TW201330500A - 射頻切換器、應用於射頻切換器的輔助電壓產生單元和得到射頻切換器的輔助電壓的方法 - Google Patents

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Abstract

應用於射頻切換器的輔助電壓產生單元一第一輸入端、一第二輸入端及至少一輸出端。該第一輸入端和該第二輸入端是用以分別接收一第一控制信號和一第二控制信號。該第一控制信號和該第二控制信號是用以決定是否導通該射頻切換器中的複數條路徑中的其一。該至少一輸出端是用以輸出一輔助電壓，該輔助電壓產自於該第一控制信號或該第二控制信號中的其一。該輔助電壓是用以操作該射頻切換器。該輔助電壓是為一偏壓及/或用以供電給一反相器的一電壓，該反相器可用以決定是否導通一條做為隔離或作為並聯的分支。

Description

射頻切換器、應用於射頻切換器的輔助電壓產生單元和得到射頻切換器 的輔助電壓的方法
本發明是有關於一種射頻切換器、應用於射頻切換器的輔助電壓產生單元和得到射頻切換器的輔助電壓的方法，尤指一種具有簡單的方式從控制信號或控制電壓得到偏壓和其他輔助電壓的射頻切換器、應用於射頻切換器的輔助電壓產生單元和得到射頻切換器的輔助電壓的方法。
射頻切換器在許多有線和無線通信系統中都是非常重要的建置區塊。因此，射頻切換器可被發現在許多不同的通信系統中，例如行動電話、無線傳呼機、無線基礎設施、衛星通信裝置以及有線電視設備等。眾所週知的是，射頻切換器的效能可由任意包含饋入損失和切換隔離的操作效能參數之一所評估。操作效能參數之間通常是環環相扣，因此在設計射頻切換器的元件時，可犧牲其他操作效能參數以突出任一操作效能參數。另外，在設計射頻切換器的其他重要特點包含射頻切換器的易用性、集成度、複雜度、良率、反射損耗及製造成本。
請參照第10圖，第10圖是為現有技術說明一種假晶高速電子移動率場效電晶體(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,pHEMT)的射頻切換器500的示意圖。射頻切換器500包含一共同射 頻輸入端501和二射頻輸出端502、503。如第10圖所示，在共同射頻輸入端501和射頻輸出端502、503中，都有相對應的耦合/直流阻隔電容。熟知現有技術者可知耦合/直流阻隔電容式是用以阻隔直流電流通過，但對於交流信號並沒有明顯的影響。
如第10圖所示，電晶體M51、M52、M53及M54是被用來達成共同射頻輸入端501和射頻輸出端502之間，或共同射頻輸入端501和射頻輸出端503之間的射頻通信，其中電晶體M51是被設置在共同射頻輸入端501和射頻輸出端502之間、電晶體M52是被設置在射頻輸出端502和一地端之間、電晶體M53是被設置在共同射頻輸入端501和射頻輸出端503之間以及電晶體M54是被設置在射頻輸出端503和地端之間。如第10圖所示，電晶體M51、M52、M53及M54中的每一電晶體都包含一些耦接於每一電晶體的汲極與源極之間的旁路電阻。
如第10圖所示，二控制信號VC1和VC2分別施用於電晶體M51和電晶體M53的閘極，以控制由共同射頻輸入端501輸入的射頻信號所通過的路徑(共同射頻輸入端501至射頻輸出端502，或共同射頻輸入端501至射頻輸出端503)。如第10圖所示，控制信號VC1是為3.3V用以開啟電晶體M51，以及控制信號VC2是為0V用以關閉電晶體M53。因此，此時的射頻信號所通過的路徑是為共同射頻輸入端501至射頻輸出端502。另外，電晶體M52和電晶體M54不是導通作為隔離分支就是導通作為並聯分支，端看哪一路徑(共同射頻輸入端501 至射頻輸出端502或共同射頻輸入端501至射頻輸出端503)被選擇。亦即當控制信號VC1是為高電位(3.3V)時，一控制信號VC1B(施用於電晶體M52的閘極的控制信號)被控制在一低電位(例如0V)。因為控制信號VC1B是為低電位，因此電晶體M52被關閉，因此被隔離於共同射頻輸入端501至射頻輸出端502之間的路徑。此時，一控制信號VC2B被設定為一高電位或等於控制信號VC1，以開啟電晶體M54，並開啟射頻輸出端503與地端之間的交流信號並聯路徑。如此，當射頻輸出端503沒有被選擇輸出共同射頻輸入端501所接收的交流信號時，射頻輸出端503與地端之間的交流信號並聯路徑被開啟，以確保沒有信號(或是很少量信號)出現在射頻輸出端503。另外，控制信號VC1、VC1B、VC2和VC2B是通過相對應的電阻施用到電晶體M51、M52、M53及M54的閘極。
如第10圖所示，射頻切換器500在高功率操作時，節點525的電壓必須不僅高到足以控制電晶體M51在一具有正的閘源極電壓Vgs的順向偏壓(亦即控制信號VC1減去節點525的電壓)，以降低開啟的饋入損失，亦要在射頻切換器500輸出高功率電壓時，維持電晶體M52足夠的逆向偏壓(0V減去節點525的電壓)以避免電晶體M52被開啟。
對於空乏假晶高速電子移動率場效電晶體(depletion pHEMT)元件而言，空乏假晶高速電子移動率場效電晶體元件的閥值電壓(Vth)約為-1V。因為假晶高速電子移動率場效電晶體元件具有相對大的漏 電流，所以二背對背二極體520、521形成一基爾霍夫電壓法(Kirchoff Voltage Law,KVL)節點。特別的是，當控制信號VC1等於3.3V時，節點525的電壓是等於2.6V(因為二極體520的跨壓約等於0.7V)。當節點525的電壓是等於2.6V時，電晶體M52的閘源極電壓Vgs(逆向偏壓)是等於-2.6V(亦即0V減去2.6V)，導致電晶體M52具有大的漏電流。因為節點525被設定在2.6V是適合用以處理射頻切換器500的高功率操作，所以假晶高速電子移動率場效電晶體元件所實現的射頻切換器是不需輔助偏壓以支援其高功率操作。
不像植基於假晶高速電子移動率場效電晶體元件的射頻切換器，矽基的射頻切換器只容許小很多的漏電流。因此，當矽基的射頻切換器操作在高功率情況時，矽基的射頻切換器需要特別的偏壓電路和電壓，以供其適當操作。因此，矽基的射頻切換器內的元件需要一些低成本效益的方案，以因應特別的偏壓電路和電壓。
本發明的一實施例提供一種應用於一射頻切換器的輔助電壓產生單元。該輔助電壓產生單元包含一第一輸入端、一第二輸入端及至少一輸出端。該第一輸入端是用以接收一第一控制信號；該第二輸入端是用以接收一第二控制信號，其中該第一控制信號和該第二控制信號是用以決定該射頻切換器中複數條路徑中的其一是否被導通；該少一輸出端是用以輸出一輔助電壓，該輔助電壓產自於該第一控制信號或該第二控制信號中其一，其中該輔助電壓是用以操作 該射頻切換器。
本發明的另一實施例提供一種射頻切換器。該射頻切換器包含一共同射頻輸入端、一第一射頻輸出端、一第二射頻輸出端、一第一半導體開關及一第二半導體開關。該第一半導體開關是設置於該共同射頻輸入端和該第一射頻輸出端之間的一第一路徑上；該第二半導體開關是設置於該共同射頻輸入端和該第二射頻輸出端之間的一第二路徑上；該第一路徑和該第二路徑上的至少一節點被施以一偏壓，該偏壓是產生自一第一控制信號和一第二控制信號中的其一，以及該第一控制信號和該第二控制信號是分別用以控制該第一半導體開關和該第二半導體開關。
本發明的另一實施例提供一種得到射頻切換器的輔助電壓的方法。該方法包含接收一第一控制信號和一第二控制信號，其中該第一控制信號和該第二控制信號是用以決定該射頻切換器中複數條路徑中其一是否被導通；利用該第一控制信號和該第二控制信號中的其一，產生應用於該射頻切換器的一輔助電壓；應用該輔助電壓至該射頻切換器的複數個預定位置。
本發明提供一種輔助電壓產生單元、射頻切換器及得到射頻切換器的輔助電壓的方法。該輔助電壓產生單元、該射頻切換器及該方法係利用一輔助電壓產生單元產生一輔助電壓。而該輔助電壓可以是一偏壓，其中該偏壓是用以維持該射頻切換器各別分支上的特 定節點在一個足夠支持高功率操作的電壓準位上，或該輔助電壓可以是供電給一反相器的一供電電壓，其中該反相器是用以反相複數個控制信號以決定該射頻切換器是否導通作為隔離或是作為並聯的分支。另外，因為本發明是利用該複數個控制信號產生該輔助電壓，所以可簡化矽基的該射頻切換器的設計。亦即本發明不需要獨立且外部提供的一偏壓和一供電電壓。
請參照第1圖，第1圖是為本發明的一實施例說明一種矽基電晶體(silicon based transistor)的射頻切換器100的示意圖，其中射頻切換器100是作為一單刀三擲開關。如第1圖所示，射頻切換器100具有三條從一共同射頻輸入端101進入的射頻信號的路徑：一路徑是從共同射頻輸入端101至一射頻輸出端102、一路徑是從共同射頻輸入端101至一射頻輸出端103以及一路徑是從共同射頻輸入端101至一射頻輸出端104。
如射頻切換器500一樣，在射頻切換器100中，射頻切換器100是利用幾個電晶體去選擇哪一條路徑被導通，以允許一射頻信號通過。在射頻切換器100中，電晶體M11、M13和M15是被利用做為主路徑的控制器，但電晶體M12、M14和M16是被控制決定是否成為一隔離路徑，或是被控制成為AC衰減路徑，以作為非選擇的路徑。然而，射頻切換器100並不像第10圖中的射頻切換器500，因為射頻切換器100中的電晶體是矽基電晶體。
請參照第2圖，第2圖是為說明用以控制射頻切換器100的控制信號VC1、VC2和VC3的示意圖。相對應的控制信號VC1B、VC2B和VC3B是利用控制信號VC1、VC2和VC3通過適當的反相器150而產生。因此，控制信號VC1B、VC2B和VC3B分別是控制信號VC1、VC2和VC3的反相電壓。
如第1圖所示，例如當有射頻信號從共同射頻輸入端101傳遞至射頻輸出端102時，控制信號VC1是設定為高電位，控制信號VC2和控制信號VC3則被設定為低電位；當有射頻信號從共同射頻輸入端101傳遞至射頻輸出端103時，控制信號VC2是設定為高電位，控制信號VC1和控制信號VC3則被設定為低電壓；當有射頻信號從共同射頻輸入端101傳遞至射頻輸出端104時，控制信號VC3是設定為高電位，控制信號VC1和控制信號VC2則被設定為低電壓。
在矽基電晶體中，閘極漏電流通常非常小。如此，因為橫跨電晶體M12的旁路電阻通過一直流阻隔電容被耦接至地端，所以節點125的電壓(如射頻切換器100中介於共同射頻輸入端101和射頻輸出端102之間的路徑所示)是幾乎趨近於0V。(另外，節點125是用以說明的例子，所以射頻切換器100中的在其他分支上的相對應的節點的操作原理皆和節點125相同，在此不再贅述)。然而，如果節點125的電壓被維持在0V，則在高功率情況下，射頻切換器100無法良好運作。因此，如第10圖所示的假晶高速電子移動率場效電晶體，節點 125最好是設定在比0V高的電壓，以確保電晶體M11是順向偏壓以及電晶體M12是逆向偏壓，其中電晶體M11和電晶體M12是在射頻切換器100中的頂部路徑。
為了在節點125得到想要的電壓以及支援射頻切換器100的高功率操作，一偏壓VBIAS是被利用來提供一偏壓信號給射頻切換器100中的每一路徑上的複數個節點。以射頻切換器100的頂部路徑或分支為例，偏壓VBIAS是被施以在共同射頻輸入端101和電晶體M11之間、在節點125以及在電晶體M12和地端之間。偏壓VBIAS是可為1.6V或更高。當偏壓VBIAS是如第1圖所示的施用方式施用在射頻切換器100時，整個射頻切換器100(包含各別的路徑、隔離和並聯的分支)皆被偏壓在偏壓VBIAS所提供的電壓。因此，矽基的射頻切換器100可適當地操作在高功率情況。
另外，反相器150可被供電以提供控制信號VC1B、VC2B和VC3B去操作射頻切換器100的隔離和並聯的分支。如第1圖所示，供電電壓VREG是用以供電給個別的反相器150。個別的反相器150的輸出(控制信號VC1B、VC2B和VC3B)分別是控制信號VC1、VC2和VC3的反相電壓，其中控制信號VC1B、VC2B和VC3B是被提供至射頻切換器100中每一路徑適當的並聯/隔離的分支。
如第1圖所示，一輔助電壓產生單元200可被製造成射頻切換器100的部分，其中輔助電壓產生單元200是用以接收控制信號VC1、 VC2和VC3(然而輔助電壓產生單元200並不受限於接收控制信號VC1、VC2和VC3)，並根據控制信號VC1、VC2和VC3中的至少一控制信號，產生偏壓VBIAS和供電電壓VREG。在本發明的一實施例中，偏壓VBIAS是可為1.6V以及供電電壓VREG是可為2.6V。
請參照第3圖至第5圖，第3圖至第5圖是為本發明的不同實施例說明輔助電壓產生單元200的內部電路示意圖。如第3圖所示，電壓產生單元200的內部電路是為一由複數個二極體280所組成的分壓電路。如第3圖所示，假設控制信號VC1、VC2和VC3分別是3.3V、0V和0V，然後分壓電路(由適當數目的二極體280所組成)即可提供偏壓VBIAS想要的電壓準位。
如第4圖所示，第4圖的分壓電路是類似於第3圖的分壓電路，但另包含電晶體281-283，其中電晶體281-283是做為源極隨耦器。當如第2圖的控制信號VC1、VC2和VC3施用在二極體分壓電路和電晶體281-283時，電晶體281-283中的一電晶體將會開啟。如第2圖所示，因為控制信號VC1、VC2和VC3中的一控制信號總是高電壓(3.3V)，所以電晶體281-283中總是有一電晶體可提供偏壓VBIAS。在本發明的另一實施例中，因為射頻切換器100的分支可超過3支，所以額外的控制信號VC4、...、VCn需被加入至第4圖的輔助電壓產生單元200。如此，因為控制信號VC1、...、VCn中的至少一個控制信號總是高電壓(3.3V)，所以第4圖的輔助電壓產生單元200的複數個電晶體中總是有至少一個電晶體可提供偏壓VBIAS。
複數個二極體280是可為獨立的PN接面、N型金氧半電晶體或P型金氧半電晶體所構成的二極體或是雙載子電晶體所構成的二極體。電晶體281-283是可為原生型金氧半電晶體(native MOS)或標準型金氧半電晶體(standard MOS)，以增強電晶體281-283拉電流的能力。因為上述這些元件(二極體與電晶體)可形成在和射頻切換器100相同的半導體基板上，所以可降低製造成本。
如第5圖所示，第5圖的分壓電路是由複數個電阻290所組成，而偏壓VBIAS可從節點292輸出。因此，熟知分壓電路原理者將可明瞭如何選用複數個電阻290的阻值，以得到偏壓VBIAS想要的電壓準位。
請參照第6圖，第6圖是為說明輔助電壓產生單元200內用以產生供電電壓VREG的內部電路示意圖。如第6圖所示，三二極體295-297分別用以耦接控制信號VC1、VC2和VC3。因此，當控制信號VC1、控制信號VC2或控制信號VC3是高電壓時，可通過對應於控制信號VC1的二極體295、對應於控制信號VC2的二極體296或對應於控制信號VC3的二極體297的跨壓，以得到想要的供電電壓VREG。例如，當控制信號VC1、VC2和VC3是為3.3V時，供電電壓VREG是為2.6V(3.3V-0.7V=2.6V)，其足以供電給第1圖的反相器150。
請參照第7圖，第7圖是為說明輔助電壓產生單元200內另一用以 產生供電電壓VREG的內部電路示意圖。如第7圖所示，因為供電電壓VREG可通過包含複數個二極體1至n的分壓電路所產生，所以供電電壓VREG是為控制信號VC1＊n/(n+1)或控制信號VC2＊n/(n+1)。另外，控制信號VC3亦可和控制信號VC1、控制信號VC2一樣為一信號源。當控制信號VC3是為信號源時，供電電壓VREG是為控制信號VC3＊n/(n+1)。
基於上述討論可知，在矽基的射頻切換器操作在高功率情況時，本發明可使矽基的射頻切換器不需額外的電壓以產生偏壓VBIAS及/或供電電壓VREG，便能正常運作。根據上述本發明的實施例，可直接從控制信號(例如控制信號VC1、控制信號VC2、...或控制信號VCn)產生偏壓VBIAS和供電電壓VREG，其中控制信號是用以控制射頻切換器100中的某一條路徑被導通，以讓射頻信號通過(亦即讓射頻信號從共同射頻輸入端101經過被導通的路徑至相對應的射頻輸出端)。另外，控制信號VC1、控制信號VC2、...或控制信號VCn是可通過射頻切換器IC上的接腳輸入，所以射頻切換器IC便不需要更多接腳以提供偏壓VBIAS及/或供電電壓VREG。因此，不僅射頻切換器IC的封裝以及電路佈局可被簡化，且射頻切換器IC的製造成本亦可被降低。
請參照第8圖，第8圖是為本發明的另一實施例說明一種得到射頻切換器的輔助電壓的方法的流程圖。第8圖的詳細步驟如下： 步驟310：接收複數個控制信號；步驟312：利用複數個控制信號中的至少一控制信號，產生至少一輔助電壓；步驟314：輸出至少一輔助電壓。
在步驟310中，如第1圖所示，複數個控制信號(控制信號VC1、VC2和VC3)被接收。而控制信號VC1、VC2和VC3是用以控制去選擇射頻切換器100中路徑/分支被導通。在步驟312中，利用複數個控制信號中的至少一控制信號，產生至少一輔助電壓。在上述本發明的實施例中，輔助電壓可以是用以偏壓射頻切換器100中的一條或多條路徑/分支的偏壓VBIAS，及/或用以供電給產生控制信號VC1、VC2和VC3的反相信號的反相器的供電電壓VREG。在步驟314中，輸出至少一輔助電壓至射頻切換器100。
請參照第9圖，第9圖是為本發明的另一實施例說明一種得到射頻切換器的輔助電壓的方法的流程圖。第9圖的詳細步驟如下：步驟410：接收用以導通射頻切換器中複數條路徑中其一的第一控制信號和第二控制信號；步驟412：至少利用第一控制信號和第二控制信號中其一，產生輔助電壓；步驟414：應用輔助電壓於射頻切換器的複數個預定位置。
在步驟410中，第一控制信號和第二控制信號可被應用至射頻切換器，以選擇複數條路徑中讓射頻信號通過的一條路徑。在步驟412中，利用第一控制信號和第二控制信號中的至少一控制信號，產生至少一輔助電壓。在步驟414中，應用至少一輔助電壓於射頻切換器的預定節點。
綜上所述，本發明所提供的輔助電壓產生單元、射頻切換器及得到射頻切換器的輔助電壓的方法，係利用輔助電壓產生單元產生輔助電壓。而輔助電壓可以是偏壓，其中偏壓是用以維持射頻切換器各別分支上的特定節點在一個足夠支持高功率操作的電壓準位上，或輔助電壓可以是供電給反相器的供電電壓，其中反相器是用以反相控制信號以控制射頻切換器內的路徑成為隔離路徑或是並聯的分支。另外，因為本發明是利用控制信號產生輔助電壓，所以可簡化矽基的射頻切換器的設計。亦即本發明不需要獨立且外部提供的偏壓和供電電壓。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100、500‧‧‧射頻切換器
101、501‧‧‧共同射頻輸入端
102、103、104、502、503‧‧‧射頻輸出端
125、292、525‧‧‧節點
150‧‧‧反相器
200‧‧‧輔助電壓產生單元
280、295-297、1-n、520、521‧‧‧二極體
290‧‧‧電阻
M11、M12、M13、M14、M15、 M16、M51、M52、M53、M54、 281-283‧‧‧電晶體
VC1、VC2、VC3、VC1B、VC2B、 VC3B‧‧‧控制信號
VBIAS‧‧‧偏壓
VREG‧‧‧供電電壓
310-314、410-414‧‧‧步驟
第1圖是為本發明的一實施例說明一種矽基電晶體的射頻切換器的示意圖。
第2圖是為說明用以控制射頻切換器的控制信號的示意圖。
第3圖至第5圖是為本發明的不同實施例說明輔助電壓產生單元的內部電路示意圖。
第6圖是為說明輔助電壓產生單元內用以產生供電電壓的內部電路示意圖。
第7圖是為說明輔助電壓產生單元內另一用以產生供電電壓的內部電路示意圖。
第8圖是為本發明的另一實施例說明一種得到射頻切換器的輔助電壓的方法的流程圖。
第9圖是為本發明的另一實施例說明一種得到射頻切換器的輔助電壓的方法的流程圖。
第10圖是為現有技術說明一種假晶高速電子移動率場效電晶體的射頻切換器的示意圖。
100‧‧‧射頻切換器
101‧‧‧共同射頻輸入端
102、103、104‧‧‧射頻輸出端
125‧‧‧節點
150‧‧‧反相器
200‧‧‧輔助電壓產生單元
M11、M12、M13、M14、M15、 M16‧‧‧電晶體
VC1、VC2、VC3、VC1B、VC2B、 VC3B‧‧‧控制信號
VBIAS‧‧‧偏壓
VREG‧‧‧供電電壓

Claims (20)

  1. 一種應用於一射頻切換器的輔助電壓產生單元，包含：一第一輸入端，用以接收一第一控制信號；一第二輸入端，用以接收一第二控制信號，其中該第一控制信號和該第二控制信號是用以決定該射頻切換器中的複數條路徑中的其一是否被導通；及至少一輸出端，用以輸出產生自該第一控制信號或該第二控制信號中的至少一控制信號的一輔助電壓，其中該輔助電壓是用以操作該射頻切換器。
  2. 如請求項1所述的輔助電壓產生單元，其中該輔助電壓是為用於該射頻切換器的一偏壓。
  3. 如請求項1所述的輔助電壓產生單元，其中該輔助電壓是為用以供電給一反相器的一供電電壓，其中該反相器是用以接收該第一控制信號和該第二控制信號中的其一。
  4. 如請求項1所述的輔助電壓產生單元，另包含：一電路，包含複數個二極體，用以降低該第一控制信號或該第二控制信號的電壓準位。
  5. 如請求項4所述的輔助電壓產生單元，其中該複數個二極體是做為一分壓電路。
  6. 一種射頻切換器，包含：一共同射頻輸入端；一第一射頻輸出端；一第二射頻輸出端；一第一半導體開關，設置於該共同射頻輸入端和該第一射頻輸出端之間的一第一路徑上；及一第二半導體開關，設置於該共同射頻輸入端和該第二射頻輸出端之間的一第二路徑上；其中該第一路徑和該第二路徑上的至少一節點被施以一偏壓，該偏壓是產生自一第一控制信號和一第二控制信號中的其一，以及該第一控制信號和該第二控制信號是分別用以控制該第一半導體開關和該第二半導體開關。
  7. 如請求項6所述的射頻切換器，另包含：一輔助電壓產生單元，根據該第一控制信號和該第二控制信號中的其一，產生該偏壓。
  8. 如請求項6所述的射頻切換器，其中該輔助電壓產生單元包含複數個二極體。
  9. 如請求項8所述的射頻切換器，其中該複數個二極體是做為一分壓電路。
  10. 如請求項7所述的射頻切換器，其中該輔助電壓產生單元包含至少一電晶體，且該至少一電晶體是設置於產生該偏壓的一源極隨耦器之內。
  11. 如請求項6所述的射頻切換器，另包含：一分支，耦接於該第一路徑和該第二路徑中的一路徑，該分支包含一第三半導體開關和一反相器，其中該反相器具有一輸出端，耦接於該第三半導體開關的一控制端，且該反相器的一供電電壓是產生自該第一控制信號和該第二控制信號中的至少一控制信號。
  12. 如請求項11所述的射頻切換器，其中該偏壓和該供電電壓不同。
  13. 如請求項11所述的射頻切換器，其中該偏壓是約為1.6V以及該供電電壓是約為2.6V。
  14. 一種得到射頻切換器的輔助電壓的方法，包含：接收一第一控制信號和一第二控制信號，其中該第一控制信號和該第二控制信號是用以決定該射頻切換器中複數條路徑中的其一是否被導通；利用該第一控制信號和該第二控制信號中的其一，產生應用於該射頻切換器的一輔助電壓；及 應用該輔助電壓至該射頻切換器的複數個預定位置。
  15. 如請求項14所述的方法，其中該輔助電壓為用以作為該射頻切換器中的該複數條路徑中的至少一條路徑上的一偏壓。
  16. 如請求項14所述的方法，其中該輔助電壓為用以供電至一反相器的一供電電壓，其中該反相器是用以產生並提供該第一控制信號和該第二控制信號中的至少一控制信號的反相信號至該射頻切換器的一元件。
  17. 如請求項14所述的方法，其中該輔助電壓包含一第一輔助電壓與一第二輔助電壓，其中該第一輔助電壓為用以作為該射頻切換器中的該複數條路徑中的至少一條路徑上的一偏壓，以及該第二輔助電壓是為用以供電至一反相器的一供電電壓，其中該第一輔助電壓和該第二輔助電壓不同。
  18. 如請求項17所述的方法，其中該第一輔助電壓是約為1.6V以及該第二輔助電壓是約為2.6V。
  19. 如請求項14所述的方法，其中產生該輔助電壓包含：施以該第一控制信號和該第二控制信號中的其一至一分壓電路。
  20. 如請求項19所述的方法，其中該分壓電路包含複數個二極體。
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