JP5801684B2 - 電子素子搭載用基板 - Google Patents
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Description
前記アルミニウム回路層は、ろう付後の結晶粒の平均粒径が10〜500μmとなされ、かつ引張強さが45N/mm2以上となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする電子素子搭載用基板。
[3]前記アルミニウム回路層は少なくとも0.01〜0.8質量%のFeを含有するアルミニウム合金からなる前項1に記載の電子素子搭載用基板。
材料塊に対して複数パスの圧延を行う間に、330〜450℃で1〜8時間の中間焼鈍を行い、仕上げ圧延の圧下率を15〜40%とすることを特徴とするアルミニウム回路層用材料の製造方法。
実施例1〜3において、アルミニウム回路層(12)および緩衝層(13)の材料として、表1に記載した濃度のFeを含み、残部がAlおよび不可避不純物からなるアルミニウム合金を用いた。実施例1〜3で異なるアルミニウム合金を用いたが、各実施例におけるアルミニウム回路層(12)および緩衝層(13)の材料は共通である。
前記アルミニウム回路層および緩衝層を除く部材は各例で共通のものを用いた。
実施例1〜3および比較例の仮組物を7×10−4Paの真空中で600℃×20分で真空ろう付した。
ろう付した放熱装置(2)について、各例のアルミニウム回路層(12)の結晶粒の平均粒径、金属間化合物の平均粒径、引張強さを調べた。また、断面観察により、絶縁基板(11)とアルミニウム回路層(12)との接合界面における余剰ろう材(ろう材溜まり)の有無を調べた。
2…放熱装置
11…絶縁基板
12…アルミニウム回路層
13…緩衝層
14、15、17…ろう材箔
18…電子素子
16…ヒートシンク
Claims (6)
- 絶縁基板の少なくとも一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層がろう付された電子素子搭載用基板であって、
前記アルミニウム回路層は、ろう付後の結晶粒の平均粒径が10〜500μmとなされ、かつ引張強さが45N/mm2以上となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする電子素子搭載用基板。 - 前記アルミニウム回路層はアルミニウム純度が97.5〜99.9質量%のアルミニウムからなる請求項1に記載の電子素子搭載用基板
- 前記アルミニウム回路層は少なくとも0.01〜0.8質量%のFeを含有するアルミニウム合金からなる請求項1に記載の電子素子搭載用基板。
- 前記アルミニウム回路層を構成するアルミニウムまたはアルミニウム合金は金属化合物の平均粒径が3μm以下となされている1〜3のいずれかに記載の電子素子搭載用基板。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の電子素子搭載用基板に用いるアルミニウム回路層用材料の製造方法であって、
材料塊に対して複数パスの圧延を行う間に、330〜450℃で1〜8時間の中間焼鈍を行い、仕上げ圧延の圧下率を15〜40%とすることを特徴とするアルミニウム回路層用材料の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の電子素子搭載用基板の絶縁基板の一方の面にアルミニウム回路層がろう付され、他方の面に緩衝層を介してヒートシンクが接合されていることを特徴とする放熱装置。
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