JP2021525945A - 共同のナノスケール3次元イメージングおよび化学分析 - Google Patents
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Abstract
Description
a) 二次電子SE検出に基づくイメージング手段を使用して、前記試料の2次元画像のシーケンスを得、前記シーケンスの画像が異なる観測角度(viewing angle)から撮られており、画像処理手段を使用して前記2次元画像を試料の3次元表現へと組み合わせるステップ;
b) 二次イオンマススペクトロメトリ、SIMS、手段を使用して、前記試料の化学組成の表現を得るステップ;
c) データ処理手段を使用して、化学組成の表現を試料の前記3次元表現にマッピングし、メモリ素子に結果を記録するステップ
を含む。
方法は、ステップa)およびb)が同じデバイス内でその場で実行されることで注目される。
a) 二次電子、SE、検出に基づくイメージング手段を使用して、前記試料の2次元画像のシーケンスを得、前記シーケンスの画像が異なる観測角度から撮られており、写真測量手段を備える画像処理手段を使用して前記2次元画像を試料の3次元表現へと組み合わせるステップ;
b) 二次イオンマススペクトロメトリ、SIMS、手段を使用して、前記試料の化学組成の表現を得るステップ;
c) データ処理手段を使用して、化学組成の表現を試料の前記3次元表現にマッピングし、メモリ素子に結果を記録するステップ
を含む。
方法は、ステップa)およびb)が同じデバイス内でその場で実行されることに注目すべきである。
第1の一次イオンビームが、He+ビームであり、第2の一次イオンビームが、Ne+ビームであることが好ましいことがある。
− 写真測量の方法を使用して、前記イメージング手段を使用して得られた試料の2次元画像のシーケンスを試料の3次元表現へと組み合わせるため、および
− 前記SIMS手段を使用して得られた化学組成の表現を試料の前記3次元表現にマッピングするため
に構成されたデータプロセッサをさらに備える。
この実施形態では、本発明の態様による3D−SIMSに対するその場の手法が図説される。実施形態は、Zeiss ORION NanoFab(TM)の形態でのヘリウムイオン顕微鏡、HIM、の独特の能力を使用する。Zeiss NanoFab(TM)ヘリウム/ネオンイオン顕微鏡は、高分解能走査型イオン顕微鏡であり、ヘリウムイオン顕微鏡法、HIM、によるナノメートルスケールでの構造分析およびマニピュレーションを可能にする。適切なマススペクトロメトリ器を使用して、デバイスは、太陽電池の分野で最近実証されたように、高い空間分解能を有するSIMSを介して被検査物の化学的態様の調査を可能にする、例えば、Wirtz,T. et al.、「SIMS on the Helium Ion Microscope」 in Helium Ion Microscopy;Hlawacek、 Gregor; Golzhauser、 Armin、 Eds.; Springer International Publishing: Cham,2016を見よ。
SEM画像からの写真測量3D(P3D)復元の適用可能性が、例えば、EulitzおよびReissにより論じられた。ヘリウムイオン顕微鏡法は、SEMに非常に類似したイメージング原理で動作する:荷電粒子(SEMのケースでは電子、HIMのケースではHe+またはNe+イオン)の集束ビームが試料の上へと向けられ、材料と相互作用し、(他の相互作用産物の中で)低エネルギー二次電子の放射を引き起こし、この二次イオンが適切な検出器により検出される。画像形成の詳細が変わることがある一方で、もたらされる顕微鏡写真は、外観では同様であり、これゆえP3Dに適しているはずである。
InPウェハ上のInP粒子が複雑な表面トポグラフィならびに表面組成の何らかの変化を提供した(暗い領域対明るい領域が化学組成の違いを示す)ので、それが、復元品質の評価ならびに引き続く分析のための試料として使用された。粒子は、それぞれ、45°と54°のチルトおよび15°と30°の回転増分でのHIMにより撮像された。復元からもたらされるモデルが、トポグラフィ(a−d)を強調するための人工的なシェーディングをともなう、および付け加えたテクスチャ(d、右部)をともなうソリッド(明るい灰色)の形態で図8に示される。図9aは、上からの図であり、b)およびc)は選ばれた横からの図であり、d)はモデルの斜視投影図(左:シェーディングのみ、右:テクスチャード)である。観測方向(viewing direction)が、黒の棒線と白の棒線および矢印により示される。まとめると、図8は、上面図(a)、横からの図(b、c)および斜視図(d)でのInP粒子の写真測量3D復元(シェーディングされた表面)を示す。(d)の右部は、モデルに適用されたそれぞれのテクスチャをともなって表示される。矢印は、(b)および(c)の観測方向を示す。粒子の垂直なおよびオーバーハングさえしている部分が、3Dモデルにキャプチャされることに注意すること。モデルのうねっている境界は、InPウェハ基板の特徴の欠如の結果である。
SIMS分析器の分析能力と組み合わせての、HIMデータセットへのP3Dの成功した適用は、3次元での相関顕微鏡法に関する可能性を開く。P3Dデータセットが低電流He+イオンビームを使用して取得された後で、NanoFab(TM)は作業ガスとしてネオンに切り替えられた。スペクトロメータは、チューニングプロセス中の目的粒子への何らかの擾乱を避けるために、近接する類似の粒子を使用してセットアップされた。粒子の初期スキャンが、大気状態での試料の切開からもたらされた汚染の可能性が最も高い、予期しない40Ca信号を明らかにした。このCa信号の分布が、インジウム信号に加えて、続く分析においてマッピングされた。
P3D手法からの3Dモデルの利用可能性は、調査される物体のトポグラフィの詳細な分析を可能にする。図11は、多角形メッシュ内の各々のセルの面法線の極寄与および方位寄与の分析を含む。図11は、モデルの面法線の色分けされた極角(上)および方位角(下)を図説する。面法線の極角θは、一次ビームの入射の角度に対応し、例えば、スパッタレートを評価するために使用されることがある。方位角φは、面法線の面内成分を示し、二次粒子の放射方向を示し、これがイオン引出しステムの受け入れ角度(acceptance angle)を特徴付けるために使用されることがある。
試料交換、その場外の処理または追加の機器の必要性なしにHIM分析中にほぼすべての3D構造の3次元モデルを発生する可能性は、FIB用途およびSIMS用途の両方に対していくつかの可能性のある用途を開く。
以前に論じられたように、SIMSにおける3Dデータは、擬似2Dマップのスタックの形態で典型的には取得され、これが規則的な格子内のボクセルから構成される3Dボリュームデータセットを生み出す。表面トポグラフィが明示的に考慮されない場合には、平坦な表面の仮定がボリュームモデルにおけるサブ表面変形を導入するだろう(図13、セクション4)。本発明の態様により提案されたような被検査物の3D表面モデルを発生するためにP3D法を使用して、平坦でない表面に合わせるようにz座標を後較正する(post−calibrate)こと、したがって図13においてより詳細に説明されるように、サブ表面層の変形を減少させることが可能になる。図13は、3D−SIMS分析の後較正の概念を示す。平坦な表面が復元のために仮定される場合には、表面の突起または凹みは、サブ表面変形を招くだろう(3、4)。3D表面モデルを使用して、実際の表面トポグラフィを補正すること、したがってボリュームデータ内の誤りを減少させることが可能になる。
前に論じられたように、極角および方位角の分析が、取得したデータをより良く理解するため、スパッタリングプロセスの完全なモデリングおよび/または2D SIMSマップの画像形成のための開始点として使用されることがある。全3D−SIMSデータセットのモデリングおよびシミュレーションは、後較正の精度に利益を与え得る。
HIMでのP3D法により発生された3D表面モデルが、3Dボリュームモデルを発生するために使用されることがある。モデルが層毎のやり方で印刷される前に付加製造目的でスライスされることによく似て、ボリュームモデルは、z軸に垂直な断面層のスタックへとスライスされることがある。
Claims (15)
- 試料(10)の共同の3Dイメージングおよび化学分析のための方法であって、以下のステップ、
a) 二次電子、SE、検出に基づくイメージング手段(110、210)を使用して、前記試料の2次元画像のシーケンスを得、前記シーケンスの画像が異なる観測角度から撮られており、写真測量手段を備える画像処理手段を使用して前記2次元画像を試料の3次元表現へと組み合わせるステップ、
b) 二次イオンマススペクトロメトリ、SIMS、手段(120、220)を使用して、前記試料の化学組成の表現を得るステップ、
c) データ処理手段を使用して、試料の前記3次元表現に化学組成の表現をマッピングし、メモリ素子に結果を記録するステップ
を含み、
ステップa)およびb)が同じデバイス内でその場で実行される、
方法。 - 前記二次電子、SE、イメージングステップa)中に、2次元画像を撮るために第1の一次荷電粒子ビーム(112、212)を使用して試料(10)が照射され、これにより試料から二次電子(114、214)を放出させ、
前記SIMS分析ステップb)中に、第2の一次荷電粒子ビーム(122、222)を使用して試料(10)が照射され、これにより試料から二次イオン(124、224)を放出させる、
請求項1に記載の方法。 - 第1および第2の一次荷電粒子ビームが、イオンビームである、請求項2に記載の方法。
- 第1の一次イオンビームが、He+ビームであり、第2の一次イオンビームが、Ne+ビームである、請求項3に記載の方法。
- 第1および第2の一次荷電粒子ビームが、電子ビームである、請求項2に記載の方法。
- 第1の一次荷電粒子ビームが、電子ビームであり、第2の一次荷電粒子ビームが、イオンビームである、請求項2に記載の方法。
- 第1の一次荷電粒子ビームが、イオンビームであり、第2の一次荷電粒子ビームが、電子ビームである、請求項2に記載の方法。
- 前記SEイメージングステップa)中に、前記SE検出/イメージング手段に対する前記試料の相対的な位置が変えられる、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記位置が、SE検出/イメージング手段に対する前記試料の向きを変えることにより変えられる、請求項8に記載の方法。
- ステップa)が、ステップb)の前に実行される、またはその逆である、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 試料の共同の3Dその場のイメージングおよび化学分析を実行するためのデバイスであって、試料ホルダと、二次電子SE検出に基づくイメージング手段と、二次イオンマススペクトロメトリ、SIMS、手段とを備え、
− 写真測量の方法を使用して、前記イメージング手段を使用して得られた試料の2次元画像のシーケンスを試料の3次元表現へと組み合わせるため、および
− 前記SIMS手段を使用して得られた化学組成の表現を試料の前記3次元表現にマッピングするため
に構成されたデータプロセッサをさらに備える、デバイス。 - デバイスが、第1の一次荷電粒子ビームを発生するための第1の一次ビーム発生手段と、第2の一次荷電粒子ビームを発生するための第2の一次ビーム発生手段とを備える、請求項11に記載のデバイス。
- 前記第1および第2の一次ビーム発生手段が、同じイオン源を備え、共有する、請求項12に記載のデバイス。
- 前記イオン源が、ガス電界イオン源を備える、請求項13に記載のデバイス。
- 前記試料ホルダが、前記第1および/または第2の一次ビーム発生手段の放射軸に対して試料を回転させるための回転可能なステージとして備える、請求項11から14のいずれか一項に記載のデバイス。
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