WO2014061588A1 - ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents

ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 Download PDF

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layer
copper
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伸幸 寺▲崎▼
長友　義幸
黒光　祥郎
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三菱マテリアル株式会社
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    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Definitions

  • the present invention relates to a power module substrate having a circuit layer disposed on one surface of an insulating layer (ceramic substrate) and a metal layer disposed on the other surface, and a heat sink bonded to the power module substrate.
  • the present invention relates to a power module substrate with a heat sink, a power module with a heat sink in which a semiconductor element is mounted on the power module substrate with a heat sink, and a method for manufacturing a power module substrate with a heat sink.
  • a power element for high power control used for controlling an electric vehicle, an electric vehicle, and the like generates a large amount of heat. Therefore, as a substrate on which the element is mounted, for example, AlN (aluminum nitride) 2.
  • a substrate on which the element is mounted for example, AlN (aluminum nitride) 2.
  • a power module substrate in which a metal plate excellent in conductivity is bonded as a circuit layer and a metal layer to one surface and the other surface of a ceramic substrate (insulating layer) made of, for example has been widely used.
  • Such a power module substrate has a semiconductor element (electronic component) as a power element mounted on the circuit layer via a solder material to form a power module.
  • a heat sink is joined below the metal layer to dissipate heat.
  • Patent Document 1 describes a method of joining by screwing a grease between a metal layer of a power module substrate and a heat sink.
  • Patent Document 2 describes a method of joining a metal layer of a power module substrate and a heat sink via solder.
  • Patent Document 1 and Patent Document 2 when the metal layer and the heat sink are joined via grease or solder, the thermal resistance of the grease or solder is larger than that of the metal layer or heat sink. There is a risk that the heat generated from the electronic component (semiconductor element) is insufficiently dissipated at the joint between the layer and the heat sink, the temperature rises, and the performance of the electronic component decreases.
  • the grease when grease is used, when the heat cycle and power cycle are loaded, the grease may deteriorate or voids may be generated inside the grease, which further increases the thermal resistance at the joint. Problems arise. For this reason, when the electronic component is used, it is required to sufficiently dissipate heat from the electronic component by reducing the thermal resistance at the joint between the metal layer and the heat sink.
  • This invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and when one of the metal layer and the heat sink to be joined to each other is made of aluminum or an aluminum alloy and the other is made of copper or a copper alloy, To provide a power module substrate with a heat sink, a power module with a heat sink, and a method for manufacturing a power module substrate with a heat sink that can reduce the thermal resistance at the joint between the metal layer and the heat sink and suppress the temperature rise of the electronic component. Objective.
  • the power module substrate with a heat sink has a circuit layer disposed on one surface of the insulating layer and a metal layer disposed on the other surface of the insulating layer.
  • a power module substrate with a heat sink comprising: a heat sink joined to the metal layer of the power module substrate, wherein one of the metal layer and the heat sink is made of aluminum or an aluminum alloy, and the other is Composed of copper or copper alloy, the metal layer and the heat sink are solid phase diffusion bonded, and an intermetallic compound layer made of Cu and Al is formed at the bonding interface between the metal layer and the heat sink.
  • an oxide is dispersed in a layered manner along the interface. That.
  • one of the metal layer and the heat sink is made of aluminum or an aluminum alloy
  • the other is made of copper or a copper alloy
  • the metal layer and the heat sink are bonded by solid phase diffusion bonding. Since it is joined, compared with the case where it joins via grease or solder, the thermal resistance in the junction part of a metal layer and a heat sink can be made small.
  • the metal layer and the heat sink are firmly bonded by solid phase diffusion bonding, and when a heat cycle is applied, the occurrence of delamination at the interface between the metal layer and the heat sink is suppressed. It is possible to improve the bonding reliability of the bonded portion.
  • the metal layer and the heat sink are solid-phase diffusion bonded, a gap is hardly generated at the joint between the metal layer and the heat sink, the thermal conductivity of the joint can be improved, and the thermal resistance can be reduced.
  • it hold maintains below the eutectic temperature of the said aluminum or aluminum alloy, and the said copper or copper alloy, and solid phase diffusion bonding is carried out, a liquid phase is not formed between a metal layer and a heat sink. Therefore, a large amount of a compound of aluminum and copper is not generated between the metal layer and the heat sink, and it is possible to improve the joint reliability of the joint portion between the metal layer and the heat sink.
  • the difference in thermal expansion coefficient between the insulating layer and the heat sink when the heat cycle is loaded. Since the metal layer absorbs the resulting thermal stress, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the insulating layer.
  • a metal layer made of copper or copper alloy having excellent thermal conductivity is disposed on the other surface of the insulating layer, it is possible to efficiently transfer heat from the semiconductor element to the heat sink side. .
  • the heat sink is made of copper or copper alloy having excellent thermal conductivity, or aluminum or aluminum alloy, it is possible to improve the heat dissipation of the power module substrate with heat sink.
  • an intermetallic compound layer made of Cu and Al is formed at the bonding interface between the metal layer and the heat sink, Al (aluminum atom) in the metal layer or heat sink and Cu (copper in the heat sink or metal layer) Atoms) are sufficiently interdiffused, and the metal layer and the heat sink are firmly bonded.
  • the oxide is dispersed in layers along the interface at the bonding interface between the metal layer made of copper or copper alloy or the heat sink and the intermetallic compound layer, the metal layer made of aluminum or aluminum alloy or The oxide film formed on the surface of the heat sink is destroyed and solid phase diffusion bonding is sufficiently advanced.
  • the intermetallic compound layer has a structure in which a plurality of intermetallic compounds are stacked along the bonding interface between the metal layer and the heat sink. In this case, it can suppress that a brittle intermetallic compound layer grows large.
  • an intermetallic compound suitable for each composition is formed in layers from the metal layer side toward the heat sink side. Therefore, the characteristics in the vicinity of the bonding interface can be stabilized. Specifically, since three types of intermetallic compounds of the ⁇ phase, ⁇ 2 phase, and ⁇ 2 phase are laminated in the intermetallic compound layer, the volume fluctuation inside the intermetallic compound layer is reduced and the internal strain is reduced. It will be suppressed.
  • the average crystal grain size of the metal layer or heat sink made of copper or copper alloy is in the range of 50 ⁇ m to 200 ⁇ m, and the average crystal grain size of the metal layer or heat sink made of aluminum or aluminum alloy is 500 ⁇ m or more. Preferably it is.
  • the average crystal grain size of the metal layer and the heat sink is set to be relatively large, unnecessary strain is not accumulated in the metal layer and the heat sink, and fatigue characteristics are improved. Therefore, in the heat cycle load, the bonding reliability against the thermal stress generated between the power module substrate and the heat sink is improved.
  • a power module with a heat sink includes the power module substrate with a heat sink according to (1) and a semiconductor element bonded to one side of the circuit layer.
  • the heat resistance at the joint between the metal layer and the heat sink is reduced as described above, so that heat from the semiconductor element can be efficiently transferred to the heat sink side. It is.
  • the heat sink is made of copper or copper alloy having excellent thermal conductivity, or aluminum or aluminum alloy, the heat dissipation of the power module substrate with heat sink can be improved. Then, the temperature rise of the semiconductor element can be suppressed, the semiconductor element can be operated at a predetermined temperature, and the operational stability can be improved.
  • the metal layer made of aluminum or aluminum alloy having a low deformation resistance
  • it is possible to suppress the cracking of the insulating layer and improve the reliability of the power module with a heat sink. it can.
  • the metal layer is made of copper or copper alloy having excellent thermal conductivity, the heat generated from the semiconductor element can be more efficiently transferred to the heat sink side. Then, the temperature rise of the semiconductor element can be suppressed, the semiconductor element can be operated at a predetermined temperature, and the operational stability can be improved.
  • a circuit layer is disposed on one surface of the insulating layer, and a metal layer is disposed on the other surface of the insulating layer.
  • a method for manufacturing a power module substrate with a heat sink comprising: a power module substrate; and a heat sink bonded to a metal layer of the power module substrate, wherein one of the metal layer and the heat sink is made of aluminum or an aluminum alloy. And the other is made of copper or a copper alloy, and the metal layer and the heat sink are bonded by solid phase diffusion bonding, whereby an intermetallic compound composed of Cu and Al is formed at the bonding interface between the metal layer and the heat sink. And forming an oxide layer on the interface between the metal layer or the heat sink and the intermetallic compound layer made of the copper or copper alloy. They are dispersed in layers along.
  • one of the metal layer and the heat sink is made of aluminum or an aluminum alloy, the other is made of copper or a copper alloy, and the metal layer and the heat sink are solid-phased. Since it is configured to be bonded by diffusion bonding, it is possible to obtain a power module substrate with a heat sink that has a lower thermal resistance at the joint between the metal layer and the heat sink than when bonded via grease or solder. Can do.
  • an intermetallic compound layer made of Cu and Al is formed at the bonding interface between the metal layer and the heat sink, and an oxide layer is formed at the interface between the metal layer or the heat sink and the intermetallic compound layer. Since it is dispersed, a power module substrate with a heat sink in which the metal layer and the heat sink are firmly bonded can be obtained.
  • the thermal resistance at the joint between the metal layer and the heat sink is reduced. It is possible to provide a power module substrate with a heat sink, a power module with a heat sink, and a method for manufacturing a power module substrate with a heat sink that can be reduced in size and suppress the temperature rise of electronic components.
  • FIG. 5 It is a schematic explanatory drawing of the power module with a heat sink which concerns on 2nd Embodiment of this invention, the board
  • FIG. 10 is an enlarged explanatory diagram of an interface between the heat sink of FIG. 9 and the intermetallic compound layer. It is a schematic explanatory drawing of the joining interface of the metal layer and heat sink in the board
  • FIG. 12 is an enlarged explanatory diagram of an interface between the metal layer and the intermetallic compound layer in FIG. 11. It is a binary phase diagram of Cu and Al.
  • FIG. 1 shows a power module 1 with a heat sink, a power module substrate 30 with a heat sink, and a power module substrate 10 according to the first embodiment of the present invention.
  • the power module 1 with a heat sink includes a power module substrate 30 with a heat sink and a semiconductor element 3 bonded to one side (the upper side in FIG. 1) of the power module substrate 30 with a heat sink via a solder layer 2. I have.
  • the solder layer 2 is, for example, a Sn—Ag, Sn—Cu, Sn—In, or Sn—Ag—Cu solder material (so-called lead-free solder material). And the semiconductor element 3 are joined.
  • the semiconductor element 3 is an electronic component including a semiconductor, and various semiconductor elements are selected according to the required function.
  • an IGBT element is used.
  • the power module substrate 30 with a heat sink includes a power module substrate 10 and a heat sink 31 bonded to the other side (lower side in FIG. 1) of the power module substrate 10.
  • the power module substrate 10 is formed on the ceramic substrate 11 (insulating layer) and one surface (the first surface, the upper surface in FIG. 1) of the ceramic substrate 11.
  • a circuit layer 12 and a metal layer 13 formed on the other surface (the second surface, the lower surface in FIG. 1) of the ceramic substrate 11 are provided.
  • the ceramic substrate 11 prevents electrical connection between the circuit layer 12 and the metal layer 13, and is made of highly insulating AlN (aluminum nitride). Further, the thickness of the ceramic substrate 11 is set within a range of 0.2 to 1.5 mm, and in this embodiment is set to 0.635 mm.
  • the circuit layer 12 is formed by bonding a metal plate to the first surface (the upper surface in FIG. 1) of the ceramic substrate 11.
  • the circuit layer 12 is formed by joining an aluminum plate 22 made of a rolled plate of aluminum (so-called 4N aluminum) having a purity of 99.99% or more to the ceramic substrate 11.
  • the metal layer 13 is formed by bonding a metal plate to the second surface (the lower surface in FIG. 1) of the ceramic substrate 11.
  • the metal layer 13 is formed by joining an aluminum plate 23 made of a rolled plate of aluminum (so-called 4N aluminum) having a purity of 99.99% or more to the ceramic substrate 11.
  • the average crystal grain size of the metal layer 13 is 500 ⁇ m or more.
  • the heat sink 31 is for dissipating heat on the power module substrate 10 side.
  • the heat sink 31 is made of copper or a copper alloy having good thermal conductivity.
  • the heat sink 31 is made of oxygen-free copper.
  • the average crystal grain size of the heat sink 31 is in the range of 50 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • a flow path 32 is provided for a cooling fluid to flow.
  • the metal layer 13 of the power module substrate 10 and the heat sink 31 are joined by solid phase diffusion bonding.
  • an intermetallic compound layer 41 is formed at the bonding interface between the metal layer 13 and the heat sink 31.
  • the intermetallic compound layer 41 is formed by mutual diffusion of Al (aluminum atoms) of the metal layer 13 and Cu (copper atoms) of the heat sink 31.
  • This intermetallic compound layer 41 has a concentration gradient in which the concentration of Al gradually decreases and the concentration of Cu increases as it goes from the metal layer 13 to the heat sink 31.
  • the intermetallic compound layer 41 is composed of an intermetallic compound composed of Al and Cu.
  • the intermetallic compound layer 41 has a structure in which a plurality of intermetallic compounds are stacked along the bonding interface.
  • the thickness t of the intermetallic compound layer 41 is set in the range of 1 ⁇ m to 80 ⁇ m, preferably in the range of 5 ⁇ m to 80 ⁇ m.
  • a structure in which three kinds of intermetallic compounds are laminated is formed, and in order from the metal layer 13 side to the heat sink 31 side, a ⁇ phase 43, a ⁇ 2 phase 44, The ⁇ 2 phase 45 is set (FIG. 13).
  • the oxide 46 is dispersed in a layered manner along the bonding interface at the bonding interface between the intermetallic compound layer 41 and the heat sink 31.
  • the oxide 46 is an aluminum oxide such as alumina (Al 2 O 3 ).
  • the oxide 46 is dispersed in a state of being separated at the interface between the intermetallic compound layer 41 and the heat sink 31, and there is a region where the intermetallic compound layer 41 and the heat sink 31 are in direct contact. .
  • the manufacturing method of the power module 1 with a heat sink, the power module substrate 30 with a heat sink, and the power module substrate 10 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 4 aluminum plates 22 and 23 are laminated on the first surface and the second surface of the ceramic substrate 11 via a brazing material. Then, by cooling after pressurization and heating, the ceramic substrate 11 and the aluminum plates 22 and 23 are joined to form the circuit layer 12 and the metal layer 13 (circuit layer and metal layer joining step S11).
  • the brazing temperature is set to 640 ° C. to 650 ° C. In this way, the power module substrate 10 in which the circuit layer 12 is formed on the first surface of the ceramic substrate 11 and the metal layer 13 is formed on the second surface is obtained.
  • a heat sink 31 is laminated on the other side of the metal layer 13.
  • one side of the metal layer 13 is the surface of the metal layer 13 bonded to the second surface of the ceramic substrate 11.
  • the other side of the metal layer 13 is a surface opposite to the surface of the metal layer 13 that is bonded to the second surface of the ceramic substrate 11.
  • a load is applied from one side of the power module substrate 10 and the other side of the heat sink 31, that is, the lower surface of the heat sink 31 in FIG.
  • the load applied to the contact surface between the metal layer 13 and the heat sink 31 is the 3 kgf / cm 2 or more 35 kgf / cm 2 or less.
  • solid phase diffusion bonding is performed with the heating temperature for vacuum heating being lower than the eutectic temperature of aluminum and copper, and the metal layer 13 and the heat sink 31 are bonded.
  • the preferable conditions for this vacuum heating are 400 ° C. or more and 548 ° C. or less and 15 to 270 minutes or less.
  • the surface where the metal layer 13 and the heat sink 31 are bonded is solid-phase diffusion bonded after the scratches on the surface are previously removed and smoothed.
  • a more preferable heating temperature for the vacuum heating is in the range of the eutectic temperature of aluminum and copper of ⁇ 5 ° C. or higher and lower than the eutectic temperature.
  • the semiconductor element 3 is placed on one side (surface) of the circuit layer 12 via a solder material, and soldered in a reduction furnace (semiconductor element joining step S13).
  • a reduction furnace semiconductor element joining step S13
  • the metal layer 13 made of aluminum and the heat sink 31 made of copper are joined by solid phase diffusion bonding. Therefore, the thermal conductivity at the joint between the metal layer 13 and the heat sink 31 can be improved and the thermal resistance can be improved as compared with the case where the thermal conductivity is poor. Can be reduced.
  • the metal layer 13 and the heat sink 31 are bonded by solid phase diffusion bonding, and an intermetallic compound layer 41 made of Cu and Al is formed at the bonding interface between the metal layer 13 and the heat sink 31.
  • Al (aluminum atoms) in the metal layer 13 and Cu (copper atoms) in the heat sink 31 are sufficiently interdiffused, and the metal layer 13 and the heat sink 31 are firmly bonded.
  • the intermetallic compound layer 41 has a structure in which a plurality of intermetallic compounds are stacked along the bonding interface, it is possible to suppress the brittle intermetallic compound layer from growing greatly. Further, since Al in the metal layer 13 and Cu in the heat sink 31 are interdiffused, an intermetallic compound suitable for each composition is formed in layers from the metal layer 13 side toward the heat sink 31 side. The characteristics in the vicinity of the bonding interface can be stabilized. Specifically, the intermetallic compound layer 41 is formed by laminating three kinds of intermetallic compounds of the ⁇ phase 43, the ⁇ 2 phase 44, and the ⁇ 2 phase 45 in order from the metal layer 13 toward the heat sink 31.
  • the volume variation inside the intermetallic compound layer 41 is reduced, and the internal strain is suppressed. That is, when solid phase diffusion is not performed, for example, when a liquid phase is formed, an intermetallic compound is generated more than necessary, and the volume of the intermetallic compound layer increases, and the intermetallic compound layer Internal distortion occurs. However, in the case of solid phase diffusion, the brittle intermetallic compound layer does not grow greatly, and the intermetallic compound is formed in a layer form, so that the internal strain is suppressed.
  • the oxides 46 are dispersed in layers along the bonding interface at the bonding interface between the intermetallic compound layer 41 and the heat sink 31, the oxide film formed on the surface of the metal layer 13 is surely destroyed. Therefore, the mutual diffusion of Cu and Al is sufficiently advanced, and the metal layer 13 and the heat sink 31 are reliably bonded.
  • the average thickness of the intermetallic compound layer 41 is in the range of 1 ⁇ m to 80 ⁇ m, preferably in the range of 5 ⁇ m to 80 ⁇ m, the Al in the metal layer 13 and the Cu in the heat sink 31 are sufficiently As a result, the metal layer 13 and the heat sink 31 can be firmly bonded together, and the brittle intermetallic compound layer 41 compared to the metal layer 13 and the heat sink 31 is prevented from growing more than necessary. As a result, the characteristics of the bonding interface are stabilized.
  • the average crystal grain size of the heat sink 31 is in the range of 50 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, the average crystal grain size of the metal layer 13 is 500 ⁇ m or more, and the average of the metal layer 13 and the heat sink 31 is The crystal grain size is set relatively large. Therefore, unnecessary strain is not accumulated in the metal layer 13 and the heat sink 31, and fatigue characteristics are good. Therefore, in the heat cycle load, the bonding reliability against the thermal stress generated between the power module substrate 10 and the heat sink 31 is improved.
  • the solid phase diffusion bonding is performed with a load applied in the stacking direction to the metal layer 13 and the heat sink 31 of the power module substrate 10, there is a gap in the joint between the metal layer 13 and the heat sink 31. Is less likely to occur, and the thermal conductivity of the joint can be improved. Furthermore, since the solid layer diffusion bonding is performed by maintaining the heating temperature of the metal layer 13 and the heat sink 31 below the eutectic temperature of aluminum and copper, no liquid phase is formed between the metal layer 13 and the heat sink 31. Therefore, a large amount of aluminum and copper compound is not generated between the metal layer 13 and the heat sink 31, and the bonding reliability of the bonding portion between the metal layer 13 and the heat sink 31 can be improved.
  • the circuit layer 12 and the metal layer 13 made of aluminum having a small deformation resistance are disposed on the first surface and the second surface of the ceramic substrate 11, and the ceramic substrate 11 is subjected to a heat cycle. Since the circuit layer 12 and the metal layer 13 absorb the thermal stress generated in the ceramic substrate 11, it is possible to prevent the ceramic substrate 11 from being cracked. Further, since the heat sink 31 is made of copper having excellent thermal conductivity, the heat dissipation of the power module substrate 30 with a heat sink can be improved.
  • the heat resistance at the joint between the metal layer 13 and the heat sink 31 is small, so the heat generated from the semiconductor element 3 is reduced. It can be efficiently dissipated. Furthermore, since the bonding strength between the metal layer 13 and the heat sink 31 is high, peeling of the bonding interface hardly occurs when a heat cycle is applied, and an increase in the thermal resistance of the power module 1 with a heat sink can be suppressed. . Further, since the heat sink 31 is made of copper having excellent thermal conductivity, the heat from the semiconductor element 3 can be dissipated more efficiently.
  • the heat from the semiconductor element 3 can be efficiently dissipated in this way, and the temperature rise of the semiconductor element 3 can be suppressed. It is possible to operate and improve the stability of the operation. Moreover, since the circuit layer 12 and the metal layer 13 are comprised with aluminum with small deformation resistance, it can suppress that a ceramic substrate 11 cracks and can improve the reliability of the power module 1 with a heat sink.
  • the circuit layer 12 and the metal layer 13 are formed on the first surface and the second surface of the ceramic substrate 11, and the other side of the metal layer 13, that is, the second surface of the ceramic substrate 11. the surface opposite to the surface which is bonded to the surface after placing the heat sink 31, the, the metal layer 13 and the heat sink 31, with the 3 kgf / cm 2 or more 35 kgf / cm 2 or less of a load is loaded, It is configured to hold at 400 ° C. or higher and 548 ° C. or lower for 15 minutes or longer and 270 minutes or shorter.
  • the heat sink 31 can be reliably formed on the other side of the metal layer 13 by bonding the metal layer 13 and the heat sink 31.
  • the metal layer 13 and the heat sink 31 can be bonded to each other while suppressing the formation of a gap between the metal layer 13 and the heat sink 31. It is possible to improve the thermal conductivity at the bonding interface between the heat sink 31 and the heat sink 31, reduce the thermal resistance, and efficiently dissipate the heat generated from the semiconductor element 3 toward the heat sink 31.
  • the load applied to the metal layer 13 and the heat sink 31 during solid phase diffusion bonding is less than 3 kgf / cm 2, it becomes difficult to sufficiently bond the metal layer 13 and the heat sink 31 to each other. There may be a gap between the heat sink 13 and the heat sink 31. Moreover, when it exceeds 35 kgf / cm ⁇ 2 >, the load applied is too high and the ceramic substrate 11 may be cracked. For these reasons, the load applied during solid phase diffusion bonding is set in the above range.
  • the preferable temperature for vacuum heating at the time of solid phase diffusion bonding is in the range from the eutectic temperature of aluminum and copper to the eutectic temperature of ⁇ 5 ° C. or higher and lower than the eutectic temperature.
  • a vacuum heating temperature is selected, a liquid phase is not formed between the metal layer 13 and the heat sink 31, so that a large amount of aluminum and copper compounds are not generated, and the solid phase diffusion bonding has good bonding reliability.
  • the diffusion rate at the time of solid phase diffusion bonding is high and the solid phase diffusion bonding can be performed in a relatively short time, it is set as described above.
  • the holding time of heating at the time of solid phase diffusion bonding is less than 15 minutes, the holding time is too short, so that solid phase diffusion does not occur sufficiently, and bonding may be insufficient. Is set in the above range because the manufacturing cost increases.
  • FIG. 5 shows a power module 101 with a heat sink, a power module substrate 130 with a heat sink, and a power module substrate 110 according to a second embodiment of the present invention.
  • symbol is attached
  • the power module 101 with a heat sink includes a power module substrate 130 with a heat sink and a semiconductor element 3 bonded to one side (the upper side in FIG. 5) of the power module substrate 130 with a heat sink via a solder layer 2. ing.
  • the power module substrate with heat sink 130 includes a power module substrate 110 and a heat sink 131 bonded to the other side (lower side in FIG. 5) of the power module substrate 110.
  • the power module substrate 110 was formed on the ceramic substrate 11 (insulating layer) and one surface (the first surface, the upper surface in FIG. 5) of the ceramic substrate 11.
  • the circuit layer 12 and a metal layer 113 formed on the other surface (the second surface, the lower surface in FIG. 5) of the ceramic substrate 11 are provided.
  • the metal layer 113 is formed by bonding a metal plate to the second surface (the lower surface in FIG. 5) of the ceramic substrate 11.
  • the metal layer 113 is made of oxygen-free copper.
  • the average crystal grain size of the metal layer 113 is in the range of 50 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • the heat sink 131 is made of an aluminum alloy (A6063), and a flow path 132 for flowing a cooling fluid is formed therein.
  • the heat sink 131 has an average crystal grain size of 500 ⁇ m or more.
  • the metal layer 113 of the power module substrate 110 and the heat sink 131 are joined by solid phase diffusion bonding.
  • an intermetallic compound layer 141 is formed at the bonding interface between the metal layer 113 and the heat sink 131.
  • the intermetallic compound layer 141 is formed by mutual diffusion of Cu (copper atoms) in the metal layer 113 and Al (aluminum atoms) in the heat sink 131.
  • the intermetallic compound layer 141 has a concentration gradient in which the concentration of Al gradually decreases and the concentration of Cu increases as it goes from the heat sink 131 to the metal layer 113.
  • the intermetallic compound layer 141 is composed of an intermetallic compound composed of Al and Cu.
  • the intermetallic compound layer 141 has a structure in which a plurality of intermetallic compounds are stacked along the bonding interface.
  • the thickness t of the intermetallic compound layer 141 is set in the range of 1 ⁇ m to 80 ⁇ m, preferably in the range of 5 ⁇ m to 80 ⁇ m.
  • a structure in which three kinds of intermetallic compounds are laminated is formed, and in order from the heat sink 131 side to the metal layer 113 side, the ⁇ phase 43, the ⁇ 2 phase 44, The ⁇ 2 phase 45 is set.
  • the oxide 46 is dispersed in layers along the bonding interface at the bonding interface between the intermetallic compound layer 141 and the metal layer 113.
  • the oxide 46 is an aluminum oxide such as alumina (Al 2 O 3 ). Note that the oxide 46 is dispersed in a state of being divided at the interface between the intermetallic compound layer 141 and the metal layer 113, and there is a region where the intermetallic compound layer 141 and the metal layer 113 are in direct contact with each other. ing.
  • a manufacturing method of the power module 101 with heat sink, the power module substrate 130 with heat sink, and the power module substrate 110 according to the present embodiment will be described.
  • a copper plate to be the metal layer 113 is bonded to one surface (second surface) of the ceramic substrate 11, and an Al plate to be the circuit layer 12 is bonded to the other surface (first surface) of the ceramic substrate 11.
  • oxygen-free copper is used as the copper plate
  • 4N aluminum is used as the Al plate
  • the ceramic substrate and the copper plate are joined by an active metal brazing method
  • the ceramic substrate and the Al plate are joined using an Al—Si brazing material. It was done by joining.
  • the heat sink 131 is laminated on the other side of the metal layer 113, that is, the surface of the metal layer 113 opposite to the surface bonded to the second surface of the ceramic substrate 11. Then, with the load applied to the metal layer 113 and the heat sink 131 in the stacking direction, the heating temperature of the metal layer 113 and the heat sink 131 is maintained below the eutectic temperature of aluminum and copper.
  • the heat sink 131 is joined by solid phase diffusion bonding.
  • the conditions for solid phase diffusion bonding are the same as in the first embodiment.
  • the power module substrate with heat sink 130 and the power module substrate 110 according to the second embodiment are obtained.
  • the semiconductor element 3 is placed on one side (surface) of the circuit layer 12 via a solder material, and soldered in a reduction furnace.
  • the power module 101 with a heat sink which is 2nd Embodiment of this invention is produced.
  • the metal layer 113 made of copper and the heat sink 131 made of an aluminum alloy are in a solid phase. Since it is configured to be bonded by diffusion bonding, the thermal conductivity at the bonding portion between the metal layer 113 and the heat sink 131 is improved as compared with the case where bonding is performed via grease or solder having poor thermal conductivity. Thus, the thermal resistance can be reduced.
  • the metal layer 113 and the heat sink 131 are bonded by solid phase diffusion bonding, and an intermetallic compound layer 141 made of Cu and Al is formed at the bonding interface between the metal layer 113 and the heat sink 131.
  • Cu (copper atoms) in the metal layer 113 and Al (aluminum atoms) in the heat sink 131 are sufficiently interdiffused, and the metal layer 113 and the heat sink 131 are firmly bonded.
  • the oxide 46 is dispersed in layers along the bonding interface at the bonding interface between the intermetallic compound layer 141 and the metal layer 113, the oxide film formed on the surface of the heat sink 131 is reliably destroyed. Therefore, the mutual diffusion of Cu and Al is sufficiently advanced, and the metal layer 113 and the heat sink 131 are reliably bonded.
  • the average thickness of the intermetallic compound layer 141 is in the range of 1 ⁇ m to 80 ⁇ m, preferably in the range of 5 ⁇ m to 80 ⁇ m, the Cu in the metal layer 113 and the Al in the heat sink 131 are sufficiently As a result, the metal layer 113 and the heat sink 131 can be firmly bonded to each other, and the brittle intermetallic compound layer 141 is suppressed from growing more than necessary as compared to the metal layer 113 and the heat sink 131. As a result, the characteristics of the bonding interface are stabilized.
  • the average crystal grain size of the heat sink 131 is 500 ⁇ m or more, and the average crystal grain size of the metal layer 113 is in the range of 50 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • the average crystal grain size is set relatively large. Therefore, unnecessary strain is not accumulated in the metal layer 113 and the heat sink 131, and fatigue characteristics are good. Therefore, in the heat cycle load, the bonding reliability against the thermal stress generated between the power module substrate 110 and the heat sink 131 is improved.
  • the metal layer 113 is made of oxygen-free copper, the heat from the semiconductor element 3 can be spread and efficiently transmitted to the heat sink 131 side to reduce the thermal resistance.
  • the circuit layer is made of 4N aluminum having a purity of 99.99%.
  • the present invention is not limited to this, and aluminum having a purity of 99% (2N aluminum), You may comprise aluminum alloy, copper, or a copper alloy.
  • the circuit layer is formed of copper or a copper alloy, the heat from the semiconductor element can be spread in the surface direction by the circuit layer and efficiently dissipated to the power module substrate side.
  • the metal layer is made of pure aluminum having a purity of 99.99%.
  • the metal layer may be made of 99% pure aluminum (2N aluminum) or an aluminum alloy.
  • the heat sink was comprised with the aluminum alloy (A6063) was demonstrated, you may be comprised with the pure aluminum of purity 99.99%, and another aluminum alloy.
  • the metal layer or the heat sink is made of oxygen-free copper has been described, it may be made of tough pitch copper or a copper alloy.
  • the flow path may not be provided.
  • the heat sink may be provided with a heat radiating fin.
  • the heating temperature during solid phase diffusion bonding may be less than the eutectic temperature of the aluminum alloy and the copper alloy.
  • the eutectic temperature may be lower than the metal constituting the heat sink and the metal constituting the heat sink.
  • a ceramic substrate made of AlN as an insulating layer, is not limited thereto, it may be used a ceramic substrate made of Si 3 N 4 or Al 2 O 3, or the like, insulating The insulating layer may be made of resin.
  • the power module substrate with a heat sink of the above embodiment the case where an aluminum plate is bonded as a circuit layer to the first surface of the ceramic substrate has been described.
  • the power module substrate with a heat sink of FIG. As shown at 230, a copper plate having a die pad 232 to which a semiconductor element or the like is bonded and a lead portion 233 used as an external terminal may be bonded to the first surface of the ceramic substrate 11 as a circuit layer 212.
  • a joining method of the ceramic substrate 11 and the above-mentioned copper plate for example, a joining method by an active metal brazing method, a DBC method or the like can be cited.
  • the die pad 232 and the ceramic substrate 11 are bonded.
  • the circuit layer 312 includes an aluminum layer 312A and a copper layer 312B bonded to one side of the aluminum layer 312A. May be made of a copper plate having a die pad 332 and a lead portion 333.
  • the aluminum layer 312A and the die pad 332 are bonded by solid phase diffusion bonding.
  • one side of the aluminum layer 312A is the surface of the aluminum layer 312A opposite to the surface bonded to the first surface of the ceramic substrate 11.
  • the thickness of the aluminum layer 312A is preferably 0.1 mm or more and 1.0 mm or less.
  • the thickness of the copper layer 312B is 0.1 mm or more and 6.0 mm or less.
  • the intermetallic compound layer 41 is formed in the joining interface of the metal layer 13 and the heat sink 31, and this intermetallic compound layer 41 is the metal layer 13 side toward the heat sink 31 side in order.
  • the ⁇ phase 43, the ⁇ 2 phase 44, and the ⁇ 2 phase 45 have been described as being laminated, but the present invention is not limited to this.
  • an intermetallic compound composed of a plurality of Cu and Al is formed so that the ratio of aluminum decreases in order from the metal layer 13 side to the heat sink 31 side. It may be laminated. Further, as shown in FIG.
  • the ⁇ phase 443 and the ⁇ 2 phase 444 are sequentially formed along the bonding interface from the metal layer 13 side toward the heat sink 31 side. Further, at least one of the ⁇ 2 phase 445, the ⁇ phase 447, and the ⁇ 2 phase 448 may be stacked (FIG. 13).
  • the oxide 46 is dispersed in a layered manner along the bonding interface at the bonding interface between the intermetallic compound layer 41 and the heat sink 31 .
  • FIG. thus, along the interface between the intermetallic compound layer 441 and the heat sink 31, the oxide 446 is layered inside the layer formed of at least one of the ⁇ 2 phase 445, the ⁇ phase 447, and the ⁇ 2 phase 448. It is also possible to adopt a configuration in which they are dispersed.
  • the oxide 446 is an aluminum oxide such as alumina (Al 2 O 3 ).
  • an intermetallic compound layer 141 is formed at the bonding interface between the metal layer 113 and the heat sink 131.
  • the intermetallic compound layer 141 is sequentially formed from the heat sink 131 side toward the metal layer 113 side.
  • the ⁇ phase 43, the ⁇ 2 phase 44, and the ⁇ 2 phase 45 have been described as being laminated, but the present invention is not limited to this.
  • an intermetallic compound composed of a plurality of Cu and Al is formed so that the ratio of aluminum decreases in order from the heat sink 131 side to the metal layer 113 side. It may be laminated. Further, as shown in FIG.
  • the ⁇ phase 543 and the ⁇ 2 phase 544 are formed at the bonding interface between the metal layer 113 and the heat sink 131 in order from the heat sink 131 side to the metal layer 113 side along the bonding interface. Further, at least one of the ⁇ 2 phase 545, the ⁇ phase 547, and the ⁇ 2 phase 548 may be stacked.
  • the oxide 46 is dispersed in layers along the bonding interface at the bonding interface between the intermetallic compound layer 141 and the metal layer 113 .
  • FIG. As shown, along the interface between the intermetallic compound layer 541 and the metal layer 113, the oxide 546 is inside the layer formed of at least one of the ⁇ 2 phase 545, the ⁇ phase 547, and the ⁇ 2 phase 548. It may be configured to be dispersed in layers.
  • the oxide 546 is an aluminum oxide such as alumina (Al 2 O 3 ).
  • a power module substrate with a heat sink produced by solid phase diffusion bonding of a metal layer and a heat sink under the conditions shown in Tables 1 and 2 is used.
  • Power modules with heat sinks of 1 to 1-7, inventive examples 2-1 to 2-7, comparative example 1 and comparative example 2 were produced.
  • the ceramic substrate was made of AlN, and had a size of 40 mm ⁇ 40 mm and a thickness of 0.635 mm.
  • the circuit layer was composed of a 4N aluminum rolled plate, and was 37 mm ⁇ 37 mm and 0.6 mm thick.
  • the metal layer is composed of a 4N aluminum rolled plate, and has a size of 37 mm ⁇ 37 mm and a thickness of 1.6 mm.
  • Examples 2-1 to 2-7 of the present invention and Comparative Example 2 were made of an oxygen-free copper rolled plate having a size of 37 mm ⁇ 37 mm and a thickness of 0.3 mm.
  • Examples 1-1 to 1-7 of the present invention and Comparative Example 1 were made of oxygen-free copper and had a cooling channel inside the heat sink.
  • Inventive Examples 2-1 to 2-7 and Comparative Example 2 were made of aluminum alloy (A6063) and had a cooling channel inside the heat sink.
  • As the semiconductor element an IGBT element having a size of 12.5 mm ⁇ 9.5 mm and a thickness of 0.25 mm was used. The following evaluation was performed on the power module with the heat sink thus manufactured.
  • Heat cycle test The heat cycle test is performed by applying a heat cycle of ⁇ 40 ° C. to 125 ° C. to a power module with a heat sink. In this example, this heat cycle was performed 3000 times. Before and after the heat cycle test, the bonding rate at the interface between the metal layer and the heat sink and the thermal resistance of the power module with the heat sink were measured.
  • the bonding rate at the bonding interface between the metal layer and the heat sink was evaluated using an ultrasonic flaw detector and calculated from the following equation.
  • Table 1 shows the evaluation results of Invention Examples 1-1 to 1-7 and Comparative Example 1 in which the metal layer was 4N aluminum and the heat sink was oxygen-free copper.
  • Table 2 shows the evaluation results of Invention Examples 2-1 to 2-7 and Comparative Example 2 in which the metal layer was oxygen-free copper and the heat sink was an aluminum alloy (A6063).
  • the thermal resistance at the joint between the metal layer and the heat sink is reduced. It is possible to provide a power module substrate with a heat sink, a power module with a heat sink, and a method for manufacturing a power module substrate with a heat sink that can be reduced in size and suppress the temperature rise of electronic components.

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Abstract

本発明に係わるヒートシンク付パワーモジュール用基板（１）においては、金属層（１３）及びヒートシンク（３１）の一方がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、他方が銅又は銅合金で構成され、前記金属層（１３）と前記ヒートシンク（３１）とが、固相拡散接合され、前記金属層（１３）と前記ヒートシンク（３１）との接合界面には、ＣｕとＡｌからなる金属間化合物層が形成されており、銅又は銅合金からなる前記金属層（１３）又は前記ヒートシンク（３１）と前記金属間化合物層との界面には、酸化物が前記界面に沿って層状に分散している。

Description

ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
　この発明は、絶縁層（セラミックス基板）の一方の面に回路層が配設されるとともに他方の面に金属層が配設されたパワーモジュール用基板とこのパワーモジュール用基板に接合されたヒートシンクとを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板、このヒートシンク付パワーモジュール用基板に半導体素子が搭載されたヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法に関するものである。
　本願は、２０１２年１０月１６日に日本に出願された特願２０１２－２２８８７０号について優先権を主張し、その内容をここに援用する。
各種の半導体素子のうちでも、電気自動車や電気車両などを制御するために用いられる大電力制御用のパワー素子では、発熱量が多いことから、これを搭載する基板としては、例えばＡｌＮ（窒化アルミ）などからなるセラミックス基板（絶縁層）の一方の面及び他方の面に導電性に優れた金属板を回路層及び金属層として接合したパワーモジュール用基板が、従来から広く用いられている。
そして、このようなパワーモジュール用基板は、その回路層上に、はんだ材を介してパワー素子としての半導体素子（電子部品）が搭載され、パワーモジュールとされる。また、金属層の下方にはヒートシンクが接合され、放熱させる構造とされている。
従来、パワーモジュール用基板とヒートシンクとを接合する方法として、例えば、特許文献１には、パワーモジュール用基板の金属層とヒートシンクとの間にグリースを介在させてネジ留めによって接合する方法が記載されている。また、特許文献２には、パワーモジュール用基板の金属層とヒートシンクとを、はんだを介して接合する方法が記載されている。
特開２００４－２８８８２８号公報 特開２００９－２２４５７１号公報
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に示したように、グリースやはんだを介して金属層とヒートシンクとを接合した場合、金属層やヒートシンクと比べてグリースやはんだの熱抵抗が大きいために、金属層とヒートシンクとの接合部において電子部品（半導体素子）から発生する熱の放散が不十分となって温度が上昇し、電子部品の性能が低下するおそれがある。特に、グリースを用いた場合には、ヒートサイクル及びパワーサイクルが負荷された際に、グリースが劣化したり、グリースの内部に空隙が生じたりする場合があり、接合部においてさらに熱抵抗が大きくなる問題が生じる。そのため、電子部品の使用時において、金属層とヒートシンクとの接合部における熱抵抗を低下させて電子部品からの熱を十分に放散することが求められている。
　この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、互いに接合される金属層及びヒートシンクの一方がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、他方が銅又は銅合金で構成されている場合において、金属層とヒートシンクの接合部における熱抵抗を小さくし、電子部品の温度上昇を抑制可能なヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供することを目的とする。
（１）本発明の一態様のヒートシンク付パワーモジュール用基板は、絶縁層の一方の面に回路層が配設され、前記絶縁層の他方の面に金属層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記パワーモジュール用基板の前記金属層に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、前記金属層及び前記ヒートシンクの一方がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、他方が銅又は銅合金で構成され、前記金属層と前記ヒートシンクとが、固相拡散接合され、前記金属層と前記ヒートシンクとの接合界面には、ＣｕとＡｌからなる金属間化合物層が形成されており、銅又は銅合金からなる前記金属層又は前記ヒートシンクと前記金属間化合物層との界面には、酸化物が前記界面に沿って層状に分散している。
　上述のヒートシンク付パワーモジュール用基板によれば、金属層及びヒートシンクの一方がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、他方が銅又は銅合金で構成され、これらの金属層とヒートシンクとが固相拡散接合によって接合されているので、グリースやはんだを介して接合されている場合と比較して、金属層とヒートシンクとの接合部における熱抵抗を小さくすることができる。
また、金属層とヒートシンクとが、固相拡散接合によって強固に接合されており、ヒートサイクルが負荷された場合において、金属層とヒートシンクとの界面に剥離が生じることが抑制され、金属層とヒートシンクとの接合部の接合信頼性を向上させることができる。
さらに、金属層とヒートシンクとが固相拡散接合されているので、金属層とヒートシンクとの接合部に隙間が生じ難く、接合部の熱伝導性を良好にし、熱抵抗を小さくすることができる。
また、前記アルミニウム又はアルミニウム合金と、前記銅又は銅合金との共晶温度未満で保持し固相拡散接合した場合には、金属層とヒートシンクとの間に液相が形成されない。そのため、金属層とヒートシンクとの間にアルミニウムと銅との化合物が多量に生成せず、金属層とヒートシンクとの接合部の接合信頼性を向上させることが可能である。
　また、絶縁層の他方の面に変形抵抗が小さいアルミニウム又はアルミニウム合金で構成された金属層を配設した場合、ヒートサイクルが負荷された際に、絶縁層とヒートシンクとの熱膨張係数の差に起因して生じる熱応力を金属層が吸収するので、絶縁層に割れが発生することを抑制できる。
　また、絶縁層の他方の面に熱伝導性に優れる銅又は銅合金で構成された金属層を配設した場合、半導体素子からの熱を効率的にヒートシンク側へと伝達することが可能である。
　また、ヒートシンクが熱伝導性に優れる銅又は銅合金、若しくはアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されているので、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の放熱性を向上させることが可能である。
また、金属層とヒートシンクとの接合界面に、ＣｕとＡｌからなる金属間化合物層が形成されていることから、金属層又はヒートシンク中のＡｌ（アルミニウム原子）とヒートシンク又は金属層中のＣｕ（銅原子）とが十分に相互拡散しており、金属層とヒートシンクとが強固に接合されている。
また、銅又は銅合金からなる金属層又はヒートシンクと金属間化合物層との接合界面には、酸化物が、界面に沿って層状に分散していることから、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属層又はヒートシンクの表面に形成された酸化膜が破壊されて固相拡散接合が十分に進行している。
さらに、金属間化合物層は、複数の金属間化合物が金属層とヒートシンクとの接合界面に沿って積層した構造とされていることが好ましい。この場合、脆い金属間化合物層が大きく成長してしまうことを抑制できる。また、金属層又はヒートシンク中のＡｌとヒートシンク又は金属層中のＣｕとが相互拡散することにより、金属層側からヒートシンク側に向けてそれぞれの組成に適した金属間化合物が層状に形成されることから、接合界面近傍の特性を安定させることができる。
具体的には、金属間化合物層には、θ相、η２相、ζ２相の３種の金属間化合物が積層しているので、金属間化合物層の内部における体積変動が小さくなり、内部歪みが抑えられることになる。
　ここで、銅又は銅合金からなる金属層又はヒートシンクの平均結晶粒径が５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内とされ、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属層又はヒートシンクの平均結晶粒径が５００μｍ以上とされていることが好ましい。この場合、金属層、ヒートシンクの平均結晶粒径が比較的大きく設定されているので、金属層、ヒートシンクには、不要な歪が蓄積されておらず、疲労特性が良好となる。したがって、ヒートサイクル負荷において、パワーモジュール用基板とヒートシンクとの間に生じる熱応力に対する接合信頼性が向上する。
　（２）本発明の他の態様のヒートシンク付パワーモジュールは、（１）に記載のヒートシンク付パワーモジュール用基板と、前記回路層の一方側に接合された半導体素子と、を備えている。
　上述のヒートシンク付パワーモジュールによれば、上述のように金属層とヒートシンクとの接合部における熱抵抗が小さくされているので、半導体素子からの熱をヒートシンク側へと効率的に伝達することが可能である。また、ヒートシンクが熱伝導性に優れる銅又は銅合金、若しくはアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されているので、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の放熱性を向上させることができる。そして、半導体素子の温度上昇を抑制して、所定の温度で半導体素子を動作させることができ、動作の安定性を向上させることが可能となる。
　また、絶縁層の他方の面に変形抵抗の小さいアルミニウム又はアルミニウム合金で構成された金属層が配設された場合、絶縁層の割れを抑制し、ヒートシンク付パワーモジュールの信頼性を向上させることができる。
　また、金属層が熱伝導性に優れる銅又は銅合金で構成されている場合、半導体素子から発生する熱をヒートシンク側へとさらに効率的に伝達することができる。そして、半導体素子の温度上昇を抑制して、所定の温度で半導体素子を動作させることができ、動作の安定性を向上させることが可能となる。
（３）本発明の他の態様のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法は、絶縁層の一方の面に回路層が配設され、前記絶縁層の他方の面に金属層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記パワーモジュール用基板の金属層に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、前記金属層及び前記ヒートシンクの一方をアルミニウム又はアルミニウム合金で構成し、他方を銅又は銅合金で構成し、前記金属層と前記ヒートシンクとを固相拡散接合することにより、前記金属層と前記ヒートシンクとの接合界面に、ＣｕとＡｌからなる金属間化合物層を形成するとともに、前記銅又は銅合金からなる前記金属層又は前記ヒートシンクと前記金属間化合物層との界面に酸化物を前記界面に沿って層状に分散させている。
　上述のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法によれば、金属層及びヒートシンクの一方がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、他方が銅又は銅合金で構成され、前記金属層と前記ヒートシンクとを固相拡散接合によって接合する構成とされているので、グリースやはんだを介して接合されている場合と比較して、金属層とヒートシンクとの接合部における熱抵抗が小さいヒートシンク付パワーモジュール用基板を得ることができる。
　また、上述したように、金属層とヒートシンクとの接合界面に、ＣｕとＡｌからなる金属間化合物層が形成されるとともに、金属層又はヒートシンクと金属間化合物層との界面に酸化物が層状に分散しているので、金属層とヒートシンクとが強固に接合されたヒートシンク付パワーモジュール用基板を得ることができる。
本発明によれば、互いに接合される金属層及びヒートシンクの一方がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、他方が銅又は銅合金で構成されている場合において、金属層とヒートシンクの接合部における熱抵抗を小さくし、電子部品の温度上昇を抑制可能なヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供することができる。
本発明の第１実施形態に係るヒートシンク付パワーモジュール、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール用基板の概略説明図である。 図１の金属層とヒートシンクとの接合部の拡大図である。 本発明の第１実施形態に係るヒートシンク付パワーモジュールの製造方法を説明するフロー図である。 本発明の第１実施形態に係るパワーモジュール用基板の製造方法の概略説明図である。 本発明の第２実施形態に係るヒートシンク付パワーモジュール、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール用基板の概略説明図である。 図５の金属層とヒートシンクとの接合部の拡大図である。 本発明の他の実施形態に係るヒートシンク付パワーモジュール用基板の概略説明図である。 本発明の他の実施形態に係るヒートシンク付パワーモジュール用基板の概略説明図である。 本発明の他の実施形態に係るヒートシンク付パワーモジュール用基板における金属層とヒートシンクとの接合界面の概略説明図である。 図９のヒートシンクと金属間化合物層との界面の拡大説明図である。 本発明の他の実施形態に係るヒートシンク付パワーモジュール用基板における金属層とヒートシンクとの接合界面の概略説明図である。 図１１の金属層と金属間化合物層との界面の拡大説明図である。 ＣｕとＡｌの２元状態図である。
（第１実施形態）
　以下に、本発明の実施形態について、添付した図面を参照して説明する。
図１に、本発明の第１実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール１、ヒートシンク付パワーモジュール用基板３０、パワーモジュール用基板１０を示す。
　このヒートシンク付パワーモジュール１は、ヒートシンク付パワーモジュール用基板３０と、このヒートシンク付パワーモジュール用基板３０の一方側（図１において上側）にはんだ層２を介して接合された半導体素子３と、を備えている。
　はんだ層２は、例えばＳｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、若しくはＳｎ－Ａｇ－Ｃｕ系のはんだ材（いわゆる鉛フリーはんだ材）とされており、ヒートシンク付パワーモジュール用基板３０と半導体素子３とを接合するものである。
半導体素子３は、半導体を備えた電子部品であり、必要とされる機能に応じて種々の半導体素子が選択される。本実施形態では、ＩＧＢＴ素子とされている。
ヒートシンク付パワーモジュール用基板３０は、パワーモジュール用基板１０と、パワーモジュール用基板１０の他方側（図１において下側）に接合されたヒートシンク３１とを備えている。
そして、パワーモジュール用基板１０は、図１で示すように、セラミックス基板１１（絶縁層）と、このセラミックス基板１１の一方の面（第一の面であり、図１において上面）に形成された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面（第二の面であり、図１において下面）に形成された金属層１３と、を備えている。
　セラミックス基板１１は、回路層１２と金属層１３との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いＡｌＮ（窒化アルミニウム）で構成されている。また、セラミックス基板１１の厚さは、０．２～１．５ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６３５ｍｍに設定されている。
　回路層１２は、セラミックス基板１１の第一の面（図１において上面）に、金属板が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、回路層１２は、純度が９９．９９％以上のアルミニウム（いわゆる４Ｎアルミニウム）の圧延板からなるアルミニウム板２２がセラミックス基板１１に接合されることにより形成されている。
　金属層１３は、セラミックス基板１１の第二の面（図１において下面）に、金属板が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、金属層１３は、純度が９９．９９％以上のアルミニウム（いわゆる４Ｎアルミニウム）の圧延板からなるアルミニウム板２３がセラミックス基板１１に接合されることで形成されている。第１実施形態においては、金属層１３の平均結晶粒径が５００μｍ以上とされている。
ヒートシンク３１は、パワーモジュール用基板１０側の熱を放散するためのものである。ヒートシンク３１は、熱伝導性が良好な銅又は銅合金で構成されており、本実施形態においては、無酸素銅で構成されている。さらに、第１実施形態においては、ヒートシンク３１の平均結晶粒径が５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内とされている。
このヒートシンク３１の内部には、冷却用の流体が流れるための流路３２が設けられている。
そして、本実施形態においては、パワーモジュール用基板１０の金属層１３とヒートシンク３１とが、固相拡散接合によって接合されている。
金属層１３とヒートシンク３１との接合界面には、図２に示すように、金属間化合物層４１が形成されている。
金属間化合物層４１は、金属層１３のＡｌ（アルミニウム原子）と、ヒートシンク３１のＣｕ（銅原子）とが相互拡散することによって形成されるものである。この金属間化合物層４１においては、金属層１３からヒートシンク３１に向かうに従い、漸次Ａｌの濃度が低くなり、かつＣｕの濃度が高くなる濃度勾配を有している。
この金属間化合物層４１は、ＡｌとＣｕからなる金属間化合物で構成されており、本実施形態では、複数の金属間化合物が接合界面に沿って積層した構造とされている。ここで、この金属間化合物層４１の厚さｔは、１μｍ以上８０μｍ以下の範囲内、好ましくは、５μｍ以上８０μｍ以下の範囲内に設定されている。
　第１実施形態では、図２に示すように、３種の金属間化合物が積層された構造とされており、金属層１３側からヒートシンク３１側に向けて順に、θ相４３、η２相４４、ζ２相４５とされている（図１３）。
また、金属間化合物層４１とヒートシンク３１との接合界面には、酸化物４６が、接合界面に沿って層状に分散している。なお、第１実施形態においては、この酸化物４６は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のアルミニウム酸化物とされている。なお、酸化物４６は、金属間化合物層４１とヒートシンク３１との界面に分断された状態で分散しており、金属間化合物層４１とヒートシンク３１とが直接接触している領域も存在している。
次に、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール１、ヒートシンク付パワーモジュール用基板３０、パワーモジュール用基板１０の製造方法について、図３及び図４を用いて説明する。
　まず、図４で示すように、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面に、ろう材を介してアルミニウム板２２、２３を積層する。そして、加圧・加熱後冷却することによって、セラミックス基板１１とアルミニウム板２２、２３を接合し、回路層１２及び金属層１３を形成する（回路層及び金属層接合工程Ｓ１１）。なお、このろう付けの温度は、６４０℃～６５０℃に設定されている。
　こうして、セラミックス基板１１の第一の面に回路層１２が形成され、第二の面に金属層１３が形成されたパワーモジュール用基板１０が得られる。
　次に、図４で示すように、金属層１３の他方側にヒートシンク３１を積層する。ここで、金属層１３の一方側は、セラミックス基板１１の第二の面と接合されている金属層１３の面である。また、金属層１３の他方側は、金属層１３の、セラミックス基板１１の第二の面と接合されている面とは反対の面である。そして、金属層１３とヒートシンク３１に対して積層方向に荷重を負荷した状態で、金属層１３及びヒートシンク３１の加熱温度をアルミニウムと銅との共晶温度未満で保持することにより、金属層１３とヒートシンク３１とを固相拡散接合する（ヒートシンク接合工程Ｓ１２）。具体的には、まず、パワーモジュール用基板１０の一方側及びヒートシンク３１の他方側、すなわち、図４においてヒートシンク３１の下面、から荷重を負荷し、真空加熱炉の中に配置する。本実施形態においては、金属層１３及びヒートシンク３１との接触面に負荷される荷重は、３ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下とされている。そして、真空加熱の加熱温度を、アルミニウムと銅との共晶温度未満として、固相拡散接合を行い、金属層１３とヒートシンク３１とを接合する。この真空加熱の好ましい条件は、４００℃以上５４８℃以下で、１５分以上２７０分以下に保持することとされている。
本実施形態においては、金属層１３とヒートシンク３１との接合される面において、予め当該面の傷が除去されて平滑にされた後に、固相拡散接合されている。
なお、真空加熱のより好ましい加熱温度は、アルミニウムと銅の共晶温度－５℃以上且つ共晶温度未満の範囲とされている。
上述のようにして、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板３０、及びパワーモジュール用基板１０が得られる。
　そして、回路層１２の一方側（表面）に、はんだ材を介して半導体素子３を載置し、還元炉内においてはんだ接合する（半導体素子接合工程Ｓ１３）。
このようにして、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール１が製出される。
　以上のような構成とされた本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板３０によれば、アルミニウムで構成された金属層１３と、銅で構成されたヒートシンク３１とが固相拡散接合によって接合される構成とされているので、熱伝導性が悪いグリースやはんだを介して接合されている場合と比較して、金属層１３とヒートシンク３１との接合部における熱伝導性を向上させて、熱抵抗を小さくすることができる。
さらには、金属層１３とヒートシンク３１とが固相拡散接合によって接合されており、金属層１３とヒートシンク３１との接合界面に、ＣｕとＡｌからなる金属間化合物層４１が形成されていることから、金属層１３中のＡｌ（アルミニウム原子）とヒートシンク３１中のＣｕ（銅原子）とが十分に相互拡散しており、金属層１３とヒートシンク３１とが強固に接合されている。
また、金属間化合物層４１は、複数の金属間化合物が前記接合界面に沿って積層した構造とされているので、脆い金属間化合物層が大きく成長してしまうことを抑制できる。また、金属層１３中のＡｌとヒートシンク３１中のＣｕとが相互拡散することにより、金属層１３側からヒートシンク３１側に向けてそれぞれの組成に適した金属間化合物が層状に形成されることから、接合界面近傍の特性を安定させることができる。
具体的には、金属間化合物層４１は、金属層１３からヒートシンク３１側に向けて順に、θ相４３、η２相４４、ζ２相４５の３種の金属間化合物が積層しているので、金属間化合物層４１の内部における体積変動が小さくなり、内部歪みが抑えられることになる。
すなわち、固相拡散しなかった場合、例えば、液相が形成された場合には、金属間化合物が必要以上に発生し、金属間化合物層はその体積の変動が大きくなり、金属間化合物層に内部歪みが生じる。しかし、固相拡散した場合には、脆い金属間化合物層が大きく成長せずに、金属間化合物が層状に形成されるため、その内部歪みが抑えられる。
また、これらの金属間化合物層４１とヒートシンク３１の接合界面において、酸化物４６が接合界面に沿って層状に分散しているので、金属層１３の表面に形成された酸化膜が確実に破壊され、ＣｕとＡｌの相互拡散が十分に進行していることになり、金属層１３とヒートシンク３１とが確実に接合されている。
さらに、金属間化合物層４１の平均厚みが１μｍ以上８０μｍ以下の範囲内、好ましくは５μｍ以上８０μｍ以下の範囲内とされているので、金属層１３中のＡｌとヒートシンク３１中のＣｕとが十分に相互拡散していることになり、金属層１３とヒートシンク３１とが強固に接合できるとともに、金属層１３、ヒートシンク３１、比べて脆い金属間化合物層４１が必要以上に成長することが抑えられており、接合界面の特性が安定することになる。
さらに、本実施形態においては、ヒートシンク３１の平均結晶粒径が５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内とされ、金属層１３の平均結晶粒径が５００μｍ以上とされており、金属層１３、ヒートシンク３１の平均結晶粒径が比較的大きく設定されている。よって、金属層１３、ヒートシンク３１には、不要な歪が蓄積されておらず、疲労特性が良好となる。したがって、ヒートサイクル負荷において、パワーモジュール用基板１０とヒートシンク３１との間に生じる熱応力に対する接合信頼性が向上する。
また、パワーモジュール用基板１０の金属層１３とヒートシンク３１に対して積層方向に荷重を負荷した状態で固相拡散接合する構成とされているので、金属層１３とヒートシンク３１との接合部に隙間が生じ難く、接合部の熱伝導性を良好にすることができる。
さらに、金属層１３及びヒートシンク３１の加熱温度をアルミニウムと銅の共晶温度未満で保持することにより固相拡散接合されているので、金属層１３とヒートシンク３１との間に液相が形成されない。そのため、金属層１３とヒートシンク３１との間にアルミニウムと銅の化合物が多量に生成されず、金属層１３とヒートシンク３１との接合部の接合信頼性を向上させることができる。
　また、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面に変形抵抗が小さいアルミニウムで構成された回路層１２及び金属層１３が配設されており、ヒートサイクルが負荷された場合にセラミックス基板１１に生じる熱応力を回路層１２及び金属層１３が吸収するので、セラミックス基板１１に割れが発生することを抑制できる。
　また、ヒートシンク３１が熱伝導性に優れる銅で構成されているので、ヒートシンク付パワーモジュール用基板３０の放熱性を向上させることが可能である。
上述のようなヒートシンク付パワーモジュール用基板３０を用いたヒートシンク付パワーモジュール１においては、金属層１３とヒートシンク３１との接合部における熱抵抗が小さくなっているので、半導体素子３から発生する熱を効率的に放散することができる。さらには、金属層１３とヒートシンク３１との接合強度が高いため、ヒートサイクルが負荷された場合に、接合界面の剥離が生じ難く、ヒートシンク付パワーモジュール１の熱抵抗の上昇を抑制することができる。また、ヒートシンク３１が熱伝導性に優れる銅で構成されているので、半導体素子３からの熱をさらに効率的に放散することが可能である。
本発明のヒートシンク付パワーモジュール１によれば、このように半導体素子３からの熱を効率的に放散し、半導体素子３の温度上昇を抑制することができるので、所定の温度で半導体素子３を動作させ、動作の安定性を向上させることが可能となる。
また、回路層１２及び金属層１３が変形抵抗の小さいアルミニウムで構成されているので、セラミックス基板１１に割れが発生することを抑制し、ヒートシンク付パワーモジュール１の信頼性を向上させることができる。
また、固相拡散接合は、セラミックス基板１１の第一の面及び第二の面に、回路層１２及び金属層１３を形成し、金属層１３の他方側、すなわち、セラミックス基板１１の第二の面と接合されている面とは反対の面、にヒートシンク３１を配置した後に、金属層１３及びヒートシンク３１に対して、３ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の荷重が負荷された状態で、４００℃以上５４８℃以下で、１５分以上２７０分以下保持する構成とされている。このようにして、金属層１３とヒートシンク３１とが十分に密着した状態で、金属層１３中にヒートシンク３１の銅原子を固相拡散させ、ヒートシンク３１中に金属層１３のアルミニウム原子を固相拡散させて金属層１３とヒートシンク３１を接合することにより、金属層１３の他方側にヒートシンク３１を確実に形成することができる。
　さらに、このように固相拡散接合を行うことで、金属層１３とヒートシンク３１との間に隙間が生じることを抑制して金属層１３とヒートシンク３１とを接合することができるので、金属層１３とヒートシンク３１との接合界面における熱伝導性を良好にし、熱抵抗を小さくすることができ、半導体素子３から生じる熱をヒートシンク３１側へと効率的に放散することが可能である。
　固相拡散接合する際に、金属層１３及びヒートシンク３１に対して負荷される荷重が３ｋｇｆ／ｃｍ２未満の場合は、金属層１３とヒートシンク３１とを十分に接合させることが困難となり、金属層１３とヒートシンク３１との間に隙間が生じる場合がある。また、３５ｋｇｆ／ｃｍ２を超える場合には、負荷される荷重が高すぎてセラミックス基板１１に割れが発生することがある。このような理由により、固相拡散接合の際に負荷される荷重は、上記の範囲に設定されている。
　固相拡散接合する際の温度が４００℃未満の場合には、アルミニウム原子と銅原子とが十分に拡散せず、固相拡散による接合が困難となる。また、５４８℃を超える場合には、金属層１３とヒートシンク３１との間に液相が形成されてアルミニウムと銅の化合物が多量に生成するので、金属層１３とヒートシンク３１との接合が阻害され、接合信頼性が低下する。このような理由により、固相拡散接合の際の温度は、上記の範囲に設定されている。
また、固相拡散接合時における真空加熱の好ましい温度は、アルミニウムと銅の共晶温度から共晶温度－５℃以上且つ共晶温度未満の範囲とされている。このような真空加熱の温度を選択したときには、金属層１３とヒートシンク３１との間に液相が形成されないのでアルミニウムと銅の化合物が多量に生成せず、固相拡散接合の接合信頼性が良好となることに加えて、固相拡散接合の際の拡散速度が速く、比較的短時間で固相拡散接合できるため上記のように設定されている。
　固相拡散接合時の加熱の保持時間が、１５分未満の場合は、保持時間が短過ぎるために固相拡散が十分に生じ難く、接合が不十分となることがあり、２７０分を超える場合は、製造コストが増加するため、上記の範囲に設定されている。
　また、固相拡散接合する際に、接合される面に傷がある場合、固相拡散接合時に隙間が生じるが、金属層１３とヒートシンク３１との接合される面は、予め当該面の傷が除去されて平滑にされた後に、固相拡散接合されているので、それぞれの接合界面に隙間が生じることを抑制して接合することが可能である。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図５に、本発明の第２実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール１０１、ヒートシンク付パワーモジュール用基板１３０、パワーモジュール用基板１１０を示す。なお、第１実施形態と同様の構成のものについては、同一符号を付して詳細な説明を省略する。
ヒートシンク付パワーモジュール１０１は、ヒートシンク付パワーモジュール用基板１３０と、このヒートシンク付パワーモジュール用基板１３０の一方側（図５において上側）にはんだ層２を介して接合された半導体素子３と、を備えている。
ヒートシンク付パワーモジュール用基板１３０は、パワーモジュール用基板１１０と、パワーモジュール用基板１１０の他方側（図５において下側）に接合されたヒートシンク１３１とを備えている。
そして、パワーモジュール用基板１１０は、図５で示すように、セラミックス基板１１（絶縁層）と、このセラミックス基板１１の一方の面（第一の面であり、図５において上面）に形成された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面（第二の面であり、図５において下面）に形成された金属層１１３と、を備えている。
　金属層１１３は、セラミックス基板１１の第二の面（図５において下面）に、金属板が接合されることにより形成されている。第２実施形態においては、金属層１１３は、無酸素銅で構成されている。この金属層１１３の平均結晶粒径は５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内とされている。
　ヒートシンク１３１は、アルミニウム合金（Ａ６０６３）で構成され、内部には冷却用の流体が流れるための流路１３２が形成されている。第２実施形態においては、ヒートシンク１３１の平均結晶粒径が５００μｍ以上とされている。
そして、パワーモジュール用基板１１０の金属層１１３とヒートシンク１３１とが、固相拡散接合によって接合されている。
金属層１１３とヒートシンク１３１との接合界面には、図６に示すように、金属間化合物層１４１が形成されている。
　金属間化合物層１４１は、金属層１１３のＣｕ（銅原子）と、ヒートシンク１３１のＡｌ（アルミニウム原子）とが相互拡散することによって形成されるものである。この金属間化合物層１４１においては、ヒートシンク１３１から金属層１１３に向かうに従い、漸次Ａｌの濃度が低くなり、かつＣｕの濃度が高くなる濃度勾配を有している。
この金属間化合物層１４１は、ＡｌとＣｕからなる金属間化合物で構成されており、第２実施形態では、複数の金属間化合物が接合界面に沿って積層した構造とされている。ここで、この金属間化合物層１４１の厚さｔは、１μｍ以上８０μｍ以下の範囲内、好ましくは、５μｍ以上８０μｍ以下の範囲内に設定されている。
　第２実施形態では、図６に示すように、３種の金属間化合物が積層された構造とされており、ヒートシンク１３１側から金属層１１３側に向けて順に、θ相４３、η２相４４、ζ２相４５とされている。
また、金属間化合物層１４１と金属層１１３との接合界面には、酸化物４６が、接合界面に沿って層状に分散している。なお、第２実施形態においては、この酸化物４６は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のアルミニウム酸化物とされている。なお、酸化物４６は、金属間化合物層１４１と金属層１１３との界面に分断された状態で分散しており、金属間化合物層１４１と金属層１１３とが直接接触している領域も存在している。
次に、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール１０１、ヒートシンク付パワーモジュール用基板１３０、パワーモジュール用基板１１０の製造方法について説明する。
　まず、セラミックス基板１１の一方の面（第二の面）に、金属層１１３となる銅板を接合し、セラミックス基板１１の他方の面（第一の面）に回路層１２となるＡｌ板を接合した。本実施形態では、銅板として無酸素銅を、Ａｌ板として４Ｎアルミニウムを用い、セラミックス基板と銅板の接合を活性金属ろう付け法で、セラミックス基板とＡｌ板の接合をＡｌ－Ｓｉ系ろう材を用いた接合で行った。
次に、金属層１１３の他方側、すなわち、金属層１１３の、セラミックス基板１１の第二の面と接合されている面とは反対の面、にヒートシンク１３１を積層する。そして、金属層１１３とヒートシンク１３１に対して積層方向に荷重を負荷した状態で、金属層１１３及びヒートシンク１３１の加熱温度をアルミニウムと銅との共晶温度未満で保持することにより、金属層１１３とヒートシンク１３１を固相拡散接合する。固相拡散接合の条件は第１実施形態と同様である。
上述のようにして、第２実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板１３０、及びパワーモジュール用基板１１０が得られる。
　そして、回路層１２の一方側（表面）に、はんだ材を介して半導体素子３を載置し、還元炉内においてはんだ接合する。
このようにして、本発明の第２実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール１０１が製出される。
以上のような構成とされた第２実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板１３０によれば、銅で構成された金属層１１３と、アルミニウム合金（Ａ６０６３）で構成されたヒートシンク１３１とが固相拡散接合によって接合される構成とされているので、熱伝導性が悪いグリースやはんだを介して接合されている場合と比較して、金属層１１３とヒートシンク１３１との接合部における熱伝導性を向上させて、熱抵抗を小さくすることができる。
さらには、金属層１１３とヒートシンク１３１とが固相拡散接合によって接合されており、金属層１１３とヒートシンク１３１との接合界面に、ＣｕとＡｌからなる金属間化合物層１４１が形成されていることから、金属層１１３中のＣｕ（銅原子）とヒートシンク１３１中のＡｌ（アルミニウム原子）とが十分に相互拡散しており、金属層１１３とヒートシンク１３１とが強固に接合されている。
また、これらの金属間化合物層１４１と金属層１１３の接合界面において、酸化物４６が接合界面に沿って層状に分散しているので、ヒートシンク１３１の表面に形成された酸化膜が確実に破壊され、ＣｕとＡｌの相互拡散が十分に進行していることになり、金属層１１３とヒートシンク１３１とが確実に接合されている。
さらに、金属間化合物層１４１の平均厚みが１μｍ以上８０μｍ以下の範囲内、好ましくは５μｍ以上８０μｍ以下の範囲内とされているので、金属層１１３中のＣｕとヒートシンク１３１中のＡｌとが十分に相互拡散していることになり、金属層１１３とヒートシンク１３１とが強固に接合できるとともに、金属層１１３、ヒートシンク１３１に比べて脆い金属間化合物層１４１が必要以上に成長することが抑えられており、接合界面の特性が安定することになる。
さらに、第２実施形態においては、ヒートシンク１３１の平均結晶粒径が５００μｍ以上とされ、金属層１１３の平均結晶粒径が５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内とされており、金属層１１３、ヒートシンク１３１の平均結晶粒径が比較的大きく設定されている。よって、金属層１１３、ヒートシンク１３１には、不要な歪が蓄積されておらず、疲労特性が良好となる。したがって、ヒートサイクル負荷において、パワーモジュール用基板１１０とヒートシンク１３１との間に生じる熱応力に対する接合信頼性が向上する。
さらに、第２実施形態においては金属層１１３が無酸素銅で構成されているので、半導体素子３からの熱を拡げて効率的にヒートシンク１３１側へと伝達し熱抵抗を小さくできる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
なお、上記の実施形態においては、回路層が純度９９．９９％の４Ｎアルミニウムで構成されている場合について説明したが、これに限定されるものではなく、純度９９％のアルミニウム（２Ｎアルミニウム）、アルミニウム合金、銅、又は銅合金で構成されても良い。銅や銅合金で回路層を形成した場合には、半導体素子からの熱を回路層で面方向に拡げ、効率的にパワーモジュール用基板側へ放散することが可能である。
また、上記の実施形態においては、金属層が純度９９．９９％の純アルミニウムで構成されている場合について説明したが、純度９９％のアルミニウム（２Ｎアルミニウム）やアルミニウム合金で構成されても良い。また、ヒートシンクがアルミニウム合金（Ａ６０６３）で構成されている場合について説明したが、純度９９．９９％の純アルミニウムや他のアルミニウム合金で構成されていても良い。
また、金属層又はヒートシンクが無酸素銅で構成される場合について説明したが、タフピッチ銅や銅合金で構成されても良い。また、ヒートシンクの内部に流路が設けられている場合について説明したが、流路は設けられていなくても良い。また、ヒートシンクは放熱フィンを備えていても良い。
例えば、金属層をアルミニウム合金で構成し、ヒートシンクを銅合金で構成した場合には、固相拡散接合時の加熱の温度をアルミニウム合金と銅合金との共晶温度未満とすれば良く、金属層を構成する金属とヒートシンクを構成する金属に応じた共晶温度未満とすれば良い。
　また、絶縁層としてＡｌＮからなるセラミックス基板を用いたものとして説明したが、これに限定されることはなく、Ｓｉ３Ｎ４やＡｌ２Ｏ３等からなるセラミックス基板を用いても良いし、絶縁樹脂によって絶縁層を構成しても良い。
　また、上記の実施形態のヒートシンク付パワーモジュール用基板において、セラミックス基板の第一の面に、回路層としてアルミニウム板が接合されている場合について説明したが、例えば図７のヒートシンク付パワーモジュール用基板２３０に示すように、セラミックス基板１１の第一の面に、回路層２１２として、半導体素子などが接合されるダイパッド２３２と、外部端子として用いられるリード部２３３とを有する銅板を接合しても良い。ここで、セラミックス基板１１と上述の銅板との接合方法としては、例えば活性金属ロウ付け法やＤＢＣ法などによる接合方法が挙げられる。また、図７に示すヒートシンク付パワーモジュール用基板２３０では、ダイパッド２３２とセラミックス基板１１とが接合されている。
　また、図８に示すヒートシンク付パワーモジュール用基板３３０に示すように、回路層３１２が、アルミニウム層３１２Ａと、このアルミニウム層３１２Ａの一方側に接合された銅層３１２Ｂとを備え、この銅層３１２Ｂは、ダイパッド３３２とリード部３３３とを有する銅板からなる構成とされても良い。このヒートシンク付パワーモジュール用基板３３０では、アルミニウム層３１２Ａと、ダイパッド３３２とが、固相拡散接合によって接合されている。ここで、アルミニウム層３１２Ａの一方側は、アルミニウム層３１２Ａの、セラミックス基板１１の第一の面と接合されている面とは反対の面である。
　ここで、アルミニウム層３１２Ａの厚さは、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下とされていることが好ましい。また、銅層３１２Ｂの厚さは、０．１ｍｍ以上６．０ｍｍ以下とされていることが好ましい。
　また、第１実施形態では、金属層１３とヒートシンク３１との接合界面には、金属間化合物層４１が形成され、この金属間化合物層４１は、金属層１３側からヒートシンク３１側に向けて順に、θ相４３、η２相４４、ζ２相４５が積層して構成されている場合について説明したが、これに限定されるものではない。
　具体的には、金属層１３とヒートシンク３１との接合界面において、金属層１３側からヒートシンク３１側に向けて順に、アルミニウムの比率が低くなるように、複数のＣｕ及びＡｌからなる金属間化合物が積層されていても良い。また、図９に示すように、金属層１３とヒートシンク３１との接合界面には、金属層１３側からヒートシンク３１側に向けて順に、前述の接合界面に沿って、θ相４４３、η２相４４４が積層し、さらにζ２相４４５、δ相４４７、及びγ２相４４８のうち少なくとも一つの相が積層して構成されていても良い（図１３）。
　また、第１実施形態では、金属間化合物層４１とヒートシンク３１との接合界面には、酸化物４６が、接合界面に沿って層状に分散している場合について説明したが、例えば図１０に示すように、金属間化合物層４４１とヒートシンク３１との界面に沿って、酸化物４４６が、ζ２相４４５、δ相４４７、及びγ２相４４８のうち少なくとも一つの相で構成された層の内部に層状に分散している構成とされても良い。なお、この酸化物４４６は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のアルミニウム酸化物とされている。
　また、第２実施形態では、金属層１１３とヒートシンク１３１との接合界面には、金属間化合物層１４１が形成され、この金属間化合物層１４１は、ヒートシンク１３１側から金属層１１３側に向けて順に、θ相４３、η２相４４、ζ２相４５が積層して構成されている場合について説明したが、これに限定されるものではない。
　具体的には、金属層１１３とヒートシンク１３１との接合界面において、ヒートシンク１３１側から金属層１１３側に向けて順に、アルミニウムの比率が低くなるように、複数のＣｕ及びＡｌからなる金属間化合物が積層されていても良い。また、図１１に示すように、金属層１１３とヒートシンク１３１との接合界面には、ヒートシンク１３１側から金属層１１３側に向けて順に、前述の接合界面に沿って、θ相５４３、η２相５４４が積層し、さらにζ２相５４５、δ相５４７、及びγ２相５４８のうち少なくとも一つの相が積層して構成されていても良い。
　また、第２実施形態では、金属間化合物層１４１と金属層１１３との接合界面には、酸化物４６が、接合界面に沿って層状に分散している場合について説明したが、例えば図１２に示すように、金属間化合物層５４１と金属層１１３との界面に沿って、酸化物５４６がζ２相５４５、δ相５４７、及びγ２相５４８のうち少なくとも一つの相で構成された層の内部に層状に分散している構成とされても良い。なお、この酸化物５４６は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のアルミニウム酸化物とされている。
　以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
　図３のフロー図に記載した手順に従って、表１及び表２に示す条件で金属層とヒートシンクとを固相拡散接合して作製されたヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いて、本発明例１－１～１－７、本発明例２－１～２－７、比較例１及び比較例２のヒートシンク付パワーモジュールを作製した。
　なお、セラミックス基板は、ＡｌＮで構成され、４０ｍｍ×４０ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍのものを使用した。
　また、回路層は、４Ｎアルミニウムの圧延板で構成され、３７ｍｍ×３７ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのものを使用した。
金属層は、本発明例１－１～１－７、及び比較例１については、４Ｎアルミニウムの圧延板で構成され、３７ｍｍ×３７ｍｍ、厚さ１．６ｍｍのものを使用した。
また、本発明例２－１～２－７、及び比較例２については、無酸素銅の圧延板で構成され、３７ｍｍ×３７ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのものを使用した。
ヒートシンクは、本発明例１－１～１－７、及び比較例１については、無酸素銅で構成され、ヒートシンクの内部に冷却用の流路を有するものを用いた。
また、本発明例２－１～２－７、及び比較例２については、アルミニウム合金（Ａ６０６３）で構成され、ヒートシンクの内部に冷却用の流路を有するものを用いた。
　半導体素子は、ＩＧＢＴ素子とし、１２．５ｍｍ×９．５ｍｍ、厚さ０．２５ｍｍのものを使用した。
　このようにして作製したヒートシンク付パワーモジュールに対して、以下の評価を実施した。
（ヒートサイクル試験）
　ヒートサイクル試験は、ヒートシンク付パワーモジュールに対して、－４０℃から１２５℃のヒートサイクルを負荷することにより行う。本実施例では、このヒートサイクルを３０００回実施した。
このヒートサイクル試験前後における、金属層とヒートシンクとの界面における接合率及びヒートシンク付パワーモジュールの熱抵抗を測定した。
（酸化物の評価方法）
クロスセクションポリッシャ（日本電子株式会社製ＳＭ－０９０１０）を用いて、イオン加速電圧：５ｋＶ、加工時間：１４時間、遮蔽板からの突出量：１００μｍでイオンエッチングした断面を走査型電子顕微鏡（カール　ツァイスＮＴＳ社製ＵＬＴＲＡ５５）を用いて、加速電圧：１ｋＶ、ＷＤ：２．５ｍｍでＩｎ－Ｌｅｎｓ像、組成像の撮影及びＥＤＳ分析を行った。
本発明例１－１～１－７及び２－１～２－７では、Ｉｎ－Ｌｅｎｓ像を撮影すると、Ｃｕと金属間化合物層の界面に沿って層状に分散した白いコンラストが得られた。また同条件にて組成像を撮影すると、前記箇所はＡｌより暗いコントラストになっていた。さらにＥＤＳ分析から前記箇所に酸素が濃集していた。以上のことからＣｕと金属間化合物層との界面には、酸化物が、前記界面に沿って層状に分散していることを確認した。
また、比較例１及び比較例２ではこのような酸化物は確認されなかった。上記の方法により酸化物が確認できたものを表では「有」とし、確認できなかったものを「無」と記載した。
（金属層とヒートシンクとの接合界面の接合率評価）
ヒートサイクル試験前後のヒートシンク付パワーモジュールに対して、金属層とヒートシンクとの接合界面の接合率について超音波探傷装置を用いて評価し、以下の式から算出した。ここで、初期接合面積とは、接合前における接合すべき面積、すなわち金属層の面積とした。超音波探傷像において剥離は白色部で示されることから、この白色部の面積を剥離面積とした。
　（接合率（％））＝｛（初期接合面積）－（剥離面積）｝／（初期接合面積）×１００
（熱抵抗評価）
　熱抵抗は、次のようにして測定した。半導体素子としてヒータチップを用い、１００Ｗの電力で加熱し、熱電対を用いてヒータチップの温度を実測した。また、ヒートシンクを流通する冷却媒体（エチレングリコール：水＝９：１）の温度を実測した。そして、ヒータチップの温度と冷却媒体の温度差を電力で割った値を熱抵抗とした。
　金属層を４Ｎアルミニウム、ヒートシンクを無酸素銅とした本発明例１－１～１－７、及び比較例１の評価結果を表１に示す。
　金属層を無酸素銅、ヒートシンクをアルミニウム合金（Ａ６０６３）とした本発明例２－１～２－７、及び比較例２の評価結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　　　　　　　　　　　　　　　　　 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 　　　　　　　　　　　　　　　　　 
表１、表２に示すように、Ｃｕと金属間化合物層の界面に沿って層状に分散した酸化物が無い比較例１及び比較例２では、ヒートサイクル試験前の接合率は高かったものの、ヒートサイクル試験後の接合率は低下し、熱抵抗は上昇した。これは、固相拡散接合時の温度をアルミニウムと銅との共晶温度以上としたためと推察される。
一方、本発明である本発明例１－１～１－７及び２－１～２－７では、Ｃｕと金属間化合物層の界面に沿って層状に分散した酸化物があるため、ヒートサイクル試験前及び試験後における接合率は共に高く、さらに、ヒートサイクル試験前後の熱抵抗は共に低かった。
よって、本発明例１－１～１－７及び２－１～２－７では、パワーモジュール用基板とヒートシンクとが強固に接合されていることが確認された。
　本発明によれば、互いに接合される金属層及びヒートシンクの一方がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、他方が銅又は銅合金で構成されている場合において、金属層とヒートシンクの接合部における熱抵抗を小さくし、電子部品の温度上昇を抑制可能なヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供することができる。
１、１０１　ヒートシンク付パワーモジュール
３　半導体素子
１０、１１０　パワーモジュール用基板
１１　セラミックス基板
１２、２１２、３１２　回路層
１３、１１３　金属層
３０、１３０、２３０、３３０　ヒートシンク付パワーモジュール用基板
３１、１３１　ヒートシンク
４１、１４１、４４１、５４１　金属間化合物層

Claims (3)

  1. 絶縁層の一方の面に回路層が配設され、前記絶縁層の他方の面に金属層が配設されたパワーモジュール用基板と、
    　前記パワーモジュール用基板の前記金属層に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、
    前記金属層及び前記ヒートシンクの一方がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、
    他方が銅又は銅合金で構成され、
    前記金属層と前記ヒートシンクとが、固相拡散接合され、
    前記金属層と前記ヒートシンクとの接合界面には、ＣｕとＡｌからなる金属間化合物層が形成されており、
    銅又は銅合金からなる前記金属層又は前記ヒートシンクと、前記金属間化合物層との界面には、酸化物が前記界面に沿って層状に分散していることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。
  2. 　請求項１に記載のヒートシンク付パワーモジュール用基板と、前記回路層の一方側に接合された半導体素子と、を備えるヒートシンク付パワーモジュール。
  3. 絶縁層の一方の面に回路層が配設され、前記絶縁層の他方の面に金属層が配設されたパワーモジュール用基板と、
    　前記パワーモジュール用基板の金属層に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法であって、
    　前記金属層及び前記ヒートシンクの一方をアルミニウム又はアルミニウム合金で構成し、
    　他方を銅又は銅合金で構成し、
    　前記金属層と前記ヒートシンクとを固相拡散接合することにより、
    　前記金属層と前記ヒートシンクとの接合界面に、ＣｕとＡｌからなる金属間化合物層を形成するとともに、前記銅又は銅合金からなる前記金属層又は前記ヒートシンクと前記金属間化合物層との界面に酸化物を前記界面に沿って層状に分散させることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。
     
     
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KR1020157008930A KR102146589B1 (ko) 2012-10-16 2013-10-11 히트싱크가 부착된 파워 모듈용 기판, 히트싱크가 부착된 파워 모듈, 및 히트싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 제조 방법
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CN201380053574.9A CN104718616B (zh) 2012-10-16 2013-10-11 自带散热器的功率模块用基板、自带散热器的功率模块及自带散热器的功率模块用基板的制造方法
US14/435,554 US9968012B2 (en) 2012-10-16 2013-10-11 Heat-sink-attached power module substrate, heat-sink-attached power module, and method for producing heat-sink-attached power module substrate

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106663663A (zh) * 2014-08-26 2017-05-10 三菱综合材料株式会社 接合体及其制造方法、自带散热器的功率模块用基板及其制造方法、散热器及其制造方法
CN107431051A (zh) * 2015-03-30 2017-12-01 三菱综合材料株式会社 带有散热片的功率模块用基板的制造方法
CN107534033A (zh) * 2015-04-16 2018-01-02 三菱综合材料株式会社 接合体、自带散热器的功率模块用基板、散热器及接合体的制造方法、自带散热器的功率模块用基板的制造方法、散热器的制造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5542765B2 (ja) * 2011-09-26 2014-07-09 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワーモジュール
JP6111764B2 (ja) * 2013-03-18 2017-04-12 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板の製造方法
JP5672324B2 (ja) 2013-03-18 2015-02-18 三菱マテリアル株式会社 接合体の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法
DE112015003487T5 (de) * 2014-07-29 2017-05-11 Denka Company Limited Keramische Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung der selben
JP6432208B2 (ja) * 2014-08-18 2018-12-05 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板の製造方法、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
JP6696214B2 (ja) 2015-04-16 2020-05-20 三菱マテリアル株式会社 接合体、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク、及び、接合体の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンクの製造方法
US10497585B2 (en) 2015-04-16 2019-12-03 Mitsubishi Materials Corporation Bonded body, substrate for power module with heat sink, heat sink, method for producing bonded body, method for producing substrate for power module with heat sink, and method for producing heat sink
WO2016167217A1 (ja) * 2015-04-16 2016-10-20 三菱マテリアル株式会社 接合体、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク、及び、接合体の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンクの製造方法
CN105081500B (zh) * 2015-09-02 2017-02-22 哈尔滨工业大学 一种使用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法
JP6638282B2 (ja) * 2015-09-25 2020-01-29 三菱マテリアル株式会社 冷却器付き発光モジュールおよび冷却器付き発光モジュールの製造方法
JP2017063127A (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 三菱マテリアル株式会社 発光モジュール用基板、発光モジュール、冷却器付き発光モジュール用基板、および発光モジュール用基板の製造方法
WO2017217221A1 (ja) * 2016-06-16 2017-12-21 三菱電機株式会社 半導体実装用放熱ベース板およびその製造方法
JPWO2018154870A1 (ja) * 2017-02-27 2019-02-28 三菱電機株式会社 金属接合方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP6776953B2 (ja) * 2017-03-07 2020-10-28 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板
JP6790945B2 (ja) * 2017-03-17 2020-11-25 三菱マテリアル株式会社 絶縁回路基板の製造方法、及び、ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法
JP6717245B2 (ja) 2017-03-17 2020-07-01 三菱マテリアル株式会社 接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法、及び、ヒートシンク付き絶縁回路基板の製造方法
JP6970738B2 (ja) * 2017-03-30 2021-11-24 株式会社東芝 セラミックス銅回路基板およびそれを用いた半導体装置
WO2018181236A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP7135716B2 (ja) 2017-10-27 2022-09-13 三菱マテリアル株式会社 接合体、ヒートシンク付絶縁回路基板、及び、ヒートシンク
WO2019082973A1 (ja) 2017-10-27 2019-05-02 三菱マテリアル株式会社 接合体、ヒートシンク付絶縁回路基板、及び、ヒートシンク
US11887909B2 (en) * 2018-02-13 2024-01-30 Mitsubishi Materials Corporation Copper/titanium/aluminum joint, insulating circuit substrate, insulating circuit substrate with heat sink, power module, LED module, and thermoelectric module
EP3780087A4 (en) * 2018-03-26 2022-01-12 Mitsubishi Materials Corporation METHOD OF MANUFACTURE OF CONNECTED BODY FOR INSULATION OF A CIRCUIT BOARD AND CONNECTED BODY FOR INSULATION OF A CIRCUIT BOARD
EP3780085A4 (en) * 2018-03-28 2021-12-29 Mitsubishi Materials Corporation Insulated circuit board with heat sink
JP7167642B2 (ja) 2018-11-08 2022-11-09 三菱マテリアル株式会社 接合体、ヒートシンク付絶縁回路基板、及び、ヒートシンク
JP7081686B2 (ja) 2018-11-28 2022-06-07 三菱マテリアル株式会社 接合体、ヒートシンク付絶縁回路基板、及び、ヒートシンク
DE102019126954A1 (de) * 2019-10-08 2021-04-08 Rogers Germany Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats, Lötsystem und Metall-Keramik-Substrat, hergestellt mit einem solchen Verfahren
US11828546B2 (en) * 2019-11-21 2023-11-28 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Heat exchange compound module
CN114846912A (zh) * 2020-03-18 2022-08-02 株式会社东芝 接合体、陶瓷铜电路基板、接合体的制造方法及陶瓷铜电路基板的制造方法
US11825628B2 (en) * 2020-08-19 2023-11-21 Baidu Usa Llc Hybrid cooling system for electronic racks
US20230130677A1 (en) * 2021-10-21 2023-04-27 Amulaire Thermal Technology, Inc. Heat-dissipation substrate having gradient sputtered structure

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004288828A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板並びにパワーモジュール
JP2009224571A (ja) 2008-03-17 2009-10-01 Mitsubishi Materials Corp ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール
JP2010137251A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Mitsubishi Electric Corp 金属接合体およびその製造方法
WO2011155379A1 (ja) * 2010-06-08 2011-12-15 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル アルミニウム銅クラッド材
JP2012160642A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Mitsubishi Materials Corp ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04315524A (ja) 1991-04-10 1992-11-06 Kobe Steel Ltd 銅材とアルミニウム材との接合用部材及びその製造方法
JP3240211B2 (ja) 1993-04-12 2001-12-17 旭化成株式会社 銅−アルミニウム異種金属継手材
TW252061B (en) 1994-07-20 1995-07-21 Dong-Hann Chang Process of undergoing diffusion bonding under low pressure
JPH08255973A (ja) * 1995-03-17 1996-10-01 Toshiba Corp セラミックス回路基板
US6033787A (en) * 1996-08-22 2000-03-07 Mitsubishi Materials Corporation Ceramic circuit board with heat sink
US6124635A (en) * 1997-03-21 2000-09-26 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Functionally gradient integrated metal-ceramic member and semiconductor circuit substrate application thereof
JPH11156995A (ja) 1997-09-25 1999-06-15 Daido Steel Co Ltd クラッド板とこれを用いた電池用ケース並びにこれらの製造方法
JP3752830B2 (ja) 1998-03-31 2006-03-08 マツダ株式会社 接合金属部材及び該部材の接合方法
JP2001148451A (ja) * 1999-03-24 2001-05-29 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板
JP2001252772A (ja) 2000-03-10 2001-09-18 Showa Denko Kk アルミニウム−銅クラッド材およびその製造方法
JP2002064169A (ja) * 2000-08-21 2002-02-28 Denki Kagaku Kogyo Kk 放熱構造体
JP2002203942A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
JP2002231865A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Toyota Industries Corp ヒートシンク付絶縁基板、接合部材及び接合方法
JP2003078086A (ja) 2001-09-04 2003-03-14 Kubota Corp 半導体素子モジュール基板の積層構造
JP2003092383A (ja) 2001-09-19 2003-03-28 Hitachi Ltd パワー半導体装置およびそのヒートシンク
JP2003258170A (ja) * 2002-02-26 2003-09-12 Akane:Kk ヒートシンク
JP3917503B2 (ja) 2002-04-05 2007-05-23 住友精密工業株式会社 アルミニウム部材と銅部材の接合方法及びその接合構造物
TW540298B (en) 2002-09-04 2003-07-01 Loyalty Founder Entpr Co Ltd Composite board forming method for heat sink
AU2003257838A1 (en) 2003-08-07 2005-02-25 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Al-Cu JUNCTION STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
US7532481B2 (en) * 2004-04-05 2009-05-12 Mitsubishi Materials Corporation Al/AlN joint material, base plate for power module, power module, and manufacturing method of Al/AlN joint material
JP2006100770A (ja) * 2004-09-01 2006-04-13 Toyota Industries Corp 回路基板のベース板の製造方法及び回路基板のベース板並びにベース板を用いた回路基板
JP4759384B2 (ja) * 2005-12-20 2011-08-31 昭和電工株式会社 半導体モジュール
EP2210970B1 (en) 2007-10-25 2017-03-29 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Stamper, process for producing the same, process for producing molding, and aluminum base die for stamper
JP5067187B2 (ja) * 2007-11-06 2012-11-07 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール
JP4747315B2 (ja) * 2007-11-19 2011-08-17 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
JP2010034238A (ja) 2008-07-28 2010-02-12 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 配線板
US8159821B2 (en) * 2009-07-28 2012-04-17 Dsem Holdings Sdn. Bhd. Diffusion bonding circuit submount directly to vapor chamber
WO2011030754A1 (ja) * 2009-09-09 2011-03-17 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
CN102596488B (zh) * 2009-10-26 2013-09-18 株式会社新王材料 铝接合合金、具有由该合金形成的接合合金层的覆层材料和铝接合复合材料
CN102742008B (zh) * 2010-02-05 2015-07-01 三菱综合材料株式会社 功率模块用基板及功率模块
CN101947689B (zh) 2010-09-21 2012-10-03 河南科技大学 铜铝复合板的连续复合成形方法及其复合成形装置
DE102010041714A1 (de) * 2010-09-30 2011-08-25 Infineon Technologies AG, 85579 Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
JP5910166B2 (ja) * 2012-02-29 2016-04-27 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板の製造方法
JP5403129B2 (ja) 2012-03-30 2014-01-29 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、及びパワーモジュール用基板の製造方法
KR102051697B1 (ko) 2012-09-21 2019-12-03 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 알루미늄 부재와 구리 부재의 접합 구조

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004288828A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板並びにパワーモジュール
JP2009224571A (ja) 2008-03-17 2009-10-01 Mitsubishi Materials Corp ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール
JP2010137251A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Mitsubishi Electric Corp 金属接合体およびその製造方法
WO2011155379A1 (ja) * 2010-06-08 2011-12-15 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル アルミニウム銅クラッド材
JP2012160642A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Mitsubishi Materials Corp ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2911192A4

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106663663A (zh) * 2014-08-26 2017-05-10 三菱综合材料株式会社 接合体及其制造方法、自带散热器的功率模块用基板及其制造方法、散热器及其制造方法
US10283431B2 (en) 2014-08-26 2019-05-07 Mitsubishi Materials Corporation Bonded body, power module substrate with heat sink, heat sink, method of manufacturing bonded body, method of manufacturing power module substrate with heat sink, and method of manufacturing heat sink
CN107431051A (zh) * 2015-03-30 2017-12-01 三菱综合材料株式会社 带有散热片的功率模块用基板的制造方法
CN107431051B (zh) * 2015-03-30 2019-12-06 三菱综合材料株式会社 带有散热片的功率模块用基板的制造方法
CN107534033A (zh) * 2015-04-16 2018-01-02 三菱综合材料株式会社 接合体、自带散热器的功率模块用基板、散热器及接合体的制造方法、自带散热器的功率模块用基板的制造方法、散热器的制造方法
CN107534033B (zh) * 2015-04-16 2020-12-11 三菱综合材料株式会社 接合体、自带散热器的功率模块用基板、散热器及接合体的制造方法、自带散热器的功率模块用基板的制造方法、散热器的制造方法

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