JP2014059230A - 結晶解析装置、複合荷電粒子ビーム装置及び結晶解析方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】試料5に所定の間隔で形成され、互いに略平行な複数の断面上の各電子ビーム照射点で測定されたEBSPデータを記憶する測定データ記憶部13と、EBSPに対応する結晶方位の情報を蓄積した結晶方位データベース14と、複数の断面を当該間隔に基づき配列させた多面体像の複数の面の法線方向の結晶方位を、測定データ記憶部13に記憶したEBSPデータに基づき結晶方位データベース14から読み出し、複数の面のそれぞれの法線方向の結晶方位とする当該結晶方位の分布からなる三次元結晶方位マップを構築するマップ構築部15と、を有する結晶解析装置を提供する。
【選択図】図1
Description
(1)本発明に係る結晶解析装置は、試料に所定の間隔で形成され、互いに略平行な複数の断面上の各電子ビーム照射点で測定されたEBSPデータを記憶する測定データ記憶部と、EBSPに対応する結晶方位の情報を蓄積した結晶方位データベースと、複数の断面を間隔に基づき配列させた多面体像の複数の面の法線方向の結晶方位を、測定データ記憶部に記憶したEBSPデータに基づき結晶方位データベースから読み出し、複数の面のそれぞれの法線方向の結晶方位とする当該結晶方位の分布からなる三次元結晶方位マップを構築するマップ構築部と、を有する。
ここで、多面体像は六面体像である。表示方向の設定により六面体像のうち所望の一または二以上の面の像を表示することができる。
これにより、一つの装置でFIBによる断面形成と、当該断面のEBSP検出とを連続的に実行し、その結晶解析を効率よく実施することができる。
さらに、本発明に係る結晶解析方法は、三次元結晶方位マップの表示方向を指定する工程と、指定された表示方向に三次元結晶方位マップを表示する工程と、を有する。
また、複合荷電粒子ビーム装置はEBSP検出器8を備えている。EBSP検出器8は、EB6の照射により試料5から発生した後方散乱電子を検出することができる。
また、複合荷電粒子ビーム装置は、EBSP検出器8で検出したEBSPの測定データに基づいて結晶解析を行う結晶解析装置12を備える。
図3のフローチャートを用いて、本実施形態の結晶解析方法について説明する。結晶解析方法では、試料の一部に、所定の間隔で、かつ、互いに略平行な複数の断面を順次加工しつつ、露出された各断面のEBSP測定を行い、取得したEBSPに基づき断面加工された部分の物質と結晶方位の分布からなる三次元結晶方位マップを構築する。これにより加工された試料部分の結晶解析を行うことができる。
そして、断面加工の工程(S1)と、EBSPデータ取得の工程(S2)を繰り返し実行する。断面加工は、所定の間隔で、かつ、互いに略平行になるように断面を形成する。
三次元結晶方位マップは物質と結晶方位の分布であり、物質及び結晶方位毎に異なる色で表示させる。
Claims (10)
- 試料に所定の間隔で形成され、互いに略平行な複数の断面上の各電子ビーム照射点で測定されたEBSPデータを記憶する測定データ記憶部と、
EBSPに対応する結晶方位の情報を蓄積した結晶方位データベースと、
前記複数の断面を前記間隔に基づき配列させた多面体像の複数の面の法線方向の結晶方位を、前記測定データ記憶部に記憶した前記EBSPデータに基づき前記結晶方位データベースから読み出し、前記複数の面のそれぞれの法線方向の結晶方位とする当該結晶方位の分布からなる三次元結晶方位マップを構築するマップ構築部と、を有する結晶解析装置。 - 前記多面体像の複数の面は、結晶方位の異なる複数の結晶粒を有する面である請求項1に記載の結晶解析装置。
- 前記多面体像の複数の面は、前記多面体像の側面に対し、傾斜した内部の面を含む請求項1または2に記載の結晶解析装置。
- 前記マップ構築部は、前記多面体像の一つの面の法線方向の結晶方位の分布からなる二次元結晶方位マップを構築する第一のマップ構築部と、前記一つの面に隣接する面の法線方向の結晶方位の分布からなる二次元結晶方位マップを構築する第二のマップ構築部と、を有する請求項1から3のいずれか一つに記載の結晶解析装置。
- 前記三次元結晶方位マップの表示方向を指定する入力部を有する請求項1から4のいずれか一つに記載の結晶解析装置。
- 請求項1から5のいずれか一つに記載の結晶解析装置と、
前記断面を形成するために集束イオンビームを照射するFIB鏡筒と、
前記断面に電子ビームを照射するEB鏡筒と、
前記断面上の前記電子ビームの照射点でのEBSPを検出するEBSP検出器と、を有する複合荷電粒子ビーム装置。 - 集束イオンビームを試料に照射し、断面を形成する工程と、断面に電子ビームを照射し、断面の各電子ビーム照射点のEBSPを検出する工程と、を繰り返し施し、所定の間隔で互いに略平行に形成された複数の断面のEBSPを取得し、試料の結晶解析を行う結晶解析方法において、
前記複数の断面を前記間隔に基づき配列させた多面体像の複数の面の法線方向の結晶方位を、前記EBSPデータに基づき前記複数の面のそれぞれの法線方向の結晶方位とする当該結晶方位の分布からなる三次元結晶方位マップを構築する工程を有する結晶解析方法。 - 前記多面体像の複数の面は、前記多面体像の側面に対し、傾斜した内部の面を含む請求項7に記載の結晶解析方法。
- 前記三次元結晶方位マップを構築する工程は、前記多面体像の一つの面の法線方向の結晶方位の二次元分布を構築する工程と、前記一つの面に隣接する面の法線方向の結晶方位の二次元分布を構築する工程と、を有する請求項7または8に記載の結晶解析方法。
- 前記三次元結晶方位マップの表示方向を指定する工程と、
指定された表示方向に前記三次元結晶方位マップを表示する工程と、を有する請求項7から9のいずれか一つに記載の結晶方位解析方法。
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