CN101866635A - 转压器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种转压器，具有第一至第六晶体管，各晶体管具有一控制端与其他两端。第一、第三与第五晶体管的两端分别串联于第一电压与第二电压之间，第三与第五晶体管间设有第一输出端。第二、第四与第六晶体管的两端亦分别串联于第一电压与第二电压之间，第四与第六晶体管间设有第二输出端。第一与第二晶体管的控制端分别接收第一与第二输入信号，第三与第四晶体管的控制端共同耦接一预设偏压，第五与第六晶体管的控制端分别耦接第二与第一输出端。本发明转压器使用六个晶体管即可实现转负压的工作，故可有效缩减转压器的总布局面积。
Description
技术领域
本发明涉及一种转压器，尤其涉及一种能有效缩减布局面积的转压器。
背景技术
转压器可接收信号范围较小的输入信号，并将其对应地转换为信号范围较大的输出信号，是接口电路中的重要组成模块。譬如说，在驱动显示面板的源极驱动器(source driver)芯片中，芯片中原始控制信号的信号范围可以是0到2伏特，然而输出驱动显示面板时，所需的信号范围可能就要转换扩大到-5到0伏特。为了在两种信号范围间进行转换，就需要使用到转压器，用以将0到2伏特的输入信号转换为-5到0伏特的输出信号。由于此种转换是将输入信号的信号范围下限转换为输出信号的信号范围上限，故可视为一种转负压的操作。
请参考图1，其所示意的是一现有转压器10，用以达成转负压的目的。在现有技术中，若要将信号范围介于电压VSS至VPP的输入信号IN转负压为信号范围在电压VSSL至VSS间的输出信号OUT，现有转压器10必须经过三阶段才能实现此种转负压工作；在转压器10中，转压器LS1、反相器INV0与另一转压器LS2即分别进行这三阶段的转换，其中，工作于电压VPP至VSSH的转压器LS1进行第一重转压，将输入信号IN转换为信号OUTa，使信号OUTa的信号范围在电压VSSH至VPP之间；工作于电压VSS至VSSH的反相器INV0进行第二重转压，将信号OUTa转换为信号OUTb，并使信号OUTb的信号范围落在电压VSSH至VSS之间；最后，工作于电压VSS至VSSL的转压器LS2则进行第三重转压，将信号OUTb转换为输出信号OUT，使输出信号OUT的信号范围能在电压VSSL至VSS之间。在上述各重转换中，举例来说，电压VSSL、VSSH、VSS与VPP可分别为-5、-2、0，及2伏特，用以将0至2伏特的输入信号IN转负压为-5至0伏特的输出信号OUT。
虽然输入信号IN的信号范围下限相当于输出信号OUT的信号范围上限(均为电压VSS)，不过在上述各重转换中，当转压器LS1、LS2与反相器INV0各自在输出入信号范围间进行转换时，都只能基于相同的信号范围上限或下限进行转换。也就是说，转压器LS1是以输出入信号的信号范围上限为基准而进行转换，输入信号IN的信号范围上限需与信号OUTa的信号范围上限(即电压VPP)相等。反相器INV0则是基于共同的输出入信号范围下限而进行转换，信号OUTa的信号范围下限与信号OUTb的信号范围下限相等。转压器LS2则在输出入信号间以相同的信号范围上限进行转换，信号OUTb的信号范围上限须与输出信号OUT的信号范围上限相等。综合上述三重转换，现有转压器10才能实现转负压的目的。
现有转压器10须以三个电路(转压器LS1、LS2与反相器INV0)分别进行三重转换的原因之一是要确保各电路中的晶体管不会因过大的电压差而造成击穿损坏。在将信号转换至较大信号范围时，各晶体管在各极间的电压差也会变大，进而影响晶体管的可靠度。不过，在三重转换架构下，转压器LS1、LS2与反相器INV0的布局面积总和也会较大，使得现有转压器10的整体布局面积无法有效缩减。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种转压器，适用于驱动液晶面板的源极驱动电路，用以根据一第一输入信号与一第二输入信号而由一第一输出端与一第二输出端分别输出对应的一第一输出信号与一第二输出信号；此转压器包含有：一第一晶体管，其具有一第一第一端、一第一第二端与一第一控制端，该第一第一端耦接一第一电压，该第一控制端接收该第一输入信号；一第二晶体管，其具有一第二第一端、一第二第二端与一第二控制端，该第二第一端耦接该第一电压，该第二控制端接收该第二输入信号；一第三晶体管，其具有一第三第一端、一第三第二端与一第三控制端，该第三控制端耦接一预设偏压，该第三第一端与该第三第二端分别耦接该第一第二端与该第一输出端；一第四晶体管，其具有一第四第一端、一第四第二端与一第四控制端，该第四控制端耦接该预设偏压，该第四第一端与该第四第二端分别耦接该第二第二端与该第二输出端；一第五晶体管，其具有一第五第一端、一第五第二端与一第五控制端，该第五控制端耦接该第二输出端，该第五第一端耦接该第一输出端，该第五第二端耦接一第二电压；以及，一第六晶体管，其具有一第六第一端、一第六第二端与一第六控制端，该第六控制端耦接该第一输出端，该第六第一端耦接该第二输出端，以及该第六第二端耦接该第二电压；其中，该第一输入信号与该第二输入信号的范围在该第一电压与一第三电压之间，以及该第一输出信号与该第二输出信号的范围在该第二电压与该第一电压之间，当中该第一电压介于该第三电压与该第二电压之间；该预设偏压的设定为当该第一输入信号为该第三电压时，该第一输出端被导通至该第一电压，当该第一输入信号为该第一电压时，该第一输出端被停止导通至该第一电压。
本发明的另一目的是提供一种转压器，适用于驱动液晶面板的源极驱动电路，包含有：一输入电路，具有一第一输入端、一第二输入端、一第一连接端与一第二连接端，由该第一输入端与该第二输入端分别接收一第一输入信号与一第二输入信号，并使该第一连接端的信号与该第二连接端的信号分别追随该第一输入信号与该第二输入信号；一缓冲电路，具有一第三连接端、一第四连接端、一第一输出端与一第二输出端，该第三连接端与该第四连接端分别耦接该第一连接端与该第二连接端，其中，当该第一输入端的信号与一预设偏压间的电压差大于一总临界电压时，该缓冲电路将该第三连接端导通至该第一输出端，否则，则该缓冲电路停止在该第三连接端与该第一输出端间导通，以及，当该第二输入端的信号与该预设偏压间的电压差大于该总临界电压时，该缓冲电路将该第四连接端导通至该第二输出端，否则，则该缓冲电路停止在该第四连接端与该第二输出端间导通；以及，一输出电路，耦接于该第一输出端与该第二输出端，根据该第一输出端的信号决定是否将该第二输出端导通至一预设电压，并根据该第二输出端的信号决定是否将该第一输出端导通至该预设电压。
本发明的有益效果在于，本发明转压器使用六个晶体管即可实现转负压的工作，故可有效缩减转压器的总布局面积。
为了能更进一步了解本发明特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附附图仅提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1示意的是一现有转压器。
图2示意的是本发明转压器的一实施例。
图3示意的是本发明转压器的另一实施例。
其中，附图标记说明如下：
10、20、30、LS1、LS2转压器
MP1-MP4、MN1-MN4晶体管
OUTa、OUTb信号
INV、INV0反相器
VPP、VSS、VSSH、VSSL、VPPH、V1-V2电压
IN、INB输入信号
OUT、OUTB输出信号
N1-N4、Nc节点
VB偏压
具体实施方式
请参考图2，其所示意的是本发明转压器的一种实施例20。输入信号IN由反相器INV(工作于电压VPP与VSS之间)反相为输入信号INB，信号IN与INB的信号范围在电压VSS与VPP之间；而本发明转压器20即用以根据输入信号IN与INB而在节点N3与N4分别输出对应的输出信号OUT与OUTB，并将输出信号OUT与OUTB的信号范围转移到电压VSSL与VSS之间。其中，电压VSS的大小可介于电压VPP与VSSL之间，即电压VSSL＜VSS＜VPP。转压器20工作于电压VSS与VSSL之间，设有晶体管MN1、MN2、MP1、MP2、MN3与MN4；各晶体管的栅极可视为一控制端，漏极与源极则为另两端。其中，晶体管MN1与MN2可以是一对相互匹配的n沟道金属氧化物半导体晶体管，两者的栅极可视为转压器20的两输入端，用以分别接收输入信号IN与INB，漏极耦接电压VSS，源极则分别耦接节点N1与N2。晶体管MP1与MP2可以是一对相互匹配的p沟道金属氧化物半导体晶体管，两者的源极分别耦接于节点N1与N2，栅极于节点Nc共同耦接偏压VB，漏极分别耦接节点N3与N4。而节点N3与N4即为转压器20的两输出端，分别输出两输出信号OUT与OUTB。晶体管MN3与MN4则可以是一对互相匹配的n沟道金属氧化物半导体晶体管，两者的漏极分别耦接节点N3与N4，源极共同耦接至电压VSSL，晶体管MN3与MN4的栅极分别耦接节点N4与N3。
由图2可看出，输入信号IN与电压V1(也就是节点N1的电压)间的电压差(IN-V1)相当于晶体管MN1的栅极至源极电压差VGSN1；由晶体管MN1的工作原理可知，当此电压差VGSN1大于晶体管MN1的临界电压VTHN1时，晶体管MN1可导通。另外，电压V1与偏压VB间的电压差(V1-VB)则相当于晶体管MP1的源极至栅极电压差|VGSP1|，当此电压差|VGSP1|大于晶体管MP1的临界电压|VTHP1|，晶体管MP1可导通。由此可知，在由晶体管MN1与MP1相互串联所形成的架构中，输入信号IN与偏压VB间的电压差(IN-VB)就等于电压差(VGSN1+|VGSP1|)，当此电压差(VGSN1+|VGSP1|)大于晶体管MN1与MP1的总临界电压(VTHN1+|VTHP1|)时，晶体管MN1与MP1就能将节点N3导通至电压VSS。反之，若电压差(VGSN1+|VGSP1|)小于晶体管MN1与MP1的总临界电压(VTHN1+|VTHP1|)，节点N3就不会被导通至电压VSS。对称地，就晶体管MN2与MP2的临界电压VTHN2与|VTHP2|而言，若输入信号INB与偏压VB间的电压差大于总临界电压(VTHN2+|VTHP2|)，晶体管MN2与MP2就会将节点N4导通至电压VSS，否则，节点N4就不会被导通至电压VSS。
依据晶体管MN1/MN2与MP1/MP2的特性(如临界电压)来设计偏压VB的电压值，就能依据输入信号IN与INB的电压大小分别控制节点N3与N4是否能被导通至电压VSS。为实现本发明的转压功能，偏压VB的设定为当输入信号IN(INB)相当于电压VPP时能使节点N3(N4)被导通至电压VSS，以及当输入信号IN(INB)为电压VSS时，则停止使节点N3(N4)被导通至电压VSS。
本发明转压器20的工作过程描述如下。当输入信号IN与INB分别为电压VPP与电压VSS时，晶体管MN1与MP1导通，进而将节点N3导通至电压VSS，也就使输出信号OUT的信号大小相当于电压VSS；另一方面，晶体管MN2与MP2不导通，但节点N3的电压VSS会使晶体管MN4导通，将节点N4的电压拉低至电压VSSL，使输出信号OUTB成为电压VSSL。如此，也就能响应电压VPP与VSS的输入信号IN与INB而输出电压VSS与VSSL的输出信号OUT与OUTB，实现转负压的功能。其中，在晶体管MN1与晶体管MP1的串联架构上，输入信号IN与输出信号OUT同相，也就是说，当输入信号IN的电压为输入信号的信号范围上限时，输出信号OUT的电压亦到达输出信号的信号范围上限；当输入信号IN的电压为输入信号的信号范围下限时，输出信号OUT的电压也到达输出信号的信号范围下限。同理，在晶体管MN2与MP2的串联架构中，输入信号INB与输出信号OUTB也是同相的。
上述是转压器20针对输入信号IN/INB分别为电压VPP/VSS时的工作过程。当输入信号IN/INB为电压VSS/VPP时，转压器20的工作情形则可依据对称的原理推知：晶体管MN2与MP2会导通，使节点N4的输出信号OUTB为电压VSS；晶体管MN1与MP1不导通，而由导通的晶体管MN3将节点N3的输出信号OUT移至电压VSSL。
譬如说，若本发明转压器20用以将0至2伏特的输入信号IN/INB转换为-5至0伏特的输出信号OUT/OUTB(也就是VSSL、VSS与VPP分别等于-5、0与2伏特)，且晶体管MN1与MN2的临界电压VTHN1与VTHN2为0.5伏特，晶体管MP1与MP2的临界电压|VTHP1|与|VTHP2|为0.7伏特，则偏压VB可设定于-1伏特左右。在此情形下，当输入信号IN(INB)为2伏特时，输入信号IN(INB)与偏压VB的电压差为2-(-1)＝3伏特，大于晶体管MN1与MP1(MN2与MP2)的总临界电压(0.5+0.7)＝1.2伏特，使节点N3(N4)可被导通至0伏特的电压VSS。反之，若输入信号IN(INB)为0伏特时，输入信号IN(INB)与偏压VB的电压差为0-(-1)＝1伏特，小于晶体管MN1与MP1(MN2与MP2)的总临界电压1.2伏特，使节点N3(N4)的输出信号OUT(OUTB)不会被导通至电压VSS，而是被导通至-5伏特的电压VSSL。
由以上讨论可知，晶体管MP1与MP2可作为缓冲晶体管，两者的栅极耦接偏压VB，如同在电路中串接可变电阻。譬如说，在晶体管MN1、MP1至MN3的串联架构中，当电压差(VGSN1+|VGSP1|)小于晶体管MN1与MP1的总临界电压(VTHN1+|VTHP1|)时，晶体管MP1如同阻抗无限大的电阻；反之，当电压差(VGSN1+|VGSP1|)大于晶体管MN1与MP1的总临界电压(VTHN1+|VTHP1|)时，晶体管MP1由很大的电阻变为小电阻，其作用为电阻式的阻尼器。对称地，在晶体管MN2、MP2至MN4的串联架构中，晶体管MP2的功用可由晶体管MP1的功用推知。
在考虑晶体管的可靠度用以防止晶体管击穿时，通常会考虑一晶体管的栅极与源极电压差|VGS|、栅极与漏极电压差|VGD|、漏极与源极电压差|VDS|、源极与体极(body或bulk)电压差|VSB|，以及漏极与体极的电压差|VDB|。譬如说，在转压器20的一典型应用中，各晶体管MN1、MN2、MP1、MP2、MN3与MN4的上述各电压差|VGS|、|VGD|、|VDS|、|VSB|与|VDB|均要小于5伏特。若本发明转压器20是用来将0到2伏特的输入信号IN/INB转换为-5到0伏特的输出信号OUT/OUTB(也就是电压VSSL、VSS与VPP分别等于-5、0与2伏特)，则在本发明的电路架构下，各晶体管MN1、MN2、MP1、MP2、MN3与MN4的各电压差|VGS|、|VGD|、|VDS|、|VSB|与|VDB|都会小于5伏特而不会影响晶体管的可靠度。由于晶体管MN1与MN2的体极(图中未示出)可耦接至电压VSSL，故晶体管MN1(MN2)的栅极与体极电压差|VGB|可能会达到7伏特。不过，栅极与体极间可忍受的电压差本来就比较大，不会影响晶体管MN1/MN2的可靠度。
等效上来说，本发明转压器20由一输入电路、一缓冲电路与一输出电路形成。在图2的实施例中，输入电路由晶体管MN1与MN2形成，晶体管MN1与MN2的栅极为两输入端，节点N1与N2可视为两连接端，此输入电路由两输入端分别接收输入信号IN与INB，并使节点N1与N2的信号分别追随输入信号IN与INB。缓冲电路由晶体管MP1与MP2形成，节点N1、N2为两连接端，节点N3、N4则为两输出端。其中，当输入端的信号IN与偏压VB间的电压差大于晶体管MN1与MP1的总临界电压时，缓冲电路可将节点N1导通至节点N3；反之，则缓冲电路停止在节点N1与N3间导通；对称地，当另一输入端的信号INB与偏压VB间的电压差大于晶体管MN2与MP2的总临界电压时，缓冲电路会将节点N2导通至节点N4，反之，则缓冲电路停止在节点N2与节点N4间导通。输出电路则由晶体管MN3与MN4形成，其可根据节点N3的信号决定是否将节点N4导通至电压VSSL，并根据节点N4的信号决定是否将节点N3导通至电压VSSL。
请参考图3，其所示意的是本发明转压器的另一实施例30。输入信号IN由反相器INV(工作于电压VSS与VSSL之间)反相为输入信号INB，输入信号IN/INB的信号范围为电压VSSL至VSS；而本发明转压器30即接收输入信号IN与INB而在节点N3与N4分别输出对应的输出信号OUT与OUTB，并将输出信号OUT与OUTB的信号范围转换为电压VSS至VPPH。其中，电压VSS的大小可介于电压VPPH与VSSL之间，使电压VSSL＜VSS＜VPPH；譬如说，电压VSSL、VSS与VPPH可分别为0、2与7伏特。转压器30工作于电压VPPH与VSS之间，设有晶体管MP1、MP2、MN1、MN2、MP3与MP4；各晶体管的栅极可视为一控制端，漏极与源极则为另两端。类似于转压器20的电路架构，在转压器30中，晶体管MP1与MP3(MP2与MP4)是相同沟道类型的晶体管，晶体管MN1与MP1(MN2与MP2)则是不同沟道类型的晶体管。其中，晶体管MP1与MP2可以是一对相互匹配的p沟道金属氧化物半导体晶体管，两者的栅极可视为转压器30的两输入端，分别接收输入信号IN与INB，漏极耦接电压VSS，源极则分别耦接节点N1与N2。晶体管MN1与MN2可以是一对相互匹配的n沟道金属氧化物半导体晶体管，两者的源极分别耦接于节点N1与N2，栅极于节点Nc共同耦接偏压VB，漏极分别耦接节点N3与N4，形成转压器30的两输出端，分别输出两输出信号OUT与OUTB。晶体管MP3与MP4则可以是一对互相匹配的p沟道金属氧化物半导体晶体管，两者的漏极分别耦接节点N3与N4，源极共同耦接至电压VPPH，晶体管MP3与MP4的栅极分别耦接节点N4与N3。
转压器30的工作过程可简介如下。当输入信号IN与INB分别为电压VSS与VSSL时，偏压VB与输入信号IN间的电压差小于晶体管MN1与MP1的总临界电压，晶体管MN1与MP1不导通；而偏压VB与输入信号INB间的电压差大于晶体管MN2与MP2的总临界电压，将节点N4导通至电压VSS，使输出信号OUTB等于电压VSS。节点N4的电压连带使晶体管MP3导通，将节点N3导通至电压VPPH，使输出信号OUT等于电压VPPH。
总结来说，相较于现有技术，本发明转压器使用六个晶体管即可实现转负压的工作，故可有效缩减转压器的总布局面积。
综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。
Claims (12)
1.一种转压器，适用于驱动液晶面板的源极驱动电路，用以根据一第一输入信号与一第二输入信号而由一第一输出端与一第二输出端分别输出对应的一第一输出信号与一第二输出信号，该转压器包含有：
一第一晶体管，其具有一第一第一端、一第一第二端与一第一控制端，该第一第一端耦接一第一电压，该第一控制端接收该第一输入信号；
一第二晶体管，其具有一第二第一端、一第二第二端与一第二控制端，该第二第一端耦接该第一电压，该第二控制端接收该第二输入信号；
一第三晶体管，其具有一第三第一端、一第三第二端与一第三控制端，该第三控制端耦接一预设偏压，该第三第一端与该第三第二端分别耦接该第一第二端与该第一输出端；
一第四晶体管，其具有一第四第一端、一第四第二端与一第四控制端，该第四控制端耦接该预设偏压，该第四第一端与该第四第二端分别耦接该第二第二端与该第二输出端；
一第五晶体管，其具有一第五第一端、一第五第二端与一第五控制端，该第五控制端耦接该第二输出端，该第五第一端耦接该第一输出端，该第五第二端耦接一第二电压；以及
一第六晶体管，其具有一第六第一端、一第六第二端与一第六控制端，该第六控制端耦接该第一输出端，该第六第一端耦接该第二输出端，以及该第六第二端耦接该第二电压；
其中，该第一输入信号与该第二输入信号的范围在该第一电压与一第三电压之间，以及该第一输出信号与该第二输出信号的范围在该第二电压与该第一电压之间，当中该第一电压介于该第三电压与该第二电压之间，以及该预设偏压的设定为当该第一输入信号为该第三电压时，该第一输出端被导通至该第一电压，当该第一输入信号为该第一电压时，该第一输出端被停止导通至该第一电压。
2.如权利要求1的转压器，其特征在于，该第一晶体管与该第二晶体管匹配，该第三晶体管与该第四晶体管匹配，该第五晶体管与该第六晶体管匹配，且该第一晶体管与该第五晶体管为相同沟道类型的晶体管，以及该第一晶体管与该第三晶体管为相异沟道类型的晶体管。
3.如权利要求1的转压器，其特征在于，该第一晶体管、该第二晶体管、该第五晶体管与该第六晶体管为n沟道金属氧化物半导体晶体管，该第三晶体管与该第四晶体管为p沟道金属氧化物半导体晶体管，其中，该第三电压大于该第一电压，且该第一电压大于该第二电压。
4.如权利要求1的转压器，其特征在于，该第一晶体管、该第二晶体管、该第五晶体管与该第六晶体管为p沟道金属氧化物半导体晶体管，该第三晶体管与该第四晶体管为n沟道金属氧化物半导体晶体管，其中，该第二电压大于该第一电压，且该第一电压大于该第三电压。
5.一种转压器，适用于驱动液晶面板的源极驱动电路，包含有：
一输入电路，具有一第一输入端、一第二输入端、一第一连接端与一第二连接端，由该第一输入端与该第二输入端分别接收一第一输入信号与一第二输入信号，并使该第一连接端的信号与该第二连接端的信号分别追随该第一输入信号与该第二输入信号；
一缓冲电路，具有一第三连接端、一第四连接端、一第一输出端与一第二输出端，该第三连接端与该第四连接端分别耦接该第一连接端与该第二连接端，其中，当该第一输入端的信号与一预设偏压间的电压差大于一总临界电压时，该缓冲电路将该第三连接端导通至该第一输出端，否则，则该缓冲电路停止在该第三连接端与该第一输出端间导通，以及，当该第二输入端的信号与该预设偏压间的电压差大于该总临界电压时，该缓冲电路将该第四连接端导通至该第二输出端，否则，则该缓冲电路停止在该第四连接端与该第二输出端间导通；以及
一输出电路，耦接于该第一输出端与该第二输出端，根据该第一输出端的信号决定是否将该第二输出端导通至一预设电压，并根据该第二输出端的信号决定是否将该第一输出端导通至该预设电压。
6.如权利要求5的转压器，其特征在于，该输入电路包含有：
一第一晶体管，其具有一第一端、一第二端与一控制端，该控制端耦接该第一输入端，该第一端耦接一第一电压，该第二端耦接该第一连接端；以及
一第二晶体管，其具有一第一端、一第二端与一控制端，该控制端耦接该第二输入端，该第一端耦接该第一电压，该第二端耦接该第二连接端。
7.如权利要求6的转压器，其特征在于，该缓冲电路包含有：
一第三晶体管，其具有一第一端、一第二端与一控制端，该第一端耦接该第三连接端，该控制端耦接该预设偏压，该第二端耦接该第一输出端；以及
一第四晶体管，其具有一第一端、一第二端与一控制端，该第一端耦接该第四连接端，该控制端耦接该预设偏压，该第二端耦接该第二输出端。
8.如权利要求7的转压器，其特征在于，该输出电路包含有：
一第五晶体管，其具有一第一端、一第二端与一控制端，该控制端耦接该第二输出端，该第一端耦接该第一输出端，该第二端耦接该预设电压；以及
一第六晶体管，其具有一第一端、一第二端与一控制端，该控制端耦接该第一输出端，该第一端耦接该第二输出端，该第二端耦接该预设电压。
9.如权利要求8的转压器，其特征在于，该第一晶体管与该第二晶体管匹配，该第三晶体管与该第四晶体管匹配，该第五晶体管与该第六晶体管匹配，且该第一晶体管与该第五晶体管为相同沟道类型的晶体管，而该第一晶体管与该第三晶体管为相异沟道类型的晶体管。
10.如权利要求8的转压器，其特征在于，该第一输入信号与该第二输入信号的信号范围在一第一电压与一第二电压之间，该第一输出信号与该第二输出信号的信号范围在该预设电压与该第一电压之间，其中该第一电压介于该预设电压与该第二电压之间。
11.如权利要求8的转压器，其特征在于，该第一晶体管、该第二晶体管、该第五晶体管与该第六晶体管为n沟道金属氧化物半导体晶体管，该第三晶体管与该第四晶体管为p沟道金属氧化物半导体晶体管，其中，该第二电压大于该第一电压，且该第一电压大于该预设电压。
12.如权利要求8的转压器，其特征在于，该第一晶体管、该第二晶体管、该第五晶体管与该第六晶体管为p沟道金属氧化物半导体晶体管，以及该第三晶体管与该第四晶体管为n沟道金属氧化物半导体晶体管，其中，该预设电压大于该第一电压，且该第一电压大于该第二电压。
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