JP2006269788A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1のゲート絶縁膜12aと、第1のゲート電極13aと、第2のゲート絶縁膜14aと、第2のゲート電極15aとを有するメモリセルゲート構造101と、第3のゲート絶縁膜12bと、第1の電極部分P1と第2の電極部分P2と第1の電極部分と第2の電極部分との間の第3の電極部分P3とを含む第3のゲート電極18と、を有する選択ゲート構造103と、半導体基板11の表面領域であって、メモリセルゲート構造と選択ゲート構造の第1の電極部分との間の領域に対応した領域に形成された第1の不純物拡散層21bと、半導体基板の表面領域であって、選択ゲート構造の第1の電極部分と第2の電極部分との間の領域に対応した領域に形成された第2の不純物拡散層21cと、を備える。
【選択図】 図6
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置(NAND型フラッシュメモリ)の基本構成を示した等価回路図である。図2は、本実施形態に係るNAND型フラッシュメモリの概略構成を模式的に示した平面図である(ただし、ビットラインは図示していない)。
図9及び図10は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置(NAND型フラッシュメモリ)の製造方法を模式的に示した断面図である。なお、等価回路図及び平面図については、第1の実施形態で示した図1及び図2と同様である。また、基本的な構成及び製造方法についても第1の実施形態と同様であるため、第1の実施形態で説明した事項については省略する。
図11〜図13は、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置(NAND型フラッシュメモリ)の製造方法を模式的に示した断面図である。なお、等価回路図及び平面図については、第1の実施形態で示した図1及び図2と同様である。また、基本的な構成及び製造方法についても第1の実施形態と同様であるため、第1の実施形態で説明した事項については省略する。
SG1、SG2…選択ゲートライン
CG1〜CG8…コントロールゲートライン
BC…ビットラインコンタクト BL1、BL2…ビットライン
11…シリコン基板 12…トンネル絶縁膜
13…フローティングゲート電極膜 14…電極間絶縁膜
15…コントロールゲート電極膜 16…ストッパー膜
17…素子分離絶縁膜 18…ゲート電極
21a、21b、21c…不純物拡散層
22…層間絶縁膜 22a、22b、22c…絶縁部
23…レジストパターン 24…穴 25…導電膜
31…ゲート絶縁膜
41…側壁絶縁膜 42…空隙 43…層間絶縁膜
101…メモリセルゲート構造
102a、102b…ダミーゲート構造
103…選択ゲート構造
Claims (6)
- 半導体基板上に形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極上に形成された第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極と、を有するメモリセルゲート構造と、
前記半導体基板上に形成された第3のゲート絶縁膜と、前記第3のゲート絶縁膜上に形成され且つ第1の電極部分と第2の電極部分と前記第1の電極部分と第2の電極部分との間の第3の電極部分とを含む第3のゲート電極と、を有する選択ゲート構造と、
前記半導体基板の表面領域であって、前記メモリセルゲート構造と前記選択ゲート構造の第1の電極部分との間の領域に対応した領域に形成された第1の不純物拡散層と、
前記半導体基板の表面領域であって、前記選択ゲート構造の前記第1の電極部分と第2の電極部分との間の領域に対応した領域に形成された第2の不純物拡散層と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記メモリセルゲート構造、前記第1の電極部分及び前記第2の電極部分は、同一ピッチで配置されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1のゲート絶縁膜と前記第3のゲート絶縁膜とは、膜厚及び材料の少なくとも一方が異なる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1のゲート絶縁膜と前記第3のゲート絶縁膜とは、膜厚及び材料ともに同じである
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記メモリセルゲート構造と前記選択ゲート構造との間に形成された第1の絶縁部と、
前記第3の電極部分と前記第2の不純物拡散層との間に介在した第2の絶縁部と、
をさらに備え、
前記第2の絶縁部の上面の高さは前記第1の絶縁部の上面の高さよりも低い
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 半導体基板上に形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極膜と、前記第1のゲート電極膜上に形成された第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極膜と、をそれぞれが有するメモリセルゲート構造と第1のダミーゲート構造と第2のダミーゲート構造とを形成する工程と、
前記半導体基板の表面領域であって前記メモリセルゲート構造と前記第1のダミーゲート構造との間の領域に対応した領域に第1の不純物拡散層を形成し、前記半導体基板の表面領域であって前記第1のダミーゲート構造と前記第2のダミーゲート構造との間の領域に対応した領域に第2の不純物拡散層を形成する工程と、
前記第1及び第2のダミーゲート構造の少なくとも第2のゲート電極膜及び第2のゲート絶縁膜を除去して穴を形成する工程と、
前記穴内に導電膜を形成して選択ゲート構造を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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