JP2004294282A - 結晶解析装置 - Google Patents
結晶解析装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004294282A JP2004294282A JP2003087417A JP2003087417A JP2004294282A JP 2004294282 A JP2004294282 A JP 2004294282A JP 2003087417 A JP2003087417 A JP 2003087417A JP 2003087417 A JP2003087417 A JP 2003087417A JP 2004294282 A JP2004294282 A JP 2004294282A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- analysis
- unit
- electron beam
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/203—Measuring back scattering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
【解決手段】電子ビームB2によって測定面S1を走査し、測定面S1内の各ピクセルに関して、検出部6による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部9によるデータD1の解析を行うことにより、測定面S1に関する結晶方位の二次元分布データK1が得られる。次に、イオンビームB1の照射によって試料11をスライス加工することにより、測定面S1から所定距離Lだけ内側に、次の測定面S2を作成する。その後、測定面S2に関する結晶方位の二次元分布データK2が得られる。以上の操作を繰り返し実行することにより、測定面S3〜Snに関する結晶方位の二次元分布データK3〜Knが順次に得られる。次に、データ処理部9は、二次元分布データK1〜Knをこの順に積層することにより、結晶方位の三次元分布データQを構築する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、結晶解析装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の結晶解析装置では、試料の表面に電子ビームが照射され、電子ビームの照射に起因して試料の表面から発生する電子線後方散乱回折パターン(Electron Backscatter Diffraction Pattern:EBSP)が検出され、その検出の結果に基づいて試料の結晶方位が測定される(例えば、下記の特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−5857号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
結晶は、結晶粒が三次元的に重なり合って構成されているため、三次元の結晶解析が望まれている。しかしながら、従来の結晶解析装置によると、試料の表面に関する二次元の結晶解析しか行えないという問題がある。
【0005】
本発明は、かかる問題を解決するために成されたものであり、三次元の結晶解析を実行し得る結晶解析装置を得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
第1の発明によれば、結晶解析装置は、試料にイオンビームを照射することによって、試料に複数の断面を順次に作成するイオンビーム照射部と、複数の断面の各々に関して電子ビームを照射する電子ビーム照射部と、複数の断面の各々に関して、電子ビームの照射に起因して試料から発生する電子線後方散乱回折パターンを検出する検出部と、検出部による検出の結果に基づいて、試料の結晶方位の分布に関する三次元データを構築するデータ処理部と、三次元データ内に任意の断面を規定し、任意の断面に関して結晶解析を行う解析部とを備える。
【0007】
第2の発明によれば、結晶解析装置は、試料にイオンビームを照射することによって、試料に複数の断面を順次に作成するイオンビーム照射部と、複数の断面の各々に関して電子ビームを照射する電子ビーム照射部と、複数の断面の各々に関して、電子ビームの照射に起因して試料から発生する電子線後方散乱回折パターンを検出する検出部と、検出部による検出の結果に基づいて、試料の結晶方位の分布に関する三次元データを構築するデータ処理部と、三次元データ内から三次元の任意の領域を抽出し、任意の領域に関して結晶解析を行う解析部とを備える。
【0008】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る結晶解析装置の構成を示すブロック図である。真空チャンバ1内に、FIB(Focused Ion Beam)光学系等のイオンビーム照射部2と、SEM(Scanning Electron Microscope)光学系等の電子ビーム照射部3と、結晶性の試料11が載置されるステージ4と、ステージ4を駆動するためのステージ駆動部5と、電子線後方散乱回折パターンを検出するための検出部6とが配設されている。検出部6の前面にはスクリーン7が設けられている。イオンビーム照射部2の光学軸は、地面並びに試料11、ステージ4、及びステージ駆動部5の各上面に対して垂直である。電子ビーム照射部3の光学軸は、イオンビーム照射部2の光学軸に対して20〜30°程度の角度Rをもって傾斜している。
【0009】
真空チャンバ1の外部には、イオンビーム照射部2、電子ビーム照射部3、及びステージ駆動部5を制御するための、コンピュータ等の制御部8が配設されている。制御部8は、検出部6の出力に接続されたデータ処理部9と、データ処理部9の出力に接続された解析部10とを有している。イオンビーム照射部2、電子ビーム照射部3、及びステージ駆動部5は、制御部8から入力される制御信号C1〜C3によって、それぞれ制御される。
【0010】
図2は、本実施の形態1の変形例に係る結晶解析装置の構成を示すブロック図である。電子ビーム照射部3の光学軸は、地面に対して垂直である。イオンビーム照射部2の光学軸は、試料11、ステージ4、及びステージ駆動部5の各上面に対して垂直であり、電子ビーム照射部3の光学軸に対して20〜30°程度の角度Rをもって傾斜している。その他の構成は、図1に示した構成と同様である。
【0011】
以下、本実施の形態1に係る結晶解析装置の動作について説明する。図3は、試料11の側面図である。まず、電子ビーム照射部3から測定面S1内の任意の一点(以下「ピクセル」と称する)に電子ビームB2を照射する。次に、電子ビームB2の照射に起因して上記ピクセルから発生した電子線後方散乱回折パターンB3を、検出部6によって検出する。検出部6による検出の結果は、データD1としてデータ処理部9に入力される。データ処理部9は、データD1を解析することにより、上記ピクセルに関する結晶方位のデータPを求める。電子ビームB2によって測定面S1を走査し、測定面S1内の各ピクセルに関して、検出部6による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部9によるデータD1の解析を行うことにより、測定面S1内の全てのピクセルに関する結晶方位のデータが順次に求められる。その結果、測定面S1に関する結晶方位の二次元分布データK1が得られる。二次元分布データK1は、図示しないメモリに記憶される。
【0012】
次に、イオンビーム照射部2からのイオンビームB1の照射によって試料11をスライス加工することにより、測定面S1から所定距離Lだけ内側に、断面を作成する。この作成された断面が、次の測定面S2となる。その後、上記と同様の方法により、測定面S2に関する結晶方位の二次元分布データK2が得られる。二次元分布データK1と同様に、二次元分布データK2はメモリに記憶される。
【0013】
以上の操作を繰り返し実行することにより、測定面S3,S4,・・・・・・,Snに関する結晶方位の二次元分布データK3,K4,・・・・・・,Knが順次に得られる。二次元分布K1,K2と同様に、二次元分布データK3〜Knはメモリに記憶される。
【0014】
試料11に複数の断面を順次に作成するにあたり、上記の所定距離Lがμmオーダー以下である場合は、イオンビーム照射部2が有する走査レンズ(図示しない)を用いてイオンビームB1の軌道を制御することにより、イオンビームB1の照射位置を制御する。一方、走査レンズで軌道を制御できない程度に所定距離Lが大きい場合には、制御部8によってステージ駆動部5を制御することにより、ステージ4を移動させる。
【0015】
次に、データ処理部9は、メモリに記憶されている二次元分布データK1〜Knをこの順に積層することにより、結晶方位の三次元分布データQを構築する。図4は、三次元分布データQの一例を示す模式図である。複数の直方体の各々は、ピクセルに関する結晶方位のデータPを表している。同一平面内に属する複数のデータPの集合により、二次元分布データK1〜Knがそれぞれ構成されている。二次元分布データK1〜Knの集合により、三次元分布データQが構成されている。データの面分解能は、データPを表す直方体の3辺(縦・横・高さ)の長さによって決まる。
【0016】
図1,2を参照して、結晶方位の三次元分布データQは、解析部10に入力される。解析部10は、三次元データQ内に任意の断面を規定する。図5は、三次元データQ内に任意の断面が規定された状況の一例を示す模式図である。任意の断面として、断面20が規定されている。図6は、断面20の平面図である。断面20内には、ピクセルの結晶方位に関する複数のデータPが現れている。
【0017】
解析部10は、これらの複数のデータPを用いて、断面20に関して結晶解析を行う。本実施の形態1では、解析部10は、断面20に関して、極点図又は逆極点図を用いた優先配向の解析を行う。図7は、断面20に関して作成された逆極点図(方位分布像)の一例を示す図である。
【0018】
このように本実施の形態1に係る結晶解析装置によれば、データ処理部9は、二次元分布データK1〜Knを積層することによって、結晶方位の三次元分布データQを構築する。従って、三次元分布データQを用いることにより、三次元の結晶解析を行うことが可能となる。加えて、優先配向の解析を、三次元データQ内に規定された任意の断面に関して実行できるという効果も得られる。
【0019】
実施の形態2.
上記実施の形態1では、解析部10は、断面20に関して優先配向の解析を行ったが、本実施の形態2では、解析部10は、断面20に関して結晶粒径の解析を行う。
【0020】
解析部10は、図6に示した断面20内に現れている複数のデータPに基づいて、断面20内に結晶粒を認識することにより、結晶粒分布像を作成する。図8は、断面20に関して作成された結晶粒分布像の一例を示す模式図である。
【0021】
次に、解析部10は、図8に示した結晶粒をそれぞれ円に近似し、各円の直径(μm)を測定する。そして、粒径と個数との関係を表すグラフ(図9)を作成すること等により、断面20に関して結晶粒径の定量的な解析を行う。
【0022】
なお、解析部10は、図8に示した結晶粒を円に近似したときの円の平均面積(μm2)を求めることによって、又は、ASTM(American Society for Testing Materials)値を求めることによって、結晶粒径の解析を行ってもよい。ASTM値とは、1インチあたりに含まれる結晶粒の個数を表す指標である。
【0023】
このように本実施の形態2に係る結晶解析装置によれば、結晶粒径の解析を、三次元データQ内に規定された任意の断面に関して実行できるという効果が得られる。
【0024】
実施の形態3.
上記実施の形態1では、解析部10は、断面20に関して優先配向の解析を行ったが、本実施の形態3では、解析部10は、断面20に関して結晶粒界特性の解析を行う。
【0025】
解析部10は、図6に示した断面20内に現れている複数のデータPに基づいて、結晶粒の粒界の傾角を認識することにより、結晶粒界特性像を作成する。図10は、断面20に関して作成された結晶粒界特性像の一例を示す模式図である。結晶粒界特性像では、結晶粒の粒界が、傾角に応じて色分けして表示されている。
【0026】
このように本実施の形態3に係る結晶解析装置によれば、結晶粒界特性の解析を、三次元データQ内に規定された任意の断面に関して実行できるという効果が得られる。
【0027】
実施の形態4.
上記実施の形態1では、解析部10は、断面20に関して優先配向の解析を行ったが、本実施の形態4では、解析部10は、断面20に関してΣ値分布の解析を行う。
【0028】
解析部10は、図6に示した断面20内に現れている複数のデータPに基づいて、Σ値を認識することにより、Σ値分布像を作成する。ここで、Σ値とは、もとの結晶格子の単位胞の体積と、対応格子により構成される単位胞の体積との比を意味する。図11は、断面20に関して作成されたΣ値分布像の一例を示す模式図である。Σ値分布像では、結晶粒の粒界が、Σ値に応じて色分けして表示されている。
【0029】
このように本実施の形態4に係る結晶解析装置によれば、Σ値分布の解析を、三次元データQ内に規定された任意の断面に関して実行できるという効果が得られる。
【0030】
実施の形態5.
上記実施の形態1では、解析部10は、断面20に関して優先配向の解析を行ったが、本実施の形態5では、解析部10は、断面20に関して相分布の解析を行う。
【0031】
解析部10は、図6に示した断面20内に現れている複数のデータPに基づいて、相分布を認識することにより、相分布像を作成する。図12は、断面20に関して作成された相分布像の一例を示す模式図である。相分布像では、結晶粒が、結晶系の違い(即ち相の違い)に応じて色分けして表示されている。
【0032】
このように本実施の形態5に係る結晶解析装置によれば、相分布の解析を、三次元データQ内に規定された任意の断面に関して実行できるという効果が得られる。
【0033】
実施の形態6.
上記実施の形態1では、解析部10は、三次元データQ内に任意の断面20を規定し、断面20に関して結晶解析を行ったが、本実施の形態6では、解析部10は、三次元データQ内から三次元の任意の領域を抽出し、その領域に関して結晶解析を行う。
【0034】
図13は、三次元データQ内から任意に抽出された領域Gの一例を示す模式図である。領域Gは、ピクセルの結晶方位に関する複数のデータPから成る。
【0035】
解析部10は、領域G内に含まれる複数のデータPを用いて、領域Gに関して結晶解析を行う。本実施の形態6では、解析部10は、領域Gに関して、極点図又は逆極点図を用いた優先配向の解析を行う。
【0036】
このように本実施の形態6に係る結晶解析装置によれば、優先配向の解析を、三次元データQ内から抽出された三次元の任意の領域に関して実行できるという効果が得られる。
【0037】
実施の形態7.
上記実施の形態6では、解析部10は、領域Gに関して優先配向の解析を行ったが、本実施の形態7では、解析部10は、領域Gに関して結晶粒径の解析を行う。
【0038】
解析部10は、図13に示した領域G内に含まれる複数のデータPに基づいて、領域G内に結晶粒を認識することにより、結晶粒分布像を作成する。図14は、領域Gに関して作成された結晶粒分布像の一例を示す模式図である。
【0039】
次に、解析部10は、図14に示した結晶粒をそれぞれ球に近似し、各球の直径(μm)を測定する。そして、粒径と個数との関係を表すグラフ(図9と同様なグラフ)を作成すること等により、領域Gに関して結晶粒径の定量的な解析を行う。
【0040】
なお、解析部10は、図14に示した結晶粒を球に近似したときの球の平均体積(μm3)を求めることによって、結晶粒径の解析を行ってもよい。
【0041】
このように本実施の形態7に係る結晶解析装置によれば、結晶粒径の解析を、三次元データQ内から抽出された任意の領域に関して実行できるという効果が得られる。
【0042】
実施の形態8.
上記実施の形態6では、解析部10は、領域Gに関して優先配向の解析を行ったが、本実施の形態8では、解析部10は、領域Gに関して結晶粒界特性の解析を行う。
【0043】
解析部10は、図13に示した領域G内に含まれる複数のデータPに基づいて、結晶粒の粒界の傾角を認識することにより、結晶粒界特性像を作成する。図15は、領域Gに関して作成された結晶粒界特性像の一例を示す模式図である。
【0044】
このように本実施の形態8に係る結晶解析装置によれば、結晶粒界特性の解析を、三次元データQ内から抽出された任意の領域に関して実行できるという効果が得られる。
【0045】
実施の形態9.
上記実施の形態6では、解析部10は、領域Gに関して優先配向の解析を行ったが、本実施の形態9では、解析部10は、領域Gに関してΣ値分布の解析を行う。
【0046】
解析部10は、図13に示した領域G内に含まれる複数のデータPに基づいて、Σ値を認識することにより、Σ値分布像を作成する。図16は、領域Gに関して作成されたΣ値分布像の一例を示す模式図である。
【0047】
このように本実施の形態8に係る結晶解析装置によれば、Σ値分布の解析を、三次元データQ内から抽出された任意の領域に関して実行できるという効果が得られる。
【0048】
実施の形態10.
上記実施の形態6では、解析部10は、領域Gに関して優先配向の解析を行ったが、本実施の形態10では、解析部10は、領域Gに関して相分布の解析を行う。
【0049】
解析部10は、図13に示した領域G内に含まれる複数のデータPに基づいて、相分布を認識することにより、相分布像を作成する。図17は、領域Gに関して作成された相分布像の一例を示す模式図である。
【0050】
このように本実施の形態10に係る結晶解析装置によれば、相分布の解析を、三次元データQ内から抽出された任意の領域に関して実行できるという効果が得られる。
【0051】
【発明の効果】
第1及び第2の発明によれば、三次元の結晶解析を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る結晶解析装置の構成を示すブロック図である。
【図2】本実施の形態1の変形例に係る結晶解析装置の構成を示すブロック図である。
【図3】試料の側面図である。
【図4】三次元分布データの一例を示す模式図である。
【図5】三次元データ内に任意の断面が規定された状況の一例を示す模式図である。
【図6】断面の平面図である。
【図7】断面に関して作成された逆極点図の一例を示す図である。
【図8】断面に関して作成された結晶粒分布像の一例を示す模式図である。
【図9】粒径と個数との関係を表すグラフである。
【図10】断面に関して作成された結晶粒界特性像の一例を示す模式図である。
【図11】断面に関して作成されたΣ値分布像の一例を示す模式図である。
【図12】断面に関して作成された相分布像の一例を示す模式図である。
【図13】三次元データ内から任意に抽出された領域の一例を示す模式図である。
【図14】領域に関して作成された結晶粒分布像の一例を示す模式図である。
【図15】領域に関して作成された結晶粒界特性像の一例を示す模式図である。
【図16】領域に関して作成されたΣ値分布像の一例を示す模式図である。
【図17】領域に関して作成された相分布像の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
2 イオンビーム照射部、3 電子ビーム照射部、6 検出部、9 データ処理部、10 解析部、11 試料。
Claims (3)
- 試料にイオンビームを照射することによって、前記試料に複数の断面を順次に作成するイオンビーム照射部と、
前記複数の断面の各々に関して電子ビームを照射する電子ビーム照射部と、
前記複数の断面の各々に関して、前記電子ビームの照射に起因して前記試料から発生する電子線後方散乱回折パターンを検出する検出部と、
前記検出部による検出の結果に基づいて、前記試料の結晶方位の分布に関する三次元データを構築するデータ処理部と、
前記三次元データ内に任意の断面を規定し、前記任意の断面に関して結晶解析を行う解析部と
を備える結晶解析装置。 - 試料にイオンビームを照射することによって、前記試料に複数の断面を順次に作成するイオンビーム照射部と、
前記複数の断面の各々に関して電子ビームを照射する電子ビーム照射部と、
前記複数の断面の各々に関して、前記電子ビームの照射に起因して前記試料から発生する電子線後方散乱回折パターンを検出する検出部と、
前記検出部による検出の結果に基づいて、前記試料の結晶方位の分布に関する三次元データを構築するデータ処理部と、
前記三次元データ内から三次元の任意の領域を抽出し、前記任意の領域に関して結晶解析を行う解析部と
を備える結晶解析装置。 - 前記結晶解析は、優先配向の解析、結晶粒径の解析、結晶粒界特性の解析、Σ値分布の解析、相分布の解析のうちのいずれか一つである、請求項1又は2に記載の結晶解析装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003087417A JP2004294282A (ja) | 2003-03-27 | 2003-03-27 | 結晶解析装置 |
US10/686,652 US20040188610A1 (en) | 2003-03-27 | 2003-10-17 | Crystal analyzing apparatus capable of three-dimensional crystal analysis |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003087417A JP2004294282A (ja) | 2003-03-27 | 2003-03-27 | 結晶解析装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004294282A true JP2004294282A (ja) | 2004-10-21 |
JP2004294282A5 JP2004294282A5 (ja) | 2006-03-09 |
Family
ID=32985160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003087417A Pending JP2004294282A (ja) | 2003-03-27 | 2003-03-27 | 結晶解析装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040188610A1 (ja) |
JP (1) | JP2004294282A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010091330A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 配向関数の解析方法及び解析システム |
JP2011159483A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sii Nanotechnology Inc | 電子顕微鏡及び試料分析方法 |
JP2012083349A (ja) * | 2010-10-11 | 2012-04-26 | Commissariat A L'energie Atomique | 多結晶材料中の結晶粒の配向と弾性歪を測定する方法 |
JP2013114881A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Jeol Ltd | 試料解析装置 |
JP2013182756A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Jeol Ltd | 試料解析装置 |
JP2013217898A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-10-24 | Hitachi High-Tech Science Corp | 試料作製装置及び試料作製方法 |
JP2014059230A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Hitachi High-Tech Science Corp | 結晶解析装置、複合荷電粒子ビーム装置及び結晶解析方法 |
JP2014222674A (ja) * | 2014-08-01 | 2014-11-27 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 電子顕微鏡 |
JP2015017899A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 電子線後方散乱回折装置 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006252995A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
GB0506907D0 (en) * | 2005-04-05 | 2005-05-11 | Oxford Instr Analytical Ltd | Method for correcting distortions in electron backscatter diffraction patterns |
EP1883094B1 (en) * | 2006-07-24 | 2012-05-02 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device and method for inspecting specimen |
EP2006881A3 (en) * | 2007-06-18 | 2010-01-06 | FEI Company | In-chamber electron detector |
CZ2009169A3 (cs) * | 2009-03-17 | 2010-05-26 | Tescan, S. R. O. | Zpusob optimalizace sestavení a nastavení systému pro odprašování povrchu vzorku fokusovaným iontovým svazkem a pro detekci zpetne difraktovaných elektronu a takto navržený systém |
DE102009001910A1 (de) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung dreidimensionaler Bilddaten |
CN101907585A (zh) * | 2010-06-13 | 2010-12-08 | 武汉钢铁(集团)公司 | 管线钢针状铁素体的定量测量方法 |
JP5473891B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2014-04-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び試料作製方法 |
CN103512910A (zh) * | 2012-06-20 | 2014-01-15 | 鞍钢股份有限公司 | 一种辨识针状铁素体组织中大角度晶界的简便方法 |
JP6261178B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2018-01-17 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置を用いた試料の加工方法、及び荷電粒子ビーム装置を用いた試料の加工コンピュータプログラム |
JP2014240780A (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | 株式会社東芝 | 試料構造分析方法、透過電子顕微鏡およびプログラム |
EP2899744A1 (en) * | 2014-01-24 | 2015-07-29 | Carl Zeiss Microscopy GmbH | Method for preparing and analyzing an object as well as particle beam device for performing the method |
CN104111261A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-10-22 | 中国石油天然气集团公司 | 超细板条组织低合金钢有效晶粒尺寸的测量方法及装置 |
CN105067647A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-18 | 江苏省沙钢钢铁研究院有限公司 | 一种钢中复合夹杂物的空间形态及分布的表征方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5552602A (en) * | 1991-05-15 | 1996-09-03 | Hitachi, Ltd. | Electron microscope |
DE29507225U1 (de) * | 1995-04-29 | 1995-07-13 | Grünewald, Wolfgang, Dr.rer.nat., 09122 Chemnitz | Ionenstrahlpräparationsvorrichtung für die Elektronenmikroskopie |
-
2003
- 2003-03-27 JP JP2003087417A patent/JP2004294282A/ja active Pending
- 2003-10-17 US US10/686,652 patent/US20040188610A1/en not_active Abandoned
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010091330A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 配向関数の解析方法及び解析システム |
JP2011159483A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sii Nanotechnology Inc | 電子顕微鏡及び試料分析方法 |
JP2012083349A (ja) * | 2010-10-11 | 2012-04-26 | Commissariat A L'energie Atomique | 多結晶材料中の結晶粒の配向と弾性歪を測定する方法 |
JP2013114881A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Jeol Ltd | 試料解析装置 |
JP2013182756A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Jeol Ltd | 試料解析装置 |
JP2013217898A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-10-24 | Hitachi High-Tech Science Corp | 試料作製装置及び試料作製方法 |
JP2014059230A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Hitachi High-Tech Science Corp | 結晶解析装置、複合荷電粒子ビーム装置及び結晶解析方法 |
US9470642B2 (en) | 2012-09-18 | 2016-10-18 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Crystal analysis apparatus, composite charged particle beam device, and crystal analysis method |
JP2015017899A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 電子線後方散乱回折装置 |
JP2014222674A (ja) * | 2014-08-01 | 2014-11-27 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 電子顕微鏡 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040188610A1 (en) | 2004-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004294282A (ja) | 結晶解析装置 | |
RU2610216C2 (ru) | Способ и система двойного изображения для генерации многомерного изображения образца | |
WO2016121265A1 (ja) | 試料観察方法および試料観察装置 | |
TW201241425A (en) | Apparatus and methods for real-time three-dimensional SEM imaging and viewing of semiconductor wafers | |
TW201113516A (en) | Method for examining a sample by using a charged particle beam | |
TWI777143B (zh) | 圖案剖面形狀推定系統及程式 | |
US10755396B2 (en) | Image forming apparatus | |
TW201350788A (zh) | X射線檢查方法及x射線檢查裝置 | |
US9287087B2 (en) | Sample observation method, sample preparation method, and charged particle beam apparatus | |
WO2021052240A1 (zh) | 基于图像特征自动选择谱线的激光探针分类方法及装置 | |
JP5945205B2 (ja) | 試料分析装置 | |
JP4660158B2 (ja) | 状態図を利用した相分析を行う表面分析装置 | |
WO2014010421A1 (ja) | X線検査方法及びx線検査装置 | |
KR20240115285A (ko) | 전위 분석 방법 | |
JP3950619B2 (ja) | 電子線を用いた表面分析装置における面分析データ表示方法 | |
JP6962897B2 (ja) | 電子顕微鏡および画像処理方法 | |
JP6085132B2 (ja) | 結晶解析装置、複合荷電粒子ビーム装置及び結晶解析方法 | |
JP4565546B2 (ja) | X線分析方法及びx線分析装置 | |
US9329034B2 (en) | Pattern determination device and computer program | |
JP2021525945A (ja) | 共同のナノスケール3次元イメージングおよび化学分析 | |
JP7018365B2 (ja) | 荷電粒子線装置および分析方法 | |
JP7323574B2 (ja) | 荷電粒子線装置および画像取得方法 | |
EP4331001A1 (en) | System and method for fully integrated microcrystal electron diffraction (microed) | |
JP2014022174A (ja) | 試料台およびそれを備えた電子顕微鏡 | |
Dunn et al. | Three-dimensional volume reconstructions using focused ion beam serial sectioning |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060120 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080108 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080430 |