JP2013217898A - 試料作製装置及び試料作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】試料7を支持する試料台6と、試料7に集束イオンビーム9を照射し、加工するためのFIB鏡筒2と、後方散乱電子を検出するために、電子ビーム8を照射する観察面を形成するための第一の照射領域と、観察面の法線方向に対し67.5度以上90度未満で傾斜した傾斜面を形成するための第二の照射領域と、からなる集束イオンビーム照射領域を設定する照射領域設定部16と、を有する試料作製装置を提供する。
【選択図】図1
Description
本発明に係る試料作製装置は、試料を支持する試料台と、試料に集束イオンビームを照射し、加工するための集束イオンビーム鏡筒と、後方散乱電子を検出するために、電子ビームを照射する観察面を形成するための第一の照射領域と、観察面と試料の表面とに連接し、観察面の法線方向に対し67.5度以上90度未満で傾斜した傾斜面を形成するための第二の照射領域と、からなる集束イオンビーム照射領域を設定する照射領域設定部と、を有する。
まず、試料作製装置について説明する。試料作製装置は、図1に示すように、EB鏡筒1と、FIB鏡筒2と、試料室3を備えている。試料室3内に収容された試料7にEB鏡筒1から電子ビーム8を、FIB鏡筒2からイオンビーム9を照射する。EB鏡筒1とFIB鏡筒2とは、それぞれの照射軸が試料7上で互いに直交するように配置されている。
図4(a)は、FIB照射軸方法D2から見た試料7のSIM像31である。参考のために、EB照射軸方向D1と後方散乱電子放出方向D3を示す。
Claims (11)
- 試料を支持する試料台と、
前記試料に集束イオンビームを照射し、加工するための集束イオンビーム鏡筒と、
後方散乱電子を検出するために、電子ビームを照射する観察面を形成するための第一の照射領域と、前記観察面と前記試料の表面とに連接し、前記観察面の法線方向に対し67.5度以上90度未満で傾斜した傾斜面を形成するための第二の照射領域と、からなる集束イオンビーム照射領域を設定する照射領域設定部と、を有する試料作製装置。 - 前記第二の照射領域は、前記観察面に隣接する2つの前記傾斜面を形成するための照射領域である請求項1に記載の試料作製装置。
- 前記第二の照射領域は、前記観察面に隣接する4つの前記傾斜面を形成するための照射領域である請求項1に記載の試料作製装置。
- 電子ビームを照射するための電子ビーム鏡筒と、
前記電子ビームの照射により前記試料から発生する前記後方散乱電子を検出するための散乱電子検出器と、を有する請求項1から3のいずれか一つに記載の試料作製装置。 - 前記照射領域設定部は、前記観察面に前記電子ビームが照射できるように集束イオンビーム照射領域を設定する請求項4に記載の試料作製装置。
- 前記集束イオンビーム鏡筒は、前記集束イオンビームと前記電子ビームが直交するように配置された請求項4または5に記載の試料作製装置。
- 後方散乱電子の回折像を取得するための試料を作製する試料作製方法において、
前記後方散乱電子を検出するために電子ビームを照射する観察面と、
前記観察面と前記試料の表面とに連接し、前記観察面の法線方向に対し67.5度以上90度未満で傾斜した傾斜面と、を前記試料に集束イオンビームを照射することにより作製する試料作製方法。 - 前記集束イオンビームを前記観察面に対し、垂直方向から照射し、前記観察面と前記傾斜面を作製する請求項7に記載の試料作製方法。
- 前記集束イオンビームのドーズ量を前記観察面側に多く、前記観察面から遠くなるに従い少なくすることにより前記傾斜面を作製する請求項8に記載の試料作製方法。
- 前記集束イオンビームを前記観察面の法線方向に対し、垂直方向から照射し、前記観察面と前記傾斜面を作製する請求項7に記載の試料作製方法。
- 前記集束イオンビームの照射ドーズ量を前記観察面側に少なく、前記観察面から遠くなるに従い多くすることにより前記傾斜面を作製する請求項10に記載の試料作製方法。
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