JP2013201428A5 - - Google Patents
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- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
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Claims (5)
- ゲート電極層と重畳する領域を有する酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成した後、前記酸化物半導体層に隣接して酸素過剰領域を設け、
前記酸素過剰領域を被覆する領域を有する絶縁層を形成し、
前記酸素過剰領域が前記酸化物半導体層に隣接した状態で、前記酸化物半導体層から水素又は水素化合物が離脱する温度、又はそれ以上の温度で熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート電極層と重畳する領域を有する酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成した後、前記酸化物半導体層に隣接して酸素過剰領域を設け、
前記酸素過剰領域が前記酸化物半導体層に隣接した状態で、前記酸化物半導体層から水素又は水素化合物が離脱する温度、又はそれ以上の温度で熱処理を行いながら、前記酸素過剰領域を被覆する領域を有する絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１又は請求項２において、
前記酸素過剰領域は、化学量論的組成より酸素が過剰に含まれる絶縁層を用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１又は請求項２において、
前記酸素過剰領域は、酸素を含む絶縁層を形成後、前記絶縁層に酸素ドープ処理を行うことにより形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記酸素過剰領域を被覆する前記絶縁層は、化学気相成長法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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