CN112688712B - 射频装置及其电压产生装置 - Google Patents

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Abstract

一种射频装置及其电压产生装置。电压产生装置包括第一开关与第二开关。第一开关的第一端接收第一电压。第一开关的控制端接收第二电压。第二开关的第一端接收第二电压。第二开关的控制端接收第一电压。第二开关的第二端以及第一开关的第二端耦接至输出节点，其中该输出节点输出相关于第一电压与第二电压二者至少一者的输出电压。

Description

射频装置及其电压产生装置
技术领域
本发明是有关于一种电子电路，且特别是有关于一种射频(radio frequency,RF)装置及其电压产生装置。
背景技术
许多射频(Radio Frequency，RF)电子产品(例如移动电话、无线传呼机、无线基础设施、卫星通信装置、电视设备以及/或是其他射频产品)配置了射频电路(诸如射频切换器等)与其他组件。驱动电路可以依照系统的控制信号来改变射频切换器的射频传输路径。如何使用所述控制信号的电压来产生驱动电路的电源电压，是技术课题之一。
须注意的是，「背景技术」段落的内容是用来帮助了解本发明。在「背景技术」段落所揭露的部分内容(或全部内容)可能不是所属技术领域中具有通常知识者所知道的习知技术。在「背景技术」段落所揭露的内容，不代表该内容在本发明申请前已被所属技术领域中具有通常知识者所知悉。
发明内容
本发明提供一种射频装置及其电压产生装置，其可以使用第一电压与(或)第二电压的电压来产生输出电压。
本发明的电压产生装置包括第一开关与第二开关。第一开关的第一端被配置为接收第一电压。第一开关的控制端被配置为接收第二电压。第二开关的第一端被配置为接收第二电压。第二开关的控制端被配置为接收第一电压。第二开关的第二端以及第一开关的第二端耦接至输出节点，其中该输出节点输出相关于第一电压与第二电压二者至少一者的输出电压。
本发明的一种射频装置包括第一开关、第二开关、电压调节单元以及射频电路。第一开关的第一端被配置为接收第一电压。第一开关的控制端被配置为接收第二电压。第二开关的第一端被配置为接收第二电压。第二开关的控制端被配置为接收第一电压。第二开关的第二端以及第一开关的第二端耦接至输出节点，其中输出节点输出相关于第一电压与第二电压二者至少一者的输出电压。电压调节单元耦接至输出节点，以接收输出电压。电压调节单元被配置为产生相关于输出电压的正电压与负电压二者至少一者。射频电路耦接至电压调节单元，以接收正电压与负电压二者至少一者。射频电路被配置为依照第一电压而控制射频电路的至少一射频传输路径的导通状态。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1是依照一实施例所绘示的一种射频装置的电路模块(circuit block)示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种射频装置的电路模块示意图。
图3是依照本发明的另一实施例的一种射频装置的电路模块示意图。
图4是依照本发明的另一实施例的一种射频装置的电路模块示意图。
图5是依照本发明的一实施例说明图2、图3与图4所示电压调节单元的电路模块示意图。
图6是依照本发明的一实施例说明图2、图3与图4所示射频电路的电路模块示意图。
图7是依照本发明的另一实施例说明图2、图3与图4所示射频电路的电路模块示意图。
【符号说明】
100、200、300、400：射频装置
110、210、310、410：电压产生装置
111、112：二极管
120、220：电压调节单元
121、510：振荡器
122、520：电荷泵
130、230：射频电路
211、212、311、312、411、412、413、SW3、SW4：开关
231、233、234：驱动电路
232、235：射频传输电路
240：电容
414：逻辑电路
415：电压产生器
416、417：二极管电路
C1、C1B、C2：控制电压
CK：频率信号
Vref：参考电位
Nout1、Nout2、Nout3、Nout4：输出节点
R1、R2、R3：电阻
RF1、RF2：射频传输端
SRF：射频信号
SW1、SW2：射频开关
Vc：控制电压
Vc1、Vc2：控制信号
Vneg：负电压
Vo：调节电压
Vout、Vout1、Vout2、Vout3、Vout4：输出电压
Vpos：正电压
Vbias:偏压电压
具体实施方式
在本案说明书全文(包括权利要求范围)中所使用的「耦接(或连接)」一词可指任何直接或间接的连接手段。举例而言，若文中描述第一装置耦接(或连接)于第二装置，则应该被解释成该第一装置可以直接连接于该第二装置，或者该第一装置可以透过其他装置或某种连接手段而间接地连接至该第二装置。本案说明书全文(包括权利要求范围)中提及的「第一」、「第二」等用语是用以命名组件(element)的名称，或区别不同实施例或范围，而并非用来限制组件数量的上限或下限，亦非用来限制组件的次序。另外，凡可能之处，在附图及实施方式中使用相同标号的组件/构件/步骤代表相同或类似部分。不同实施例中使用相同标号或使用相同用语的组件/构件/步骤可以相互参照相关说明。
图1是依照一实施例所绘示的一种射频装置100的电路模块(circuit block)示意图。图1所示射频装置100包括电压产生装置110、电压调节单元120以及射频电路130。在图1所示实施例中，电压产生装置110包括二极管111以及二极管112。二极管111的阳极可以接收控制信号Vc1(第一电压)。二极管111的阴极耦接至输出节点Nout1。二极管112的阳极接收控制信号Vc2(第二电压)。在其他实施例中，二极管112的第一端可以接收系统电压(第二电压，例如系统电压Vdd)。二极管112的阴极耦接至输出节点Nout1。
电压调节单元120耦接至输出节点Nout1，以接收输出电压Vout1。电压调节单元120可以产生正电压Vpos与负电压Vneg二者至少一者给射频电路130。在图1所示实施例中，电压调节单元120包括振荡器(Oscillator)121以及电荷泵(charge pump)122。振荡器121耦接至输出节点Nout1，以接收输出电压Vout1。依据输出电压Vout1，振荡器121可以产生频率信号CK。本实施例并不限制振荡器121的实施方式。举例来说，依照设计需求，振荡器121可以包括习知的振荡电路或是其他振荡电路。
电荷泵122耦接至振荡器121，以接收频率信号CK。电荷泵122可以依据频率信号CK产生正电压Vpos及/或负电压Vneg。本实施例并不限制电荷泵122的实施方式。举例来说，依照设计需求，电荷泵122可以包括习知的电荷泵电路或是其他电荷泵电路。
射频电路130耦接至电压调节单元120，以接收正电压Vpos与负电压Vneg二者至少一者。在一些实施例中，射频电路130可以依照控制信号Vc1(第一电压)而控制射频电路130的至少一个射频传输路径的导通状态。举例来说，当控制信号Vc1为第一逻辑态时，射频电路130的射频传输路径可以将射频信号SRF传输至射频传输端RF1。当控制信号Vc1为第二逻辑态时，射频电路130的射频传输路径可以将射频信号SRF传输至射频传输端RF2。
在另一些实施例中，射频电路130可以依照控制信号Vc1与控制信号Vc2而控制射频电路130的至少一个射频传输路径的导通状态。举例来说，当控制信号Vc1为第一逻辑态而控制信号Vc2为第二逻辑态时，射频电路130的射频传输路径可以将射频信号SRF传输至射频传输端RF1。当控制信号Vc1为第二逻辑态而控制信号Vc2为第一逻辑态时，射频电路130的射频传输路径可以将射频信号SRF传输至射频传输端RF2。当控制信号Vc1与控制信号Vc2均为第一逻辑态时，射频电路130的射频传输路径可以将射频信号SRF传输至射频传输端RF1与射频传输端RF2。
无论如何，当控制信号Vc1(或控制信号Vc2)通过二极管111(或二极管112)时，基于二极管111(或二极管112)的特性，输出电压Vout1的电压位准会低于控制信号Vc1(或控制信号Vc2)的电压位准。举例来说，假设控制信号Vc1(或控制信号Vc2)的高逻辑位准为1.2V。基于二极管111(或二极管112)的电压下降(voltage drop)，输出节点Nout1的输出电压Vout1为0.8V。而影响电压调节单元120的操作。
图2是依照本发明的一实施例的一种射频装置200的电路模块示意图。图2所示射频装置200包括电压产生装置210、电压调节单元220以及射频电路230。在图2所示实施例中，电压产生装置210包括开关211以及开关212。图2所示开关211与开关212可以是p通道金属氧化物半导体(p-channel metal oxide semiconductor，PMOS)晶体管。依照设计需求，在其他实施例中，图2所示开关211与开关212可以是其他晶体管，例如金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor，MOS)晶体管、双极结型晶体管(bipolar junctiontransistor,BJT)或异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor，HBT)。
开关211的第一端与开关212的控制端可以接收控制信号Vc1(第一电压)。开关212的第一端与开关211的控制端可以接收控制信号Vc2(第二电压)。在其他实施例中，开关212的第一端与开关211的控制端可以接收系统电压(第二电压，例如系统电压Vdd)。开关211的第二端以及开关212的第二端耦接至输出节点Nout2。输出节点Nout2将输出电压Vout2输出给电压调节单元220，其中输出电压Vout2相关于第一电压与第二电压二者至少一者。
举例来说，当控制信号Vc1(第一电压)为高逻辑位准且控制信号Vc2(第二电压)为低逻辑位准时，开关211为导通(turn on)且开关212为截止(turn off)，因此开关211可以将控制信号Vc1(第一电压)传输至输出节点Nout2以产生输出电压Vout2。当控制信号Vc1(第一电压)为低逻辑位准且控制信号Vc2(第二电压)为高逻辑位准时，开关211为截止且开关212为导通，因此开关212可以将控制信号Vc2(第二电压)传输至输出节点Nout2以产生输出电压Vout2。
电压产生装置210可以使用控制信号Vc1(第一电压)与(或)控制信号Vc2(第二电压)的电压来产生输出电压Vout2。电压产生装置210还使用控制信号Vc1(第一电压)与控制信号Vc2(第二电压)来分别控制开关211与开关212。当开关211(或开关212)为导通时，第一电压(或第二电压)可以被传输至输出节点Nout2而几乎没有电压损失。
电压调节单元220耦接至输出节点Nout2，以接收输出电压Vout2。电压调节单元220可以产生相关于输出电压Vout2的正电压Vpos与负电压Vneg二者至少一者。射频电路230耦接至电压调节单元220，以接收正电压Vpos与/或负电压Vneg。在一些实施例中，射频电路230可以依照控制信号Vc1(第一电压)而控制射频电路230的至少一个射频传输路径的导通状态。举例来说，当控制信号Vc1为第一逻辑态时，射频电路230的射频传输路径可以将射频信号SRF传输至射频传输端RF1。当控制信号Vc1为第二逻辑态时，射频电路230的射频传输路径可以将射频信号SRF传输至射频传输端RF2。
在另一些实施例中，射频电路230可以依照控制信号Vc1与控制信号Vc2而控制射频电路230的至少一个射频传输路径的导通状态。举例来说，当控制信号Vc1为第一逻辑态而控制信号Vc2为第二逻辑态时，射频电路230的射频传输路径可以将射频信号SRF传输至射频传输端RF1，且不会将射频信号SRF传输至射频传输端RF2。当控制信号Vc1为第二逻辑态而控制信号Vc2为第一逻辑态时，射频电路230的射频传输路径可以将射频信号SRF传输至射频传输端RF2，且不会将射频信号SRF传输至射频传输端RF1。当控制信号Vc1与控制信号Vc2均为第一逻辑态时，射频电路230的射频传输路径可以将射频信号SRF传输至射频传输端RF1与射频传输端RF2。当控制信号Vc1与控制信号Vc2均为第二逻辑态时，射频电路230不会将射频信号SRF传输至射频传输端RF1与射频传输端RF2。
依照设计需求，在一些实施例中，射频装置200还可以选择性地包括电容240。电容240的第一端耦接至输出节点Nout2，以接收输出电压Vout2。电容240的第二端耦接于参考电位Vref(例如接地电压GND)。电容240可以抑制控制信号Vc1与控制信号Vc2切换逻辑态时的噪声，以提供较稳定的输出电压Vout2。
图3是依照本发明的另一实施例的一种射频装置300的电路模块示意图。图3所示射频装置300包括电压产生装置310、电压调节单元220、射频电路230以及电容240。图3所示电压调节单元220、射频电路230以及电容240可以参照图2所示电压调节单元220、射频电路230以及电容240的相关说明，故不再赘述。
在图3所示实施例中，电压产生装置310包括开关311以及开关312。开关311的第一端与开关312的控制端可以接收控制信号Vc1(第一电压)。开关312的第一端与开关311的控制端可以接收控制信号Vc2(第二电压)。在其他实施例中，开关312的第一端与开关311的控制端可以接收系统电压(第二电压，例如系统电压Vdd)。开关311的第二端以及开关312的第二端耦接至输出节点Nout3。输出节点Nout3将输出电压Vout3输出给电压调节单元220，其中输出电压Vout3相关于第一电压与第二电压二者至少一者。图3所示开关311以及开关312可以参照图2所示开关211以及开关212的相关说明来类推。
图3所示开关311包括第一非门(NOT gate)与第一n通道金属氧化物半导体(n-channel metal oxide semiconductor，NMOS)晶体管，其中第一NMOS晶体管的漏极可以接收控制信号Vc1(第一电压)，第一NMOS晶体管的源极可以耦接至输出节点Nout3，第一非门的输出端耦接至第一NMOS晶体管的栅极，以及第一非门的输入端可以接收控制信号Vc2(第二电压)。图3所示开关312包括第二非门与第二NMOS晶体管，其中第二NMOS晶体管的漏极可以接收控制信号Vc2(第二电压)，第二NMOS晶体管的源极可以耦接至输出节点Nout3，第二非门的输出端耦接至第二NMOS晶体管的栅极，以及第二非门的输入端可以接收控制信号Vc1(第一电压)。
电压产生装置310可以使用控制信号Vc1(第一电压)与(或)控制信号Vc2(第二电压)的电压来产生输出电压Vout3。电压产生装置310还使用控制信号Vc1(第一电压)与控制信号Vc2(第二电压)来分别控制开关311与开关312。当开关311(或开关312)为导通时，第一电压(或第二电压)可以被传输至输出节点Nout3而几乎没有电压损失。
图4是依照本发明的另一实施例的一种射频装置400的电路模块示意图。图4所示射频装置400包括电压产生装置410、电压调节单元220、射频电路230以及电容240。图4所示电压调节单元220、射频电路230以及电容240可以参照图2所示电压调节单元220、射频电路230以及电容240的相关说明，故不再赘述。
在图4所示实施例中，电压产生装置410包括开关411、开关412、开关413、逻辑电路414以及电压产生器415。开关411的第一端与开关412的控制端可以接收控制信号Vc1(第一电压)。开关412的第一端与开关411的控制端可以接收控制信号Vc2(第二电压)。在其他实施例中，开关412的第一端与开关411的控制端可以接收系统电压(第二电压，例如系统电压Vdd)。开关411的第二端以及开关412的第二端耦接至输出节点Nout4。输出节点Nout4将输出电压Vout4输出给电压调节单元220，其中输出电压Vout4相关于第一电压与第二电压二者至少一者。图4所示开关411以及开关412可以参照图2所示开关211以及开关212的相关说明来类推。
图4所示开关413的第一端可以接收控制信号Vc1(第一电压)。在其他实施例中，开关413的第一端可以接收控制信号Vc2(第二电压)。开关413的控制端耦接至逻辑电路414，以接收控制电压Vc。开关413的第二端耦接至输出节点Nout4。图4所示开关411、412与413可以是PMOS晶体管。依照设计需求，在其他实施例中，图4所示开关411、412与413可以是其他晶体管，例如金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor，MOS)晶体管、双极结型晶体管(bipolar junction transistor,BJT)或异质结双极晶体管(heterojunction bipolartransistor，HBT)。
图4所示电压产生器415耦接至逻辑电路414的电源端，以提供调节电压Vo。电压产生器415可以使用控制信号Vc1(第一电压)与控制信号Vc2(第二电压)来产生调节电压Vo。其中，调节电压Vo小于输出电压Vout4。逻辑电路414耦接至开关413的控制端，以提供控制电压Vc。逻辑电路414可以依据控制信号Vc1(第一电压)与控制信号Vc2(第二电压)来改变控制电压Vc。
举例来说，当控制信号Vc1(第一电压)与控制信号Vc2(第二电压)为高逻辑位准时，开关411与开关412为截止，而逻辑电路414藉由控制电压Vc导通开关413。导通的开关413可以将控制信号Vc1传输至输出节点Nout4作为输出电压Vout4。
因此，电压产生装置410可以使用控制信号Vc1(第一电压)与(或)控制信号Vc2(第二电压)的电压来产生输出电压Vout4。电压产生装置410还使用控制信号Vc1(第一电压)与控制信号Vc2(第二电压)来控制开关411、412与413。当开关411、412与413其中一个为导通时，第一电压与/或第二电压可以被传输至输出节点Nout4而几乎没有电压损失。
在图4所示实施例中，逻辑电路414包括与非门。所述与非门的第一输入端与第二输入端分别接收控制信号Vc1(第一电压)与控制信号Vc2(第二电压)。与非门的输出端耦接至开关413的控制端，以提供控制电压Vc。
在图4所示实施例中，电压产生器415包括二极管电路416以及二极管电路417。二极管电路416的阳极可以接收控制信号Vc1(第一电压)。二极管电路416的阴极耦接至逻辑电路414的与非门的电源端。二极管电路417的阳极可以接收控制信号Vc2(第二电压)。二极管电路417的阴极耦接至逻辑电路414的与非门的电源端。
在图4所示实施例中，二极管电路416可以是以二极管形式连接的晶体管(Diode-connected transistor)，例如是以二极管形式连接的PMOS晶体管，其中PMOS晶体管的第一端作为二极管电路416的阳极，PMOS晶体管的控制端耦接至PMOS晶体管的第二端，而PMOS晶体管的第二端作为二极管电路416的阴极。二极管电路417可以参照二极管电路416的相关说明来类推，故不再赘述。
图5是依照本发明的一实施例说明图2、图3与图4所示电压调节单元220的电路模块示意图。在图5所示实施例中，电压调节单元220包括振荡器(Oscillator)510以及电荷泵(charge pump)520。振荡器510接收输出电压Vout。图5所示输出电压Vout可以参照图2所示输出电压Vout2、图3所示输出电压Vout3或是图4所示输出电压Vout4的相关说明。振荡器510可以产生相关于输出电压Vout的频率信号CK。本实施例并不限制振荡器510的实施方式。举例来说，依照设计需求，振荡器510可以包括习知的振荡电路或是其他振荡电路。频率信号CK的频率可以依照设计需求来决定。
电荷泵520耦接至振荡器510，以接收频率信号CK。电荷泵520可以依据频率信号CK产生正电压Vpos与负电压Vneg。本实施例并不限制电荷泵520的实施方式。举例来说，依照设计需求，电荷泵520可以包括习知的电荷泵电路或是其他电荷泵电路。正电压Vpos与负电压Vneg的位准可以依照设计需求来决定。
图6是依照本发明的一实施例说明图2、图3与图4所示射频电路230的电路模块示意图。在图6所示实施例中，射频电路230包括驱动电路231以及射频传输电路232。驱动电路231的第一电源端耦接至电压调节单元220，以接收正电压Vpos。驱动电路231的第二电源端耦接至电压调节单元220，以接收负电压Vneg。驱动电路231可以产生相关于控制信号Vc1(第一电压)的控制电压C1与控制电压C1B。
举例来说，当控制信号Vc1为高逻辑位准时，驱动电路231可以选择输出正电压Vpos作为控制电压C1，以及选择输出负电压Vneg作为控制电压C1B。当控制信号Vc1为低逻辑位准时，驱动电路231可以选择输出负电压Vneg作为控制电压C1，以及选择输出正电压Vpos作为控制电压C1B。
射频传输电路232耦接至驱动电路231，以接收控制电压C1与控制电压C1B。依照控制电压C1与控制电压C1B，射频传输电路232可以控制射频传输路径的导通状态。于图6所示实施例中，射频传输路径包括第一路径与第二路径。射频传输电路232包括射频开关SW1、射频开关SW2、开关SW3、开关SW4、电阻R1、电阻R2以及电阻R3。电阻R1的第一端耦接至射频开关SW1的第一端与射频开关SW2的第一端。电阻R1的第二端用以接收偏压电压Vbias。射频开关SW1的第一端可以接收射频信号SRF。射频开关SW1的第二端耦接至射频传输电路232的射频传输端RF1。射频开关SW1的控制端耦接至驱动电路231，以接收控制电压C1。射频开关SW1可以提供所述第一路径。射频开关SW2的第一端可以接收射频信号SRF。射频开关SW2的第二端耦接至射频传输电路232的射频传输端RF2。射频开关SW2的控制端耦接至驱动电路231，以接收控制电压C1B。射频开关SW2可以提供所述第二路径。
电阻R2的第一端耦接至射频开关SW1的第二端。电阻R2的第二端用以接收偏压电压Vbias。开关SW3的第一端耦接至射频开关SW1的第二端。开关SW3的控制端受控于控制电压C1B。开关SW3的第二端用以接收偏压电压Vbias。电阻R3的第一端耦接至射频开关SW2的第二端。电阻R3的第二端用以接收偏压电压Vbias。开关SW4的第一端耦接至射频开关SW2的第二端。开关SW4的控制端受控于控制电压C1。开关SW4的第二端用以接收偏压电压Vbias。其中，偏压电压Vbias可例如是接地电压GND或是一固定电压。
当控制信号Vc1为高逻辑位准时，射频开关SW1为导通，以及射频开关SW2为截止。当控制信号Vc1为低逻辑位准时，射频开关SW1为截止，以及射频开关SW2为导通。根据控制信号Vc1与控制信号Vc2的逻辑态可以将射频信号SRF传输至射频传输端RF1或射频传输端RF2。
图7是依照本发明的另一实施例说明图2、图3与图4所示射频电路230的电路模块示意图。在图7所示实施例中，射频电路230包括驱动电路233、驱动电路234以及射频传输电路235。驱动电路233的第一电源端耦接至电压调节单元220，以接收正电压Vpos。驱动电路233的第二电源端耦接至电压调节单元220，以接收负电压Vneg。驱动电路233可以产生相关于控制信号Vc1(第一电压)的控制电压C1。举例来说，当控制信号Vc1为高逻辑位准时，驱动电路233可以选择输出正电压Vpos作为控制电压C1。当控制信号Vc1为低逻辑位准时，驱动电路233可以选择输出负电压Vneg作为控制电压C1。
驱动电路234的第一电源端耦接至电压调节单元220，以接收正电压Vpos。驱动电路234的第二电源端耦接至电压调节单元220，以接收负电压Vneg。驱动电路234可以产生相关于控制信号Vc2(第二电压)的控制电压C2。举例来说，当控制信号Vc2为高逻辑位准时，驱动电路234可以选择输出正电压Vpos作为控制电压C2。当控制信号Vc2为低逻辑位准时，驱动电路234可以选择输出负电压Vneg作为控制电压C2。
射频传输电路235耦接至驱动电路233与驱动电路234，以接收控制电压C1与控制电压C2。依照控制电压C1与控制电压C2，射频传输电路235可以控制射频传输路径的导通状态。于图7所示实施例中，射频传输电路235包括射频开关SW1、射频开关SW2、开关SW3、开关SW4、电阻R1、电阻R2以及电阻R3。图7所示射频开关SW1、射频开关SW2、开关SW3、开关SW4、电阻R1、电阻R2以及电阻R3可以参照图6所示射频开关SW1、射频开关SW2、开关SW3、开关SW4、电阻R1、电阻R2以及电阻R3的相关说明，故不再赘述。于图7所示实施例中，射频开关SW1的控制端耦接至驱动电路233，以接收控制电压C1。射频开关SW2的控制端耦接至驱动电路234，以接收控制电压C2。开关SW3的控制端受控于控制电压C2。开关SW4的控制端受控于控制电压C1。
因此，当控制信号Vc1与控制信号Vc2均为低逻辑位准时，射频开关SW1与射频开关SW2均为截止。当控制信号Vc1为高逻辑位准且控制信号Vc2为低逻辑位准时，射频开关SW1、SW4为导通，以及射频开关SW2、SW3为截止，可将射频信号SRF传输至射频传输端RF1。当控制信号Vc1为低逻辑位准且控制信号Vc2为高逻辑位准时，射频开关SW1、SW4为截止，以及射频开关SW2、SW3为导通，可将射频信号SRF传输至射频传输端RF2。也就是说根据控制信号Vc1与控制信号Vc2的逻辑态可以将射频信号SRF传输至射频传输端RF1或射频传输端RF2。
综上所述，本发明诸实施例所述电压产生装置使用第一电压(例如控制信号Vc1)与第二电压(例如控制信号Vc2)来分别控制第一开关(例如211、311、或411)与第二开关(例如212、312、或412)。当第一开关(或第二开关)为导通(turn on)时，第一电压(或第二电压)可以被传输至输出节点而几乎没有电压损失。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。

Claims (17)

1.一种电压产生装置，其特征在于，包括：
一第一开关，具有一第一端被配置为接收一第一电压，其中该第一开关的一控制端被配置为接收一第二电压；以及
一第二开关，具有一第一端被配置为接收该第二电压，其中该第二开关的一控制端被配置为接收该第一电压，该第二开关的一第二端以及该第一开关的一第二端耦接至一输出节点，以及该输出节点输出相关于该第一电压与该第二电压二者至少一者的一输出电压；
一第三开关，具有一第一端被配置为接收该第一电压或该第二电压，其中该第三开关的一控制端被配置为接收一控制电压，以及该第三开关的一第二端耦接至该输出节点；
一逻辑电路，耦接至该第三开关的该控制端以提供该控制电压，其中该逻辑电路依据该第一电压与该第二电压来改变该控制电压；
其中该逻辑电路包括：一与非门，具有一第一输入端与一第二输入端分别接收该第一电压与该第二电压，其中该与非门的一输出端耦接至该第三开关的该控制端以提供该控制电压。
2.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，其中该第一电压为一第一控制信号，该第二电压为一第二控制信号或一系统电压。
3.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，其中
当该第一电压为一高逻辑位准且该第二电压为一低逻辑位准时，该第一开关为导通且该第二开关为截止，以及该第一开关将该第一电压传输至该输出节点以产生该输出电压；以及
当该第一电压为一低逻辑位准且该第二电压为一高逻辑位准时，该第一开关为截止且该第二开关为导通，以及该第二开关将该第二电压传输至该输出节点以产生该输出电压。
4.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，其中当该第一电压与该第二电压为一高逻辑位准时，该第一开关与该第二开关为截止，该第三开关为导通，以及该第三开关将该第一电压或该第二电压传输至该输出节点以产生该输出电压。
5.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，其中该第一开关、第二开关与该第三开关是金属氧化物半导体晶体管、双极结型晶体管或异质结双极晶体管。
6.如权利要求5所述的电压产生装置，其特征在于，其中该第一开关、第二开关与该第三开关是P通道金属氧化物半导体晶体管。
7.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，其中当该第一电压与该第二电压为一高逻辑位准时，该第一开关与该第二开关为截止，该逻辑电路藉由该控制电压导通该第三开关，以及该第三开关将该第一电压或该第二电压传输至该输出节点作为该输出电压。
8.如权利要求1所述的电压产生装置，其特征在于，更包括：
一电压产生器，耦接至该逻辑电路的一电源端以提供一调节电压，其中该电压产生器使用该第一电压与该第二电压来产生该调节电压。
9.如权利要求8所述的电压产生装置，其特征在于，其中该调节电压小于该输出电压。
10.如权利要求8所述的电压产生装置，其特征在于，其中该电压产生器包括：
一第一二极管电路，具有一阳极被配置为接收该第一电压，其中该第一二极管电路的一阴极耦接至该与非门的该电源端；以及
一第二二极管电路，具有一阳极被配置为接收该第二电压，其中该第二二极管电路的一阴极耦接至该与非门的该电源端。
11.如权利要求10所述的电压产生装置，其特征在于，其中该第一二极管电路与该第二二极管电路的任一个包括：
一晶体管，具有一第一端作为该阳极，其中该晶体管的一控制端耦接至该晶体管的一第二端，而该晶体管的该第二端作为该阴极。
12.一种射频装置，其特征在于，包括：
一第一开关，具有一第一端被配置为接收一第一电压，其中该第一开关的一控制端被配置为接收一第二电压；
一第二开关，具有一第一端被配置为接收该第二电压，其中该第二开关的一控制端被配置为接收该第一电压，该第二开关的一第二端以及该第一开关的一第二端耦接至一输出节点，以及该输出节点输出相关于该第一电压与该第二电压二者至少一者的一输出电压；
一第三开关，具有一第一端被配置为接收该第一电压或该第二电压，其中该第三开关的一控制端被配置为接收一控制电压，以及该第三开关的一第二端耦接至该输出节点；
一逻辑电路，耦接至该第三开关的该控制端以提供该控制电压，其中该逻辑电路依据该第一电压与该第二电压来改变该控制电压；一电压调节单元，耦接至该输出节点以接收该输出电压，被配置为产生相关于该输出电压的一正电压与一负电压二者至少一者；以及
一射频电路，耦接至该电压调节单元以接收该正电压与该负电压二者至少一者，被配置为依照该第一电压而控制该射频电路的至少一射频传输路径的导通状态；
其中该逻辑电路包括：一与非门，具有一第一输入端与一第二输入端分别接收该第一电压与该第二电压，其中该与非门的一输出端耦接至该第三开关的该控制端以提供该控制电压；
其中，该电压调节单元包括一振荡器和一电荷泵，该振荡器的一端接收该输出电压产生一频率信号，该电荷泵接收该频率信号产生该正电压与该负电压二者至少一者。
13.如权利要求12所述的射频装置，其特征在于，另包括：
一电容，具有一第一端耦接至该输出节点以接收该输出电压，其中该电容的一第二端耦接于一参考电位。
14.如权利要求12所述的射频装置，其特征在于，其中该射频电路包括：
一第一驱动电路，其中该第一驱动电路的一第一电源端耦接至该电压调节单元以接收该正电压，该第一驱动电路的一第二电源端耦接至该电压调节单元以接收该负电压，以及该第一驱动电路被配置为产生相关于该第一电压的一第一控制电压；
一第二驱动电路，其中该第二驱动电路的一第一电源端耦接至该电压调节单元以接收该正电压，该第二驱动电路的一第二电源端耦接至该电压调节单元以接收该负电压，以及该第二驱动电路被配置为产生相关于该第二电压的一第二控制电压；以及
一射频传输电路，耦接至该第一驱动电路与该第二驱动电路以接收该第一控制电压与该第二控制电压，被配置为依照该第一控制电压与该第二控制电压而控制该至少一射频传输路径的导通状态。
15.如权利要求12所述的射频装置，其特征在于，其中该射频电路包括：
一驱动电路，其中该驱动电路的一第一电源端耦接至该电压调节单元以接收该正电压，该驱动电路的一第二电源端耦接至该电压调节单元以接收该负电压，以及该驱动电路被配置为产生相关于该第一电压的一第一控制电压与一第二控制电压；以及
一射频传输电路，耦接至该驱动电路以接收该第一控制电压与该第二控制电压，被配置为依照该第一控制电压与该第二控制电压而控制该至少一射频传输路径的导通状态。
16.如权利要求15所述的射频装置，其特征在于，其中该至少一射频传输路径包括一第一路径与一第二路径，该射频传输电路包括：
一第一射频开关，被配置为提供该第一路径，其中该第一射频开关的一第一端被配置为接收一射频信号，该第一射频开关的一第二端耦接至该射频传输电路的一第一射频传输端，以及该第一射频开关的一控制端耦接至该驱动电路以接收该第一控制电压；以及
一第二射频开关，被配置为提供该第二路径，其中该第二射频开关的一第一端被配置为接收该射频信号，该第二射频开关的一第二端耦接至该射频传输电路的一第二射频传输端，以及该第二射频开关的一控制端耦接至该驱动电路以接收该第二控制电压。
17.如权利要求16所述的射频装置，其特征在于，其中该射频传输电路更包括：
一第一电阻，具有一第一端耦接至该第一射频开关的该第一端与该第二射频开关的该第一端，其中该第一电阻的一第二端用以接收一偏压电压；
一第二电阻，具有一第一端耦接至该第一射频开关的该第二端，其中该第二电阻的一第二端用以接收该偏压电压；
一第三电阻，具有一第一端耦接至该第二射频开关的该第二端，其中该第三电阻的一第二端用以接收该偏压电压；
一第一开关，具有一第一端耦接至该第一射频开关的该第二端，其中该第一开关的一控制端受控于该第二控制电压，以及该第一开关的一第二端用以接收该偏压电压；以及
一第二开关，具有一第一端耦接至该第二射频开关的该第二端，其中该第二开关的一控制端受控于该第一控制电压，以及该第二开关的一第二端用以接收该偏压电压。
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