JP2013157731A - 受光回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】実施形態は、消費電力を低減した受光回路を提供する。
【解決手段】実施形態に係る受光回路は、ＭＯＳＦＥＴと、光信号により誘起される電圧を前記ＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間に印加し、前記ＭＯＳＦＥＴをＯＮ／ＯＦＦ制御する第１の受光素子と、前記ＭＯＳ型ＦＥＴの閾値電圧を制御する第２の受光素子と、を備える。さらに、前記ＭＯＳＦＥＴのゲートとソースと間に設けられた第１の放電経路と、前記ＭＯＳＦＥＴのバックゲートとソースとの間に設けられた第２の放電経路と、を備える。
【選択図】図１

Description

実施形態は、受光回路に関する。
フォトカップラや光データリンクなど光を用いて信号を伝送する装置では、受光回路の低消費電力化が求められている。例えば、受光素子と、ＴＩＡ（Trans Impedance Amplifier）と、を入力段に含むアナログ型の受信回路は、信号のオフ時にも電流が流れるため消費電力が大きい。これに対し、ＭＯＳＦＥＴ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)で構成されるディジタル回路を用いることにより、消費電力を低減することが可能である。
特開２００５−１６７３６１号公報
実施形態は、消費電力を低減した受光回路を提供する。
実施形態に係る受光回路は、ＭＯＳＦＥＴと、光信号により誘起される電圧を前記ＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間に印加し、前記ＭＯＳＦＥＴをＯＮ／ＯＦＦ制御する第１の受光素子と、前記光信号を受けて前記ＭＯＳＦＥＴのバックゲート電圧を変化させ、前記ＭＯＳ型ＦＥＴの閾値電圧を制御する第２の受光素子と、を備える。
第１実施形態に係る受光回路を表す回路図である。 第１実施形態に係る受光回路の動作を表す模式図である。 第１実施形態の変形例に係る受光回路を表す回路図である。 第２実施形態に係る受光回路を表す回路図である。 第２実施形態の変形例に係る受光回路を表す回路図である。 第２実施形態の別の変形例に係る受光回路を表す回路図である。 第３実施形態に係る受光回路を表す回路図である。 第４実施形態に係る受光回路を表す回路図である。 第５実施形態に係る受光回路を表す回路図である。 第６実施形態に係る受光回路を表す回路図である。 第６実施形態の変形例に係る受光回路を表す回路図である。 第７実施形態に係る受光回路を表す回路図である。 第８実施形態に係る受光回路を表す回路図である。 第８実施形態の変形例に係る受光回路を表す回路図である。 第９実施形態に係る受光回路を表す回路図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。
（第１実施形態）
図１（ａ）および図１（ｂ）は、それぞれ、第１実施形態に係る受光回路１０および２０を表す回路図である。
図１（ａ）に示す受光回路１０は、ＭＯＳＦＥＴ１１と、第１の受光素子１３と、第２の受光素子１５と、を備える。
第１の受光素子１３は、光信号を受け、その光信号により誘起される電圧をＭＯＳＦＥＴ１１のゲート・ソース間に印加する。これにより、ＭＯＳＦＥＴ１１をＯＮ／ＯＦＦ制御する。
第２の受光素子１５は、光信号を受けてＭＯＳＦＥＴ１１のバックゲート電圧を変化させ、ＭＯＳＦＥＴ１１の閾値電圧を制御する。本実施形態では、光信号により誘起される電圧をＭＯＳＦＥＴ１１のバックゲート・ソース間に印加する。
さらに、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲートとソースとの間に設けられた第１の放電経路と、ＭＯＳＦＥＴ１１のバックゲートとソースとの間に接続された第２の放電経路と、を備える。
具体的には、ＭＯＦＦＥＴ１１は、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソースは、接地端子３に接続され、ドレインは、出力端子５に接続される。
第１の受光素子１３のカソードは、接地端子３に接続され、第１の受光素子１３のアノードは、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲートに接続される。一方、第２の受光素子１５のカソードは、接地端子３に接続され、第２の受光素子１５のアノードは、ＭＯＳＦＥＴ１１のバックゲートに接続される。
ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート・ソース間には、第１の放電経路である抵抗Ｒ１が設けられる。また、ＭＯＳＦＥＴ１１のバックゲート・ソース間には、第２の放電経路である抵抗Ｒ２が設けられる。
ここで、第１の受光素子１３および第２の受光素子１５は、共に太陽電池モードで動作するフォトダイオード（Photo Diode：ＰＤ）であり、光信号を同時に受光し同期して動作する。また、以下の実施形態においても同様である。
図１（ｂ）に示す受光回路２０は、ＭＯＳＦＥＴ２１と、第１の受光素子２３と、第２の受光素子２５と、を備える。ＭＯＦＦＥＴ２１は、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソースは、接地端子３に接続され、ドレインは、出力端子５に接続される。
第１の受光素子２３のアノードは、接地端子３に接続され、第１の受光素子２３のカソードは、ＭＯＳＦＥＴ２１のゲートに接続される。一方、第２の受光素子２５のアノードは、接地端子３に接続され、第２の受光素子２５のカソードは、ＭＯＳＦＥＴ２１のバックゲートに接続される。第１の受光素子２３および第２の受光素子２５は、共に太陽電池モードで動作するＰＤであり、光信号を同時に受光し同期して動作する。
ＭＯＳＦＥＴ２１のゲート・ソース間には、第１の放電経路である抵抗Ｒ１が設けられる。また、ＭＯＳＦＥＴ２１のバックゲート・ソース間には、第２の放電経路である抵抗Ｒ２が設けられる。
図２は、受光回路１０の動作を表す模式図である。例えば、ＭＯＳＦＥＴ１１の閾値電圧ＶＴＨおよびゲート・ソース間電圧ＶＧＳの時間変化を表している。
太陽電池モードで動作する第１の受光素子１３が光信号を受けると（光：ＯＮ）、アノード電圧が上昇し、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート・ソース間電圧ＶＧＳが高くなる。一方、第２の受光素子１５も同時に光信号を受信し、ＭＯＳＦＥＴ１１のバックゲート電圧を上昇させる。これにより、ＭＯＳＦＥＴ１１の閾値電圧ＶＴＨが低下する。ＭＯＳＦＥＴ１１は、ＶＴＨとＶＧＳとが交差する時点ｔＯＮでＯＦＦ状態からＯＮ状態へ反転する。
続いて、光信号が消えると（光：ＯＦＦ）、第１の受光素子１３の出力電流が０（ゼロ）Ａとなり、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲートから抵抗Ｒ１を介して電荷が放電され、ゲート・ソース間電圧ＶＧＳが低下する。同時に、第２の受光素子１５の出力電流も０Ａとなり、バックゲートから第２の放電経路を介して電荷が放電される。これにより、ＭＯＳＦＥＴ１１の閾値電圧ＶＴＨが上昇する。そして、ＭＯＳＦＥＴ１１は、ＶＴＨとＶＧＳとが交差する時点ｔＯＦＦでＯＮ状態からＯＦＦ状態へ反転する。
第２の受光素子１５は、光信号により誘起された電圧により、ＭＯＳＦＥＴ１１のバックゲート電圧を上昇させ、閾値電圧ＶＴＨを低下させる。これにより、本来の閾値電圧（バックゲート電圧が０Ｖの場合）よりも低い電圧ＶＯＮおよびＶＯＦＦにより、ＭＯＳＦＥＴ１１をＯＮ／ＯＦＦ制御することが可能となる。
受光回路２０では、ＭＯＳＦＥＴ２１のゲート・ソース間および閾値電圧ＶＴＨがマイナス電位となる点が受光回路１０と異なるが、ＭＯＳＦＥＴ２１のバックゲートに第２の受光素子２５の起電圧を印加することにより閾値電圧を変化させ、ＯＮ／ＯＦＦ制御を容易にすることができる。
例えば、特許文献１には、太陽電池モードで動作する受光素子を備えた半導体リレーが開示されている。この例では、直列に接続された複数段のＰＤによりＭＯＳＦＥＴを動作させる。これに対し、本実施形態では、１段のＰＤによりＭＯＳＦＥＴのＯＮ／ＯＦＦ制御が可能である。
これにより、例えば、第１および第２の受光素子の占める面積の割合を小さくして、チップサイズの小型化を図ることができる。また、複数のＰＤを直列接続した回路を構成するためには、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）等、特別な構造を用いる必要があるが、本実施形態に係る受光回路は、単純な回路構成により実現できる。
図３（ａ）および図３（ｂ）は、それぞれ第１実施形態の変形例に係る受光回路３０および４０を表す回路図である。受光回路３０および４０は、それぞれデプレッション型ＭＯＳＦＥＴを備える。
図３（ａ）に示す受光回路３０は、ＭＯＳＦＥＴ３１と、第１の受光素子３３と、第２の受光素子３５と、を備える。ＭＯＦＦＥＴ３１は、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソースは接地端子３に接続され、ドレインは出力端子５に接続される。
第１の受光素子３３のアノードは、接地端子３に接続され、第１の受光素子３３のカソードは、ＭＯＳＦＥＴ３１のゲートに接続される。一方、第２の受光素子３５のアノードは、接地端子３に接続され、第２の受光素子３５のカソードは、ＭＯＳＦＥＴ３１のバックゲートに接続される。
ＭＯＳＦＥＴ３１のゲート・ソース間には、第１の放電経路である抵抗Ｒ１が設けられる。また、ＭＯＳＦＥＴ３１のバックゲート・ソース間には、第２の放電経路である抵抗Ｒ２が設けられる。
ここでは、ＭＯＳＦＥＴ３１の動作極性の違いにより、第１の受光素子３３および第２の受光素子３５の接続が受光回路１０と異なるが、バックゲート電圧により閾値電圧を制御する動作と、その効果は同じである。
図３（ｂ）に示す受光回路４０は、ＭＯＳＦＥＴ４１と、第１の受光素子４３と、第２の受光素子４５と、を備える。ＭＯＦＦＥＴ４１は、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソースは接地端子３に接続され、ドレインは出力端子５に接続される。
第１の受光素子４３のカソードは、接地端子３に接続され、アノードは、ＭＯＳＦＥＴ４１のゲートに接続される。一方、第２の受光素子４５のカソードは、接地端子３に接続され、アノードは、ＭＯＳＦＥＴ４１のバックゲートに接続される。
ＭＯＳＦＥＴ４１のゲート・ソース間には、第１の放電経路である抵抗Ｒ１が設けられる。また、ＭＯＳＦＥＴ４１のバックゲート・ソース間には、第２の放電経路である抵抗Ｒ２が設けられる。
ここでは、ＭＯＳＦＥＴ４１がｐチャネルであり、それに合わせて第１の受光素子４３および第２の受光素子４５の極性を変えているが、バックゲート電圧により閾値電圧を制御する効果は、受光回路３０と同じである。
（第２実施形態）
図４（ａ）および図４（ｂ）は、それぞれ第２実施形態に係る受光回路５０および５５を表す回路図である。
図４（ａ）に示す受光回路５０は、ＭＯＳＦＥＴ５１と、第１の受光素子５３と、を備える。ＭＯＦＦＥＴ５１は、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソースは接地端子３に接続され、ドレインは出力端子５に接続される。
第１の受光素子５３のカソードは、接地端子３に接続される。一方、第１の受光素子５３のアノードは、ＭＯＳＦＥＴ５１のゲートおよびバックゲートに接続される。また、 ＭＯＳＦＥＴ５１のゲート・ソース間には、第１の放電経路である抵抗Ｒ１が設けられる。
図４（ｂ）に示す受光回路５５は、ＭＯＳＦＥＴ５７と、第１の受光素子５９と、を備える。ＭＯＦＦＥＴ５７は、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソースは接地端子３に接続され、ドレインは出力端子５に接続される。
第１の受光素子５９のアノードは、接地端子３に接続される。一方、第１の受光素子５９のカソードは、ＭＯＳＦＥＴ５７のゲートおよびバックゲートに接続される。また、 ＭＯＳＦＥＴ５７のゲート・ソース間には、第１の放電経路である抵抗Ｒ１が設けられる。
本実施形態では、第１の受光素子と、第２の受光素子と、が同一の受光素子である。バックゲート電圧により閾値電圧を制御する動作と、その効果は、受光回路１０および２０とそれぞれ同じである。
図５は、第２実施形態の変形例に係る受光回路６０を表す回路図である。同図に示すように、受光回路６０は、第１のＭＯＳＦＥＴ６１と、第２のＭＯＳＦＥＴ６３と、を含む出力段と、第１の受光素子６５と、を備える。
出力段において、第２のＭＯＳＦＥＴ６３は、第１のＭＯＳＦＥＴ６１に直列に接続される。そして、第１のＭＯＳＦＥＴ６１と、第２のＭＯＳＦＥＴ６３と、の接続点において、ハイおよびローの電圧を交互に出力する。
第１の受光素子６５は、第１のＭＯＳＦＥＴ６１および第２のＭＯＳＦＥＴ６３のそれぞれのゲートと、第１のＭＯＳＦＥＴ６１のソースと、の間に、光信号により誘起される電圧を印加する。これにより、出力段の出力をハイおよびローのいずれか一方から他方に反転させる。
本実施形態では、第１の受光素子６５は、第１のＭＯＳＦＥＴ６１のバックゲート・ソース間に光信号により誘起された電圧を印加し、第１のＭＯＳＦＥＴ６１の閾値電圧を制御する。
第１のＭＯＳＦＥＴ６１は、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴであり、第２のＭＯＳＦＥＴ６３は、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴである。そして、受光回路６０の出力段は、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴと、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴと、を含むＣＭＯＳ構造を有する。第１の受光素子６５のカソードは、接地端子３に接続され、アノードは、第１のＭＯＳＦＥＴ６１のゲートとバックゲート、および、第２のＭＯＳＦＥＴ６３のゲートに接続される。
ここでは、第１のＭＯＳＦＥＴ６１のバックゲートに第１の受光素子６５の起電圧が印加され、閾値電圧ＶＴＨが変化する。その効果は、受光回路１０と同じである。
図６は、第２実施形態の別の変形例に係る受光回路７０を表す回路図である。受光回路７０は、第１のＭＯＳＦＥＴ７１と、第２のＭＯＳＦＥＴ７３とを含み、ＣＭＯＳ構成を有する出力段と、第１の受光素子７５と、を備える。
第１のＭＯＳＦＥＴ７１は、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴであり、第２のＭＯＳＦＥＴ７３は、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴである。そして、第１のＭＯＳＦＥＴ７１は、デプレッション型ＭＯＳＦＥＴであり、第２のＭＯＳＦＥＴ７３は、エンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴである。第２のＭＯＳＦＥＴ７３は、電源端子Ｖｄｄ側に配置され、第１のＭＯＳＦＥＴ７１に直列に接続される。
第１の受光素子７５のカソードは、接地端子３に接続され、アノードは、第１のＭＯＳＦＥＴ７１のゲートおよびバックゲートに接続する。さらに、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ７７と、そのゲートおよびドレインに接続した電流源７９を、出力段に並置する。そして、第２のＭＯＳＦＥＴ７３のゲートと、ＭＯＳＦＥＴ７７のゲートと、が接続され、カレントミラー回路を構成する。
すなわち、第１のＭＯＳＦＥＴ７１と、第２のＭＯＳＦＥＴ７３と、の間の接続点における出力は、電流源７９の電流と、第１のＭＯＳＦＥＴ７１を流れる電流と、の大小で切替わる。そして、第１のＭＯＳＦＥＴ７１のバックゲート・ソース間に第１の受光素子７５の起電圧を印加することにより閾値電圧を変化させ、第１のＭＯＳＦＥＴ７１における電流制御を容易にする。
また、図示はしないが第１のＭＯＳＦＥＴ７１にエンハンスメント型ｎチャネルＭＯＳＦＥＴを用いても、同様な機能の受光回路を構成することが可能である。
（第３実施形態）
図７（ａ）および図７（ｂ）は、それぞれ第３実施形態に係る受光回路８０および９０を表す回路図である。
図７（ａ）に示す受光回路８０は、ＭＯＳＦＥＴ８１と、第１の受光素子８３と、第２の受光素子８５と、を備える。ＭＯＦＦＥＴ８１は、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソースは接地端子３に接続され、ドレインは出力端子５に接続される。
第１の受光素子８３のカソードは、接地端子３に接続され、アノードは、ＭＯＳＦＥＴ８１のゲートに接続される。一方、第２の受光素子８５のカソードは、電源端子Ｖｄｄ接続され、アノードは、ＭＯＳＦＥＴ８１のバックゲートに接続される。
ＭＯＳＦＥＴ８１のゲート・ソース間には、第１の放電経路である抵抗Ｒ１が設けられる。また、ＭＯＳＦＥＴ８１のバックゲート・ソース間には、第２の放電経路である抵抗Ｒ２が設けられる。
第２の受光素子８５は、電源端子Ｖｄｄに接続され、光信号を受けて光電流を出力するＰＤモードで動作する。そして、第２の受光素子８５と、抵抗Ｒ２と、の間の接続点の電圧、すなわち、バックゲート電圧を上昇させ、ＭＯＳＦＥＴ８１の閾値電圧ＶＴＨを低下させる。これにより、ＭＯＳＦＥＴ８１のＯＮ／ＯＦＦ制御を容易にする。
図７（ｂ）に示す受光回路９０は、ＭＯＳＦＥＴ９１と、第１の受光素子９３と、第２の受光素子９５と、を備える。ＭＯＦＦＥＴ９１は、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソースは接地端子３に接続され、ドレインは出力端子５に接続される。
第１の受光素子９３のアノードは、接地端子３に接続され、カソードは、ＭＯＳＦＥＴ９１のゲートに接続される。一方、第２の受光素子９５のカソードは、ＭＯＳＦＥＴ９１のバックゲートに接続され、アノードはマイナス電源端子Ｖｅｅに接続される。さらに、第２の受光素子９５のカソードは、抵抗Ｒ３を介して接地端子３に接続される。ＭＯＳＦＥＴ９１のゲート・ソース間には、第１の放電経路である抵抗Ｒ１が設けられる。
ここでは、第２の受光素子９５は、マイナス電源端子Ｖｅｅに接続され、光信号を受けて光電流を出力するＰＤモードで動作する。そして、第２の受光素子９５と、抵抗Ｒ３と、の間の接続点の電圧、すなわち、バックゲート電圧を上昇させ、ＭＯＳＦＥＴ９１の閾値電圧ＶＴＨを上昇させる。これにより、ＭＯＳＦＥＴ９１のＯＮ／ＯＦＦ制御を容易にする。
（第４実施形態）
図８（ａ）は、第４実施形態に係る受光回路１００を表す回路図である。同図に示すように、受光回路１００は、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１と、第２のＭＯＳＦＥＴ１０３と、を含む出力段と、第１の受光素子１０５と、第２の受光素子１０７と、を備える。
第２のＭＯＳＦＥＴ１０３は、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１に直列に接続される。出力段は、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１と、第２のＭＯＳＦＥＴ１０３と、の接続点において、ハイおよびローの電圧を交互に出力する。
第１の受光素子１０５は、光信号を受け、その光信号により誘起される電圧を、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１のゲート・ソース間に印加する。第２の受光素子１０７は、第１の受光素子１０５と同時に光信号を受け、その光信号により誘起される電圧を第２のＭＯＳＦＥＴ１０３のゲート・ソース間に印加する。そして、出力段の出力をハイ（High：Ｈ）およびロー（Ｌｏｗ：Ｌ）のいずれか一方から他方に反転させる。
さらに、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１のゲートとソースとの間に設けられた第１の放電経路と、第２のＭＯＳＦＥＴ１０３のゲートとソースとの間に設けられた第２の放電経路と、を備える。
具体的には、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１は、エンハンスメント型のｎチャネルＭＯＳＦＥＴであり、接地端子３の側に配置される。第２のＭＯＳＦＥＴ１０３は、デプレッション型のｎチャネルＭＯＳＦＥＴであり、電源端子Ｖｄｄ側に配置される。そして、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１のソース端子は、接地端子に接続され、そのドレイン端子は、第２のＭＯＳＦＥＴ１０３のソース端子に接続される。第２のＭＯＳＦＥＴ１０３のドレイン端子は、電源端子Ｖｄｄに接続される。
第１の受光素子１０５は、そのカソードが接地端子３に接続され、アノードが第１のＭＯＳＦＥＴ１０１のゲートに接続される。一方、第２の受光素子１０７は、そのアノードが接地端子３に接続され、カソードが第２のＭＯＳＦＥＴ１０３のゲートに接続される。
さらに、第１の放電経路である抵抗Ｒ４が、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１のゲート・ソース間に接続される。また、第２の放電経路である抵抗Ｒ５が、第２のＭＯＳＦＥＴ１０３のゲート・ソース間に接続される。
ここで、第１の受光素子１０５および第２の受光素子１０７は、それぞれ、太陽電池モードで動作するものとし、その起電圧をＶＢＥとする。そして、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１および第２のＭＯＳＦＥＴ１０３の閾値電圧ＶＴＨとの間に、次の式（１）が成り立つものとする。

｜ＶＴＨ｜＜ＶＢＥ ・・・（１）

これにより、第１の受光素子１０５により、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１をＯＮ／ＯＦＦ制御することが可能となる。また、第２の受光素子１０７により、第２のＭＯＳＦＥＴ１０３をＯＮ／ＯＦＦ制御することが可能となる。
次に、受光回路１００の動作を説明する。まず、光照射がないとき、第１の受光素子１０５に起電力は発生せず、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１のゲート・ソース間電圧ＶＧＳ１は０（ゼロ）Ｖであり、エンハンスメント型の第１のＭＯＳＦＥＴ１０１は、ＯＦＦ状態となる。同様に、第２の受光素子１０７にも起電力が発生せず、第２のＭＯＳＦＥＴ１０３のゲート・ソース間電圧ＶＧＳ２は０Ｖとなり、デプレッション型の第２のＭＯＳＦＥＴ１０３は、ＯＮ状態となる。
これにより、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１と、第２のＭＯＳＦＥＴ１０３と、の間の出力電圧ＶＯＵＴは、Ｈ（＝Ｖｄｄ）となる。正確には、電源電圧Ｖｄｄから第２のＭＯＳＦＥＴ１０３のドレインソース電圧ＶＤＳ２を引いた電圧となるが、以下の説明では、ＶＤＳ２は、十分小さいものとして無視する。
一方、光照射があるとき、第１の受光素子１０５に起電力が生じ、その両端に起電圧ＶＢＥが発生する。このため、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１のゲート電圧が上昇し、ＶＧＳ１は正となり、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１はＯＮ状態となる。同様に、第２の受光素子１０７にも起電力が生じ、第２のＭＯＳＦＥＴ１０３のゲート電圧が降下する。これにより、ＶＧＳ２は負となり、第２のＭＯＳＦＥＴ１０３はＯＦＦ状態となる。そして、出力電圧ＶＯＵＴは、Ｌ（＝０Ｖ）になる。
また、光照射がなくなったとき、第２のＭＯＳＦＥＴ１０３のゲート・ソース間に溜まった電荷は、放電抵抗Ｒ５を介して放電される。一方、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１のゲート-ソース間に溜まった電荷は、放電抵抗Ｒ４を介して放電される。
表１は、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１、第２のＭＯＳＦＥＴ１０３および出力電圧ＶＯＵＴを示している。
Figure 2013157731
このように、本実施形態では、第１の受光素子１０５および第２の受光素子１０７が、光信号を受けて太陽電池モードで動作し、それぞれ第１のＭＯＳＦＥＴ１０１および第２のＭＯＳＦＥＴ１０３をＯＮ／ＯＦＦ制御する。そして、出力電圧ＶＯＵＴの反転時以外は、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１および第２のＭＯＳＦＥＴ１０３が同時にＯＮしないため、静的な電流は流れない。このため、受光回路１００では、平均的な消費電力を抑制することができる。
図８（ｂ）は、第４実施形態の変形例に係る受光回路１５０を表す回路図である。受光回路１５０では、受光回路１００の第１の受光素子１０５および第２の受光素子１０７に代えて、それぞれ第１の受光素子１１５および第２の受光素子１１７が配置される。第１の受光素子１１５および第２の受光素子１１７は、それぞれ直列接続された複数のフォトダイオード（ＰＤ）を含んでいる。これにより、受光回路１００よりも高い起電力ＶＢＥを、第１のＭＯＳＦＥＴ１０１及び第２のＭＯＳＦＥＴ１０３に印加することができる。
（第５実施形態）
図９は、第５実施形態に係る受光回路２００を表す回路図である。受光回路２００は、第１のＭＯＳＦＥＴ２０１と、第２のＭＯＳＦＥＴ２０３と、を含む出力段と、第１の受光素子２０５と、第２の受光素子２０７と、を備える。
第１のＭＯＳＦＥＴ２０１は、デプレッション型のｐチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのドレイン端子が接地され、ソース端子は、第２のＭＯＳＦＥＴ２０３のドレイン端子に接続される。第２のＭＯＳＦＥＴ２０３は、エンハンスメント型のｐチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのドレイン端子は、電源端子Ｖｄｄに接続される。
第１の受光素子２０５は、そのカソードが電源端子Ｖｄｄに接続され、アノードが第１のＭＯＳＦＥＴ２０１のゲートに接続される。一方、第２の受光素子２０７は、そのアノードが電源端子Ｖｄｄに接続され、カソードが第２のＭＯＳＦＥＴ２０３のゲートに接続される。
さらに、第１の放電経路である抵抗Ｒ６が、第１のＭＯＳＦＥＴ２０１のゲート・ソース間に接続される。また、第２の放電経路である抵抗Ｒ７が、第２のＭＯＳＦＥＴ２０３のゲート・ソース間に接続される。
本実施形態では、第１の受光素子２０５は、太陽電池モードで動作し、光信号を受けて第１のＭＯＳＦＥＴ２０１のゲート電圧を制御する。一方、第２の受光素子２０７は、太陽電池モードで動作し、光信号により誘起された電圧を第２のＭＯＳＦＥＴ２０３のゲート・ソース間に印加する。
受光回路２００の光照射有無による、動作状態を表２に示す。
Figure 2013157731
光照射があるとき、第１の受光素子２０５に光電流が流れ、第１のＭＯＳＦＥＴ２０１のゲート電圧がＶｄｄ＋ＶＢＥになるまでゲート・ソース間の容量を充電する。このため、ＶＧＳ１は正となり、第１のＭＯＳＦＥＴ２０１はＯＦＦ状態となる。第２の受光素子２０７には起電圧ＶＢＥが生じ、第２のＭＯＳＦＥＴ２０３のゲート電圧が降下する。これにより、ＶＧＳ２は負となり、第２のＭＯＳＦＥＴ２０３はＯＮ状態となる。そして、出力電圧ＶＯＵＴは、Ｈ（＝Ｖｄｄ）となる。この場合も、ＶＢＥと、第１のＭＯＳＦＥＴ２０１および第２のＭＯＳＦＥＴ２０３の閾値電圧｜ＶＴＨ｜は、式（１）の条件を満足する。
一方、光照射がなくなったとき、第１の受光素子２０５に光電流は流れず、第１のＭＯＳＦＥＴ２０１のゲート電圧が低下し、ソース間電圧ＶＧＳ１は０（ゼロ）Ｖとなる。そして、第１のＭＯＳＦＥＴ２０１は、ＯＮ状態に反転する。第２の受光素子２０７には起電力が発生せず、第２のＭＯＳＦＥＴ２０３のゲート電圧が上昇する。ゲート・ソース間電圧ＶＧＳ２が０Ｖとなり、第２のＭＯＳＦＥＴ２０３はＯＦＦ状態となる。これにより、第１のＭＯＳＦＥＴ２０１と、第２のＭＯＳＦＥＴ２０３と、の間の出力電圧ＶＯＵＴは、Ｌ（＝０Ｖ）となる。
第１のＭＯＳＦＥＴ２０１のゲート・ソース間に溜まった電荷は、放電抵抗Ｒ６を介して放電される。一方、第２のＭＯＳＦＥＴ２０３のゲート-ソース間に溜まった電荷は、放電抵抗Ｒ７を介して放電される。
本実施形態では、第１のＭＯＳＦＥＴ２０１および第２のＭＯＳＦＥＴ２０３は、出力電圧ＶＯＵＴの反転時以外は同時にＯＮしない。このため、静的な電流は流れず、受光回路２００の平均的な消費電力が抑制される。
（第６実施形態）
図１０は、第６実施形態に係る受光回路３００を表す回路図である。受光回路３００は、第１のＭＯＳＦＥＴ３０１と、第２のＭＯＳＦＥＴ３０３と、を含む出力段と、第１の受光素子３１１と、第２の受光素子３１３と、を備える。さらに、受光回路３００は、第１のＭＯＳＦＥＴ３０１のバックゲート側に設けられた第３の受光素子３１５と、第２のＭＯＳＦＥＴ３０３のバックゲート側に設けられた第４の受光素子３１７と、を備える。
第１のＭＯＳＦＥＴ３０１は、エンハンスメント型のｎチャネルＭＯＳＦＥＴであり、接地端子３の側に配置される。第２のＭＯＳＦＥＴ３０３は、デプレッション型のｎチャネルＭＯＳＦＥＴであり、電源端子Ｖｄｄ側に配置される。そして、第１のＭＯＳＦＥＴ３０１のソース端子は、接地端子３に接続され、そのドレイン端子は、第２のＭＯＳＦＥＴ３０３のソース端子に接続される。第２のＭＯＳＦＥＴ３０３のドレイン端子は、電源端子Ｖｄｄに接続される。
第１の受光素子３１１は、そのカソードが接地端子３に接続され、アノードが第１のＭＯＳＦＥＴ３０１のゲートに接続される。一方、第２の受光素子３１３は、そのアノードが接地端子３に接続され、カソードが第２のＭＯＳＦＥＴ３０３のゲートに接続される。
さらに、第１の放電経路である抵抗Ｒ８が、第１のＭＯＳＦＥＴ３０１のゲート・ソース間に接続される。また、第２の放電経路である抵抗Ｒ９が、第２のＭＯＳＦＥＴ３０３のゲート・ソース間に接続される。
第３の受光素子３１５は、そのカソードが接地端子３に接続され、アノードが第１のＭＯＳＦＥＴ３０１のバックゲートに接続される。第４の受光素子３１７は、そのアノードが接地端子３に接続され、カソードが第２のＭＯＳＦＥＴ３０３のバックゲートに接続される。
さらに、第３の放電経路である抵抗Ｒ１０が、第１のＭＯＳＦＥＴ３０１のバックゲート・ソース間に接続される。また、第４の放電経路である抵抗Ｒ１１が、第２のＭＯＳＦＥＴ３０３のバックゲート・ソース間に接続される。
本実施形態では、第３の受光素子３１５が第１のＭＯＳＦＥＴ３０１の閾値電圧を低下させ、第４の受光素子３１７が第２のＭＯＳＦＥＴ３０３の閾値電圧を上昇させる。このため、第１の受光素子３１１および第２の受光素子３１３の起電圧ＶＢＥと、第１のＭＯＳＦＥＴ３０１および第２のＭＯＳＦＥＴ３０３の閾値電圧ＶＴＨと、の間の大小関係が、

｜ＶＢＥ｜＜｜ＶＴＨ｜ ・・・（２）

であっても、第１の受光素子３１１により、第１のＭＯＳＦＥＴ３０１をＯＮ／ＯＦＦ制御することができる。また、第１の受光素子３１３により、第２のＭＯＳＦＥＴ３０３をＯＮ／ＯＦＦ制御することができる。
受光回路３００の動作は、表１に示す受光回路１００の動作と同じである。本実施形態でも、静的な電流を抑制した低消費電力の動作が可能である。
光照射がないとき、第１のＭＯＳＦＥＴ３０１はＯＦＦ状態であり、第２のＭＯＳＦＥＴ３０３はＯＮ状態である。第１〜第４の受光素子が光を受けると、第１のＭＯＳＦＥＴ３０１をＯＮ状態、第２のＭＯＳＦＥＴ３０３をＯＦＦ状態に反転させ、出力電圧ＶＯＵＴをＬ（＝０Ｖ）に反転させる。
光照射があるとき、第３の受光素子３１５に起電圧ＶＢＥが生じ、第１のＭＯＳＦＥＴ３０１のバックゲート電圧が高くなる。このため、閾値電圧ＶＴＨが低下し、式（２）に示す状態であっても、第１の受光素子３１１の起電圧ＶＢＥにより第１のＭＯＳＦＥＴ３０１をＯＮ状態に反転させることが可能となる。また、第４の受光素子３１７にも起電圧−ＶＢＥが生じ、第２のＭＯＳＦＥＴ３０３のバックゲート電圧を低下させる。これにより、第２のＭＯＳＦＥＴ３０３の閾値電圧ＶＴＨが上昇し、すなわち、絶対値｜ＶＴＨ｜が小さくなり、第２の受光素子３１３の起電圧−ＶＢＥにより第２のＭＯＳＦＥＴ３０３をＯＦＦ状態に反転させることが可能となる。
なお、第１の受光素子３１１のアノードを第１のＭＯＳＦＥＴ３０１のバックゲートに接続し、第３の受光素子３１５および抵抗Ｒ１０を省略する構成も可能である。また、第２の受光素子３１３のカソードを第２のＭＯＳＦＥＴ３０３のバックゲートに接続し、第４の受光素子３１７および抵抗Ｒ１１を省略する構成も可能である。
図１１は、第６実施形態の変形例に係る受光回路４００を表す回路図である。受光回路４００では、受光回路３００における第１〜第４の各放電経路の抵抗Ｒ８〜１１を、ゲート・ソース間をショートしたデプレッション型のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ４２１、４２３、４２５および４２７に置き換えている。
ＭＯＳＦＥＴ４２１〜４２７は、常時ＯＮ状態であり、第１のＭＯＳＦＥＴ３０１のゲート・ソース間およびバックゲート・ソース間、第２のＭＯＳＦＥＴ３０３のゲート・ソース間およびバックゲート・ソース間に溜まった電荷を、抵抗を用いた放電経路より速く放電することができる。そして、ゲート電圧が下がり切る時間を短くすることができる。
（第７実施形態）
図１２は、第７実施形態に係る受光回路５００を表す回路図である。受光回路５００は、第１のＭＯＳＦＥＴ５０１と、第２のＭＯＳＦＥＴ５０３と、を含む出力段と、第１の受光素子５１１と、第２の受光素子５１３と、を備える。さらに、受光回路５００は、第１のＭＯＳＦＥＴ５０１のバックゲート側に設けられた第３の受光素子５１５と、第２のＭＯＳＦＥＴ５０３のバックゲート側に設けられた第４の受光素子５１７と、を備える。
第１のＭＯＳＦＥＴ５０１は、デプレッション型のｐチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのドレイン端子が接地され、ソース端子は、第２のＭＯＳＦＥＴ５０３のドレイン端子に接続される。第２のＭＯＳＦＥＴ５０３は、エンハンスメント型のｐチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソース端子は、電源端子Ｖｄｄに接続される。
第１の受光素子５１１は、そのカソードが電源端子Ｖｄｄに接続され、アノードが第１のＭＯＳＦＥＴ５０１のゲートに接続される。一方、第２の受光素子５１３は、そのアノードが電源端子Ｖｄｄに接続され、カソードが第２のＭＯＳＦＥＴ５０３のゲートに接続される。
さらに、第１の放電経路である抵抗Ｒ１２が、第１のＭＯＳＦＥＴ５０１のゲート・ソース間に接続される。また、第２の放電経路である抵抗Ｒ１３が、第２のＭＯＳＦＥＴ２０３のゲート・ソース間に接続される。
第３の受光素子５１５は、そのカソードが電源端子Ｖｄｄに接続され、アノードが第１のＭＯＳＦＥＴ５０１のバックゲートに接続される。第２の受光素子５１７は、そのアノードが電源端子Ｖｄｄに接続され、カソードが第２のＭＯＳＦＥＴ５０３のバックゲートに接続される。
さらに、第３の放電経路である抵抗Ｒ１４が、第１のＭＯＳＦＥＴ５０１のバックゲート・ソース間に接続される。また、第４の放電経路である抵抗Ｒ１５が、第２のＭＯＳＦＥＴ５０３のバックゲート・ソース間に接続される。
本実施形態では、第１の受光素子５１１は、太陽電池モードで動作し、光信号を受けて第１のＭＯＳＦＥＴ５０１のゲート電圧を制御する。一方、第２の受光素子５１３は、太陽電池モードで動作し、光信号により誘起された電圧ＶＢＥを第２のＭＯＳＦＥＴ５０３のゲート・ソース間に印加する。
さらに、第３の受光素子５１５は、太陽電池モードで動作し、光信号を受けて第１のＭＯＳＦＥＴ５０１のバックゲート電圧を制御する。一方、第２の受光素子５１７は、太陽電池モードで動作し、光信号により誘起された電圧ＶＢＥを第２のＭＯＳＦＥＴ５０３のバックゲート・ソース間に印加する。
受光回路５００の動作は、表２に示す受光回路２００の動作と同じである。本実施形態でも、静的な電流を抑制した低消費電力の動作が可能である。
光照射がないとき、第１のＭＯＳＦＥＴ５０１はＯＮ状態であり、第２のＭＯＳＦＥＴ５０３はＯＦＦ状態にある。第１〜第４の受光素子が光を受けると、第１のＭＯＳＦＥＴ５０１をＯＦＦ状態、第２のＭＯＳＦＥＴ５０３をＯＮ状態に反転させ、出力電圧ＶＯＵＴをＨ（＝Ｖｄｄ）に反転させる。
光照射があるとき、第３の受光素子５１５は光電流を流し、第１のＭＯＳＦＥＴ５０１のバックゲート電圧をＶｄｄ＋ＶＢＥに上昇させる。このため、閾値電圧ＶＴＨが上昇する。第１のＭＯＳＦＥＴ５０１をＯＦＦ状態に反転させることが容易になる。また、第４の受光素子５１７には、起電圧ＶＢＥが生じ、第２のＭＯＳＦＥＴ５０３のバックゲート電圧を低下させる。これにより、第２のＭＯＳＦＥＴ５０３の閾値電圧が上昇し、すなわち、絶対値｜ＶＴＨ｜が小さくなり、第２の受光素子の起電圧ＶＢＥにより第２のＭＯＳＦＥＴ５０３をＯＮ状態に反転させることが可能となる。
（第８実施形態）
図１３は、第８実施形態に係る受光回路６００を表す回路図である。受光回路６００は、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１と、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３と、を含む出力段を備える。そして、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１を制御する第３のＭＯＳＦＥＴ６０５と、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５を制御する第１の受光素子６１１と、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３を制御する第２の受光素子６１３と、を備える。
第１のＭＯＳＦＥＴ６０１は、エンハンスメント型のｎチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソース端子が接地され、ドレイン端子は、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３のソース端子に接続される。第２のＭＯＳＦＥＴ６０３は、デプレッション型のｎチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのドレイン端子は、電源端子Ｖｄｄに接続される。
第１のＭＯＳＦＥＴ６０１のゲート・ソース間には、第１の放電経路である抵抗Ｒ１７が設けられる。また、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３のゲート・ソース間には、第２の放電経路である抵抗Ｒ１８が設けられる。
第１の受光素子６１１は、そのアノードが接地端子に接続され、カソードが第３のＭＯＳＦＥＴ６０５のゲートに接続される。第３のＭＯＳＦＥＴは、エンハンスメント型のｐチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソース端子は電源端子Ｖｄｄに接続される。また、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５のドレイン端子は、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１のゲートに接続される。第３のＭＯＳＦＥＴ６０５のゲート・ソース間には、第５の放電経路である抵抗Ｒ１６が設けられる。
第２の受光素子６１３は、そのアノードが接地端子に接続され、カソードが第２のＭＯＳＦＥＴ６０３のゲートに接続される。
受光回路６００では、第１の受光素子６１１は、ＰＤモードで動作し、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５をＯＮ／ＯＦＦ制御する。第２の受光素子６１３は、太陽電池モードで動作し、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３をＯＮ/ＯＦＦ制御する。
次に、受光回路６００の動作を説明する。
まず、光照射のないとき、第１の受光素子６１１には光電流が流れず、抵抗Ｒ１６にも電流が流れない。このため、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５のゲート・ソース間電圧ＶＧＳ３は０Ｖとなり、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５はＯＦＦ状態である。そして、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１のゲート電圧も上昇せず、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１のゲート・ソース間電圧ＶＧＳ２は０Ｖであり、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１はＯＦＦ状態にある。第２の受光素子６１３においても起電力が発生せず、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３のゲート・ソース間電圧ＶＧＳ２は０Ｖとなり、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３は、ＯＮ状態となる。
そして、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１と、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３と、の間の接続点における出力電圧ＶＯＵＴは、Ｈ（＝Ｖｄｄ）となる。
一方、光照射がある場合には、第１の受光素子６１１に光電流が流れるため、抵抗Ｒ１６に電圧降下が生じ、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５のゲート電圧が降下する。そして、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５のゲート・ソース間電圧ＶＧＳ３が、閾値電圧ＶＴＨよりも低くなると、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５はＯＮ状態となる。このため、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１のゲート電圧が上昇し、ＶＧＳ２が正になると、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１がＯＮ状態となる。同時に、第２の受光素子６１３には起電力が生じ、そのアノード・カソード間に起電圧ＶＢＥが発生する。このため、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３のゲート電圧が降下し、ＶＧＳ２が負になると、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３はＯＦＦ状態になる。そして、出力電圧ＶＯＵＴは、Ｌ（＝０Ｖ）に反転する。
再び、光照射がなくなると、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５がＯＦＦ状態となり、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１のゲート・ソース間に溜まった電荷は、抵抗Ｒ１７を介して放電される。これにより、ＶＧＳ１が０Ｖとなり、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１はＯＦＦ状態になる。第２の受光素子６１３の起電力も無くなり、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３のゲート・ソース間に溜まった電荷も抵抗１８を介して放電され、ＶＧＳ２が低下する。これにより、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３はＯＮ状態となる。
上記の動作状態を表３に示す。
Figure 2013157731
本実施形態では、光照射が開始されると、電源端子Ｖｄｄと接地端子との間に、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５と、抵抗Ｒ１７と、を介した電流パスが出来てしまうため、静的な電流が流れてしまうが、光照射が無い場合は、電源端子Ｖｄｄと接地端子との間に電流パスが生じない。このため、静的な電流が抑制され、動作時の平均的な消費電力を低減することができる。
図１４は、第８実施形態の変形例に係る受光回路７００を表す回路図である。受光回路７００では、第１の受光素子６１１のカソードが、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５のゲートおよびバックゲートに接続されている。また、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５のドレイン端子と、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１のゲートと、の間に抵抗Ｒ１９が挿入されている。そして、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５のドレイン端子が、抵抗１９を介して第１のＭＯＳＦＥＴ６０１のバックゲートにも接続される。さらに、第２の受光素子６１３のカソードが、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３のゲートおよびバックゲートに接続される。
受光回路７００の動作は、表３に示す受光回路６００と同じであるが、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５のバックゲートに電圧が印加されることにより、閾値電圧ＶＴＨが低減される。これにより、各ＭＯＳＦＥＴのＯＮ／ＯＦＦ制御が容易になる。そして、第２の受光素子６１３の起電圧ＶＢＥが、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３の閾値電圧ＶＴＨの絶対値より小さくても、第２のＭＯＳＦＥＴ６０３をＯＮ／ＯＦＦ制御することが可能となる。
さらに、第３のＭＯＳＦＥＴ６０５のドレイン端子と、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１と、の間に抵抗Ｒ１９を挿入したことにより、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１のゲート電位が下がる。これにより、光照射が無くなった場合に、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１のゲート・ソース間に溜まった電荷を、抵抗Ｒ１７を介してすばやく放電することができる。すなわち、受光回路６００に比べ、第１のＭＯＳＦＥＴ６０１のＯＮからＯＦＦ状態への移行が速くなる。そして、出力電圧ＶＯＵＴのＬからＨへのスイッチングを速くすることができる。
（第９実施形態）
図１５は、第９実施形態に係る受光回路８００を表す回路図である。受光回路８００は、第１のＭＯＳＦＥＴ８０１と、第２のＭＯＳＦＥＴ８０３と、を含む出力段を備える。そして、第１のＭＯＳＦＥＴ８０１と第２のＭＯＳＦＥＴ８０３とを制御する第３のＭＯＳＦＥＴ８０５と、第３のＭＯＳＦＥＴ８０５を制御する第１の受光素子８１１と、を備える。
第１のＭＯＳＦＥＴ８０１は、エンハンスメント型のｎチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソース端子が接地され、ドレイン端子は、第２のＭＯＳＦＥＴ８０３のドレイン端子に接続される。第２のＭＯＳＦＥＴ８０３は、エンハンスメント型のｐチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソース端子は、電源端子Ｖｄｄに接続される。
第１の受光素子８１１は、アノードが接地端子３に接続され、カソードが第３のＭＯＳＦＥＴ８０５のゲートに接続される。
第３のＭＯＳＦＥＴ８０５は、エンハンスメント型のｐチャネルＭＯＳＦＥＴであり、そのソースが電源端子Ｖｄｄに接続される。そして、第３のＭＯＳＦＥＴ８０５のドレインは、第１のＭＯＳＦＥＴ８０１および第２のＭＯＳＦＥＴ８０３のゲートに接続される。また、第３のＭＯＳＦＥＴ８０５のドレインは、デプレッション型のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８０７を介して、接地端子３に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ８０７は、ゲート・ソース間が短絡されており、常時ＯＮ状態にある。また、第３のＭＯＳＦＥＴ８０５のゲート・ソース間には、第５の放電経路である抵抗Ｒ２０が設けられている。
受光回路８００では、第１の受光素子８１１は、ＰＤモードで動作し、光照射があると光電流が流れる。これにより、抵抗Ｒ２０に電圧降下が生じて第３のＭＯＳＦＥＴ８０５のゲート電圧が低下し、第３のＭＯＳＦＥＴ８０５はＯＮ状態になる。そして、第３のＭＯＳＦＥＴ８０５のドレイン電流ＩＤ１と、ＭＯＳＦＥＴ８０７のドレイン電流ＩＤ２との間に、

ＩＤ１＞ＩＤ２ ・・・（３）

の関係が成立する場合、第１のＭＯＳＦＥＴ８０１および第２のＭＯＳＦＥＴ８０３のゲート電圧が上昇する。これにより、第１のＭＯＳＦＥＴ８０１のゲート・ソース間電圧ＶＧＳ１は正になり、第１のＭＯＳＦＥＴ８０１はＯＮ状態となる。一方、第２のＭＯＳＦＥＴ８０３のゲート・ソース間電圧ＶＧＳ２は０Ｖに近づき、第２のＭＯＳＦＥＴ８０３はＯＦＦ状態となる。よって、第１のＭＯＳＦＥＴ８０１と第２のＭＯＳＦＥＴ８０３との間の出力電圧ＶＯＵＴは、Ｌ（＝０Ｖ）となる。
光照射が無い場合、第１の受光素子８１１に光電流は流れないため、抵抗２０の電圧降下は生じない。したがって、第３のＭＯＳＦＥＴ８０５のＶＧＳ３は０Ｖであり、第３のＭＯＳＦＥＴ８０５はＯＦＦ状態となる。ＭＯＳＦＥＴ８０７は、常時ＯＮであるため、第１のＭＯＳＦＥＴ８０１および第２のＭＯＳＦＥＴ８０３のゲート電圧が降下する。これにより、第１のＭＯＳＦＥＴ８０１のＶＧＳ１は０Ｖとなり、第１のＭＯＳＦＥＴ８０１はＯＦＦ状態となる。一方、第２のＭＯＳＦＥＴ８０３のＶＧＳ２は負となり、第２のＭＯＳＦＥＴ８０１はＯＮ状態となる。よって、出力電圧ＶＯＵＴは、Ｈ（＝Ｖｄｄ）となる。
上記の受光回路８００の動作を表４に示す。
Figure 2013157731
本実施形態では、第１の受光素子８１１をＰＤモードで動作させ、第１のＭＯＳＦＥＴ８０１および第２のＭＯＳＦＥＴ８０３をＯＮ／ＯＦＦ制御する。このため、受光回路８００は、高速動作する。すなわち、太陽電池モードで動作させる場合に比べて、逆バイアスのかかるＰＤモードの方が、接合容量が小さくなり動作が速くなる。また、第１のＭＯＳＦＥＴ８０１および第２のＭＯＳＦＥＴ８０３をＣＭＯＳ動作させることにより、消費電力を低減することができる。
以上、第１〜第９の実施形態について説明したが、実施形態はこれらに限定される訳ではない。例えば、第６の実施形態に示したように、各放電経路には、抵抗に代えてデプレッション型のＭＯＳＦＥＴを用いることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
（付記１）
第１のＭＯＳＦＥＴと、前記第１のＭＯＳＦＥＴに直列に接続された第２のＭＯＳＦＥＴと、を含み、前記第１のＭＯＳＦＥＴと、前記第２のＭＯＳＦＥＴと、の接続点において、ハイおよびローの電圧を交互に出力する出力段と、
前記第１のＭＯＳＦＥＴをＯＮ／ＯＦＦ制御する第１の受光素子と、前記第２のＭＯＳＦＥＴをＯＮ／ＯＦＦ制御する第２の受光素子と、
を備えた受光回路。
（付記２）
第１のＭＯＳＦＥＴと、前記第１のＭＯＳＦＥＴに直列に接続された第２のＭＯＳＦＥＴと、を含み、前記第１のＭＯＳＦＥＴと、前記第２のＭＯＳＦＥＴと、の接続点において、ハイおよびローの電圧を交互に出力する出力段と、
前記第１のＭＯＳＦＥＴをＯＮ／ＯＦＦ制御する第１の受光素子と、前記第２のＭＯＳＦＥＴをＯＮ／ＯＦＦ制御する第２の受光素子と、
を備え、
前記第１の受光素子および前記第２の受光素子の少なくともいずれか一方は、太陽電池モードで動作する受光回路。
（付記３）
前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲートとソースとの間に設けられた第１の放電経路と、
前記第２のＭＯＳＦＥＴのゲートとソースとの間に設けられた第２の放電経路と、を備えた付記１または２記載の受光回路。
（付記４）
前記第１の受光素子および前記第２の受光素子の他方は、ＰＤモードで動作する付記２または３に記載の受光回路。
（付記５）
前記第１の受光素子および前記第２の受光素子の両方が、太陽電池モードで動作する付記２または３に記載の受光回路。
（付記６）
前記第１のＭＯＳＦＥＴのバックゲートに接続され第３の受光素子と、
前記第２のＭＯＳＦＥＴのバックゲートに接続された第４の受光素子と、
をさらに備え、
前記第３の受光素子および前記第４の受光素子の少なくともいずれか一方は、太陽電池モードで動作する付記２〜５のいずれか１つに記載の受光回路。
（付記７）
前記第１のＭＯＳＦＥＴのバックゲートとソースとの間に設けられた第３の放電経路と、
前記第２のＭＯＳＦＥＴのバックゲートとソースとの間に設けられた第４の放電経路と、
を備えた付記６記載の受光回路。
（付記８）
前記第３の受光素子および前記第４の受光素子の他方は、ＰＤモードで動作する付記６または７に記載の受光回路。
（付記９）
前記第３の受光素子および前記第４の受光素子の両方が、太陽電池モードで動作する付記６または７に記載の受光回路。
（付記１０）
前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲート電圧を制御する第３のＭＯＳＦＥＴをさらに備え、
前記第１の受光素子は、前記第３のＭＯＳＦＥＴのゲート電圧を制御することにより、前記第１のＭＯＳＦＥＴをＯＮ/ＯＦＦ制御する付記２〜４のいずれか１つに記載の受光回路。
（付記１１）
前記第１のＭＯＳＦＥＴ、前記第２のＭＯＳＦＥＴおよび前記第３のＭＯＳＦＥＴにおいて、バックゲートがゲートに接続された付記１０記載の受光回路。
（付記１２）
前記第１のＭＯＳＦＥＴおよび前記第２のＭＯＳＦＥＴの一方はエンハンスメント型ＦＥＴであり、他方はデプレッション型ＦＥＴである付記１〜１１のいずれか１つに記載の受光回路。
（付記１３）
第１のＭＯＳＦＥＴと、前記第１のＭＯＳＦＥＴに直列に接続された第２のＭＯＳＦＥＴと、を含み、前記第１のＭＯＳＦＥＴと、前記第２のＭＯＳＦＥＴと、の接続点において、ハイおよびローの電圧を交互に出力する出力段と、
前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲート電圧と、前記第２のＭＯＳＦＥＴのゲート電圧と、を制御する第３のＭＯＳＦＥＴと、
光信号を受けて前記第３のＭＯＳＦＥＴのゲート電極を変化させ、前記出力段の出力を前記ハイおよび前記ローのいずれか一方から他方に反転させる受光素子と、
を備えた受光回路。
（付記１４）
前記前記第１のＭＯＳＦＥＴおよび前記第２のＭＯＳＦＥＴの一方はＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴであり、他方はＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴである付記１３記載の受光回路。
３・・・接地端子、 ５・・・出力端子、 １１、２１、３１、４１、５１、５７、８１、９１・・・ＭＯＳＦＥＴ、 ６１、７１、１０１、２０１、３０１、５０１、６０１、８０１・・・第１のＭＯＳＦＥＴ、 ６３、７３、１０３、２０３、３０３、５０３、６０３、８０３・・・第２のＭＯＳＦＥＴ、 １３、２３、３３、４３、５３、５９、６５、７５、８３、９３、１０５、１１５、２０５、３１１、５１１、６１１、８１１・・・第１の受光素子、 １５、２５、３５、４５、１０７、１１７、２０７、３１３、５１３、６１３・・・第２の受光素子、 ７９・・・電流源、３１５、５１５・・・第３の受光素子、３１７、５１７・・・第４の受光素子、４２１、４２３、４２４、４２７、６０５、８０５、８０７・・・ＭＯＳＦＥＴ、 １０、２０、３０、４０、５０、５５、６０、７０、８０、９０、１００、１５０、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００・・・受光回路

Claims (6)

  1. ＭＯＳＦＥＴと、
    光信号により誘起される電圧を前記ＭＯＳＦＥＴのゲート・ソース間に印加し、前記ＭＯＳＦＥＴをＯＮ／ＯＦＦ制御する第１の受光素子と、
    前記ＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を制御する第２の受光素子と、
    を備えた受光回路。
  2. 前記第２の受光素子は、前記光信号により誘起される電圧を前記ＭＯＳＦＥＴのバックゲート・ソース間に印加し、前記ＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を制御する請求項１記載の受光回路。
  3. 前記第２の受光素子は、前記光信号を受けて前記ＭＯＳＦＥＴのバックゲート電圧を変化させ前記ＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を制御する請求項１記載の受光回路。
  4. 前記ＭＯＳＦＥＴのゲートとソースとの間に設けられた第１の放電経路と、
    前記ＭＯＳＦＥＴのバックゲートとソースとの間に設けられた第２の放電経路と、
    をさらに備えた請求項１〜３のいずれか１つに記載の受光回路。
  5. 前記第１の受光素子と、前記第２の受光素子と、が同一の受光素子である請求項１記載の受光回路。
  6. 第１のＭＯＳＦＥＴと、前記第１のＭＯＳＦＥＴに直列に接続された第２のＭＯＳＦＥＴと、を含み、前記第１のＭＯＳＦＥＴと、前記第２のＭＯＳＦＥＴと、の接続点において、ハイおよびローの電圧を交互に出力する出力段と、
    前記第１のＭＯＳＦＥＴおよび前記第２のＭＯＳＦＥＴのゲートに光信号により誘起される電圧を印加し、前記出力段の出力を前記ハイおよび前記ローのいずれか一方から他方に反転させる受光素子と、
    を備え、
    前記受光素子は、前記第１のＭＯＳＦＥＴおよび前記第２のＭＯＳＦＥＴの少なくともいずれか一方のバックゲート・ソース間に前記光信号により誘起された電圧を印加し、少なくとも前記いずれか一方の閾値電圧を制御する受光回路。
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