JP2012038848A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】メモリセルの素子領域の両端部に位置するラインの倒れを防止する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたメモリセルの素子領域と、前記メモリセルの素子領域にラインアンドスペースパターン状に形成された活性領域および素子分離領域とを備える。前記活性領域のうちの前記メモリセルの素子領域の両端から1本目および2本目のラインは、2つ以上に分割された部分ラインで構成される。2本の部分ラインの分割側の端部は、連結パターンにより連結されて終端化されている。
【選択図】図1
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたメモリセルの素子領域と、前記メモリセルの素子領域にラインアンドスペースパターン状に形成された活性領域および素子分離領域とを備える。前記活性領域のうちの前記メモリセルの素子領域の両端から1本目および2本目のラインは、2つ以上に分割された部分ラインで構成される。2本の部分ラインの分割側の端部は、連結パターンにより連結されて終端化されている。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
側壁転写プロセス(側壁加工プロセス)を用いてリソグラフィの解像度限界以下の微細なラインアンドスペースパターンを形成する方法が知られている。この側壁転写プロセスによりライン及びスペースの各幅寸法が数十ナノメートル以下の微細なラインアンドスペースパターンを形成できる。
例えばNAND型フラッシュメモリ装置のメモリセルの素子領域においては、活性領域となるラインと素子分離領域となるスペースが周期的に並んだラインアンドスペースパターンが形成される。このラインアンドスペースパターンを上記側壁転写プロセスにより形成した場合、メモリセルの素子領域の両端に位置するライン以外のラインは、隣接する2本のラインの両端部が連結された細長矩形枠状をなすラインであるため、倒れに対して十分な強度を有している。これに対して、メモリセルの素子領域の両端に位置するラインは、メモリセルの素子領域の最外周を囲むような形状の矩形枠状をなすラインであるため、ほぼ孤立して存在するラインとなり、倒れに対して弱い。このため、メモリセルの素子領域の加工プロセス中におけるドライエッチングや薬液処理により、上記両端部のラインの倒れや縒れが発生するおそれがあった。
そこで、メモリセルの素子領域の両端部に位置するラインの倒れを防止することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
本実施形態の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたメモリセルの素子領域と、前記メモリセルの素子領域にラインアンドスペースパターン状に形成された活性領域および素子分離領域とを備える。前記活性領域のうちの前記メモリセルの素子領域の両端から1本目および2本目のラインは、2つ以上に分割された部分ラインで構成される。2本の部分ラインの分割側の端部は、連結パターンにより連結されて終端化されている。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、被加工材上に犠牲膜を形成する工程と、前記犠牲膜上にライン幅とスペース幅の比率が1対1のラインアンドスペースパターンにパターニングされたレジスト膜を形成する工程とを備える。そして、前記レジスト膜をスリミングすることにより前記ラインアンドスペースパターンのラインの幅寸法を加工前の幅寸法の1/2にする工程と、前記レジスト膜をマスクにして前記犠牲膜を加工した後、前記レジスト膜を除去する工程とを備える。更に、加工された前記犠牲膜のラインアンドスペースパターンのラインの側壁部に側壁膜を形成する工程と、前記犠牲膜を除去する工程と、前記ラインパターンをマスクに、前記被加工材を加工する工程とを備える。更にまた、前記レジスト膜を形成する工程において、前記ラインアンドスペースパターンのうちのメモリセルの素子領域の両端から1本目のラインに、1個または複数の切れ目を形成し、前記ラインを複数に分割した。
以下、複数の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、各実施形態において、実質的に同一の構成部位には同一の符号を付し、説明を省略する。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。
(第1実施形態)
第1実施形態について、図1ないし図9を参照しながら説明する。本実施形態では、側壁転写プロセスを用いて、リソグラフィの解像度限界で形成したラインアンドスペースパターン(ラインの幅寸法とスペースの幅寸法が同じもの)のピッチの1/2のピッチを有するラインアンドスペースパターンを形成する。そして、この形成したラインアンドスペースパターンで、半導体基板のメモリセルの素子領域に素子分離溝を形成する。尚、メモリセルの素子領域は、Planeとも称される領域であり、メモリセルがアレイ状に設けられた領域であり、ワンチップに1個または複数個設けられる。
第1実施形態について、図1ないし図9を参照しながら説明する。本実施形態では、側壁転写プロセスを用いて、リソグラフィの解像度限界で形成したラインアンドスペースパターン(ラインの幅寸法とスペースの幅寸法が同じもの)のピッチの1/2のピッチを有するラインアンドスペースパターンを形成する。そして、この形成したラインアンドスペースパターンで、半導体基板のメモリセルの素子領域に素子分離溝を形成する。尚、メモリセルの素子領域は、Planeとも称される領域であり、メモリセルがアレイ状に設けられた領域であり、ワンチップに1個または複数個設けられる。
まず、リソグラフィの解像度限界で形成するラインアンドスペースのレジストパターン1は、図2に示すような形状である。このラインアンドスペースパターン1は、ライン2の幅寸法d1と、スペース3の幅寸法d2が同じ寸法のパターンである。レジストパターン1の各ライン2の両端部には、連結パターン4がそれぞれ設けられている。
この連結パターン4により、レジストパターン1は各ライン2の端部が連結されて終端化された形状を有する構成となっている。このライン2の端部の終端化構成により、ライン2及びスペース3の各幅寸法d1、d2が数十nm程度という微細なパターンであっても、ライン2の端部の倒れを抑制することができる。
更に、レジストパターン1の図2中の左右方向の両端に位置するライン2(左端のライン2のみ図示する)には、1個または複数個として例えば2個の切れ目5が形成されている。即ち、両端に位置するライン2は、2個の切れ目5により、3つの部分ライン6、7、8に分割されている。上記切れ目5の開口幅寸法a1は、ライン2(スペース3)の幅寸法d1とほぼ同じ寸法に設定されている。
このような構成のレジストパターン1に対して側壁転写プロセスを用いて形成したラインアンドスペースパターン9を、図1に示す。この図1に示したラインアンドスペースパターン9は、ライン10の幅寸法d3とスペース11の幅寸法d4とが同じ寸法であり、且つ、上記レジストパターン1のライン2及びスペース3の各幅寸法d1(d2)の1/2の寸法のパターンである。
ラインアンドスペースパターン9の各ライン10の端部は、連結パターン12により隣接するライン10の端部に連結されて終端化されている。連結パターン12の幅寸法は、ライン2の幅寸法d1と同じ寸法である。この場合、図1中の左端(右端)から4本目以降のライン10は、2本ずつその両端部が連結パターン12により連結されることにより、細長の矩形枠形状に構成されている。
また、図1中の左端(右端)から1本目および2本目のライン10、10は、レジストパターン1(図2参照)の3つに分割された部分ライン6、7、8と対応するように、3つの部分ライン13、14、15、16、17、18に分割されている。上部の2本の部分ライン13、14は、下端部が連結パターン12により連結されて終端化されている。上部の一方の部分ライン13の上端部は、図示しない右端から1本目のライン10の部分ライン13の上端部に連結パターン12(上辺に沿って配置されたパターン)により連結されて終端化されている。上部の他方の部分ライン14の上端部は、左端から3本目のライン10の上端部に連結パターン12により連結されて終端化されている。
中間部の2本の部分ライン15、16は、両端部が連結パターン12により連結されて終端化されている。下部の2本の部分ライン17、18は、上端部が連結パターン12により連結されて終端化されている。下部の一方の部分ライン17の下端部は、図示しない右端から1本目のライン10の部分ライン17の下端部に連結パターン12(下辺に沿って配置されたパターン)により連結されて終端化されている。下部の他方の部分ライン18の下端部は、左端から3本目のライン10の下端部に連結パターン12により連結されて終端化されている。
尚、本実施形態においては、図1のラインアンドスペースパターン9で半導体基板のメモリセルの素子領域に活性領域(ライン10に対応)および素子分離溝(スペース11に対応)がラインアンドスペースパターン状に形成される。
次に、レジストパターン1(図2参照)に対して側壁転写技術を用いてラインアンドスペースパターン9(図1参照)を形成し、半導体基板に素子分離溝を形成する製造工程について、図3ないし図9を参照して説明する。
まず、図3に示すように、半導体基板(被加工材)19上に、ポリシリコン膜またはアモルファスシリコン膜等を有する犠牲膜(芯材膜)20を形成する。続いて、犠牲膜20上にレジスト膜21を形成した後、リソグラフィ技術によりレジスト膜21をパターニングし、ライン2の幅寸法d1とスペース3の幅寸法d2が同一寸法(ライン幅とスペース幅の比率が1対1)のラインアンドスペースのレジストパターン1を形成する。
このレジストパターン1のライン2(及びスペース3)の幅寸法d1(d2)は、最終的にマスク材として形成するラインアンドスペースパターン9(図8参照)のライン10(及びスペース11)の幅寸法d3(d4)の2倍の寸法である。換言すると、ここで形成したレジストパターン1のライン2(及びスペース3)の幅寸法d1(d2)の1/2の幅寸法のライン10(及びスペース11)を有するラインアンドスペースパターン9を最終的に形成する。ここで形成したレジストパターン1の上面図が図2に示されるパターンである。
次に、図4に示すように、スリミング技術を用いて図3のレジスト膜21を加工し、レジスト膜21のライン22の幅寸法c1がスリミング前のレジスト膜21のライン2の幅寸法d1の1/2であって、ライン22の幅寸法c1がスペース23の幅寸法c2の1/3となるラインアンドスペースパターン24を形成する。
続いて、図5に示すように、図4のレジスト膜21(ラインアンドスペースパターン24)をマスクにしてRIE法により犠牲膜20を加工した後、アッシングによりレジスト膜21を除去する。この場合、犠牲膜20のラインアンドスペースパターン(芯材パターン)25のライン(芯材)26の幅寸法c1が、スペース27の幅寸法c2の1/3となる関係を維持するよう加工する。
次いで、図6に示すように、図5の加工された犠牲膜20(ラインアンドスペースパターン25)上に、犠牲膜20とエッチング選択比が十分取れる例えばシリコン窒化膜等を有する側壁膜28をLP−CVD法により形成する。この側壁膜28の膜厚は、犠牲膜20のラインアンドスペースパターン25のライン26の幅寸法c1と同一寸法とする。即ち、犠牲膜20のラインアンドスペースパターン25のライン26の側壁部に形成される側壁膜28の膜厚(側壁膜厚)寸法fが、犠牲膜20のライン26の幅寸法c1と同一寸法となるように構成する。
この後、図7に示すように、側壁膜28をエッチバックし、犠牲膜20のラインアンドスペースパターン25のライン26の側壁部に側壁膜28を残す加工を行う。続いて、図8に示すように、側壁膜28で挟まれた犠牲膜20(のラインアンドスペースパターン25のライン26)を除去する。これにより、半導体基板19上に側壁膜28を有するラインアンドスペースパターン9が形成される。ここで形成されたラインアンドスペースパターン9の上面図が図1に示されるパターンである。
図8に示すラインアンドスペースパターン9は、ライン10の幅寸法d3とスペース11の幅寸法d4が同一である。更に、ラインアンドスペースパターン9のライン10(スペース11)の幅寸法d3(d4)は、リソグラフィで形成したレジストパターン(ラインアンドスペースパターン)1(図2、図3参照)のライン2(スペース3)の幅寸法d1(d2)の1/2の寸法となる。
次に、図9に示すように、図8のラインアンドスペースパターン9をマスク材として、RIE法により半導体基板19に素子分離溝29を形成し、活性領域30を分断する。そして、上記素子分離溝29に素子分離絶縁膜を埋め込み、素子分離領域を形成する。
このような構成の本実施形態においては、図1に示すように、メモリセルの素子領域において、左端(右端)から1本目および2本目のライン10、10を、3つの部分ライン13、14、15、16、17、18に分割した。そして、上部の2本の部分ライン13、14の下端部を連結パターン12により連結し、上部の部分ライン14の上端部を、左端から3本目のライン10の上端部に連結パターン12により連結した。更に、中間部の2本の部分ライン15、16の両端部を連結パターン12により連結した。更に、下部の2本の部分ライン17、18の上端部を連結パターン12により連結し、下部の部分ライン14の下端部を、左端から3本目のライン10の下端部に連結パターン12により連結した。
このように構成したので、左端(右端)から1本目のライン10(3つの部分ライン13、15、17)の配線の長さを、従来構成に比べて大幅に(ほぼ1/3程度に)短縮することができると共に、連結パターン12(側壁転写プロセスにより形成したループ部分)により2本のライン10で支え合うように構成できる。この結果、左端(右端)から1本目のライン10の倒れに対する強度を十分高くすることができる。これにより、メモリセルの素子領域の加工プロセス中におけるドライエッチングや薬液処理により、メモリセルの素子領域の上記左端(右端)のライン10の倒れや縒れが発生することを防止できる。
尚、本実施形態においては、メモリセルの素子領域の左端(右端)から10〜20本程度の活性領域30(ライン10)は、いわゆるダミー領域であり、使用(通電動作)されることがない領域である。このため、左端(右端)から1本目および2本目の活性領域30(ライン10)に、側壁転写プロセスにより形成したループ部分(分割部分、連結パターン12部分)が設けられていても支障がない。
(第2実施形態)
図10は、第2実施形態を示すものである。この図10には、前記した側壁転写プロセスを用いてラインアンドスペースパターン9に対応して半導体基板19に形成した活性領域30(ライン10に対応)および素子分離領域31(スペース11に対応)が示されると共に、活性領域30に直交するように形成されたメモリセルトランジスタのワード線WLおよび選択ゲートトランジスタの選択ゲート線SGL1、SGL2が示されている。
図10は、第2実施形態を示すものである。この図10には、前記した側壁転写プロセスを用いてラインアンドスペースパターン9に対応して半導体基板19に形成した活性領域30(ライン10に対応)および素子分離領域31(スペース11に対応)が示されると共に、活性領域30に直交するように形成されたメモリセルトランジスタのワード線WLおよび選択ゲートトランジスタの選択ゲート線SGL1、SGL2が示されている。
この構成の場合、ワード線WLと活性領域30は、格子状に構成されており、例えばワード線WL32本(図10には3本図示する)を1組とするNAND列を構成している。尚、ワード線WL64本を1組とするNAND列を構成しても良い。上記NAND列の両端には、それぞれ一対の選択ゲート線SGL1、SGL2が形成されている。各一対の選択ゲート線SGL1、SGL2のうちの一方がドレイン側であり、他方がソース側である。ソース側の選択ゲート線SGL1(または2)間の活性領域30には、ソース線コンタクトCS(図示しない)が形成され、ドレイン側の選択ゲート線SGL2(または1)間の活性領域30には、ビット線コンタクトCB(図示しない)が形成されている。
そして、NAND列をひとつおきにソース/ドレイン反転させて、ビット線コンタクトCBおよびソース線コンタクトCSを隣接NAND列間で共用し、繰り返し配置することにより、セルアレイを形成している。また、ワード線WLと交差する活性領域30上にはメモリセルトランジスタのゲート電極MGが形成され、選択ゲート線SGL1、SGL2と交差する活性領域3上には選択ゲートトランジスタのゲート電極SGが形成されている。
ここで、第2実施形態においては、活性領域30のうちの図10中の左端から1本目および2本目のライン30、30(ラインアンドスペースパターン9のライン10、10に対応)の分割部分を、選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間に配置した。この場合、活性領域30のうちの上記1本目および2本目のライン30、30は、3つに分割された部分ライン33、34、35、36、37、38(ラインアンドスペースパターン9の部分ライン13、14、15、16、17、18に対応)で構成されている。そして、2本の部分ライン13、14、15、16、17、18の分割側の端部は、連結パターン32(ラインアンドスペースパターン9の連結パターン12に対応)により連結されて終端化されている。更に、上記3つに分割された部分ライン33、34、35、36、37、38の分割部分、即ち、連結パターン32(即ち、連結パターン12に相当する部分、側壁転写プロセスにより形成したループに相当する部分)を、選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間に配置した。尚、図10には、メモリセルの素子領域の左端側の構成を図示したが、メモリセルの素子領域の右端側の構成もほぼ同様な構成となっている。
また、上述した以外の第2実施形態の構成は、第1実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第2実施形態においても、第1実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第2実施形態においては、活性領域30のうちのメモリセルの素子領域の両端から1本目および2本目のライン30、30の分割部分、即ち、連結パターン32(側壁転写プロセスにより形成したループに相当する部分)を、ワード線WL間よりもスペースの幅寸法が広い選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間に配置した。この構成によれば、上記ループに相当する部分32を形成するためにレジストパターン1のライン2に入れた切れ目5によりレジストパターン1の端部のライン2の長さ方向の寸法バラつきが生じるおそれがあるが、スペースの幅寸法がワード線WL間よりも広い選択ゲート線SGL1、SGL2間に上記ループ部分を配置することにより、上記寸法バラつきが生じてもその悪影響を防止することができる。即ち、活性領域30とワード線WL及び選択ゲート線SGL1、SGL1との間の位置ズレによる不具合の発生を抑制することができる。
(第3実施形態)
図11は、第3実施形態を示すものである。尚、第2実施形態と同一構成には、同一符号を付している。この第3実施形態では、図11に示すように、活性領域30のうちの左端から1本目および2本目のライン30、30(ラインアンドスペースパターン9のライン10、10に対応)に1個の分割部分を設けると共に、左端から3本目および4本目のライン30、30(ライン10、10に対応)にも1個の分割部分を設けた。そして、各分割部分、即ち、連結パターン32(即ち、連結パターン12に相当する部分、側壁転写プロセスにより形成したループに相当する部分)を、選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間に配置するように構成した。尚、図11には、メモリセルの素子領域の左端側の構成を図示したが、メモリセルの素子領域の右端側の構成もほぼ同様な構成となっている。
図11は、第3実施形態を示すものである。尚、第2実施形態と同一構成には、同一符号を付している。この第3実施形態では、図11に示すように、活性領域30のうちの左端から1本目および2本目のライン30、30(ラインアンドスペースパターン9のライン10、10に対応)に1個の分割部分を設けると共に、左端から3本目および4本目のライン30、30(ライン10、10に対応)にも1個の分割部分を設けた。そして、各分割部分、即ち、連結パターン32(即ち、連結パターン12に相当する部分、側壁転写プロセスにより形成したループに相当する部分)を、選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間に配置するように構成した。尚、図11には、メモリセルの素子領域の左端側の構成を図示したが、メモリセルの素子領域の右端側の構成もほぼ同様な構成となっている。
また、上述した以外の第3実施形態の構成は、第2実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第3実施形態においても、第2実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
(第4実施形態)
図12は、第4実施形態を示すものである。尚、第3実施形態と同一構成には、同一符号を付している。この第4実施形態では、図12に示すように、活性領域30のうちの左端から1本目および2本目のライン30、30(ラインアンドスペースパターン9のライン10、10に対応)に1個の分割部分を設けると共に、左端から3本目および4本目のライン30、30(ライン10、10に対応)に1個の分割部分を設け、更に、左端から5本目および6本目のライン30、30(ライン10、10に対応)に1個の分割部分を設けた。
図12は、第4実施形態を示すものである。尚、第3実施形態と同一構成には、同一符号を付している。この第4実施形態では、図12に示すように、活性領域30のうちの左端から1本目および2本目のライン30、30(ラインアンドスペースパターン9のライン10、10に対応)に1個の分割部分を設けると共に、左端から3本目および4本目のライン30、30(ライン10、10に対応)に1個の分割部分を設け、更に、左端から5本目および6本目のライン30、30(ライン10、10に対応)に1個の分割部分を設けた。
そして、各分割部分、即ち、連結パターン32(即ち、連結パターン12に相当する部分、側壁転写プロセスにより形成したループに相当する部分)を、選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間に配置した。尚、図12には、メモリセルの素子領域の左端側の構成を図示したが、メモリセルの素子領域の右端側の構成もほぼ同様な構成となっている。
また、上述した以外の第4実施形態の構成は、第3実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第4実施形態においても、第3実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
(その他の実施形態)
以上説明した複数の実施形態に加えて以下のような構成を採用しても良い。
上記した第1および第2実施形態では、活性領域30のうちのメモリセルの素子領域の両端から1本目および2本目のライン30、30(ラインアンドスペースパターン9のライン10、10に対応)に2個の分割部分(連結パターン32、即ち、連結パターン12に相当する部分、側壁転写プロセスにより形成したループに相当する部分)を設けたが、これに限られるものではなく、上記1本目および2本目のライン30、30に1個または3個以上の分割部分を設けても良い。
以上説明した複数の実施形態に加えて以下のような構成を採用しても良い。
上記した第1および第2実施形態では、活性領域30のうちのメモリセルの素子領域の両端から1本目および2本目のライン30、30(ラインアンドスペースパターン9のライン10、10に対応)に2個の分割部分(連結パターン32、即ち、連結パターン12に相当する部分、側壁転写プロセスにより形成したループに相当する部分)を設けたが、これに限られるものではなく、上記1本目および2本目のライン30、30に1個または3個以上の分割部分を設けても良い。
第2実施形態では、活性領域30のうちのメモリセルの素子領域の両端から1本目および2本目のライン30、30(ラインアンドスペースパターン9のライン10、10に対応)に設けた2個の分割部分を、選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間に配置するように構成したが、これに代えて、全ての選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間にそれぞれ上記分割部分を配置するように、上記分割部分を多数設ける構成としても良い。また、一部の選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間にそれぞれ上記分割部分を配置するように、上記分割部分を複数設ける構成としても良い。
第3実施形態では、活性領域30のうちのメモリセルの素子領域の両端から1本目および2本目のライン30、30(ラインアンドスペースパターン9のライン10、10に対応)に設けた1個の分割部分、並びに、両端から3本目および4本目のライン30、30に相当する部分に設けた1個の分割部分を、選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間に配置するように構成したが、全ての選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間にそれぞれ上記分割部分を配置するように、上記分割部分を両端から1本目ないし4本目のライン30、30に多数設けるように構成しても良い。また、一部の選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間にそれぞれ上記分割部分を配置するように、上記分割部分を両端から1本目ないし4本目のライン30、30に複数設けるように構成しても良い。
第4実施形態では、活性領域30のうちのメモリセルの素子領域の両端から1本目および2本目のライン30、30(ラインアンドスペースパターン9のライン10、10に対応)に設けた1個の分割部分、両端から3本目および4本目のライン30、30に設けた1個の分割部分、並びに、両端から5本目および6本目のライン30、30に設けた1個の分割部分を、選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間に配置するように構成したが、全ての選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間にそれぞれ上記分割部分を配置するように、上記分割部分を両端から1本目ないし6本目のライン30、30に多数設けるように構成しても良い。また、一部の選択ゲート線SGL1、SGL1(SGL2、SGL2)間にそれぞれ上記分割部分を配置するように、上記分割部分を両端から1本目ないし6本目のライン30、30に複数設けるように構成しても良い。更に、両端から7本目以降の2本のライン30、30に1個または複数個の分割部分を設け、該分割部分を選択ゲート線SGL1、SGL2間に配置するように構成しても良い。
以上のように、本実施形態の半導体装置によると、活性領域のうちのメモリセルの素子領域の両端から1本目および2本目のラインを、2つ以上に分割された部分ラインで構成し、2本の部分ラインの分割側の端部を、連結パターンにより連結して終端化するように構成したので、メモリセルの素子領域の両端部に位置するラインの倒れを防止することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
図面中、1はレジストパターン、2はライン、3はスペース、4は連結パターン、5は切れ目、9はラインアンドスペースパターン、10はライン、11はスペース、12は連結パターン、13、14、15、16、17、18は部分ライン、19は半導体基板、20は犠牲膜、21はレジスト膜、28は側壁膜、29は素子分離溝、30は活性領域(ライン)、31は素子分離領域、32は連結パターン、33、34、35、36、37、38は部分ラインである。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられたメモリセルの素子領域と、
前記メモリセルの素子領域にラインアンドスペースパターン状に形成された活性領域および素子分離領域とを備え、
前記活性領域のうちの前記メモリセルの素子領域の両端から1本目および2本目のラインは、2つ以上に分割された部分ラインで構成され、
2本の部分ラインの分割側の端部は、連結パターンにより連結されて終端化されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記活性領域のうちの前記メモリセルの素子領域の両端から3本目以降の2本のラインは、2つ以上に分割された部分ラインで構成され、
前記3本目以降の2本のラインの部分ラインの分割側の端部は、連結パターンにより連結されて終端化されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記活性領域に直交するように形成されたメモリセルトランジスタのワード線および選択ゲートトランジスタの選択ゲート線を備え、
前記活性領域のうちの前記メモリセルの素子領域の両端から1本目および2本目のラインの分割部分を、前記選択ゲート線間に配置したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記活性領域のうちの前記メモリセルの素子領域の両端から3本目以降の2本のラインの分割部分を、前記選択ゲート線間に配置したことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 被加工材上に犠牲膜を形成する工程と、
前記犠牲膜上にライン幅とスペース幅の比率が1対1のラインアンドスペースパターンにパターニングされたレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をスリミングすることにより前記ラインアンドスペースパターンのラインの幅寸法を加工前の幅寸法の1/2にする工程と、
前記レジスト膜をマスクにして前記犠牲膜を加工した後、前記レジスト膜を除去する工程と、
加工された前記犠牲膜のラインアンドスペースパターンのラインの側壁部に側壁膜を形成する工程と、
前記犠牲膜を除去する工程と、
前記ラインパターンをマスクに、前記被加工材を加工する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記レジスト膜を形成する工程において、前記ラインアンドスペースパターンのうちのメモリセルの素子領域の両端から1本目のラインに、1個または複数の切れ目を形成し、前記ラインを複数に分割したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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