JP2013516059A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011081980B4 (de) * 2011-09-01 2023-07-06 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung zum Benetzen von flachen Substraten und Anlage mit einer solchen Vorrichtung
DE102012107537A1 (de) * 2012-08-16 2014-05-22 Hanwha Q Cells Gmbh Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines monokristallinen Halbleiterwafers und Verfahren zur Herstellung einer monokristallinen Halbleiterwafer-Solarzelle
DE102013218693A1 (de) 2013-09-18 2015-03-19 lP RENA GmbH Vorrichtung und Verfahren zur asymmetrischen alkalischen Textur von Oberflächen
AT515147B1 (de) * 2013-12-09 2016-10-15 4Tex Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Gegenständen mit einer Flüssigkeit
CN104091774A (zh) * 2014-07-17 2014-10-08 上海华力微电子有限公司 一种用于湿法单片机的清洗装置
DE102014110222B4 (de) * 2014-07-21 2016-06-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von Ober- und Unterseite eines Halbleitersubstrats
DE102014013591A1 (de) 2014-09-13 2016-03-17 Jörg Acker Verfahren zur Herstellung von Siliciumoberflächen mit niedriger Reflektivität
TWI618261B (zh) * 2016-12-07 2018-03-11 財團法人金屬工業研究發展中心 製造金字塔結構的蝕刻劑及蝕刻方法
DE102017203977A1 (de) * 2017-03-10 2018-09-13 Gebr. Schmid Gmbh Verfahren zur Herstellung texturierter Wafer und Aufrausprühstrahlbehandlungsvorrichtung
CN107993919A (zh) * 2017-11-21 2018-05-04 长江存储科技有限责任公司 用于晶圆清洗的化学液喷淋管及清洗装置
DE102018206980A1 (de) 2018-01-26 2019-08-01 Singulus Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von geätzten Oberflächen eines Halbleitersubstrats
DE102018206978A1 (de) 2018-01-26 2019-08-01 Singulus Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von geätzten Oberflächen eines Halbleitersubstrats unter Verwendung von ozonhaltigem Medium
DE202018005266U1 (de) 2018-11-14 2019-03-22 H2GEMINI Technology Consulting GmbH Vorrichtung zur Ätzung von Silizium Substraten
AT16977U3 (de) * 2020-02-20 2021-03-15 4Tex Gmbh Verfahren zum Behandeln von Substraten mit Chemikalien
CN114686988A (zh) * 2022-03-30 2022-07-01 徐州中辉光伏科技有限公司 一种单晶硅片制绒设备

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3539874A1 (de) * 1985-11-11 1987-05-14 Hoellmueller Maschbau H Anlage zum aetzen von zumindest teilweise aus metall, vorzugsweise kupfer, bestehendem aetzgut
DE69811511T2 (de) * 1997-03-21 2004-02-19 Sanyo Electric Co., Ltd., Moriguchi Herstellungsverfahren für ein photovoltaisches bauelement
DE19811878C2 (de) * 1998-03-18 2002-09-19 Siemens Solar Gmbh Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen
JP3719632B2 (ja) * 1998-12-17 2005-11-24 三菱電機株式会社 シリコン太陽電池の製造方法
JP3653416B2 (ja) * 1999-05-19 2005-05-25 沖電気工業株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
JP3948890B2 (ja) * 2000-08-09 2007-07-25 三洋電機株式会社 凹凸基板の製造方法、凹凸構造形成用界面活性剤並びに光起電力素子の製造方法
US7250114B2 (en) * 2003-05-30 2007-07-31 Lam Research Corporation Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods
JP3740138B2 (ja) * 2003-06-25 2006-02-01 直江津電子工業株式会社 テクスチャー形成用エッチング液
DE102004017680B4 (de) * 2004-04-10 2008-01-24 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur Behandlung von Substraten mit vorstrukturierten Zinkoxidschichten
CN1983644A (zh) * 2005-12-13 2007-06-20 上海太阳能科技有限公司 制作单晶硅太阳电池绒面的方法
DE102005062528A1 (de) 2005-12-16 2007-06-21 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten
US20090266414A1 (en) * 2006-05-02 2009-10-29 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. Process for producing semiconductor substrate, semiconductor substrate for solar application and etching solution
JP2008013389A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Nec Corp エッチング装置及び薄型ガラス基板の製造方法
ATE514193T1 (de) * 2006-08-19 2011-07-15 Univ Konstanz Verfahren zum texturieren von siliziumwafern zur herstellung von solarzellen
EP1936698A1 (en) * 2006-12-18 2008-06-25 BP Solar Espana, S.A. Unipersonal Process for manufacturing photovoltaic cells
JP4975430B2 (ja) * 2006-12-28 2012-07-11 関東化学株式会社 異方性エッチング液およびそれを用いたエッチング方法
DE102007026081A1 (de) * 2007-05-25 2008-11-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Behandlung von Siliziumwafern, Behandlungsflüssigkeit und Siliziumwafer
DE102007063202A1 (de) * 2007-12-19 2009-06-25 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Silizium-Wafern
JP5302551B2 (ja) * 2008-02-28 2013-10-02 林純薬工業株式会社 シリコン異方性エッチング液組成物
JP2009206393A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Seiko Epson Corp 表面処理装置、表面処理方法
WO2009120631A2 (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Applied Materials, Inc. Surface cleaning and texturing process for crystalline solar cells
DE102008022282A1 (de) 2008-04-24 2009-10-29 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Einrichtung und Verfahren zur Behandlung von Silizium-Wafern oder flachen Gegenständen

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