1:3:5〜100:1:400:600の、第四級塩:第三級ポリアルキレンポリアミン:第三級アミン:トリクロロシランのモル比で含む反応混合物を使用することが望ましいことがある。特定の態様では、テトラアリールホスホニウムクロリド、N,N,N',N'-テトラアルキルエチレンジアミン、トリアルキルアミンおよびトリクロロシランを、1:1:3:5〜1:30:40:60の、テトラアリールホスホニウムクロリド:N,N,N',N'-テトラアルキルエチレンジアミン:トリアルキルアミン:トリクロロシランのモル比で含む反応混合物を使用することが望ましいことがある。
別の態様によれば、本方法は、トリクロロシランと、(a) 第三級ポリアミン配位子; および(b) 高pKa第三級アミンを含む試薬組成物とを接触させることで、テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン、例えばテトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物を形成する工程を含む。テトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物と、式RMgX(式中、Rはアルキルまたはアリールであり、Xはクロロ、ブロモまたはヨードである)を有する試薬とを接触させることで、ドデカオルガノシクロヘキサシラン(Si6R12)を生成することができる。
別の態様によれば、本方法は、トリクロロシランと、(a) 第三級ポリアミン配位子および(b) 高pKa第三級アミンを含む試薬組成物とを接触させることで、テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン、例えばテトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物を形成する工程を含む。テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物と金属水素化物還元剤(例えば水素化アルミニウムリチウムまたは水素化ジイソブチルアルミニウム)とを接触させることでシクロヘキサシラン(Si6H12)を生成することができる。
本発明の範囲および真意を逸脱することなく、本明細書に開示される方法および組成物に様々な置換および変更を加えることができることは、当業者には容易に明らかであろう。使用された用語および表現は、限定ではなく記述の用語として使用されており、そのような用語および表現の使用において、提示および記述される特徴の任意の均等物またはその一部を排除するという意図はなく、本発明の範囲内で様々な変更が可能であると認識される。したがって、具体的な態様および任意的な特徴により本発明を説明してきたが、本明細書に開示される概念の変更および/または変形を当業者が使用することができること、および、そのような変更および変形が本発明の範囲内であると考えられることを理解すべきである。
さらに、本発明の特徴または局面を代替物のマーカッシュ群または他の群に関して記述する場合、当業者は、本発明がマーカッシュ群または他の群の任意の個々のメンバーまたはメンバーの部分群に関してもそれによって記述されることを認識するであろう。

Claims (22)

  1. トリクロロシランと試薬組成物とを接触させることで、テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオンを含有する化合物を生成する工程であって、該試薬組成物が(a) 第三級ポリアミン配位子; および(b) 少なくとも約10.5のpKaを有する第三級アミンを含む脱プロトン化試薬を含む、工程
    を含む、シクロヘキサシラン化合物を調製する方法。
  2. 第三級ポリアミン配位子が第三級ポリアルキレンポリアミンを含み; (b) 第三級アミンがトリアルキルアミンを含む、請求項1記載の方法。
  3. 第三級ポリアミン配位子がN,N,N',N'',N''-ペンタアルキルジエチレントリアミン、N,N,N',N'-テトラアルキルエチレンジアミンまたはその混合物を含む、請求項1記載の方法。
  4. 第三級アミンがN,N,N',N'-テトラアルキル-1,8-ナフタレンジアミンを含む、請求項1記載の方法。
  5. 試薬組成物がテトラアリールホスホニウム塩などの第四級塩をさらに含む、請求項1記載の方法。
  6. テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物が式(Ph4P)2(Si6Cl14)を有する、請求項5記載の方法。
  7. 試薬組成物がテトラアリールホスホニウムクロリド、N,N,N',N'-テトラアルキルエチレンジアミン、トリアルキルアミンおよびトリクロロシランを、1:1:3:5〜100:1:400:600の、テトラアリールホスホニウムクロリド:N,N,N',N'-テトラアルキルエチレンジアミン:トリアルキルアミン:トリクロロシランのモル比で含む、請求項5記載の方法。
  8. 第三級アミンが、少なくとも約10.5のpKaを有するトリアルキルアミンを含み、第三級ポリアミン配位子が第三級ポリアルキレンポリアミンを含む、請求項1記載の方法。
  9. 試薬組成物が第三級ポリアルキレンポリアミン、トリアルキルアミンおよびトリクロロシランを、1:3:3〜1:400:700の、第三級ポリアルキレンポリアミン:トリアルキルアミン:トリクロロシランのモル比で含む、請求項8記載の方法。
  10. 試薬組成物がN,N,N',N'',N''-ペンタエチルジエチレントリアミンおよびN,N-ジイソプロピルエチルアミンを含む、請求項1記載の方法。
  11. 試薬組成物がN,N,N',N'',N''-ペンタエチルジエチレントリアミンおよびトリエチルアミンを含む、請求項1記載の方法。
  12. 試薬組成物が(a) N,N,N',N'-テトラエチルエチレンジアミン; (b) N,N-ジイソプロピルエチルアミン、トリエチルアミンまたはその混合物; および(c) テトラフェニルホスホニウムクロリドを含む、請求項1記載の方法。
  13. テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物が式(PEDETA・SiH2Cl)2(Si6Cl14)を有する、請求項1記載の方法。
  14. トリクロロシランと試薬組成物とを接触させる工程が、塩素化有機溶媒を含む有機溶媒の存在下で行われる、請求項1記載の方法。
  15. トリクロロシランと試薬組成物とを接触させる工程が約20℃〜75℃の温度で行われる、請求項1記載の方法。
  16. テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物を回収する工程をさらに含む、請求項1記載の方法。
  17. テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物を回収する工程が、反応中に形成される析出物の濾過によって実現される、請求項16記載の方法。
  18. テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物と、Rがアルキルまたはアリールであり、Xがクロロ、ブロモまたはヨードである式RMgXを有する試薬とを接触させることで、ドデカオルガノシクロヘキサシランを生成する工程をさらに含む、請求項16記載の方法。
  19. テトラデカハロシクロヘキサシランジアニオン含有化合物と金属水素化物還元剤とを接触させることで、シクロヘキサシランを生成する工程をさらに含む、請求項16記載の方法。
  20. 第三級アミンがN,N-ジイソプロピルアルキルアミン、N,N-ジイソブチルアルキルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミンまたはその混合物を含む、請求項1記載の方法。
  21. 第三級ポリアミン配位子がN,N,N',N'',N''-ペンタエチルジエチレントリアミンまたはN,N,N',N'-テトラアルキルエチレンジアミンを含む、請求項20記載の方法。
  22. 第三級ポリアミン配位子がN,N,N',N'-テトラアルキル-N''-ベンジルジエチレントリアミンを含む、請求項1記載の方法。
JP2012551225A 2010-01-28 2011-01-25 シクロヘキサシラン化合物を生成する方法 Expired - Fee Related JP5697692B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US29928710P 2010-01-28 2010-01-28
US61/299,287 2010-01-28
US31111810P 2010-03-05 2010-03-05
US61/311,118 2010-03-05
PCT/US2011/022360 WO2011094191A1 (en) 2010-01-28 2011-01-25 Method of producing cyclohexasilane compounds

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013518109A true JP2013518109A (ja) 2013-05-20
JP2013518109A5 JP2013518109A5 (ja) 2013-11-28
JP5697692B2 JP5697692B2 (ja) 2015-04-08

Family

ID=44319713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012551225A Expired - Fee Related JP5697692B2 (ja) 2010-01-28 2011-01-25 シクロヘキサシラン化合物を生成する方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8975429B2 (ja)
EP (1) EP2528864B1 (ja)
JP (1) JP5697692B2 (ja)
KR (1) KR101818272B1 (ja)
CN (1) CN102762497B (ja)
WO (1) WO2011094191A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014012647A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Nippon Shokubai Co Ltd シクロヘキサシラン類の製造方法
JP2015134755A (ja) * 2013-12-20 2015-07-27 株式会社日本触媒 環状シラン中性錯体の製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法
JP2016020301A (ja) * 2015-09-04 2016-02-04 株式会社日本触媒 環状シラン中間体の製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8975429B2 (en) 2010-01-28 2015-03-10 Ndsu Research Foundation Method of producing cyclohexasilane compounds
DE102010040231A1 (de) * 2010-09-03 2012-03-08 Evonik Degussa Gmbh p-Dotierte Siliciumschichten
JP5808646B2 (ja) * 2011-10-31 2015-11-10 株式会社日本触媒 環状シラン中間体の製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法
JP5902572B2 (ja) * 2012-07-04 2016-04-13 株式会社日本触媒 ケイ素−ハロゲン結合を有するハロゲン化環状シラン化合物またはその塩の製造方法
JP6063310B2 (ja) * 2013-03-18 2017-01-18 株式会社日本触媒 環状シランの製造方法
US11091649B2 (en) 2013-09-05 2021-08-17 Jiangsu Nata Opto-Electronic Materials Co. Ltd. 2,2,4,4-tetrasilylpentasilane and its compositions, methods and uses
TWI634073B (zh) 2013-09-05 2018-09-01 道康寧公司 2,2,4,4-四矽基五矽烷及其組成物、方法及用途
DE102013021306A1 (de) 2013-12-19 2015-06-25 Johann Wolfgang Goethe-Universität Verfahren zum Herstellen von linearen, cyclischen und/oder käfigartigen perhalogenierten Oligo- und Polysilyl-Anionen
US10858260B2 (en) 2014-12-15 2020-12-08 Evonik Operations Gmbh Method for producing perhalogenated hexasilane anion and method for producing a cyclic silane compound
DE102014118658B4 (de) 2014-12-15 2020-12-31 Evonik Operations Gmbh Verfahren zum Herstellen von perhalogeniertem Hexasilan-Anion
US10544171B2 (en) 2018-03-13 2020-01-28 Nippon Shokubai Co., Ltd Process for producing cyclic hydrogenated silane compound
WO2020205723A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-08 The Coretec Group Inc. Method of preparing cyclosilane

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11171528A (ja) * 1997-08-27 1999-06-29 Dow Corning Corp テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物
JP2008508295A (ja) * 2004-07-30 2008-03-21 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ シラン組成物、その調製法とそれを含むゴム組成物

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3044845A (en) 1958-09-30 1962-07-17 Union Carbide Corp Process for producing dichlorosilane
FR2290448A1 (fr) 1974-11-07 1976-06-04 Rhone Poulenc Ind Dismutation du trichlorosilane en presence de tetraalcoyluree
US4447633A (en) 1983-06-14 1984-05-08 North Dakota State University Ultrasonically promoted hydrosilations
FR2552436B1 (fr) 1983-09-28 1985-10-25 Rhone Poulenc Spec Chim Nouveau procede de fabrication d'hydrogeno-silanes par reaction de redistribution
US4683147A (en) 1984-04-16 1987-07-28 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming deposition film
US4657777A (en) 1984-12-17 1987-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Formation of deposited film
US4695331A (en) 1985-05-06 1987-09-22 Chronar Corporation Hetero-augmentation of semiconductor materials
US4910153A (en) 1986-02-18 1990-03-20 Solarex Corporation Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices
DE3711444A1 (de) 1987-04-04 1988-10-13 Huels Troisdorf Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dichlorsilan
US4841083A (en) 1987-06-03 1989-06-20 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Ladder polysilanes
US4827009A (en) 1987-09-03 1989-05-02 North Dakota State University Hydrosilation process
US5942637A (en) * 1998-03-30 1999-08-24 North Dakota State University Research Foundation Compounds containing tetradecachlorocyclohexasilane dianion
EP1087428B1 (en) 1999-03-30 2008-05-21 Seiko Epson Corporation Method for forming a silicon film and ink composition for inkjet printer
US6518087B1 (en) 1999-03-30 2003-02-11 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing solar battery
TW539709B (en) 1999-03-30 2003-07-01 Jsr Corp Coating composition
KR100412744B1 (ko) 1999-03-30 2003-12-31 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막 트랜지스터의 제조 방법
DE60039744D1 (de) 1999-03-30 2008-09-18 Seiko Epson Corp Verfahren zur Hersltellung einer Siliziumschicht
DE60128611T2 (de) 2000-03-13 2008-01-31 Jsr Corp. Cyclosilan, eine flüssige Zusammensetzung und ein Verfahren zur Bildung eines Silicium-Films
JP3745959B2 (ja) 2000-12-28 2006-02-15 セイコーエプソン株式会社 シリコン薄膜パターンの形成方法
EP1421607A2 (en) 2001-02-12 2004-05-26 ASM America, Inc. Improved process for deposition of semiconductor films
KR100627203B1 (ko) 2001-08-14 2006-09-22 제이에스알 가부시끼가이샤 실란 조성물, 실리콘막의 형성법 및 태양 전지의 제조법
JP2003313299A (ja) 2002-04-22 2003-11-06 Seiko Epson Corp 高次シラン組成物及び該組成物を用いたシリコン膜の形成方法
DE60328302D1 (de) 2002-08-23 2009-08-20 Jsr Corp Zusammensetzung zum bilden eines siliziumfilms und verfahren zum bilden eines siliziumfilms
JP4042685B2 (ja) 2003-03-26 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 トランジスタの製造方法
US7879696B2 (en) 2003-07-08 2011-02-01 Kovio, Inc. Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom
US7498015B1 (en) 2004-02-27 2009-03-03 Kovio, Inc. Method of making silane compositions
US20060025506A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Weller Keith J Silane compositions, processes for their preparation and rubber compositions containing same
US7314513B1 (en) 2004-09-24 2008-01-01 Kovio, Inc. Methods of forming a doped semiconductor thin film, doped semiconductor thin film structures, doped silane compositions, and methods of making such compositions
US7674926B1 (en) 2004-10-01 2010-03-09 Kovio, Inc. Dopant group-substituted semiconductor precursor compounds, compositions containing the same, and methods of making such compounds and compositions
US7485691B1 (en) 2004-10-08 2009-02-03 Kovio, Inc Polysilane compositions, methods for their synthesis and films formed therefrom
US7943721B2 (en) 2005-10-05 2011-05-17 Kovio, Inc. Linear and cross-linked high molecular weight polysilanes, polygermanes, and copolymers thereof, compositions containing the same, and methods of making and using such compounds and compositions
US8975429B2 (en) 2010-01-28 2015-03-10 Ndsu Research Foundation Method of producing cyclohexasilane compounds

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11171528A (ja) * 1997-08-27 1999-06-29 Dow Corning Corp テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物
JP2008508295A (ja) * 2004-07-30 2008-03-21 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ シラン組成物、その調製法とそれを含むゴム組成物

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6014031397; J. Am. Chem. Soc. Vol. 123, 2001, 8117-8117 *
JPN6014031400; J. Am. Chem. Soc. Vol. 82, 1960, 751-752 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014012647A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Nippon Shokubai Co Ltd シクロヘキサシラン類の製造方法
JP2015134755A (ja) * 2013-12-20 2015-07-27 株式会社日本触媒 環状シラン中性錯体の製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法
JP2016020301A (ja) * 2015-09-04 2016-02-04 株式会社日本触媒 環状シラン中間体の製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130010111A (ko) 2013-01-25
JP5697692B2 (ja) 2015-04-08
EP2528864A4 (en) 2015-12-30
EP2528864B1 (en) 2017-03-29
EP2528864A1 (en) 2012-12-05
CN102762497A (zh) 2012-10-31
KR101818272B1 (ko) 2018-02-21
US8975429B2 (en) 2015-03-10
CN102762497B (zh) 2015-11-25
US20120294791A1 (en) 2012-11-22
WO2011094191A1 (en) 2011-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5697692B2 (ja) シクロヘキサシラン化合物を生成する方法
US5942637A (en) Compounds containing tetradecachlorocyclohexasilane dianion
JP4519955B2 (ja) テトラデカクロロシクロヘキサシラン・ジアニオン含有化合物
JP6349246B2 (ja) 環状シラン中性錯体の製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法
TW200412348A (en) Process for the production and purification of Bis (tertiary-butylamino) silane
IE63185B1 (en) Preparation of organometallic amide compositions
US20120165564A1 (en) Method for preparing purified aminosilane
JP2013095697A (ja) 環状シラン中間体の製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法
WO2015093592A1 (ja) 環状シラン中性錯体、その製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法
JP2004521945A (ja) イオウ含有有機ケイ素化合物の製造方法
JP2015134710A (ja) 環状ハロシラン中性錯体
KR20230003543A (ko) 아이오도실란의 제조 방법 및 이로부터의 조성물
TWI724679B (zh) 三碘矽烷之製備
JPS6222790A (ja) 第3級炭化水素シリル化合物の製造方法
US10858260B2 (en) Method for producing perhalogenated hexasilane anion and method for producing a cyclic silane compound
US4944894A (en) Ether free organometallic amide compositions
EP0282419B1 (en) Ether free organometallic amide compositions
Kavala et al. Syntheses and properties of cyclosilazanes and cyclocarbosilazanes
JPH101483A (ja) アリルシラン化合物の製造方法
JP3618515B2 (ja) トリアリールボランアミン錯体の製造法
JP3934186B2 (ja) トリクロロシランの再配分方法
JP6954615B2 (ja) ヒドロシランの製造方法
CN113956281A (zh) 一种通过重排反应制备含氢有机氯硅烷的方法
JP6942327B2 (ja) ヒドロシランの製造方法
JP5942027B2 (ja) 環状シラン中間体の製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131007

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131007

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140723

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140728

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20141023

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20141030

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141031

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150210

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5697692

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140723

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees