CN105280464B - 操作粒子光学单元的粒子束系统和方法 - Google Patents

操作粒子光学单元的粒子束系统和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105280464B
CN105280464B CN201510581543.1A CN201510581543A CN105280464B CN 105280464 B CN105280464 B CN 105280464B CN 201510581543 A CN201510581543 A CN 201510581543A CN 105280464 B CN105280464 B CN 105280464B
Authority
CN
China
Prior art keywords
particle
optical lens
optics unit
beams
plane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510581543.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105280464A (zh
Inventor
I·米勒
N·本格塞
C·里德塞尔
T·凯门
J·雅各比
A·托马
M·多林
D·蔡德勒
J·基纳斯特
G·本纳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss Microscopy GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss Microscopy GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Microscopy GmbH filed Critical Carl Zeiss Microscopy GmbH
Publication of CN105280464A publication Critical patent/CN105280464A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105280464B publication Critical patent/CN105280464B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/21—Means for adjusting the focus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/10—Lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H01J2237/0435—Multi-aperture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/049—Focusing means
    • H01J2237/0492—Lens systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31774—Multi-beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

一种操作多波束粒子光学单元的方法，包括：(1)提供粒子光学部件的效应的第一设定，其中粒子光学成像可通过至少两个参数来表征；(2)确定矩阵A；使得以下适用：，其中且，其中，表示在所述第一设定的情况下的部件的效应的改变，表示在所述第一设定的情况下的参数的改变；(3)确定矩阵S，使得以下适用：S·A＝DA，其中DA是对角矩阵；(4)限定表征期望的成像的参数的值；(5)提供所述部件的效应的第二设定，使得所述粒子光学成像由具有限定值的参数表征，其中所述第二设定所需的效应根据以下来确定：，其中且，其中，表示在所述第二设定的情况下部件的效应，并且表示所述参数的限定值。

Description

操作粒子光学单元的粒子束系统和方法
技术领域
本发明涉及一种操作粒子光学单元的粒子束系统和方法粒子束系统。
背景技术
粒子束系统使用粒子光学单元以期望方式影响带电粒子束，使得例如光学成像可以使用带电粒子束来获得。带电粒子可以是例如电子或离子，并且粒子束系统可以用作例如显微镜或光刻设备。
粒子光学单元通常具有多个粒子光学部件，其中的每一个对于通过相应粒子光学部件的粒子束有作用。举例而言，粒子光学部件可以是粒子光学透镜，其对于粒子束具有聚焦作用，或者粒子光学部件可以是使粒子束偏转一角度的束偏转器。为此，粒子光学部件提供作用在粒子束的带电粒子上的电场和/或磁场，并且这些作用的值或强度可通过改变电场和/或磁场的强度而是可设定的，例如通过改变施加至提供电场的元件的电压或者改变馈送至产生磁场的线圈的电流。
在粒子光学单元的情况下，每个粒子光学部件的作用必须设定为使得粒子光学单元作为整体提供期望的作用，诸如例如一个平面到另一个平面内的粒子光学成像。在实践中，正确设定粒子光学单元的粒子光学部件的作用经常是困难的，因为多个粒子光学部件以复杂方式互相作用。
在提供粒子光学成像的粒子光学单元的情况下，可以期望改变成像的成像比例。这可以通过改变粒子光学透镜中的一个的聚焦效应来实现。然而，这之后通常还具有相互成像的两个平面之间的距离改变的效应，使得除了成像比例的改变之外还发生离焦(defocussing)。为了避免离焦，那么其他粒子光学部件的效应也必须改变。除了成像比例和相互成像的平面之间的距离之外，特别是在其中大量区域粒子光学地相互成像的粒子束系统的情况下，束路径的会聚度(convergence)和旋转是设定为期望值的参数。其中大量区域粒子光学地相互成像的粒子束系统的示例包括使用多个平行粒子束操作的电子显微镜和光刻设备。
发明内容
本发明的目标是提出一种操作粒子光学单元的方法，这使设定粒子光学部件的效应的过程容易，使得粒子光学单元全体具有期望效应。此外，本发明的目标是提出使用多个粒子束的粒子束系统，用于产生成像比例、束路径的会聚度和旋转可设定为成像的参数的成像。
本发明的实施例提供操作具有至少两个、特别是三个或四个粒子光学部件的粒子光学单元的方法，至少一个粒子束通过该粒子光学部件，并且粒子光学部件对粒子束的相应效应是可设定的。所述方法包括提供粒子光学部件的效应的第一设定，使得具有所述粒子束的粒子的第一平面被粒子光学地成像到第二平面中，其中粒子光学成像可通过至少两个、特别是三个或四个参数来表征。所述参数可以包括例如成像比例、旋转、束路径的会聚度和第一平面和第二平面之间沿着束路径的距离。成像比例表征要成像在第一平面中的物体的范围和在第二平面中的物体的像的范围之间的比率。旋转表征要成像在第二平面中的物体的像绕粒子光学单元的光轴的取向，因为通过特别是旋转对称磁场提供其效应的粒子光学部件导致所述取向的改变。束路径的会聚度表征粒子束提供光学效应的主射线照在第二平面上的角度。经常可期望的是，提供所谓的远心成像，其中所述粒子束的主射线正交地通过第一平面和第二平面，而与平面中的横向位置无关。第一平面和第二平面之间的距离表征物体相对于粒子光学单元要布置的操作距离，从而例如物体的表面与第二平面一致，使得第一平面清晰地成像在物体的表面上。
在提供粒子光学部件的效应的第一设定的过程之后，粒子光学单元因此被设定为成像粒子光学单元。然后，方法进一步包括确定描述粒子光学部件的效应变化之间关系的线性或非线性数学映射，所述变化例如由于通过线圈的电流变化或电极上的电压变化以及表征粒子光学成像的参数变化，例如成像比例和会聚度。根据实施例，在线性情况下的这种关系可以由矩阵A描述，使得以下使用：
其中
且
其中是具有分量w1 1，w2 1，......，wn 1的矢量，其中n是粒子光学部件的数目，并且所述分量中的每一个表示在所述第一设定的情况下所述粒子光学部件中的一个的效应值；是具有分量w1，w2，......，wn的矢量，所述分量表示在与所述第一设定不同的设定的情况下所述粒子光学部件的效应值；是具有分量p1 1，p2 1，......，pm 1的矢量，其中m是表征所述粒子光学成像的参数的数目，并且所述分量中的每一个表示在所述第一设定的情况下所述参数中的一个的值；并且是具有分量p1，p2，......，pm的矢量，所述分量表示在与所述第一设定不同的设定的情况下的参数的值。
根据实施例，矩阵A可以由实验确定。举例而言，从粒子光学部件的效应的第一设定出发，单独效应可以改变，并且表征粒子光学成像的参数的合成变化可以例如通过测量确定。
可实施m×n个测量，以确定矩阵A的m×n个条目：对于m个参数中的每一个，n个粒子光学部件改变，并且部件的每个改变对相关参数的影响在各情况下被确定。这针对全部参数而实施。对于每个参数，这导致了等于粒子光学部件的数目的方程式的数目。在这种情况下，粒子光学部件的改变必须进行，使得方程式的线性独立系统出现。从针对全部参数的方程式，矩阵A的全部分量以这种方式出现。用数学表达，在针对矩阵A中的m个行矢量ai1，ai2，......，ain(i＝1，......，m)中的每一个的n个测量中的每一个中，n个方程式出现，可以关于行矢量ai1，ai2，......，ain(i＝1，......，m)中的元素而解出n个方程式。也就是说，矩阵A的全部矩阵元素可以使用m×n个测量确定。对于m不等于n的情况，方程式的超定或欠定系统会出现。然而，这不会导致在后面的步骤中的方法的任意限制。
举例而言，在最简单的情况中，确定矩阵A可以包括产生与第一设定不同的设定，通过这种方式，矢量的分量Δw1 1，Δw2 1，......，Δwn 1中只有一个与零不同，分析在粒子光学部件的设定与第一设定不同的情况下出现的粒子光学成像，并且确定表征粒子光学成像的参数。然后，对应行矢量的方程式系统简化为对角系统。
根据这里的实施例，确定矩阵A进一步包括重复产生与第一设定不同的设定的过程，其中矢量中的分量Δw1 1，Δw2 1，......，Δwn 1中只有一个分量与零不同，而同时矢量的全部其他分量是零。然而，也可能的是，矢量的两个或更多个分量与零不同。这个最后的对应于上面描述的一般情况。
根据进一步实施例，确定矩阵A包括数值模拟粒子光学成像，使得在粒子光学部件的效应改变的情况下带来的表征成像的参数的改变基于数值模拟来确定。
粒子光学部件可以包括其可设定效应是聚焦效应的粒子光学透镜、其可设定效应是像散效应的像散校正装置、以及其他粒子光学部件及它们的组合。
根据实施例，粒子束系统包括配置为产生多个第一粒子束的第一场的多波束源；配置为将所述第一粒子束引导至物体的第一粒子光学单元；以及控制器；其中第一粒子光学单元包括至少两个，特别是三个或四个布置在第一粒子光学单元的束路径中的粒子光学透镜；其中所述控制器配置为设定第一粒子光学单元的粒子光学透镜中的每一个对第一粒子束的效应，使得具有第一粒子束中的粒子的第一平面被粒子光学地成像到第二平面上，并且第二平面与物体平面一致，使得第一粒子束在位于第二场的照射位置处照射在物体上。
粒子束系统中使用的第一粒子光学单元允许以这种方式设定，第一平面和第二平面之间的距离是可设定的，使得如果例如第一平面相对于第一粒子光学单元固定定位并且物体布置在离第一平面给定距离处，则第二平面可以设定为使得第二平面布置在物体处并例如与物体的表面一致。第一粒子光学单元其次允许将表征粒子光学成像的其它参数设定为期望值。所述参数包括特别是成像比例、旋转、束路径的会聚度，其中这些参数可以尤其互相独立地被设定。这意味着，例如，在束路径的会聚度和旋转不改变的情况下，成像比例可以改变，或者在成像比例和束路径的会聚度不改变的情况下，旋转可以改变。
根据实施例，多波束源配置为使得产生的束在布置为互相隔一距离的位置上通过第一表面并在第一平面中限定第一场。在各情况下，这些位置可以以互相隔开相同距离而定位在场中。此外，位置可以形成矩形栅格或六角形栅格。特别地，所述位置之间的距离可以是固定的，也就是说不可改变。第一平面中的这些位置由粒子束成像到第二平面中或物体上的位置，在该位置，粒子束通过第二平面或照射在物体上。在第二平面中或在物体上，这些位置形成粒子光学地对应于第一场的第二场，其中第二场中的位置之间的距离依赖于粒子光学成像的成像比例。根据实施例，控制器配置为通过改变所述第一粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来改变成像比例并因此改变在第二场内照射位置之间的距离。
第二平面中或物体上的第二场的取向依赖于粒子光学成像的旋转。根据实施例，控制器进一步配置为通过改变第一粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来改变旋转并因此改变照射位置的第二场相对于粒子光学透镜的取向。
控制器进一步配置为在过程中不改变照射位置的第二场相对于粒子光学透镜的取向的情况下，通过改变第一粒子光学单元的粒子光学透镜效应来改变第二场内照射位置之间的距离。
控制器可以同样配置为在过程中不改变第二场内的照射位置之间的距离的情况下，通过改变第一粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来改变照射位置的第二场相对于粒子光学透镜的取向。
根据实施例，粒子束系统进一步包括：探测器，具有布置在第三场中的多个探测区域；第二粒子光学单元，配置为将从在所述物体上的照射位置的第二场中的照射位置出现的第二粒子束引导至探测区域的第三场上；其中第二粒子光学单元具有布置在第二粒子光学单元在第三平面和第四平面之间的束路径中的至少两个，特别是三个或四个粒子光学透镜。控制器配置为设定第二粒子光学单元的粒子光学透镜中的每一个对第二粒子束的效应，使得第三平面成像到第四平面中。在这种情况下，第三平面可以与物体的表面一致，并且探测区域的场可以布置在第四平面中，使得第二粒子束中的每一个照射在布置在第三场中的探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域。
该粒子束系统可以操作为粒子束显微镜，其在物体上的多个位置处同时执行物体特性的测量。
第二粒子光学单元通过这样的方式配置，首先，第三平面与第一粒子光学单元的第二平面或者物体的表面一致，并且第三平面通过从第三平面出发的第二粒子束成像到第四平面中，其中布置探测区域的第三场。其次，第二粒子光学单元可以配置为设定成像的其它参数，例如成像比例、旋转、束路径的会聚度。由于成像比例可设定，因此可能的是，在探测区域之间的给定距离和第二平面中的第一粒子束的照射位置之间的可改变距离情况下，通过第二粒子束将单独照射位置成像到对应探测区域上。
可能的是，不是全部的参数都与多波束粒子系统的特定操作模式有关。例如，可能的是，第二粒子光学单元中的束路径的会聚度的相关性比旋转或成像比例小。那么，较少的粒子光学部件可以足够用于设定期望的剩余参数。例如，如果衍射平面的位置意在几乎保持不变，则对于具有对所述衍射平面的位置高度确定性影响的特定透镜，固定激励可以被预选择并确定。
根据实施例，控制器进一步配置为通过改变第二粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来补偿第二场内的照射位置之间的距离变化，使得在第二场内的照射位置之间的距离改变的情况下，第二粒子束中的每一个照射在布置在第三场中的探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域。
根据这里的示例性实施例，控制器进一步配置为通过改变第二粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来补偿照射位置的第二场的取向相对于第二粒子光学单元的粒子光学透镜的改变，使得，在照射位置的第二场的取向改变的情况下，第二粒子束中的每一个照射在布置在第三场中的探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域上。
第一和第二粒子光学单元可以实施为没有共同的粒子光学透镜的独立粒子光学单元。然而，也可能的是，第一粒子光学单元中的至少两个、特别是三个或四个粒子光学透镜中的至少一个粒子光学透镜成为第二粒子光学单元中的至少两个、特别是三个或四个粒子光学透镜中的至少一个，使得第一和第二粒子光学单元具有一个或多个共用透镜。至少一个共用透镜可以是例如粒子光学显微镜的物镜。根据这里的实施例，粒子束系统包括布置在第一和第二粒子光学单元的束路径中的粒子光学开关。
附图说明
下面参考附图更详细地说明本发明的实施例，其中：
图1示出常规粒子束系统；
图2a、2b和2c示出根据本发明的粒子束系统的一个实施例中的成像的示意图；
图3示出用于阐明操作粒子光学单元的方法的一个实施例的流程图；
图4、5和6以越来越大的放大图示出测试图案的一个实施例；
图7至13示出测试图案的变型；以及
图14a、14b和14c示出穿过物镜、测量系统和校准物体的截面图，用于阐明调节技术。
具体实施方式
图1是使用多个粒子束的多波束检测系统的示意图。检测系统产生照在要检查的物体上的多个粒子束，以在那里产生从物体发出并随后探测到的电子。检测系统1是使用多个初级电子束3的扫描电子显微镜类型(SEM)，多个初级电子束3照在物体7的表面上的位置5并在那里产生多个电子束斑。要检查的物体7可以是任意类型并包括例如半导体晶片、生物样品和小型化元件的布置等。物体7的表面布置在物镜系统100的物镜102的物平面101中。
图1的放大部分I1示出物平面101的俯视图，具有形成在平面101中的照射位置5的规则矩形场103。图1中照射位置的数目是25，并且它们形成5×5的场103。为了简化表示而选择的照射位置的数目25是小数目。在实践中，举例而言，束的数目和/或照射位置的数目可以被选择为比20×30、100×100等大很多。
在示出的实施例中，照射位置5的场103基本上是规则的矩形场，在邻近照射位置之间具有恒定距离P1。距离P1的示例性值是1微米、10微米和40微米。然而，场103还可以具有其他对称性，例如六角形对称性。
在物平面101中成形的束斑的直径可以很小。所述直径的示例值是1纳米、5纳米、100纳米和200纳米。用于成形束斑5的粒子束3的聚焦由物镜系统100执行。
照射到物体上的粒子产生从物体7的表面发射的电子。从物体7的表面发射的电子通过物镜102成形以形成电子束9。检测系统1提供电子束路径11，以将多个电子束9馈送到探测系统200。探测系统200包括具有投射透镜系统205的电子光学单元，以将电子束9引导到电子多探测器209上。
图1中部分I2示出平面211的俯视图，布置在平面211中的是在位置213处电子束9照射其上的各单独探测区域。照射位置213形成第二场217，照射位置之间的规则距离为P2。距离P2的示例值是10微米、100微米和200微米。
初级电子束3产生在束发生装置300中，束发生装置300包括至少一个电子源301、至少一个准直透镜303、多孔布置305和场透镜系统307。电子源301产生由准直透镜303准直的发散电子束309，以成形照射多孔布置305的束311。
图1中的部分I3示出多孔布置305的俯视图。多孔布置305包括多孔板313，其具有形成于其中的多个开口或孔315。开口315的中点317布置在对应于场103的场319中，场103由物平面101中的束斑5形成。孔315的中点317之间的距离P3的值可以例如是5微米、100微米和200微米。孔315的直径D比孔的中点之间的距离P3小。直径D的示例性值是0.2×P3、0.4×P3和0.8×P3。
照射束311的电子通过孔315并形成电子束3。入射到板313上的照射束311的电子被板313捕获，并且不会促成电子束3的形成。
多孔布置305以束焦点323形成在平面325中的方式聚焦电子束3。焦点323的直径可以例如是10纳米、100纳米和1微米。
场透镜系统307和物镜102提供第一成像粒子光学单元，用于使其中形成有焦点的平面325成像在物平面101上，以在物体7的表面上形成照射位置5的场103或束斑。
物镜102和投射透镜系统205提供第二成像粒子光学单元，用于将物平面101成像到探测平面211上。因此，物镜102是为第一和第二粒子光学单元的一部分的透镜，同时场透镜系统307只属于第一粒子光学单元，并且投射透镜系统205只属于第二粒子光学单元。
束开关400布置在多孔布置305和物镜系统100之间的第一粒子光学单元的束路径中。束开关400还是物镜系统100和探测系统200之间的束路径中的第二粒子光学单元的部分。
束开关400构成非旋转对称电光成像系统。对于初级束路径13中的这个粒子光学单元400的成像性能，重要的是初级束路径中的粒子以正确的入射角并在正确的入射位置通过粒子光学单元。在这个意义上，正确意思是入射角的偏差和入射位置的偏差偏离数值模拟中使用的值充分小的程度。然而，束开关400由于其非旋转对称构造而不提供确定所述入射位置和入射角度的直接标准。确定这些所谓的入射条件的直接可能性是例如将孔(aperture)引入束开关上游的束路径，该孔相对于束开关的部分场(sector field)可非常精确地调节。因为孔由于广阔像场不应当被固定地安装在束开关的上游，而是应当通过机械光圈驱动器可延伸或可伸缩，由于空间的原因，孔的使用不总是可能的。在这种情况下，有利地是将调节透镜403(参见图1)插在束发生装置300和束开关400之间。所述调节透镜403至少由线圈以及可选的透镜轭(lens yoke)构成，线圈和透镜轭都可以非常精确地机械匹配到束开关400。也就是说，所述线圈相对于束开开关400的位置容限可以非常小。调节透镜403相对于束开关400的准确机械位置可以例如通过电光模拟来确定。在粒子光学系统的正常操作期间，调节透镜的所述线圈被关断。在调节操作中，束发生装置300下游的束路径可以通过偏转器(未示出)设定，以使在调节透镜403的激励改变和/或调节透镜403的极性反转的情况下，初级束群(primary beam bundle)13不漂移。在这种情况下，确保初级束群照在调节透镜403的中心上并平行于调节透镜的光轴行进。由于调节透镜403关于束开关的匹配，由此确保束开关的入射位置和入射角度足够精确地处于模拟产生的值的容限范围内(误差预算)。
涉及这种多波束检测系统和这里采用的诸如粒子源、多孔板和透镜的部件的进一步的信息可以从国际专利申请WO2005/024881、WO2007/028595、WO2007/028596和WO2007/060017和申请号为DE102013016113.4和DE102013014976.2的德国专利申请中获得，它们公开的内容通过引用全部合并在本申请中。
第一粒子光学单元提供第一平面325到第二平面101中的粒子光学成像。用于表征所述粒子光学成像的一个参数是第一平面325和第二平面101之间沿着束轴的距离。该距离例如通过场透镜系统307的效应或改变的透镜102的效应而是可变的。表征粒子光学成像的另一参数是由于磁场产生的透镜307和102的效应而出现的旋转。磁场导致旋转，以使单独粒子束不直线移动，而沿着沿束路径的螺旋路径移动。
图1示出例如照射位置的场103的期望取向，使得照射位置沿着图1中的水平线和竖直线布置。该取向的值由图1中角R0指定。由于第一粒子光学单元提供的粒子光学成像的旋转，粒子束的场必须具有一取向，使得粒子束在通过第一粒子光学单元之后照在平面101上，平面101作为具有取向R0的场。产生的粒子束的场319的必须取向由图1中的角R1表示。
第二粒子光学单元还提供可以具有平面101和211之间的距离作为特征参数的粒子光学成像。此外，旋转还是表征第二粒子光学单元的参数。从具有取向R0的平面101出发的第二粒子束的场103在通过第二粒子光学单元之后照在具有由图1中角R2指定的取向的平面211上。
在图1中的示意图中，在各情况下，单独粒子束3、9的主射线正交地通过平面325、101和211。这种束路径被指定为远心束路径并且在实践中是有利的，因为例如物体7和物镜102之间的距离的改变实际上导致物体上束斑的放大，而不导致束斑之间的距离P1的改变。然而，可能的是，在第一粒子光学单元和/或第二粒子光学单元的粒子光学透镜的效应的改变的设定的情况下，粒子束的会聚度改变，也就是说，例如，在离开物镜102的光轴一距离处行进的粒子束3的主射线不再正交地照在平面101上。
图2a是粒子光学单元1的示意图，其包括沿粒子光学单元1的光轴7布置的四个粒子光学透镜2、3、4和5。透镜2、3、4、5实施为磁透镜，其产生透镜的磁场的线圈由控制器9供应激励电流，其中激励电流可以针对透镜中的每一个而设定，如在图2a中通过表示可设定激励的箭头9示意性指示。透镜2、3、4、5之间沿着光轴7的距离通常通过透镜的设计固定，也就是说在操作期间不可改变。然而，通过所述控制器9把可设定激励电流提供给单独透镜，粒子光学单元的光学特性可以由控制器9通过改变透镜对粒子束的效应来改变。
粒子光学单元1将第一平面13粒子光学地成像在第二平面15内，第一平面13和第二平面15布置为沿着光轴7相隔一距离。在图2a的示意图中，该成像由布置在第一平面13中的箭头17和将箭头17成像为布置在第二平面15中的箭头21的粒子束的主射线的两个场射线19来表示。
该成像可以通过四个参数来表征。第一参数是第一平面13和第二平面15之间沿着光轴7的距离。第二参数是成像的成像比例，这产生于箭头21和17的长度的比率。第三参数是相对于箭头17关于光轴7的给定取向产生于箭头21关于光轴7的取向的旋转。在图2a，箭头17的取向被表示为角R，并且箭头21的取向被表示为角R1。第四参数是束路径的会聚度，这产生于场射线19在离光轴7给定距离处通过平面13和15的角度。在图2a中，在平面13处存在直角23并且在平面15存在直角T1，使得成像是远心的。
现在假定有意改变参考图2a通过粒子光学单元1阐明的粒子光学成像，特别地，使得成像比例增加。为此，控制器必须根据图2a修改透镜2、3、4、5的效应的设定。
图2b示出与根据图2a的设定不同的透镜2、3、4和5的效应的设定，其中透镜2、4和5的效应的设定与根据图2a的设定中的设定相同，并且仅透镜3的设定与根据图2a的设定不同。这首先导致成像比例的值的增加，与图2a相比，从箭头21的更长的长度，该增加在图2b中很明显。然而，这还具有第一平面13成像到第二平面15′的效应，第二平面15′位于离第一平面13一距离处，该距离比根据图2a的设定情况下的相应距离小值ΔF。此外，箭头21布置在具有取向R3的平面15′中，取向R3与图2a中取向R1不同。因此，成像的旋转改变ΔR＝R3-R1。
此外，图2b中的场射线19以角度T3照在平面15′上，使得与根据图2a中的设定相比，束路径的远心度和会聚度同样改变，其中束路径的会聚度的改变值可以由ΔT＝T3-T1来描述。
这表示粒子光学单元中仅一个粒子光学部件的效应的改变导致表征由粒子光学单元提供的粒子光学成像的四个参数的改变。
然而，在实践中，期望改变粒子光学单元的设定，使得作为设定改变的结果，仅一个表征粒子光学成像的参数改变，而其他参数保持不变。为此，必须共同地改变多个粒子光学部件的效应的设定。然而，困难的是确定单独粒子光学部件的效应的值的必需改变以实现这个目标。在实践中，这按惯例常常被反复实施。
以下参考图3描述了设定粒子光学单元的粒子光学部件的效应使得表征成像的参数具有期望值的方法的一个示例。在这种情况下，方法的起点是，在步骤51中，提供粒子光学部件的效应的第一设定，使得第一平面成像到第二平面中。在第一设定中，单独粒子光学部件的效应的值由矢量表示。表征成像的参数的值可以由矢量表示。
现在期望的是修改粒子光学部件的效应的第一设定，使得在第二设定中，表征成像的参数具有由对应矢量表示的期望值。然后，任务在于发现效应的值中对于这个第二设定是必须的那些。
为此，在步骤53中，确定矩阵A，使得以下适用：
其中
且
这里，与步骤51中的设定相比，是表示光学部件的效应的值的变化的矢量，并且是指示在效应的值改变时出现的参数的值的变化的矢量。
例如，矩阵A可以例如通过数值模拟确定或通过程序在粒子光学单元处实验上确定，在该程序中，改变的设定通过改变单独粒子光学部件的效应的值来引起，并且产生的用于表征出现的粒子光学成像的参数的变化例如通过测量来确定。
可实施m×n个测量，以确定矩阵A的m×n个条目(entry)：对于m个参数中的每一个，n个粒子光学部件改变，并且部件的每个变化对相关参数的影响在不同情况下被确定。这针对全部参数实施。对于每个参数，这导致方程式的数目与粒子光学部件的数目相同。
下面说明一示例，其中表征成像的参数是会聚度、旋转和成像比例，使得m＝3。Δtele、Δrot和Δmag随后表示这些参数的变化。在该示例中，成像由四个透镜提供，使得粒子光学部件的数目是n＝4。透镜的效应由电流I产生。
针对电流的变量ΔIi，可将方程式书写为：
其中，参数的产生的变化Δtele、Δrot和Δmag通过三个测量来测量。矩阵的元素aij最初是未知的。总共n＝4个不同的电流变量ΔIi被设定，并且在四个设定的每一个中测量三个参数的变化Δtele、Δrot和Δmag，使得进行总共12个测量。
然后，通过针对第一参数的变化Δtele进行设定，可以确定值a11，......，a14。
其中，上面的罗马指数指示电流变量的数目。可以关于a11，......，a14解出这个方程式。作为结果，矩阵A的第一行的元素被获取。然后，对应的程序适用于Δrot和Δmag，以计算矩阵A的第二和第三行的元素，使得然后计算矩阵A的所有元素。为此，如果电流变量被选择为使得在上面的方程式中具有元素的行矢量是线性独立的，则是有益的。这个方法可以被类似地应用到其他粒子光学部件，例如像散校正装置。在这种情况下，复数被有利地用于表示参数矩阵A和效应
在步骤53中确定矩阵A之后，在步骤55中，确定矩阵S，使得以下适用：
S·A＝DA，
其中DA是对角矩阵或几乎对角的矩阵。如果非对角元素显著小于对角元素，则矩阵A几乎是对角的。这些矩阵尤其可在矩阵S被数值计算并且矩阵A病态时出现。在这种情况下，尤其可确定矩阵S，使得S＝A-1适用，也就是说，矩阵S通过对矩阵A求逆而计算出。那么，矩阵DA是单元矩阵或者几乎是单元矩阵，也就是说，矩阵DA的对角元素只是与1稍有不同，并且非对角元素只是与0稍有不同。
然后，在步骤57中限定表征期望成像的参数的值。这些值可以表示为矢量然后，在步骤59中，根据下式确定相对于步骤51的设定对于获取期望值而言必需的效应的变化
其中
且
作为方程式的结果，第二设定所需的效应因此出现。在步骤61中设定效应的这些值，于是粒子光学单元可以使用期望成像来操作。
此外，接下来可以进一步执行粒子光学部件的效应的不同设定。为此，方法可以跳至步骤57，其中参数的新期望值被确定，并且新效应的设定可以在步骤59中被执行，其中之前在步骤55中确定的对角矩阵DA用于计算。这是非常可能的，尤其是如果与步骤51中提供的设定相比，矢量的大小很小并且粒子光学部件的效应的小变化因此是必需的时。在效应需要较大变化的情况下，可以建议在步骤61之后跳至步骤53中的处理，以针对步骤61中实现的设定计算新的矩阵A，所述新的矩阵接下来被求逆并且用于计算步骤59和61中效应的新设定。
上面扫描的方法使得根据图2a修改透镜2、3、4、5的效应的设定成为可能，使得仅成像的成像比例被增加，第一平面和第二平面之间的距离保持不变(ΔF＝0)，旋转保持不变(ΔR＝R2-R1＝0)并且束路径的会聚度保持不变(ΔT＝T2-T1＝0)。这种粒子光学部件的效应的设定，即透镜2、3、4、5的效应的设定示于在图2c中。
上面参考图2a、2b和2c并基于使用四个透镜将第一平面成像到第二平面的粒子光学单元说明用于设定粒子光学单元的方法，其中四个透镜布置在这两个平面之间。然而，方法并不限于此。更多或更少的透镜可以用于提供成像。虚拟成像可以实现，使得并非所有提供成像的透镜需要布置在两个平面之间，并且一个或多个透镜可以布置在第一平面上游或第二平面下游的束路径中。此外，成像可以将第一平面成像到一个或多个中间像平面中，所述一个或多个中间像平面接下来成像到第二平面中。此外，必需在第一和第二平面之间准确形成一个交叉。更确切地说，还可以形成多个交叉或完全不形成交叉。
可以期望的是，参考图1说明的电子显微镜系统可以被操作为使得粒子束3在物体上的相互邻近的照射位置之间的距离p1是可设定的，并且照射位置的场的取向R0同样是可设定的。为此，必需的是，在各情况下，第一和第二粒子光学单元都配置为相互独立地设定成像比例和旋转，特别优选地使得束路径的会聚度不改变。这可以通过以上面参考图2a和图3说明的方式实施的第一和第二粒子光学单元实现。这意味着四个或更多个透镜布置在图1中示意性示出的两个粒子光学单元中的每一个中，根据参考图3说明的方法，这些透镜可以由控制器控制。
下面说明测试图案，其可以用于确定诸如参考图1说明的多波束粒子光学单元的成像参数。例如，通过凭借光刻方法写入硅晶片上来以高精度制造这种测试图案。
关于多波束粒子系统的测试图案的背景信息可以从WO2013/032949A1收集，其整个范围通过引用被合并于本专利申请中。
这些测试图案优选被安装在还承载物体7的移动台上，以使在多波束粒子系统的操作期间，测试图案必要时可以被移动至束路径9中，以实施多波束粒子系统的测量、校准和调节。在测量、校准和调节的结论之后，物体7可以被再次引入并且物体的检查可以继续。
图4示出测试图案31的一个示例。测试图案31包括例如四个正方形Q1、Q2、Q3和Q4，并且例如四个调节标记33。正方形Q1和Q2每个都包含例如10×10＝100个小场，而正方形Q3和Q4每个都包含例如7×7＝49个较大场。在其结构方面，所有正方形中的场是相同的测试图案，这在下文被更详细地描述，但是它们的尺寸不同。正方形Q1和Q2的较小场被提供，以使用具有例如12微米的距离的粒子束场来测量；而正方形Q3和Q4的较大场被提供，以使用具有例如18微米的距离的粒子束场来测量。这里在附图中以黑和白示出的测试图案对应于测试晶片上的图案，测试晶片上的图案由于它们的形貌，即例如由于它们表面的取向，或/和由于它们的结构，即例如由于它们的化学组成，导致了记录的二次电子图像中的强度对比。
图5详细的示出了一个这种场37。该场具有大致六角形轮廓并且由以行布置的127个部分场39构成，其中图5中的最高行包括七个部分场39。从上而下，在各情况下，部分场39的数目逐行增加一，直到中间行含有13个部分场。然后，在各情况下，每行部分场39的数目逐行减少一，直到图5中的最低行再次包含七个部分场。部分场中的每一个被提供为通过粒子束的场的粒子束来扫描。因此，场37中部分场39的布置对应于粒子束的场中粒子束的布置。即粒子束的场不以图1中示出的长方形图案来布置，而是以六角形图案来布置。
图6示出来自图5的七个部分场39的放大部分。每个部分场39包括参考标记41、42、43和44、水平编码区域45、垂直编码区域46和测试图案47。在图6中示出的示例中，在各情况下，测试图案47是四组嵌套的正方形。编码区域45被细分为多个12位，例如，多个12位中的每一个可以或可以不包含例如编码元素(coding element)，诸如正方形，使得每个编码区域可以编码一数字。在这种情况下，垂直区域46编码由场37中的特定部分场39保持的数字，并且水平区域45编码由在正方形Q1、Q2、Q3和Q4的一个中的特定场37保持的数字。
图7示出放大图中的测试图案47。单独的线可以具有例如60纳米的线宽。
图8至12示出来自图7的测试图案的变型。图8中的测试图案由水平线构成，图9中的测试图案由垂直线构成，图10中的测试图案由交叉线构成，图11中的测试图案由长方形的栅格布置构成，图12中的测试图案除中心测试图案之外可以由全部测试图案中的交叉构成(右手部分的图)。此外，中心测试图案可以由被正方形围绕的交叉构成(左手部分的图)。图13中的测试图案是宽度从左至右以及从下至上非线性变化的元素的非周期图案。该测试图案特别适用于将傅里叶变换用作成像处理的步骤的测试。
上面说明的测试图案适用于确定通过粒子光学单元提供的成像获取的成像比例和旋转。例如设计为截棱锥的测试图案适用于确定束路径的会聚度，所以这种截棱锥具有四个相同尺寸的斜侧面。在粒子束垂直照射在这种测试结构上的情况下，斜侧面呈现为具有相同尺寸，然而在倾斜照射粒子束的情况下，斜侧面呈现为具有不同尺寸。从斜侧面的宽度的测量中，因此可以推断出粒子束的照射角度并因此推断出其会聚度。
测试晶片的结构可以以不同的方式使用，用于调节多波束设备。这些特别是：部分束的位置的确定，部分束之间的距离的设定，以及多束相对于物体台的相对取向，远心度，从而确保所有物体点由轴向平行束照明，确保扫描的校准，从而避免扫描场的畸变和非线性，以及其他。
通常，测试晶片被并入物体台，以使测试晶片结构的取向对应于所述台的移动轴。
束位置测量：
为了确定在样品平面中束的照射位置(由其依次确定例如放大率和旋转)，以下的方法可以被使用：
a)利用校准的测试样品的测量方法。
具有校准的结构的测试样品被使用，也就是说，该结构的位置相对于测试样品坐标系统是已知的。使用全部(或者从全部中选择)束扫描测试样品。该扫描(特别是图像坐标系统相对于测试样品坐标系统的像素尺寸和取向)被事先校准或者还可以同时校准。单独束的位置可以从产生的图像中(或者从所述图像中结构的位置)计算。这可以通过例如明确地识别图像中的结构并确定图像中的位置来完成。考虑到测试样品上的结构的已知位置和测试样品坐标系统和图像坐标系统之间的已知转换M，测试晶片上束的位置可以从扫描图像中的结构的位置计算。代替精确地识别单独图像中的结构，还可以使用周期性结构化的样品。那么可以确定在各情况下两个粒子束之间的图像位移：如果周期性结构的一个元件例如集中地位于第一粒子束的图像中，而周期性结构的一个(不同)元件以从图像中心位移(dx，dy)个像素的方式位于在第二粒子束的图像中，则位移矢量(dx，dy)可以通过测试样品坐标系统中转换矩阵M表示。考虑到已知周期性结构的元件相对于彼此的位置，那么可以计算第二粒子束相对于第一粒子束的位置。对于其他粒子束，这可以以完全相同的方式发生，其中有利的是在各情况下确定相对于相同粒子束(例如，第一粒子束)的位移，从而不增加误差。
b)重叠测量方法
代替具有校准的结构的测试样品，任意结构化的样品也可以被使用。为此，图像被记录，该图像的图像尺寸大于样品上粒子束的照射位置之间的预期距离，也就是说，邻近束的图像重叠。如果两个邻近粒子束的图像被比较并且图像相对于彼此的位移基于相同的重叠区域而确定，在校准扫描(像素尺寸)的情况下，可以确定两个粒子束在图像坐标系统中相对于彼此的位置。因此，针对每个邻近粒子束对，获得相对位置矢量。所有粒子束相对于彼此的相对位置可以基于这些位置矢量来计算。两个粒子束之间的相对位置可以被直接确定或借由通过其他光束的间接路径(各个位置矢量的总和)来确定。
远心度测量：
作为通过具有升高的结构的测试样品的上述测量的替代例，可以使用可通过机动化样品台在z方向上(也就是说在平行于光轴的高度上)移动的任意平坦、结构化的测试样品。那么，在各情况下，在至少两个不同的z位置上记录(全部束的或从束中选择的束的)扫描图像。在此之后，(人工地或自动地)确定在第一高度z1处的任意粒子束的图像中的样品结构怎样相对于在相对于第一高度z1改变的第二高度z2处的相同粒子束的图像中的样品结构位移。在校准扫描的情况下，该位移可以从像素转换为例如纳米。连同(校准的)样品台的两个高度之间的差或距离z1-z2，相关粒子束的照射角可以从确定的位移计算：t＝atan(位移/(z1-z2))。如果可能存在多于两个的z位置，则远心度可以被多次计算并平均。在这种情况下，两个高度z1和z2应当被选择为使得图像位于成像的焦深内，也就是说在不需要重新调节(聚焦)电光元件的情况下图像显示足够的对比度或样品细节，也就是说两个高度z1、z2应当都在焦平面附近。高度差z1-z2应当另外被选择为使得在全部高度位置处的任意粒子束的图像显示样品结构的共同区域，也就是说位移必须不能太大。替代地，其他地方描述的粒子束位置测量还可以在每个高度位置处进行，然后粒子束相对于彼此的相对照射角可以由粒子束位置之间的差和(校准的)样品台的高度位置之间的差z1-z2来计算。对于这个方法，特定粒子束的图像没有必要显示在全部高度位置中的样品结构的共同区域。
扫描校准：
扫描产生器必须被校准，用于准确设定扫描场。这包括扫描方向的偏移幅度、扫描的线性度、两个偏移方向的正交性和倾斜角的设定，用于在相对大的扫描场的情况下获取远心度。这可以按照以下来进行：扫描校准算法将比较测试晶片上的重复结构的实际已知位置与扫描图像中的测量位置。扫描图像的放大率、旋转和畸变可以基于这些差来确定并校正。
相对分辨率测量：
针对多波束设备的常规操作，每个束中的分辨率必须仅在特定容限范围(例如，±5％、±10％或±20％)内变化。此外，重要的是知道全部束的绝对分辨率值。高分辨率测量可以使用具有统计学分布的结构和距离的(非晶)样品来实施。这个样品有利地具有非常平坦的载体，该载体的平坦度比多波束粒子设备的焦深小。在这种情况下，载体具有相对低的二次电子产量(例如，硅、碳)，而施加的重金属岛(例如，金、铂)具有高的二次电子产量。
例如通过使用图像信息的边缘尖锐度的方法的绝对分辨率确定是相对计算复杂的。尽管有高精度，但是在很多束的情况下，这个测量是不实际的。例如基于2D傅里叶变换的其他分辨率方法是计算上较不复杂的。然而，例如在傅里叶变换方法情况下的绝对分辨率值极大依赖于导致产生分辨率测量的倒易空间中截止频率的截止阈值的选择。用于多波束粒子设备的分辨率确定的一个有利的实施方式在于，仅基于单独粒子束(参考束)的图像实施绝对分辨率测量和通过相对于在绝对项中表征的参考束的相对分辨率标准来确定剩余粒子束的图像。这可以有利地通过傅里叶变换方法来实现，其中恒定的截止频率可以针对全部图像来限定。因此，截止阈值的绝对选择与相对分辨率无关。因此，对应的空间频率的偏离形成束之间分辨率的各向同性的校正值。每个单独束的绝对分辨率产生于以绝对项和校正值测量的参考束的分辨率。
图14a、14b和14c阐明用于校准样品台63相对于粒子束系统的物镜102的倾斜和位置的技术。为此，例如三个测量探针53被安装至样品台63或参考台51，以测量样品台63或参考台51在三个位置处关于物镜102的参考表面55的距离，该三个位置以分布在围绕物镜102的主轴的周向上的方式布置。通过这种方式，样品台63可以相对于物镜102正确地校准。然后，测量探针可以被移除，使得具有布置于其上的样品的样品台可以相对于物镜移动。
图14c示出相对于粒子束系统的物镜102的、具有位于其上的样品65的样品台63的布置。仅示出物镜102的下极靴。可以平行和垂直于样品表面移动样品的移动台57通过至少三个致动器59固定至样品室61。这些致动器相对于该室并因此相对于物镜102改变样品台的校准，物镜102通过其它机械部件(这里未示出)固定至室61。致动器59可以为例如手动可调固定螺丝或压电致动器。
在这方面，图14a示出安装至移动台57的测量系统，从而校准样品台63相对于物镜102的位置和倾斜。测量系统包含参考板51，例如三个测量探针53被安装至参考板51以测量参考台51在三个位置处相对于物镜102的参考表面55的距离，该三个位置以分布在围绕物镜102的主轴的周向上的方式布置。所述参考表面55可以非常精确地制造为正交于物镜102的轴。代替安装在参考板51上，测量探针还可以被安装在样品台63上。
为了正确地确定测量探针的参考位置，图14b示出可以固定在参考板51上的校准物体104。测量探针的参考表面55′可以平行于参考表面55″而非常精确地制造，通过参考表面55″，校准物体可以压在参考平板51上。在第一步骤中，安装校准物体104，并且确定测量探针53相对于参考表面55′的位置。在第二步骤中，移除校准物体104，并且测量探针53相对于物镜102移动。通过调节固定螺丝，可以通过将第一步骤中的测量和第二步骤中的测量之间每个测量探针的位置的差设定为与全部测量探针的情况下相同的值来使参考板51相对于物镜102正确对准。后来，测量探针53和参考板51可以被移除，并且样品台63可以被安装。移动台57的轴可以非常精确地制造为关于样品台63平行和垂直。在调节上面描述的方法中的固定螺丝59之后，其上布置有样品65的样品台63可以因此相对于物镜102移动并且相对于物镜102的轴正交地移动，使得在物镜102的轴方向上相对于样品65的距离仅轻微改变。

Claims (33)

1.一种操作多波束粒子光学单元的方法，其中，所述多波束粒子光学单元具有至少两个粒子光学部件，多个粒子束均通过所述至少两个粒子光学部件，并且所述至少两个粒子光学部件对所述粒子束的效应是可设定的，并且其中所述方法包括：
(1)提供所述粒子光学部件的效应的第一设定，使得具有所述粒子束的粒子的第一平面被粒子光学地成像到第二平面中，其中所述粒子光学成像可通过至少两个参数来表征；
(2)确定矩阵A，使得以下适用：
其中
且
其中，
是具有分量w1 1，w2 1，......，wn 1的矢量，其中n是粒子光学部件的数目，并且所述分量中的每一个表示在所述第一设定的情况下所述粒子光学部件中的一个的效应的值，
是具有分量w1，w2，......，wn的矢量，所述分量表示在与所述第一设定不同的设定的情况下所述粒子光学部件的效应的值，
是具有分量p1 1，p2 1，......，pm 1的矢量，其中m是表征所述粒子光学成像的参数的数目，并且所述分量中的每一个表示在所述第一设定的情况下所述参数中的一个的值，以及
是具有分量p1，p2，......，pm的矢量，所述分量表示在与所述第一设定不同的设定的情况下所述参数的值；
(3)确定矩阵S，使得以下适用：
S·A＝DA，
其中DA是对角矩阵；
(4)限定表征期望的粒子光学成像的参数的值；
(5)提供所述粒子光学部件的效应的第二设定，使得所述粒子光学成像由具有限定值的参数表征，其中所述第二设定所需的效应根据以下来确定：
其中
且
其中：
是具有分量w1 2，w2 2，......，wn 2的矢量，所述分量表示在所述第二设定的情况中所述粒子光学部件的效应的值，
是具有分量p1 2，p2 2，......，pn 2的矢量，所述分量表示所述参数的限定值。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，表征所述粒子光学成像的所述至少两个参数选自包括成像比例、旋转、束路径的会聚度和所述第一平面和所述第二平面之间沿着所述束路径的距离的参数组。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，确定所述矩阵A包括：
产生与所述第一设定不同的设定，使得所述矢量的分量Δw1 1，Δw2 1，.....，Δwn 1中只有一个与零不同，
分析在所述粒子光学部件的设定与所述第一设定不同的情况下出现的粒子光学成像，以及
确定表征所述粒子光学成像的参数。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：重复产生与所述第一设定不同的设定的过程，其中每次所述矢量的分量Δw1 1，Δw2 1，......，Δwn 1中的不同的一个与零不同。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，确定所述矩阵A包括数值模拟所述粒子光学成像。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述至少两个粒子光学部件包括至少一个粒子光学透镜，并且所述粒子光学透镜的可设定效应是所述粒子光学透镜的聚焦效应。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述至少两个粒子光学部件包括至少一个像散校正装置，并且所述可设定效应是所述像散校正装置的像散效应。
8.一种粒子束系统，包括：
多波束源，配置为产生多个第一粒子束的第一场；
第一粒子光学单元，配置为将所述第一粒子束引导至物体；以及
控制器；
其中，
所述第一粒子光学单元包括布置在所述第一粒子光学单元的束路径中的至少两个粒子光学透镜；
所述控制器配置为设定所述至少两个粒子光学透镜中的每一个对所述第一粒子束的效应，使得在使用所述粒子束系统期间：
使用所述第一粒子束中的粒子将第一平面成像到第二平面中；并且
所述第二平面与物平面一致，使得所述第一粒子束在形成第二场的照射位置上照射在所述物体上；
所述多波束源相对于所述第一粒子光学单元的粒子光学透镜固定；
在使用所述粒子束系统期间，所述第一粒子束在相互隔有固定距离的位置处位于所述第一场内；
所述控制器配置为通过改变所述第一粒子光学单元的粒子光学透镜的效应改变在所述第二场内所述照射位置之间的距离；
所述控制器配置为通过改变所述第一粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来改变照射位置的第二场相对于所述粒子光学透镜的取向；以及
所述控制器配置为在不改变照射位置的第二场的取向的情况下以及在不改变所述第一粒子光学单元的束路径的会聚度的情况下，改变所述照射位置的第二场内的照射位置之间的距离。
9.根据权利要求8所述的粒子束系统，还包括：
探测器，具有布置在第三场中的多个探测区域；
第二粒子光学单元，配置为将从在所述物体上的照射位置的第二场中的照射位置出现的第二粒子束引导至探测区域的第三场上；
其中，
所述第二粒子光学单元具有布置在所述第二粒子光学单元的束路径中的至少两个粒子光学透镜；以及
所述控制器配置为设定所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜中的每一个对所述第二粒子束的效应，使得在使用所述粒子束系统期间：
使用所述第二粒子束中的粒子将第三平面成像到第四平面上，
所述第三平面位于所述物体上，并且所述第四平面位于探测区域的所述第三场上，使得所述第二粒子束中的每一个照射在布置在所述第三场中的探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域上。
10.根据权利要求9所述的粒子束系统，其中，
所述探测区域相对于所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜固定，
所述探测区域以相互隔开固定距离在所述第三场内，以及
所述控制器配置为通过改变所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来补偿所述第二场内的照射位置之间的距离的变化，使得在使用所述粒子束系统期间，在所述第二场内的照射位置之间的距离改变时，所述第二粒子束中的每一个照射在布置在所述第三场中的所述探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域。
11.根据权利要求9所述的粒子束系统，其中，所述控制器配置为通过改变所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来补偿照射位置的第二场相对于所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜的取向的变化，使得在使用所述粒子束系统期间，在照射位置的第二场的取向改变时，所述第二粒子束中的每一个照射在布置在所述第三场中的探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域上。
12.根据权利要求9所述的粒子束系统，其中，所述第一粒子光学单元的至少两个粒子光学透镜中的一个粒子光学透镜是所述第二粒子光学单元的至少两个粒子光学透镜中的一个。
13.根据权利要求9所述的粒子束系统，还包含在所述第一粒子光学单元的束路径中和所述第二粒子光学单元的束路径中的粒子光学开关。
14.一种粒子束系统，包括：
多波束源，配置为产生多个第一粒子束的第一场；
第一粒子光学单元，配置为将所述第一粒子束引导至物体；以及
控制器；
其中，
所述第一粒子光学单元包括布置在所述第一粒子光学单元的束路径中的至少两个粒子光学透镜；
所述控制器配置为设定所述至少两个粒子光学透镜中的每一个对所述第一粒子束的效应，使得在使用所述粒子束系统期间：
使用所述第一粒子束中的粒子将第一平面成像到第二平面中；并且
所述第二平面与物平面一致，使得所述第一粒子束在形成第二场的照射位置上照射在所述物体上；
所述多波束源相对于所述第一粒子光学单元的粒子光学透镜固定；
在使用所述粒子束系统期间，所述第一粒子束在相互隔有固定距离的位置处位于所述第一场内；
所述控制器配置为通过改变所述第一粒子光学单元的粒子光学透镜的效应改变在所述第二场内所述照射位置之间的距离；
所述控制器配置为通过改变所述第一粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来改变照射位置的第二场相对于所述粒子光学透镜的取向；以及
所述控制器配置为在不改变照射位置的第二场内的照射位置之间的距离的情况下以及在不改变所述第一粒子光学单元的束路径的会聚度的情况下，改变所述照射位置的第二场的取向。
15.根据权利要求14所述的粒子束系统，还包括：
探测器，具有布置在第三场中的多个探测区域；
第二粒子光学单元，配置为将从在所述物体上的照射位置的第二场中的照射位置出现的第二粒子束引导至探测区域的第三场上；
其中，
所述第二粒子光学单元具有布置在所述第二粒子光学单元的束路径中的至少两个粒子光学透镜；以及
所述控制器配置为设定所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜中的每一个对所述第二粒子束的效应，使得在使用所述粒子束系统期间：
使用所述第二粒子束中的粒子将第三平面成像到第四平面上，
所述第三平面位于所述物体上，并且所述第四平面位于探测区域的所述第三场上，使得所述第二粒子束中的每一个照射在布置在所述第三场中的探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域上。
16.根据权利要求15所述的粒子束系统，其中，
所述探测区域相对于所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜固定，
所述探测区域以相互隔开固定距离在所述第三场内，以及
所述控制器配置为通过改变所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来补偿所述第二场内的照射位置之间的距离的变化，使得在使用所述粒子束系统期间，在所述第二场内的照射位置之间的距离改变时，所述第二粒子束中的每一个照射在布置在所述第三场中的所述探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域。
17.根据权利要求15所述的粒子束系统，其中，所述控制器配置为通过改变所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来补偿照射位置的第二场相对于所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜的取向的变化，使得在使用所述粒子束系统期间，在照射位置的第二场的取向改变时，所述第二粒子束中的每一个照射在布置在所述第三场中的探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域上。
18.根据权利要求15所述的粒子束系统，其中，所述第一粒子光学单元的至少两个粒子光学透镜中的一个粒子光学透镜是所述第二粒子光学单元的至少两个粒子光学透镜中的一个。
19.根据权利要求15所述的粒子束系统，还包含在所述第一粒子光学单元的束路径中和所述第二粒子光学单元的束路径中的粒子光学开关。
20.一种粒子束系统，包括：
多波束源，配置为产生多个第一粒子束的第一场；
第一粒子光学单元，配置为将所述第一粒子束引导至物体；以及
控制器；
其中，
所述第一粒子光学单元包括布置在所述第一粒子光学单元的束路径中的至少两个粒子光学透镜；
所述控制器配置为设定所述至少两个粒子光学透镜中的每一个对所述第一粒子束的效应，使得在使用所述粒子束系统期间：
使用所述第一粒子束中的粒子将第一平面成像到第二平面中；并且
所述第二平面与物平面一致，使得所述第一粒子束在形成第二场的照射位置上照射在所述物体上；
所述多波束源相对于所述第一粒子光学单元的粒子光学透镜固定；
在使用所述粒子束系统期间，所述第一粒子束在相互隔有固定距离的位置处位于所述第一场内；
所述控制器配置为改变所述第一平面与所述第二平面之间的距离；
所述控制器配置为通过改变所述第一粒子光学单元的粒子光学透镜的效应改变在所述第二场内所述照射位置之间的距离；以及
所述控制器配置为在不改变所述第二场内的照射位置之间的距离的情况下以及在不改变所述第一粒子光学单元的束路径的会聚度的情况下，改变所述第一平面与所述第二平面之间的距离。
21.根据权利要求20所述的粒子束系统，还包括：
探测器，具有布置在第三场中的多个探测区域；
第二粒子光学单元，配置为将从在所述物体上的照射位置的第二场中的照射位置出现的第二粒子束引导至探测区域的第三场上；
其中，
所述第二粒子光学单元具有布置在所述第二粒子光学单元的束路径中的至少两个粒子光学透镜；以及
所述控制器配置为设定所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜中的每一个对所述第二粒子束的效应，使得在使用所述粒子束系统期间：
使用所述第二粒子束中的粒子将第三平面成像到第四平面上；
所述第三平面位于所述物体上，并且所述第四平面位于探测区域的所述第三场上，使得所述第二粒子束中的每一个照射在布置在所述第三场中的探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域上。
22.根据权利要求21所述的粒子束系统，其中，
所述探测区域相对于所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜固定，
所述探测区域以相互隔开固定距离在所述第三场内，以及
所述控制器配置为通过改变所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来补偿所述第二场内的照射位置之间的距离的变化，使得在使用所述粒子束系统期间，在所述第二场内的照射位置之间的距离改变时，所述第二粒子束中的每一个照射在布置在所述第三场中的所述探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域。
23.根据权利要求21所述的粒子束系统，其中，所述控制器配置为通过改变所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来补偿照射位置的第二场相对于所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜的取向的变化，使得在使用所述粒子束系统期间，在照射位置的第二场的取向改变时，所述第二粒子束中的每一个照射在布置在所述第三场中的探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域上。
24.根据权利要求21所述的粒子束系统，其中，所述第一粒子光学单元的至少两个粒子光学透镜中的一个粒子光学透镜是所述第二粒子光学单元的至少两个粒子光学透镜中的一个。
25.根据权利要求21所述的粒子束系统，还包含在所述第一粒子光学单元的束路径中和所述第二粒子光学单元的束路径中的粒子光学开关。
26.一种粒子束系统，包括：
多波束源，配置为产生多个第一粒子束的第一场；
第一粒子光学单元，配置为将所述第一粒子束引导至物体；以及
控制器；
其中，
所述第一粒子光学单元包括布置在所述第一粒子光学单元的束路径中的至少两个粒子光学透镜；
所述控制器配置为设定所述至少两个粒子光学透镜中的每一个对所述第一粒子束的效应，使得在使用所述粒子束系统期间：
使用所述第一粒子束中的粒子将第一平面成像到第二平面中；并且
所述第二平面与物平面一致，使得所述第一粒子束在形成第二场的照射位置上照射在所述物体上；
所述多波束源相对于所述第一粒子光学单元的粒子光学透镜固定；
在使用所述粒子束系统期间，所述第一粒子束在相互隔有固定距离的位置处位于所述第一场内；
所述控制器配置为改变所述第一平面与所述第二平面之间的距离；
所述控制器配置为通过改变所述第一粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来改变照射位置的第二场相对于所述粒子光学透镜的取向；以及
所述控制器配置为在不改变所述照射位置的第二场的取向的情况下以及在不改变所述第一粒子光学单元的束路径的会聚度的情况下，改变所述第一平面与所述第二平面之间的距离。
27.根据权利要求26所述的粒子束系统，还包括：
探测器，具有布置在第三场中的多个探测区域；
第二粒子光学单元，配置为将从在所述物体上的照射位置的第二场中的照射位置出现的第二粒子束引导至探测区域的第三场上；
其中，
所述第二粒子光学单元具有布置在所述第二粒子光学单元的束路径中的至少两个粒子光学透镜；以及
所述控制器配置为设定所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜中的每一个对所述第二粒子束的效应，使得在使用所述粒子束系统期间：
使用所述第二粒子束中的粒子将第三平面成像到第四平面上；
所述第三平面位于所述物体上，并且所述第四平面位于探测区域的所述第三场上，使得所述第二粒子束中的每一个照射在布置在所述第三场中的探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域上。
28.根据权利要求27所述的粒子束系统，其中，
所述探测区域相对于所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜固定，
所述探测区域以相互隔开固定距离在所述第三场内，以及
所述控制器配置为通过改变所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来补偿所述第二场内的照射位置之间的距离的变化，使得在使用所述粒子束系统期间，在所述第二场内的照射位置之间的距离改变时，所述第二粒子束中的每一个照射在布置在所述第三场中的所述探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域。
29.根据权利要求27所述的粒子束系统，其中，所述控制器配置为通过改变所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜的效应来补偿照射位置的第二场相对于所述第二粒子光学单元的粒子光学透镜的取向的变化，使得在使用所述粒子束系统期间，在照射位置的第二场的取向改变时，所述第二粒子束中的每一个照射在布置在所述第三场中的探测区域中的至少一个上，并且相互不同的第二粒子束照射在相互不同的探测区域上。
30.根据权利要求27所述的粒子束系统，其中，所述第一粒子光学单元的至少两个粒子光学透镜中的一个粒子光学透镜是所述第二粒子光学单元的至少两个粒子光学透镜中的一个。
31.根据权利要求27所述的粒子束系统，还包含在所述第一粒子光学单元的束路径中和所述第二粒子光学单元的束路径中的粒子光学开关。
32.根据权利要求9至13、15-19、21-25、27-31中任一项所述的粒子束系统，其中，所述第二粒子光学单元通过根据权利要求1至7中任一项所述的方法操作。
33.根据权利要求8至31中任一项所述的粒子束系统，其中，所述第一粒子光学单元通过根据权利要求1至7中任一项所述的方法操作。
CN201510581543.1A 2014-06-06 2015-06-08 操作粒子光学单元的粒子束系统和方法 Active CN105280464B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014008383.7 2014-06-06
DE102014008383.7A DE102014008383B9 (de) 2014-06-06 2014-06-06 Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben einer Teilchenoptik

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105280464A CN105280464A (zh) 2016-01-27
CN105280464B true CN105280464B (zh) 2019-06-14

Family

ID=54770143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510581543.1A Active CN105280464B (zh) 2014-06-06 2015-06-08 操作粒子光学单元的粒子束系统和方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9799485B2 (zh)
KR (1) KR102430355B1 (zh)
CN (1) CN105280464B (zh)
DE (1) DE102014008383B9 (zh)
TW (2) TWI704344B (zh)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105765691B (zh) 2013-09-30 2018-02-02 卡尔蔡司显微镜有限责任公司 带电粒子束系统和操作带电粒子束系统的方法
DE102014008083B9 (de) 2014-05-30 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem
DE102014008105B4 (de) 2014-05-30 2021-11-11 Carl Zeiss Multisem Gmbh Mehrstrahl-Teilchenmikroskop
DE102014008383B9 (de) 2014-06-06 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben einer Teilchenoptik
DE102015202172B4 (de) 2015-02-06 2017-01-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts
KR102480232B1 (ko) 2016-01-27 2022-12-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 복수의 하전 입자 빔들의 장치
DE102016120902B4 (de) 2016-11-02 2018-08-23 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop
TWI729368B (zh) * 2017-02-08 2021-06-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 源轉換單元、多射束裝置及組態多射束裝置之方法
TWI787802B (zh) * 2017-02-08 2022-12-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 源轉換單元、多射束裝置及組態多射束裝置之方法
KR102520386B1 (ko) * 2017-03-20 2023-04-11 칼 짜이스 마이크로스카피 게엠베하 하전 입자 빔 시스템 및 방법
US10338013B1 (en) * 2018-01-25 2019-07-02 Kla-Tencor Corporation Position feedback for multi-beam particle detector
DE102018202428B3 (de) 2018-02-16 2019-05-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop
DE102018202421B3 (de) 2018-02-16 2019-07-11 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
WO2019166331A2 (en) 2018-02-27 2019-09-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle beam system and method
US10811215B2 (en) 2018-05-21 2020-10-20 Carl Zeiss Multisem Gmbh Charged particle beam system
DE102018007455B4 (de) 2018-09-21 2020-07-09 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt
DE102018007652B4 (de) 2018-09-27 2021-03-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen
DE102018124044B3 (de) 2018-09-28 2020-02-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
DE102018124903B3 (de) * 2018-10-09 2020-01-30 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Kalibrieren eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops
JP7110383B2 (ja) * 2018-10-19 2022-08-01 株式会社日立ハイテク アライメントシステム及び位置合わせ用シール
CN111477530B (zh) * 2019-01-24 2023-05-05 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法
TWI743626B (zh) 2019-01-24 2021-10-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品
US10741355B1 (en) 2019-02-04 2020-08-11 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle system
DE102019204575B3 (de) * 2019-04-01 2020-08-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, Vorrichtung und Computerprogramm zum Bestimmen einer Wellenfront eines massebehafteten Teilchenstrahls
DE102019005362A1 (de) * 2019-07-31 2021-02-04 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem
TWI787794B (zh) 2020-05-28 2022-12-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 多重射束帶電粒子顯微鏡或系統與其操作方法
EP3951832A1 (en) * 2020-08-03 2022-02-09 FEI Company Method of aligning a charged particle beam apparatus
DE102021105201A1 (de) 2021-03-04 2022-09-08 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop und zugehöriges Verfahren mit schnellem Autofokus mit speziellen Ausführungen
DE102020125534B3 (de) 2020-09-30 2021-12-02 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop und zugehöriges Verfahren mit schnellem Autofokus um einen einstellbaren Arbeitsabstand
TW202220012A (zh) 2020-09-30 2022-05-16 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 在可調工作距離附近具快速自動對焦之多重粒子束顯微鏡及相關方法
DE102021200799B3 (de) 2021-01-29 2022-03-31 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren mit verbesserter Fokuseinstellung unter Berücksichtigung eines Bildebenenkipps in einem Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop
CN113082549B (zh) * 2021-03-26 2022-12-06 中以康联国际医疗科技有限公司 粒子射束监控方法及粒子射束治疗装置
TW202312205A (zh) 2021-05-27 2023-03-16 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 多重射束帶電粒子系統與在多重射束帶電粒子系統中控制工作距離的方法
DE102021116969B3 (de) 2021-07-01 2022-09-22 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zur bereichsweisen Probeninspektion mittels eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop zur Halbleiterprobeninspektion
DE102021211801B3 (de) 2021-10-19 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Charakterisierung eines optischen Parameters
CN118103941A (zh) 2021-10-25 2024-05-28 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 在多束系统中对成像分辨率进行全局与区域优化的方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5892224A (en) 1996-05-13 1999-04-06 Nikon Corporation Apparatus and methods for inspecting wafers and masks using multiple charged-particle beams
TW579536B (en) * 2001-07-02 2004-03-11 Zeiss Carl Semiconductor Mfg Examining system for the particle-optical imaging of an object, deflector for charged particles as well as method for the operation of the same
JP4421836B2 (ja) 2003-03-28 2010-02-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4794444B2 (ja) 2003-09-05 2011-10-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 粒子光学システム及び装置、並びに、かかるシステム及び装置用の粒子光学部品
US8039813B2 (en) 2005-09-06 2011-10-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Charged particle-optical systems, methods and components
EP1777728A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-25 Carl Zeiss SMS GmbH Lithography system
EP2267754B1 (en) 2005-11-28 2012-11-21 Carl Zeiss SMT GmbH Particle-optical inspection system
US7504622B2 (en) 2006-04-03 2009-03-17 Applied Materials, Israel, Ltd. High throughput multi beam detection system and method
EP2122655A2 (en) 2007-02-22 2009-11-25 Applied Materials Israel Ltd. High throughput sem tool
WO2008101713A2 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Applied Materials Israel Ltd. High throughput sem tool
CN102017052B (zh) 2008-02-26 2013-09-04 迈普尔平版印刷Ip有限公司 投影透镜装置
JP5250350B2 (ja) * 2008-09-12 2013-07-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置
JP5634052B2 (ja) 2009-01-09 2014-12-03 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画装置およびデバイス製造方法
WO2011124352A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Charged particle detection system and multi-beamlet inspection system
CN107104029B (zh) 2010-09-28 2020-10-09 以色列实用材料有限公司 粒子光学系统及布置与用于该系统及布置的粒子光学组件
EP2450936B1 (en) 2010-11-03 2013-03-13 Carl Zeiss NTS Ltd. Microscope system, method for operating a charged-particle microscope
US9530613B2 (en) 2011-02-18 2016-12-27 Applied Materials Israel, Ltd. Focusing a charged particle system
US8362425B2 (en) * 2011-03-23 2013-01-29 Kla-Tencor Corporation Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection
NL2007604C2 (en) 2011-10-14 2013-05-01 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams.
JP5996635B2 (ja) 2011-05-03 2016-09-21 アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド マルチスポット収集光学系
NL2006868C2 (en) 2011-05-30 2012-12-03 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle multi-beamlet apparatus.
GB2494118A (en) 2011-08-28 2013-03-06 Applied Materials Israel Ltd Test object for testing an array of beams
DE102012017950A1 (de) 2012-09-11 2014-03-13 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Partikelstrahlmikroskop zur Erzeugung von Materialbestandteilen
DE102013014976A1 (de) 2013-09-09 2015-03-12 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenoptisches System
DE102013016113B4 (de) 2013-09-26 2018-11-29 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Detektieren von Elektronen, Elektronendetektor und Inspektionssystem
US9263233B2 (en) 2013-09-29 2016-02-16 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle multi-beam inspection system and method of operating the same
CN105765691B (zh) 2013-09-30 2018-02-02 卡尔蔡司显微镜有限责任公司 带电粒子束系统和操作带电粒子束系统的方法
DE102014008105B4 (de) 2014-05-30 2021-11-11 Carl Zeiss Multisem Gmbh Mehrstrahl-Teilchenmikroskop
DE102014008083B9 (de) 2014-05-30 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem
DE102014008383B9 (de) 2014-06-06 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben einer Teilchenoptik

Also Published As

Publication number Publication date
TW202024622A (zh) 2020-07-01
TWI687681B (zh) 2020-03-11
US9799485B2 (en) 2017-10-24
US20150357157A1 (en) 2015-12-10
CN105280464A (zh) 2016-01-27
TW201610425A (zh) 2016-03-16
KR102430355B1 (ko) 2022-08-08
US9991089B2 (en) 2018-06-05
US20180040454A1 (en) 2018-02-08
DE102014008383B4 (de) 2017-08-24
DE102014008383B9 (de) 2018-03-22
DE102014008383A1 (de) 2015-12-31
TWI704344B (zh) 2020-09-11
KR20150140585A (ko) 2015-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105280464B (zh) 操作粒子光学单元的粒子束系统和方法
USRE49784E1 (en) Apparatus of plural charged-particle beams
TWI795054B (zh) 用於觀測樣本之多射束裝置
US20170117114A1 (en) Method for operating a multi-beam particle microscope
CN1979751B (zh) 用于确定粒子-光学透镜的像差函数的像差系数的方法
US7385194B2 (en) Charged particle beam application system
CN109298001B (zh) 电子束成像模块、电子束检测设备及其图像采集方法
CN110546732B (zh) 电子显微镜中测量和控制像差
CN105261544B (zh) 校准扫描透射带电粒子显微镜的方法
JP5028159B2 (ja) 荷電粒子線装置
JP5817360B2 (ja) 走査透過型電子顕微鏡の観察方法及び走査透過型電子顕微鏡
JP5663591B2 (ja) 走査電子顕微鏡
US8294096B2 (en) Charged particle beam device and a method of operating a charged particle beam device
TWI818698B (zh) 多束帶電粒子顯微鏡、決定多束帶電粒子顯微鏡之複數個波前像差幅度之方法、在設定點處補償多束帶電粒子顯微鏡之複數個波前像差之方法、校正多束帶電粒子顯微鏡之帶電粒子光學元件之方法、以及決定多束帶電粒子顯微鏡之複數個一次帶電粒子小射束之每個小射束之波前像差之方法
US8008629B2 (en) Charged particle beam device and method for inspecting specimen
TW201830451A (zh) 多帶電粒子束的裝置
US20240079207A1 (en) Multi-beam charged particle system and method of controlling the working distance in a multi-beam charged particle system
TW202316470A (zh) 帶電粒子評估系統及在帶電粒子評估系統中對準樣品之方法
JP2015023010A (ja) 電子顕微鏡
JP2006128146A (ja) 試料検査のための装置及びコラム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant