JP2013214576A5 - - Google Patents
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本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法は、絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の他方の面側に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、前記ヒートシンクの接合面及び前記パワーモジュール用基板の接合面が、それぞれアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板との接合界面に、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材とＭｇとを介在させ、前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板とを積層し、積層方向に０．００１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下の条件で加圧した状態で、非酸化雰囲気中において常圧でろう付けを実施し、前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板との接合界面に、Ａｌ−Ｓｉ共晶組織にＭｇを含むＭｇ含有化合物（ＭｇＯを除く）が分散した接合層を、厚さが５μｍ以上８０μｍ以下の範囲内となるように形成することを特徴としている。
Claims (5)
- 絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の他方の面側に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、
前記ヒートシンクの接合面及び前記パワーモジュール用基板の接合面が、それぞれアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、
前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板との接合界面には、Ａｌ−Ｓｉ共晶組織にＭｇを含むＭｇ含有化合物（ＭｇＯを除く）が分散した接合層が形成されており、
前記接合層の厚さが５μｍ以上８０μｍ以下の範囲内とされていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。 - 前記ヒートシンクの接合面及び前記パワーモジュール用基板の接合面の少なくとも一方が、Ｍｇを含有したＭｇ含有アルミニウム合金で構成されており、
前記Ｍｇ含有アルミニウム合金で構成された接合面の界面近傍には、Ｍｇ含有化合物の存在比率が減少したＭｇ低減領域が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のヒートシンク付パワーモジュール用基板。 - 前記接合層におけるＭｇＯの含有量が２０面積％以下とされていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のヒートシンク付パワーモジュール用基板。
- 前記接合層に分散されたＭｇ含有化合物が、ＭｇＳｉ系化合物又はＭｇＡｌＯ系化合物を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のヒートシンク付パワーモジュール用基板。
- 絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の他方の面側に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記ヒートシンクの接合面及び前記パワーモジュール用基板の接合面が、それぞれアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、
前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板との接合界面に、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材とＭｇとを介在させ、前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板とを積層し、積層方向に０．００１ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下の条件で加圧した状態で、非酸化雰囲気中において常圧でろう付けを実施し、前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板との接合界面に、Ａｌ−Ｓｉ共晶組織にＭｇを含むＭｇ含有化合物（ＭｇＯを除く）が分散した接合層を、厚さが５μｍ以上８０μｍ以下の範囲内となるように形成することを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。
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