JP2013254942A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 導電層と、
   前記導電層上の絶縁膜と、
   前記絶縁膜上面と接する酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極およびドレイン電極と、を有し、
   前記絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法の分析において、酸素の脱離量が、酸素原子に換算して１．０×１０ ^１８ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上であり、
   前記絶縁膜は、前記ソース電極と接する領域と、前記ドレイン電極と接する領域とを有し、
   前記絶縁膜はコンタクトホールを有し、
   前記コンタクトホールにおいて、前記導電層と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の一方は電気的に接続され、
   前記コンタクトホールの側面において、前記絶縁膜は、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接する面近傍に、窒素を含む領域を有し、
   前記窒素を含む領域は、前記コンタクトホールの側面から離れるに従い、窒素濃度が連続的に減少する半導体装置。
2. 導電層及びゲート電極と、
   前記導電層上及び前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上面と接する酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極およびドレイン電極と、を有し、
   前記ゲート絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法の分析において、酸素の脱離量が、酸素原子に換算して１．０×１０ ^１８ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上であり、
   前記ゲート絶縁膜は、前記ソース電極と接する領域と、前記ドレイン電極と接する領域とを有し、
   前記ゲート絶縁膜はコンタクトホールを有し、
   前記コンタクトホールにおいて、前記導電層と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の一方は電気的に接続され、
   前記コンタクトホールの側面において、前記ゲート絶縁膜は、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接する面近傍に、窒素を含む領域を有し、
   前記窒素を含む領域は、前記コンタクトホールの側面から離れるに従い、窒素濃度が連続的に減少する半導体装置。
3. 導電層上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜に接する酸化物半導体膜を形成し、
   前記絶縁膜に、前記導電層まで到達するコンタクトホールを形成して前記導電層の上面を露出し、
   前記コンタクトホールを形成した後、前記絶縁膜と、露出した前記導電層と、前記酸化物半導体膜と、に窒化処理を行い、
   前記窒化処理後に、前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極を形成し、
   前記酸化物半導体膜上、前記ソース電極上および前記ドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極を形成し、
   前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方は、前記コンタクトホールを介して、前記導電層と接する半導体装置の作製方法。
4. 請求項３において、
   前記窒化処理は、窒素プラズマを用いた処理である半導体装置の作製方法。