JP2013197266A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 隣接配線間の間隔が狭くなったとしても、幅広なフリンジパターンの形成領域を確保できるようにした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は配線を備える。3n+1本目の配線は、3n本目の配線と3n+2本目の配線との間に延伸し、3n本目、3n+1本目、3n+2本目の配線は一群に形成される。第1フリンジパターンは、3n本目の配線の端部に位置して当該3n本目の配線の線幅より広い線幅で形成される。第2フリンジパターンは、3n+1本目の配線の端部に位置して当該3n+1本目の配線の線幅より広い線幅で形成される。第3フリンジパターンは、3n+2本目の配線の端部に位置して当該3n+2本目の配線の線幅より広い線幅で形成される。第2フリンジパターンの配置領域は、第1フリンジパターンおよび第3フリンジパターンが配置される各配線の端部よりも手前側に設けられている。
【選択図】図3
【解決手段】半導体装置は配線を備える。3n+1本目の配線は、3n本目の配線と3n+2本目の配線との間に延伸し、3n本目、3n+1本目、3n+2本目の配線は一群に形成される。第1フリンジパターンは、3n本目の配線の端部に位置して当該3n本目の配線の線幅より広い線幅で形成される。第2フリンジパターンは、3n+1本目の配線の端部に位置して当該3n+1本目の配線の線幅より広い線幅で形成される。第3フリンジパターンは、3n+2本目の配線の端部に位置して当該3n+2本目の配線の線幅より広い線幅で形成される。第2フリンジパターンの配置領域は、第1フリンジパターンおよび第3フリンジパターンが配置される各配線の端部よりも手前側に設けられている。
【選択図】図3
Description
本発明の実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
例えば、NANDフラッシュメモリ装置を構成するメモリセルは、浮遊電極(FG)および制御電極(CG)を積層したフローティングゲート型の積層ゲート電極構造を採用したものが知られている。
近年、半導体素子の微細化、高集積化の進展に伴い、例えば通常のリソグラフィ技術の限界を超える設計ルールにて形成されている。そこで所謂、側壁転写プロセスと称されるプロセスが、リソグラフィの解像の限界を超えた寸法の配線を形成するために使用されている。
近年、半導体素子の微細化、高集積化の進展に伴い、例えば通常のリソグラフィ技術の限界を超える設計ルールにて形成されている。そこで所謂、側壁転写プロセスと称されるプロセスが、リソグラフィの解像の限界を超えた寸法の配線を形成するために使用されている。
従来、規則的に並んだ微細なラインアンドスペースをパターニングするときには、ダブルパターンニング法が採用されている。しかしながら、さらに微細化が進むと、ダブルパターンニング法でも限界があることから、トリプルパターニング法を採用することが考えられる。
他方、例えばメモリセルは配線で接続されており、この配線の端部にはフリンジパターンが設けられている。このフリンジパターンは配線電位を引き出したり電位を印加したりするため、幅広にパターニングされている。前述のように微細化が進むと、隣接配線間の間隔が極度に狭くなってしまい、幅広なフリンジパターンを形成するためのスペースを確保できない。
他方、例えばメモリセルは配線で接続されており、この配線の端部にはフリンジパターンが設けられている。このフリンジパターンは配線電位を引き出したり電位を印加したりするため、幅広にパターニングされている。前述のように微細化が進むと、隣接配線間の間隔が極度に狭くなってしまい、幅広なフリンジパターンを形成するためのスペースを確保できない。
隣接配線間の間隔が狭くなったとしても、幅広なフリンジパターンの形成領域を確保できるようにした半導体装置およびその製造方法を提供する。
実施形態に係る半導体装置は配線を備え、3n+1本目の配線は3n本目の配線と3n+2本目の配線との間に延伸し、3n本目、3n+1本目、3n+2本目の配線は一群となってm回(mは2以上の整数)繰り返して設けられる。
第1フリンジパターンは、3n本目(nは1〜mの整数)の配線の端部に位置して当該3n本目の配線の線幅より広い線幅で形成される。第2フリンジパターンは、3n+1本目の配線の端部に位置して当該3n+1本目の配線の線幅より広い線幅で形成される。第3フリンジパターンは、3n+2本目の配線の端部に位置して当該3n+2本目の配線の線幅より広い線幅で形成される。第2フリンジパターンの配置領域は、第1フリンジパターンおよび第3フリンジパターンが配置される各配線の端部よりも手前側に設けられている。
第1フリンジパターンは、3n本目(nは1〜mの整数)の配線の端部に位置して当該3n本目の配線の線幅より広い線幅で形成される。第2フリンジパターンは、3n+1本目の配線の端部に位置して当該3n+1本目の配線の線幅より広い線幅で形成される。第3フリンジパターンは、3n+2本目の配線の端部に位置して当該3n+2本目の配線の線幅より広い線幅で形成される。第2フリンジパターンの配置領域は、第1フリンジパターンおよび第3フリンジパターンが配置される各配線の端部よりも手前側に設けられている。
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、メモリセルのゲート電極のスタック構造層を形成する工程を備える。また、スタック構造層上に3n+1本目の配線形成用の芯パターンを形成すると共に当該芯パターンの端部にフリンジマスクパターンを形成する工程を備える。また、芯パターンおよび前記フリンジマスクパターンの側壁に沿ってスペーサを形成する工程を備える。また、フリンジマスクパターンの一部およびスペーサの一部を覆う第1マスクパターンを形成する工程を備える。また、第1マスクパターンの側壁に沿うと共にスペーサの側壁に沿って芯パターンの外方に離間して、3n本目および3n+2本目の配線形成用の外脇パターンをループ状に形成する工程を備える。
また、外脇パターンの線状の折返し領域を覆う第2マスクパターンを形成する工程を備える。また、芯パターン、外脇パターン、および、第2マスクパターンをマスクとしてメモリセルのゲート電極のスタック構造層を異方性エッチングする工程を備える。また、折返し領域のスタック構造層をループカットする工程を備える。
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、メモリセルのゲート電極のスタック構造層を形成する工程を備える。また、スタック構造層上に3n+1本目の配線形成用の芯パターンを形成すると共に当該芯パターンの端部にフリンジマスクパターンを形成する工程を備える。また、芯パターンおよびフリンジマスクパターンの側壁に沿ってスペーサを形成する工程を備える。
また、スペーサの側壁に沿って芯パターンの外方に離間して、3n本目および3n+2本目の配線形成用の外脇パターンをループ状に形成する工程を備える。また、メモリセルのゲート電極より遠方のフリンジマスクパターンの一部を除去する工程を備える。また、外脇パターンの線状の折返し領域を覆う第3マスクパターンを形成する工程を備える。また、芯パターン、外脇パターン、および、第3マスクパターンをマスクとしてメモリセルゲート電極のスタック構造層を異方性エッチングする工程を備える。また、折返し領域のスタック構造層をループカットする工程を備える。
(第1実施形態)
NAND型フラッシュメモリ装置に適用した第1実施形態について図1ないし図25を参照しながら説明する。尚、以下に参照する図面内の記載において、同一または類似の部分には同一又は類似の符号を付して表している。また、説明の都合上、実施形態の説明に2おける上下左右や高低、溝の深浅などの方向は、後述する半導体基板の裏面側を基準とした相対的な位置関係である。
NAND型フラッシュメモリ装置に適用した第1実施形態について図1ないし図25を参照しながら説明する。尚、以下に参照する図面内の記載において、同一または類似の部分には同一又は類似の符号を付して表している。また、説明の都合上、実施形態の説明に2おける上下左右や高低、溝の深浅などの方向は、後述する半導体基板の裏面側を基準とした相対的な位置関係である。
図1に示すように、NAND型のフラッシュメモリ装置1は、メモリセル(メモリセルトランジスタ)MCを多数マトリックス状に具備したメモリセルアレイArを具備している。メモリセルアレイArは、複数のブロックBk、Bk+1、…を備える。
図1には、k番目のブロックBkと、(k+1)番目のブロックBk+1を図示している。図2は、1つのブロックBkの平面図を示している。ブロックBkは列方向(Y方向)に併設されている。各ブロックBkは、複数のNANDセルユニットUCを行方向(X方向)に備える。
NANDセルユニットUCは、ドレイン側の選択ゲートトランジスタSTDとソース側の選択ゲートトランジスタSTSとを備える。選択ゲートトランジスタSTDにはそのドレイン/ソースの一方にビット線BLが接続されている。また、選択ゲートトランジスタSTSにはそのドレイン/ソースの一方にソース線SLが接続されている。
NANDセルユニットUCは、選択ゲートトランジスタSTD−STS間に複数のメモリセルMCを備える。これらのメモリセルMCはドレイン/ソース領域を共用して列方向(Y方向)に直列接続されている。なお、選択ゲートトランジスタSTDとその脇のメモリセルMCとの間にダミートランジスタを備えていても良いし、逆に、選択ゲートトランジスタSTSとその脇のメモリセルMCとの間にダミートランジスタを備えていても良い。
複数のビット線BLはそれぞれ列方向(Y方向)に延伸しており、列方向に併設したNANDセルユニットUCに対応してビット線BLが1本構成されている。ソース線SLは2つのブロック間に位置して行方向(X方向)に延伸しており、当該隣接した2つのブロックが共用する。
選択ゲート線SGL1は、選択ゲートトランジスタSTDの選択ゲート電極を連結する配線である。選択ゲート線SGL2は、選択ゲートトランジスタSTSの選択ゲート電極を連結する配線である。ワード線WLは、行方向に並設された各セルユニットUCのメモリセルMCの制御電極CG(図4(A)参照)を連結する配線となる。
図3は、ワード線WLの端部付近の平面図を模式的に示している。ワード線WLは、メモリセルMCのコントロールゲート電極に電圧を周辺回路(図示せず)から印加するため、ワード線WLの端部にフリンジパターンFP1〜FP3を備える。
これらのフリンジパターンFP1〜FP3は、平面的にはワード線WLの線幅よりも広いパターンで形成される。本実施形態においては、図3に示すように、ワード線WLは3本毎に繰り返しパターン形成されており、フリンジパターンFP1〜FP3は3本毎に一群を構成し、これらのフリンジパターンFP1〜FP3は周期的に繰り返しパターン形成される。このため、3n本目のワード線WL3nのフリンジパターンに符号「FP1」、3n+1本目のワード線WL3n+1のフリンジパターンに符号「FP2」、3n+2本目のワード線WL3n+2のフリンジパターンに符号「FP3」を付して以下の説明を行う。nは0以上の整数である。
図3に示すように、フリンジパターンFP1〜FP3は、それぞれ平面的にX方向およびY方向に直線状に辺部を備えた矩形状(長方形または正方形)に成形されそれぞれほぼ同一のX方向幅、Y方向幅に成形されている。図3に示すように、フリンジパターンFP1、FP3は、それぞれ、フリンジパターンFP2のY方向に離間して位置している。これらのフリンジパターンFP1、FP3はY方向同一領域で且つ互いにX方向に離間している。
3n本目のワード線WL3nは、フリンジパターンFP1の端部手前で屈曲してY方向に延伸する屈曲延伸部WLc1を備える。3n+2本目のワード線WL3n+2もまた、フリンジパターンFP3の端部手前で屈曲してY方向に延伸する屈曲延伸部WLc3を備える。3n+1本目のワード線WL3n+1は、矩形状のフリンジパターンFP2の辺部が交差する頂点と連結している。
図3に示すように、屈曲延伸部WLc1は、フリンジパターンFP1をフリンジパターンFP2からY方向に離間させるために設けられるパターンである。同様に、屈曲延伸部WLc3は、フリンジパターンFP3をフリンジパターンFP2からY方向に離間させるために設けられるパターンである。
屈曲延伸部WLc1、WLc3は、それぞれ直線状の配線P1〜P4を備え、これらの配線P1〜P4をほぼ直角に連結している。
屈曲延伸部WLc1、WLc3の配線P1は、それぞれフリンジパターンFP2の脇をY方向に沿って延伸する。屈曲延伸部WLc1、WLc3の配線P2は、それぞれ対応する配線P1の端部と連結する。これらの連結部はフリンジパターンFP2を挟んで当該フリンジパターンFP2のY方向中間部のX方向両脇に位置しているが、配線P2は当該連結部からフリンジパターンFP2と離間するようにX方向に張出す。
屈曲延伸部WLc1、WLc3の配線P1は、それぞれフリンジパターンFP2の脇をY方向に沿って延伸する。屈曲延伸部WLc1、WLc3の配線P2は、それぞれ対応する配線P1の端部と連結する。これらの連結部はフリンジパターンFP2を挟んで当該フリンジパターンFP2のY方向中間部のX方向両脇に位置しているが、配線P2は当該連結部からフリンジパターンFP2と離間するようにX方向に張出す。
配線P3は、フリンジパターンFP2から最も遠く張り出した配線P2の端部と連結し、当該連結部からワード線WL3n〜WL3n+2より遠方方向となるY方向に沿って延伸する。
屈曲延伸部WLc1の配線P4は、フリンジパターンFP2から最も遠方に位置する配線P3の端部と連結し、当該連結部からX方向に沿ってフリンジパターンFP1の外側から当該フリンジパターンFP1と連結する。特に、屈曲延伸部WLc1の配線P4は、矩形状のフリンジパターンFP1のY方向辺部の中間部と連結する。
屈曲延伸部WLc3の配線P4は、フリンジパターンFP2から最も遠方に位置する配線P3の端部と連結し、当該連結部からX方向に沿ってフリンジパターンFP3の外側から当該フリンジパターンFP3と連結する。特に、屈曲延伸部WLc3の配線P4は、矩形状のフリンジパターンFP3のY方向辺部の中間部と連結する。図3に示すように、これらのフリンジパターンFP1〜FP3、屈曲延伸部WLc1、WLc3は、X方向に3本毎に繰返しパターン形成されている。
図4(A)はメモリセルMCの縦断面構造を模式的に示し、図4(B)はフリンジパターンFP2とそのX方向両脇に離間した配線P3の縦断面構造とを模式的に示し、図4(C)はフリンジパターンFP1、FP3の縦断面構造を模式的に示している。
図4(A)に示すように、メモリセルMCは、半導体基板2上にゲート絶縁膜3を介して、浮遊電極(電荷蓄積層)4、電極間絶縁膜(中間絶縁膜)5、制御電極CG、を積層したメモリセルゲート電極MGを備えるが、この上にはキャップ膜となるシリコン窒化膜8、dTEOS膜9が積層されている。制御電極CGは、電極間絶縁膜5上に形成されたシリコン層6と、このシリコン層6上に形成されたシリサイド層7とを備える。
他方、フリンジパターンFP1〜FP3は、それぞれワード線WLn〜WLn+2の端部に連結するパターンであるため、縦断面構造はワード線WLn〜WLn+2とほぼ同一でありパターン幅が広くなっている。
上記構造の製造方法について説明する。なお、以下の参照図面において、(A)を付した図面は図4(A)に対応した縦断面構造を示しており、(B)を付した図面は図4(B)に対応した縦断面構造を示している。また、(C)を付した図面は図4(C)に対応した縦断面構造を示している。この図では、例えばウェハ裏面などの構成の一部の図示を省略している。また、下記の製造工程の説明では、本実施形態の特徴的な工程を中心に説明するが、一般的な工程であれば各工程間に他の工程を挿入しても良いし、下記工程の一部が必要なければ工程を削除しても良い。また、各工程は実用的に可能であれば必要に応じて入れ替えても良い。
図5(A)〜図5(C)に示すように、まず半導体基板2上に各層3〜14を順に積層し、メモリセルMCのゲート電極MGのスタック構造層4〜9を形成する。この図5(A)〜図5(C)において、3はゲート絶縁膜、4は浮遊電極、5は電極間絶縁膜、6はシリコン層、7はシリサイド層、8はキャップ膜となるシリコン窒化膜、9はdTEOS膜、10はシリコン層、11はシリコン窒化膜、12はハードマスク、13は反射防止膜、14はレジストパターン、をそれぞれ示している。なお、浮遊電極4、シリコン層6、10は、それぞれアモルファスシリコンを堆積して形成される層であるが、堆積直後はアモルファス状態となっており後に熱処理が加えられることでポリシリコンとなる。
図5(A)〜図5(C)の構造を形成するまでの詳細は下記の製造工程を一例とすると良い。単結晶シリコンによる半導体基板2を用意する。半導体基板2上にゲート絶縁膜3を、例えば熱酸化法を用いて成膜する。次に、ゲート絶縁膜3上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いて不純物ドープ型のアモルファスシリコンを浮遊電極4の材料膜として堆積する。続いて、この浮遊電極4の材料膜上にONO膜を用いて電極間絶縁膜5をLP−CVD法により形成する。
続いて、電極間絶縁膜5上に不純物ドープ型のアモルファスシリコン層6をCVD法により堆積する。続いて、シリコン層6上にタングステン(W)などの金属をスパッタにより成膜し、当該金属を熱処理することでシリコン層6上にシリサイド層7を形成する。
続いて、キャップ膜としてシリコン窒化膜8をCVD法により堆積し、ハードマスクとしてdTEOS膜9をプラズマCVD法により堆積する。続いて、不純物がドープされたシリコンをCVD法により堆積しシリコン層10を形成する。続いて、シリコン層10上にシリコン窒化膜11をCVD法により堆積する。
次に、シリコン窒化膜11上にハードマスク12をCVD法により堆積する。続いて、ハードマスク12上に反射防止膜13を介してレジストを塗布する。そして、レジストを露光してから現像してレジストパターン14を形成する。レジストパターン14をマスクとしてRIE法によりハードマスク12を異方性エッチングする。このようにして図5(A)〜図5(C)の構造を形成すると良い。
この製造段階におけるレジストパターン14の最小幅は、通常のリソグラフィ技術を用いてパターニングできる幅であり、図5(A)、図5(B)の断面を比較すると、図5(A)に示すY方向パターン幅が図5(B)のX方向パターン幅よりも狭い。この図5(A)のY方向パターン幅は、ワード線WLの幅に対応する寸法幅となるが、この形成段階ではこのY方向パターン幅はワード線WLの最終目標寸法幅より広くても良い。
また、図5(B)に示すX方向パターン幅は、フリンジパターンFP2に対応して当該フリンジパターンFP2の最終目標寸法幅よりも広い寸法幅とする。なお、この製造段階における図5(C)に示す断面では、積層構造12〜14はパターニングによって全て除去される。
続いて、図6(A)〜図6(C)に示すように、ダイリュート弗酸(DHF)を用いてウェットエッチングすることで反射防止膜13を除去する。
続いて、図7(A)〜図7(C)に示すように、ハードマスク12をウェットエッチングまたはドライエッチング処理することでスリミングする。図7(A)に示す断面において、この製造段階においてハードマスク12は通常のリソグラフィ技術の解像限界を超える最小幅に成形できる。
続いて、図7(A)〜図7(C)に示すように、ハードマスク12をウェットエッチングまたはドライエッチング処理することでスリミングする。図7(A)に示す断面において、この製造段階においてハードマスク12は通常のリソグラフィ技術の解像限界を超える最小幅に成形できる。
続いて、図8(A)〜図8(C)に示すように、ハードマスク12をマスクとしてシリコン窒化膜11をエッチング処理することで当該シリコン窒化膜11にパターンを転写する。図9はこの製造段階におけるシリコン窒化膜11のパターニング領域を示している。この図9に示すように、図3に示すフリンジパターンFP2の平面構造と同様に、シリコン窒化膜11がパターニングされている。このシリコン窒化膜11のメモリセルMC側のパターンが芯パターンに相当し、端部がフリンジマスクパターンに相当する。
続いて、図10(A)〜図10(C)に示すように、シリコン窒化膜11の側壁に沿ってシリコン酸化膜15を形成する。このシリコン酸化膜15は、シリコン窒化膜11の上面および側面に沿ってCVD法によって堆積され、その後、RIE法により異方性エッチングすることでシリコン窒化膜11の側壁に沿って残留させている。
図11は、この製造段階におけるシリコン窒化膜11とシリコン酸化膜15の成膜領域を平面図により示しているが、シリコン酸化膜15は、シリコン窒化膜11の全側壁に沿ってスペーサとして形成される。
続いて、図12(A)〜図12(C)に示すように、レジストを塗布してパターニングしレジストパターン(第1マスクパターン)16を形成する。このレジストパターン16は、図13に示すように、シリコン窒化膜11およびシリコン酸化膜15の一部を覆う領域にパターニングされる。このレジストパターン16は、シリコン酸化膜15の折返し領域を覆う領域にパターニングされる。このレジストパターン16は、フリンジパターンFP1、FP3の形成領域を確保しながら、屈曲延伸部WLc1、WLc3の配線P2〜P4(図3参照)の形成領域を確保するために設けられる。
続いて、図14(A)〜図14(C)に示すように、レジストパターン16の側壁に沿ってシリコン窒化膜17を形成する。このシリコン窒化膜17は、レジスト有機膜が耐えうる低温条件(例えば80℃)でALD法によって成膜される。
次に、このシリコン窒化膜17をRIE法により異方性エッチングし、レジストパターン16の上面に成膜されたシリコン窒化膜17を除去する。これにより、シリコン窒化膜17をレジストパターン16の側壁に沿って残留させ外脇パターンとして形成する。この製造段階の平面図を図15に示すように、このシリコン窒化膜17の平面的な形成領域は、ワード線WL3n、WL3n+2の形成領域(図3参照)とほぼ同一領域となる。
また、この製造段階において、このシリコン窒化膜17の形成領域は当該ワード線WL3n、WL3n+2が最遠端部17a(外脇パターンの折返し領域:フリンジパターンFP1、FP3の形成領域付近)で連結した領域であり、シリコン窒化膜17はループ状に結合した構造となっている。ここでいう「ループ状」とは、フリンジパターンFP1、FP3の形成領域付近で折り返して戻ることを意味しており、図示していないワード線WL3n、WL3n+2のX方向逆側端部においては、結合していても結合していなくても良いことを意味している。
続いて、図16(A)〜図16(C)に示すように、レジストパターン16を選択的に除去する。すると、図17に示すように、レジストパターン16が剥離され、それ以前の工程で覆われていたシリコン酸化膜15およびシリコン窒化膜11の一部が全て露出する。
続いて、図18(A)〜図18(C)に示すように、シリコン酸化膜15をウェットエッチング(またはドライエッチング)することにより除去する。すると、図19に示すように、シリコン窒化膜11の側面とシリコン窒化膜17の側面との間のシリコン酸化膜15が除去され、シリコン窒化膜11および17の対向側面間に他の膜が介在することがなくなる。すなわち、シリコン酸化膜15はスペーサとして機能する。
続いて、図20(A)〜図20(C)に示すように、レジストを塗布し当該レジストをパターニングしてレジストパターン(第2マスクパターン)18を形成する(図20(C)の断面参照)。図21に示すように、このレジストパターン18は、シリコン窒化膜17の最遠端部17aを覆う。したがって、レジストパターン18はループ状に構成されたシリコン窒化膜17の折返し領域を覆う。このレジストパターン18は、フリンジパターンFP1、FP3のY方向外枠、X方向外壁枠を規定するために設けられている。
続いて、図22(A)〜図22(C)に示すように、シリコン窒化膜11、17、およびレジストパターン18をマスクとして、シリコン層10をRIE法により選択的に異方性エッチングする。すると、図23に示すように、シリコン窒化膜11、17、および、レジストパターン18をマスクとした領域において、シリコン層10が残留することになる。
図24(A)〜図24(C)に示すように、その後続けてdTEOS膜9、シリコン窒化膜8、シリサイド層7、シリコン層6、電極間絶縁膜5、浮遊電極4の材料膜によるスタック構造層4〜9をRIE法により異方性エッチングする。図24(A)に示すスタック構造層4〜9は、図24(B)の中央のスタック構造層4〜9、図24(C)に示すスタック構造層4〜9より高さが低い。これは、幅が短い方がエッチング処理されやすいためである。
その後、図25(A)〜図25(C)に示すように、ループカット工程を行うことによりパッドを分断することで引き出し線を形成できる(図25(C)の分断領域参照)。このとき、シリサイド層7、シリコン層6、電極間絶縁膜5、浮遊電極4の材料膜が、ワード線の屈曲延伸部WLc1、WLc3の最遠端部の領域において分断される。
図3に示すように、この最遠端部の領域はフリンジパターンFP1とFP3との間のX方向中央領域である。このようにしてループカットする。その後の工程説明は省略するが、フリンジパターンFP1〜FP3の形成領域におけるワード線WL(シリサイド層7)の上面を露出させることでパッドを形成できる。
本実施形態によれば、フリンジパターンFP2は、フリンジパターンFP1、FP3が配置される配線P1〜P4の延伸端よりも手前側に配置されている。言い換えると、フリンジパターンFP2はフリンジパターンFP1およびフリンジパターンFP3よりもメモリセルMC側に配置されている。このため、幅広なフリンジパターンFP1〜FP3の形成領域を確保できる。配線P1〜P4が、フリンジパターンFP2の脇に張出してからフリンジパターンFP1、FP3に連結しているため、幅広なフリンジパターンFP1、FP3の構成領域を確保できる。
また、ワード線WL3n+1の配線は、フリンジパターンFP2の頂点(角部)から突出している。このためフリンジパターンFP2の領域を確保し易くなり、パターン形成領域を効率的に活用できる。
また、ワード線WL3n、WL3n+2の配線P4は、フリンジパターンFP1、FP3のX方向端部に位置する辺部から突出している。このような場合、図21に示すレジストパターン18をパターニングする際の露光マスクの位置合わせが多少ずれたとしてもフリンジパターンFP1、FP3の辺部から配線P4を突出させた構造を容易に形成できる。したがって、レジストパターン18をパターニングする際の露光マスクの位置合わせ許容範囲を広くできる。
特に、トリプルパターニングを適用したときに隣接配線間の間隔が狭くなったとしても、幅広なフリンジパターンFP1〜FP3の形成領域を確保できる。
また、線状のシリコン窒化膜17の折返し領域を、矩形状のレジストパターン18で覆い、当該レジストパターン18をマスクとして異方性エッチングしている。このため、幅広なフリンジパターンFP1、FP3の構成領域を確保できる。
また、線状のシリコン窒化膜17の折返し領域を、矩形状のレジストパターン18で覆い、当該レジストパターン18をマスクとして異方性エッチングしている。このため、幅広なフリンジパターンFP1、FP3の構成領域を確保できる。
本実施形態では、フリンジパターンFP2と、その両脇のワード線WL3n、WL3n+2とを同時に加工するためのマスク材としてシリコン窒化膜11、17を用いている。これらの膜11、17は同質材料であるため、シリコン窒化膜11、17の幅を狙い寸法幅に調整し易くなり、スタック構造層4〜9を目標寸法幅および目標間隔に加工し易くなる。
(第2実施形態)
図26〜図46は、第2実施形態を示すものであり、前述実施形態と異なるところは、フリンジパターンFP1、FP3の引き出し部の構造である。前述実施形態と同一または類似部分には同一又は類似符号を付して必要に応じて説明を省略する。前述実施形態と異なる点は、ワード線WL3nの端部のフリンジパターンFP1との接続構造、ワード線WL3n+2の端部のフリンジパターンFP3との接続構造である。
図26〜図46は、第2実施形態を示すものであり、前述実施形態と異なるところは、フリンジパターンFP1、FP3の引き出し部の構造である。前述実施形態と同一または類似部分には同一又は類似符号を付して必要に応じて説明を省略する。前述実施形態と異なる点は、ワード線WL3nの端部のフリンジパターンFP1との接続構造、ワード線WL3n+2の端部のフリンジパターンFP3との接続構造である。
本実施形態の図26に示す平面構造を、前述実施形態の平面構造(図3参照)と比較すると、前述実施形態の各配線P2〜P4に相当する構造が存在しない。また、ワード線の屈曲延伸部WLc1、WLc3の配線P1がそれぞれフリンジパターンFP1、FP3のY方向のメモリセルMC側の辺部に直接連結されている。
ここで、ワード線WL3n−WL3n+2間のX方向最大間隔は、前述実施形態の構造のX方向最大間隔(配線P3間の間隔)の方が本実施形態の構造のX方向最大間隔(配線P1間の間隔)より広く形成されている。
以下、図27以降の図面を参照して製造方法を説明する。なお、以下の参照図面において、(A)を付した図面は図26の27A−27A線に沿う縦断面構造を示しており、(B)を付した図面は図26の27B−27B線に沿う縦断面構造を示している。また、(C)を付した図面は図26の27C−27C線に沿う縦断面構造を示している。
図27(A)〜図27(C)に示すように、まず半導体基板2上に各層3〜10、20〜23を順に積層する。これらの図27(A)〜図27(C)において、20はdTEOS膜、21はハードマスク、22は反射防止膜、23はレジストパターンをそれぞれ示している。
製造工程は、アモルファスシリコン層10を堆積するまで前述実施形態と同様である。アモルファスシリコン層10を堆積した後、dTEOS膜(シリコン酸化膜)20をCVD法によって堆積し、dTEOS膜20上にハードマスク21を塗布法により堆積する。続いて、ハードマスク21上に反射防止膜22を介してレジストを塗布する。
そして、レジストを露光してから現像してレジストパターン23を形成する。レジストパターン23をマスクとしてRIE法を用いてハードマスク21、dTEOS膜20を順次異方性エッチングする。dTEOS膜20をエッチングする際にハードマスク21も同時にエッチングされるが、必要に応じてハードマスク21のエッチング残りをアッシングおよびウェットエッチング(硫酸系)を用いて除去する。このようにして図27(A)〜図27(C)に示す構造を形成できる。図28は、この製造段階におけるdTEOS膜20の形成領域を示している。前述実施形態と同様に、この製造段階におけるdTEOS膜20の最小幅は、通常のリソグラフィ技術を用いてパターニングできる幅である。
次に、図29(A)〜図29(C)に示すように、ウェットエッチングすることでレジストパターン23、反射防止膜22を除去する。続いて、dTEOS膜20をウェットエッチングによりスリミングする。ドライエッチング処理を用いても良い。すると、図30に示すように、この製造段階において、X方向、Y方向共にdTEOS膜20をスリミングでき、通常のリソグラフィ技術の解像限界を超える最小幅に成形できる。このdTEOS膜20は製造工程上の芯パターンおよびフリンジマスクパターンとして形成される。
続いて、図31(A)〜図31(C)に示すように、dTEOS膜20の外側壁に沿って不純物ノンドープのアモルファスシリコン24をCVD法により堆積する。このとき、dTEOS膜20の上面および側面、並びに、不純物ドープ型のアモルファスシリコン層10の上面上に沿って一旦CVD法によりノンドープ型のアモルファスシリコン層24をライナー層として堆積した後、dTEOS膜20、アモルファスシリコン層10の上面上に堆積したアモルファスシリコン層24を異方性エッチング処理によって選択的に除去する。これにより、dTEOS膜20の外側壁に沿ってアモルファスシリコン層24を形成できる。図32は、この製造段階におけるアモルファスシリコン層24の形成領域を示している。
続いて、図33(A)〜図33(C)に示すように、アモルファスシリコン層24の外側壁に沿ってシリコン窒化膜(外脇パターン)25を形成する。このとき、dTEOS膜20の上面上、アモルファスシリコン層24の上面および側面上、並びに、アモルファスシリコン層10の上面上に沿ってシリコン窒化膜25をCVD法により堆積する。その後、当該シリコン窒化膜25をRIE法により異方性エッチングする。
これにより、アモルファスシリコン層24の外側壁に沿ってシリコン窒化膜25を形成できる。このシリコン窒化膜25の堆積中にアモルファスシリコン層10、24が結晶化されポリシリコンとなる。以下、これらのアモルファスシリコン層10、24をそれぞれシリコン層10、24として示す。図34は、この製造段階におけるシリコン窒化膜25の形成領域を示している。
続いて、図35(A)〜図35(C)に示すように、シリコン層24についてウェットエッチングにより選択的に除去する。なお、ドライエッチング処理を用いても良い。すると、図36に示すように、dTEOS膜20の側面とシリコン窒化膜25の側面との間のシリコン層24が除去され、当該dTEOS膜20およびシリコン窒化膜25の対向側面間に他の膜が介在することがなくなる。すなわち、シリコン層24は事前にスペーサとして構成されていることになる。
続いて、図37(A)〜図37(C)に示すように、レジストを塗布し当該レジストをパターニングしてレジストパターン26を形成する(図37(A)、図37(B)の断面参照)。このレジストパターン26の形成領域は、前述実施形態とは異なり、図38に示すように、ワード線WL3n〜3n+2のメモリセルMC形成領域側のdTEOS膜20およびシリコン窒化膜25を覆い、当該dTEOS膜20およびシリコン窒化膜25の最遠端部を除く領域である。このレジストパターン26は、フリンジパターンFP2の外枠を規定するために設けられている。
続いて、図39(A)〜図39(C)に示すように、レジストパターン26およびシリコン窒化膜25に対し高選択性を有する条件を用いてdTEOS膜20をエッチングし、dTEOS膜20を選択的に除去する。すると、図39(C)に示す断面において、シリコン層10上のdTEOS膜20を除去できる(図40も参照)。このdTEOS膜20の除去領域は当該dTEOS膜20のフリンジマスクパターンの一部となる。
続いて、図41(A)〜図41(C)に示すように、レジストパターン26を剥離する。すると、図42に示すように、メモリセルMCの形成領域側のdTEOS膜20およびシリコン窒化膜25の上面および側面が露出する。
続いて、図43(A)〜図43(C)に示すように、dTEOS膜20の除去領域の一部を覆うようにレジストをパターニングしレジストパターン(第3マスクパターン)27を形成する(図43(C)参照)。このレジストパターン27の形成領域は、図44に示すように、シリコン窒化膜25の線状に延伸する最遠端部25aを含む当該シリコン窒化膜25の折返し領域を含むと共に、dTEOS膜20の残留領域を含まない矩形状の領域である。
続いて、図45(A)〜図45(C)に示すように、レジストパターン27、dTEOS膜20、シリコン窒化膜25をマスクとしてスタック構造層4〜9をRIE法による異方性エッチングによって分断する。図46は、このときのスタック構造層4〜9の残留領域を、最上層のdTEOS膜9の形成領域をもって示している。続いて、図26に示すように、スタック構造層4〜9のループカット工程を行うことで分断する。この後、前述実施形態と同様に、フリンジパターンFP1〜FP3のシリサイド層7の上面を露出させることで引き出し線、パッドを形成できる。
本実施形態によれば、メモリセルMCより遠方のdTEOS膜20のフリンジマスクパターンの一部を除去し、シリコン窒化膜25の線状の折返し領域を矩形状のレジストパターン27で覆い、当該レジストパターン27、シリコン窒化膜25、dTEOS膜20の残留部をマスクとしてスタック構造層4〜9を異方性エッチングし、折返し領域のスタック構造層4〜9をループカットしている。このため、前述実施形態とほぼ同様の作用効果が得られる。
また、ワード線WL3n、WL3n+2の配線P1は、フリンジパターンFP1、FP3のY方向端部に位置する辺部から突出している。このような場合、図44に示すレジストパターン27をパターニングする際の露光マスクの位置合わせが多少ずれたとしても、フリンジパターンFP1、FP3の辺部から配線P1を突出させた構造を容易に形成できる。したがって、レジストパターン27をパターニングする際の露光マスクの位置合わせ許容範囲を広くできる。
(他の実施形態)
NAND型フラッシュメモリ装置1に適用したが、その他のEEPROM、例えばAND型等の不揮発性半導体記憶装置、また、各種配線を備えた半導体装置に適用できる。
レジストパターン18、27を平面的に矩形状にパターンニングした実施例を示したが、この形状に限定されるものではない。たとえば、レジストパターン18、27をその他の多角形(5角形、6角形など)にパターンニングしてスタック構造層4〜9をエッチング処理しても良い。
NAND型フラッシュメモリ装置1に適用したが、その他のEEPROM、例えばAND型等の不揮発性半導体記憶装置、また、各種配線を備えた半導体装置に適用できる。
レジストパターン18、27を平面的に矩形状にパターンニングした実施例を示したが、この形状に限定されるものではない。たとえば、レジストパターン18、27をその他の多角形(5角形、6角形など)にパターンニングしてスタック構造層4〜9をエッチング処理しても良い。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、各実施形態に示した構成、各種条件に限定されることはなく、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
図面中、1はNAND型フラッシュメモリ装置(半導体装置)、4〜9はスタック構造層、16はレジストパターン(第1マスクパターン)、18はレジストパターン(第2マスクパターン)、20はdTEOS膜(芯パターン、フリンジマスクパターン)、24はシリコン層(スペーサ)、25はシリコン窒化膜(外脇パターン)、27はレジストパターン(第3マスクパターン)、MCはメモリセル、WL3nは3n本目のワード線(配線)、WL3n+1は3n+1本目のワード線(配線)、WL3n+2は3n+2本目のワード線(配線)、FP1は第1フリンジパターン、FP2は第2フリンジパターン、FP3は第3フリンジパターン、を示す。
Claims (5)
- マトリクス状に配置されたメモリセルと、
前記メモリセルを結合するワード線であり、3n+1本目のワード線は、3n本目のワード線と3n+2本目のワード線との間に延伸し、前記3n本目、前記3n+1本目、前記3n+2本目のワード線は一群となってm回(mは2以上の整数)繰返し設けられたワード線と、
前記3n本目(nは1〜mの整数)のワード線の端部に位置して当該3n本目のワード線の線幅より広い線幅で配置された第1フリンジパターンと、
前記3n+1本目のワード線の端部に位置して当該3n+1本目のワード線の線幅より広い線幅で配置された第2フリンジパターンと、
前記3n+2本目のワード線の端部に位置して当該3n+2本目のワード線の線幅より広い線幅で配置された第3フリンジパターンと、を備え、
前記第2フリンジパターンは、前記第1フリンジパターンおよび前記第3フリンジパターンよりも前記メモリセル側に配置され、
前記3n+1本目のワード線は、前記第2フリンジパターンの頂点から延伸し、
前記3n本目および前記3n+2本目のワード線は、前記第1および第3フリンジパターンの辺部から延伸することを特徴とする半導体装置。 - 3n+1本目の配線は、3n本目の配線と3n+2本目の配線との間に延伸し、3n本目、3n+1本目、3n+2本目の配線は一群となってm回(mは2以上の整数)繰返し設けられた配線と、
前記3n本目(nは1〜mの整数)の配線の端部に位置して当該3n本目の配線の線幅より広い線幅で配置された第1フリンジパターンと、
前記3n+1本目の配線の端部に位置して当該3n+1本目の配線の線幅より広い線幅で配置された第2フリンジパターンと、
前記3n+2本目の配線の端部に位置して当該3n+2本目の配線の線幅より広い線幅で配置された第3フリンジパターンと、を備え、
前記第2フリンジパターンの配置領域は、前記第1フリンジパターンおよび前記第3フリンジパターンが配置される各配線の端部よりも手前側に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 前記3n+1本目の配線は、前記第2フリンジパターンの頂点から延伸することを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- メモリセルのゲート電極のスタック構造層を形成する工程と、
前記スタック構造層上に3n+1本目(nは2以上の整数)の配線形成用の芯パターンを形成すると共に当該芯パターンの端部にフリンジマスクパターンを形成する工程と、
前記芯パターンおよび前記フリンジマスクパターンの側壁に沿ってスペーサを形成する工程と、
前記フリンジマスクパターンの一部および前記スペーサの一部を覆う第1マスクパターンを形成する工程と、
前記第1マスクパターンの側壁に沿うと共に前記スペーサの側壁に沿って前記芯パターンの外方に離間して、3n本目および3n+2本目の配線形成用の外脇パターンをループ状に形成する工程と、
前記外脇パターンの線状の折返し領域を覆う第2マスクパターンを形成する工程と、
前記芯パターン、前記外脇パターン、および、前記第2マスクパターンをマスクとして前記メモリセルのゲート電極のスタック構造層を異方性エッチングする工程と、
前記折返し領域のスタック構造層をループカットする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - メモリセルのゲート電極のスタック構造層を形成する工程と、
前記スタック構造層上に3n+1本目(nは2以上の整数)の配線形成用の芯パターンを形成すると共に当該芯パターンの端部にフリンジマスクパターンを形成する工程と、
前記芯パターンおよび前記フリンジマスクパターンの側壁に沿ってスペーサを形成する工程と、
前記スペーサの側壁に沿って前記芯パターンの外方に離間して、3n本目および3n+2本目の配線形成用の外脇パターンをループ状に形成する工程と、
前記メモリセルのゲート電極より遠方の前記フリンジマスクパターンの一部を除去する工程と、
前記外脇パターンの線状の折返し領域を覆う第3マスクパターンを形成する工程と、
前記芯パターン、前記外脇パターン、および、前記第3マスクパターンをマスクとして前記メモリセルゲート電極のスタック構造層を異方性エッチングする工程と、
前記折返し領域のスタック構造層をループカットする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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