TWI795671B - 射頻裝置及其電壓產生裝置 - Google Patents

射頻裝置及其電壓產生裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI795671B
TWI795671B TW109130227A TW109130227A TWI795671B TW I795671 B TWI795671 B TW I795671B TW 109130227 A TW109130227 A TW 109130227A TW 109130227 A TW109130227 A TW 109130227A TW I795671 B TWI795671 B TW I795671B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
voltage
switch
radio frequency
terminal
control
Prior art date
Application number
TW109130227A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202118249A (zh
Inventor
蔡賢皇
陳智聖
Original Assignee
立積電子股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 立積電子股份有限公司 filed Critical 立積電子股份有限公司
Publication of TW202118249A publication Critical patent/TW202118249A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI795671B publication Critical patent/TWI795671B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/401—Circuits for selecting or indicating operating mode
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0483—Transmitters with multiple parallel paths
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/577—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices for plural loads
    • G05F1/585—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices for plural loads providing voltages of opposite polarities
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/62—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using bucking or boosting dc sources
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/66—Regulating electric power
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
    • H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
    • H03K17/102—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L12/00—Data switching networks
    • H04L12/02—Details
    • H04L12/10—Current supply arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0036—Means reducing energy consumption
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0081—Power supply means, e.g. to the switch driver

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Transmitters (AREA)
  • Electrotherapy Devices (AREA)

Abstract

一種射頻裝置及其電壓產生裝置。電壓產生裝置包括第一開關與第二開關。第一開關的第一端接收第一電壓。第一開關的控制端接收第二電壓。第二開關的第一端接收第二電壓。第二開關的控制端接收第一電壓。第二開關的第二端以及第一開關的第二端耦接至輸出節點，其中該輸出節點輸出相關於第一電壓與第二電壓二者至少一者的輸出電壓。

Description

射頻裝置及其電壓產生裝置
本發明是有關於一種電子電路，且特別是有關於一種射頻（radio frequency, RF）裝置及其電壓產生裝置。
許多射頻（Radio Frequency，RF）電子產品（例如行動電話、無線傳呼機、無線基礎設施、衛星通信裝置、電視設備以及/或是其他射頻產品）配置了射頻電路（諸如射頻切換器等）與其他元件。驅動電路可以依照系統的控制訊號來改變射頻切換器的射頻傳輸路徑。如何使用所述控制訊號的電壓來產生驅動電路的電源電壓，是技術課題之一。
須注意的是，「先前技術」段落的內容是用來幫助了解本發明。在「先前技術」段落所揭露的部份內容（或全部內容）可能不是所屬技術領域中具有通常知識者所知道的習知技術。在「先前技術」段落所揭露的內容，不代表該內容在本發明申請前已被所屬技術領域中具有通常知識者所知悉。
本發明提供一種射頻裝置及其電壓產生裝置，其可以使用第一電壓與（或）第二電壓的電壓來產生輸出電壓。
本發明的電壓產生裝置包括第一開關與第二開關。第一開關的第一端被配置為接收第一電壓。第一開關的控制端被配置為接收第二電壓。第二開關的第一端被配置為接收第二電壓。第二開關的控制端被配置為接收第一電壓。第二開關的第二端以及第一開關的第二端耦接至輸出節點，其中該輸出節點輸出相關於第一電壓與第二電壓二者至少一者的輸出電壓。
本發明的一種射頻裝置包括第一開關、第二開關、電壓調節單元以及射頻電路。第一開關的第一端被配置為接收第一電壓。第一開關的控制端被配置為接收第二電壓。第二開關的第一端被配置為接收第二電壓。第二開關的控制端被配置為接收第一電壓。第二開關的第二端以及第一開關的第二端耦接至輸出節點，其中輸出節點輸出相關於第一電壓與第二電壓二者至少一者的輸出電壓。電壓調節單元耦接至輸出節點，以接收輸出電壓。電壓調節單元被配置為產生相關於輸出電壓的正電壓與負電壓二者至少一者。射頻電路耦接至電壓調節單元，以接收正電壓與負電壓二者至少一者。射頻電路被配置為依照第一電壓而控制射頻電路的至少一射頻傳輸路徑的導通狀態。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
在本案說明書全文（包括申請專利範圍）中所使用的「耦接（或連接）」一詞可指任何直接或間接的連接手段。舉例而言，若文中描述第一裝置耦接（或連接）於第二裝置，則應該被解釋成該第一裝置可以直接連接於該第二裝置，或者該第一裝置可以透過其他裝置或某種連接手段而間接地連接至該第二裝置。本案說明書全文（包括申請專利範圍）中提及的「第一」、「第二」等用語是用以命名元件（element）的名稱，或區別不同實施例或範圍，而並非用來限制元件數量的上限或下限，亦非用來限制元件的次序。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件/步驟代表相同或類似部分。不同實施例中使用相同標號或使用相同用語的元件/構件/步驟可以相互參照相關說明。
圖1是依照一實施例所繪示的一種射頻裝置100的電路方塊（circuit block）示意圖。圖1所示射頻裝置100包括電壓產生裝置110、電壓調節單元120以及射頻電路130。在圖1所示實施例中，電壓產生裝置110包括二極體111以及二極體112。二極體111的陽極可以接收控制訊號Vc1（第一電壓）。二極體111的陰極耦接至輸出節點Nout1。二極體112的陽極接收控制訊號Vc2（第二電壓）。在其他實施例中，二極體112的第一端可以接收系統電壓（第二電壓，例如系統電壓Vdd）。二極體112的陰極耦接至輸出節點Nout1。
電壓調節單元120耦接至輸出節點Nout1，以接收輸出電壓Vout1。電壓調節單元120可以產生正電壓Vpos與負電壓Vneg二者至少一者給射頻電路130。在圖1所示實施例中，電壓調節單元120包括振盪器（Oscillator）121以及電荷泵（charge pump）122。振盪器121耦接至輸出節點Nout1，以接收輸出電壓Vout1。依據輸出電壓Vout1，振盪器121可以產生時脈訊號CK。本實施例並不限制振盪器121的實施方式。舉例來說，依照設計需求，振盪器121可以包括習知的振盪電路或是其他振盪電路。
電荷泵122耦接至振盪器121，以接收時脈訊號CK。電荷泵122可以依據時脈訊號CK產生正電壓Vpos及/或負電壓Vneg。本實施例並不限制電荷泵122的實施方式。舉例來說，依照設計需求，電荷泵122可以包括習知的電荷泵電路或是其他電荷泵電路。
射頻電路130耦接至電壓調節單元120，以接收正電壓Vpos與負電壓Vneg二者至少一者。在一些實施例中，射頻電路130可以依照控制訊號Vc1（第一電壓）而控制射頻電路130的至少一個射頻傳輸路徑的導通狀態。舉例來說，當控制訊號Vc1為第一邏輯態時，射頻電路130的射頻傳輸路徑可以將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF1。當控制訊號Vc1為第二邏輯態時，射頻電路130的射頻傳輸路徑可以將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF2。
在另一些實施例中，射頻電路130可以依照控制訊號Vc1與控制訊號Vc2而控制射頻電路130的至少一個射頻傳輸路徑的導通狀態。舉例來說，當控制訊號Vc1為第一邏輯態而控制訊號Vc2為第二邏輯態時，射頻電路130的射頻傳輸路徑可以將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF1。當控制訊號Vc1為第二邏輯態而控制訊號Vc2為第一邏輯態時，射頻電路130的射頻傳輸路徑可以將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF2。當控制訊號Vc1與控制訊號Vc2均為第一邏輯態時，射頻電路130的射頻傳輸路徑可以將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF1與射頻傳輸端RF2。
無論如何，當控制訊號Vc1（或控制訊號Vc2）通過二極體111（或二極體112）時，基於二極體111（或二極體112）的特性，輸出電壓Vout1的電壓準位會低於控制訊號Vc1（或控制訊號Vc2）的電壓準位。舉例來說，假設控制訊號Vc1（或控制訊號Vc2）的高邏輯準位為1.2V。基於二極體111（或二極體112）的電壓下降（voltage drop），輸出節點Nout1的輸出電壓Vout1為0.8V。而影響電壓調節單元120的操作。
圖2是依照本發明的一實施例的一種射頻裝置200的電路方塊示意圖。圖2所示射頻裝置200包括電壓產生裝置210、電壓調節單元220以及射頻電路230。在圖2所示實施例中，電壓產生裝置210包括開關211以及開關212。圖2所示開關211與開關212可以是p通道金屬氧化物半導體（p-channel metal oxide semiconductor，PMOS）電晶體。依照設計需求，在其他實施例中，圖2所示開關211與開關212可以是其他電晶體，例如金屬氧化物半導體（metal oxide semiconductor，MOS）電晶體、雙極性接面電晶體（bipolar junction transistor, BJT）或異質接面雙極性電晶體(heterojunction bipolar transistor，HBT)。
開關211的第一端與開關212的控制端可以接收控制訊號Vc1（第一電壓）。開關212的第一端與開關211的控制端可以接收控制訊號Vc2（第二電壓）。在其他實施例中，開關212的第一端與開關211的控制端可以接收系統電壓（第二電壓，例如系統電壓Vdd）。開關211的第二端以及開關212的第二端耦接至輸出節點Nout2。輸出節點Nout2將輸出電壓Vout2輸出給電壓調節單元220，其中輸出電壓Vout2相關於第一電壓與第二電壓二者至少一者。
舉例來說，當控制訊號Vc1（第一電壓）為高邏輯準位且控制訊號Vc2（第二電壓）為低邏輯準位時，開關211為導通（turn on）且開關212為截止（turn off），因此開關211可以將控制訊號Vc1（第一電壓）傳輸至輸出節點Nout2以產生輸出電壓Vout2。當控制訊號Vc1（第一電壓）為低邏輯準位且控制訊號Vc2（第二電壓）為高邏輯準位時，開關211為截止且開關212為導通，因此開關212可以將控制訊號Vc2（第二電壓）傳輸至輸出節點Nout2以產生輸出電壓Vout2。
電壓產生裝置210可以使用控制訊號Vc1（第一電壓）與（或）控制訊號Vc2（第二電壓）的電壓來產生輸出電壓Vout2。電壓產生裝置210還使用控制訊號Vc1（第一電壓）與控制訊號Vc2（第二電壓）來分別控制開關211與開關212。當開關211（或開關212）為導通時，第一電壓（或第二電壓）可以被傳輸至輸出節點Nout2而幾乎沒有電壓損失。
電壓調節單元220耦接至輸出節點Nout2，以接收輸出電壓Vout2。電壓調節單元220可以產生相關於輸出電壓Vout2的正電壓Vpos與負電壓Vneg二者至少一者。射頻電路230耦接至電壓調節單元220，以接收正電壓Vpos與/或負電壓Vneg。在一些實施例中，射頻電路230可以依照控制訊號Vc1（第一電壓）而控制射頻電路230的至少一個射頻傳輸路徑的導通狀態。舉例來說，當控制訊號Vc1為第一邏輯態時，射頻電路230的射頻傳輸路徑可以將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF1。當控制訊號Vc1為第二邏輯態時，射頻電路230的射頻傳輸路徑可以將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF2。
在另一些實施例中，射頻電路230可以依照控制訊號Vc1與控制訊號Vc2而控制射頻電路230的至少一個射頻傳輸路徑的導通狀態。舉例來說，當控制訊號Vc1為第一邏輯態而控制訊號Vc2為第二邏輯態時，射頻電路230的射頻傳輸路徑可以將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF1，且不會將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF2。當控制訊號Vc1為第二邏輯態而控制訊號Vc2為第一邏輯態時，射頻電路230的射頻傳輸路徑可以將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF2，且不會將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF1。當控制訊號Vc1與控制訊號Vc2均為第一邏輯態時，射頻電路230的射頻傳輸路徑可以將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF1與射頻傳輸端RF2。當控制訊號Vc1與控制訊號Vc2均為第二邏輯態時，射頻電路230不會將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF1與射頻傳輸端RF2。
依照設計需求，在一些實施例中，射頻裝置200還可以選擇性地包括電容240。電容240的第一端耦接至輸出節點Nout2，以接收輸出電壓Vout2。電容240的第二端耦接於參考電位Vref（例如接地電壓GND）。電容240可以抑制控制訊號Vc1與控制訊號Vc2切換邏輯態時的雜訊，以提供較穩定的輸出電壓Vout2。
圖3是依照本發明的另一實施例的一種射頻裝置300的電路方塊示意圖。圖3所示射頻裝置300包括電壓產生裝置310、電壓調節單元220、射頻電路230以及電容240。圖3所示電壓調節單元220、射頻電路230以及電容240可以參照圖2所示電壓調節單元220、射頻電路230以及電容240的相關說明，故不再贅述。
在圖3所示實施例中，電壓產生裝置310包括開關311以及開關312。開關311的第一端與開關312的控制端可以接收控制訊號Vc1（第一電壓）。開關312的第一端與開關311的控制端可以接收控制訊號Vc2（第二電壓）。在其他實施例中，開關312的第一端與開關311的控制端可以接收系統電壓（第二電壓，例如系統電壓Vdd）。開關311的第二端以及開關312的第二端耦接至輸出節點Nout3。輸出節點Nout3將輸出電壓Vout3輸出給電壓調節單元220，其中輸出電壓Vout3相關於第一電壓與第二電壓二者至少一者。圖3所示開關311以及開關312可以參照圖2所示開關211以及開關212的相關說明來類推。
圖3所示開關311包括第一反閘（NOT gate）與第一n通道金屬氧化物半導體（n-channel metal oxide semiconductor，NMOS）電晶體，其中第一NMOS電晶體的汲極可以接收控制訊號Vc1（第一電壓），第一NMOS電晶體的源極可以耦接至輸出節點Nout3，第一反閘的輸出端耦接至第一NMOS電晶體的閘極，以及第一反閘的輸入端可以接收控制訊號Vc2（第二電壓）。圖3所示開關312包括第二反閘與第二NMOS電晶體，其中第二NMOS電晶體的汲極可以接收控制訊號Vc2（第二電壓），第二NMOS電晶體的源極可以耦接至輸出節點Nout3，第二反閘的輸出端耦接至第二NMOS電晶體的閘極，以及第二反閘的輸入端可以接收控制訊號Vc1（第一電壓）。
電壓產生裝置310可以使用控制訊號Vc1（第一電壓）與（或）控制訊號Vc2（第二電壓）的電壓來產生輸出電壓Vout3。電壓產生裝置310還使用控制訊號Vc1（第一電壓）與控制訊號Vc2（第二電壓）來分別控制開關311與開關312。當開關311（或開關312）為導通時，第一電壓（或第二電壓）可以被傳輸至輸出節點Nout3而幾乎沒有電壓損失。
圖4是依照本發明的另一實施例的一種射頻裝置400的電路方塊示意圖。圖4所示射頻裝置400包括電壓產生裝置410、電壓調節單元220、射頻電路230以及電容240。圖4所示電壓調節單元220、射頻電路230以及電容240可以參照圖2所示電壓調節單元220、射頻電路230以及電容240的相關說明，故不再贅述。
在圖4所示實施例中，電壓產生裝置410包括開關411、開關412、開關413、邏輯電路414以及電壓產生器415。開關411的第一端與開關412的控制端可以接收控制訊號Vc1（第一電壓）。開關412的第一端與開關411的控制端可以接收控制訊號Vc2（第二電壓）。在其他實施例中，開關412的第一端與開關411的控制端可以接收系統電壓（第二電壓，例如系統電壓Vdd）。開關411的第二端以及開關412的第二端耦接至輸出節點Nout4。輸出節點Nout4將輸出電壓Vout4輸出給電壓調節單元220，其中輸出電壓Vout4相關於第一電壓與第二電壓二者至少一者。圖4所示開關411以及開關412可以參照圖2所示開關211以及開關212的相關說明來類推。
圖4所示開關413的第一端可以接收控制訊號Vc1（第一電壓）。在其他實施例中，開關413的第一端可以接收控制訊號Vc2（第二電壓）。開關413的控制端耦接至邏輯電路414，以接收控制電壓Vc。開關413的第二端耦接至輸出節點Nout4。圖4所示開關411、412與413可以是PMOS電晶體。依照設計需求，在其他實施例中，圖4所示開關411、412與413可以是其他電晶體，例如金屬氧化物半導體（metal oxide semiconductor，MOS）電晶體、雙極性接面電晶體（bipolar junction transistor, BJT）或異質接面雙極性電晶體(heterojunction bipolar transistor，HBT)。
圖4所示電壓產生器415耦接至邏輯電路414的電源端，以提供調節電壓Vo。電壓產生器415可以使用控制訊號Vc1（第一電壓）與控制訊號Vc2（第二電壓）來產生調節電壓Vo。其中，調節電壓Vo小於輸出電壓Vout4。邏輯電路414耦接至開關413的控制端，以提供控制電壓Vc。邏輯電路414可以依據控制訊號Vc1（第一電壓）與控制訊號Vc2（第二電壓）來改變控制電壓Vc。
舉例來說，當控制訊號Vc1（第一電壓）與控制訊號Vc2（第二電壓）為高邏輯準位時，開關411與開關412為截止，而邏輯電路414藉由控制電壓Vc導通開關413。導通的開關413可以將控制訊號Vc1傳輸至輸出節點Nout4做為輸出電壓Vout4。
因此，電壓產生裝置410可以使用控制訊號Vc1（第一電壓）與（或）控制訊號Vc2（第二電壓）的電壓來產生輸出電壓Vout4。電壓產生裝置410還使用控制訊號Vc1（第一電壓）與控制訊號Vc2（第二電壓）來控制開關411、412與413。當開關411、412與413其中一個為導通時，第一電壓與/或第二電壓可以被傳輸至輸出節點Nout4而幾乎沒有電壓損失。
在圖4所示實施例中，邏輯電路414包括反及閘。所述反及閘的第一輸入端與第二輸入端分別接收控制訊號Vc1（第一電壓）與控制訊號Vc2（第二電壓）。反及閘的輸出端耦接至開關413的控制端，以提供控制電壓Vc。
在圖4所示實施例中，電壓產生器415包括二極體電路416以及二極體電路417。二極體電路416的陽極可以接收控制訊號Vc1（第一電壓）。二極體電路416的陰極耦接至邏輯電路414的反及閘的電源端。二極體電路417的陽極可以接收控制訊號Vc2（第二電壓）。二極體電路417的陰極耦接至邏輯電路414的反及閘的電源端。
在圖4所示實施例中，二極體電路416可以是以二極體形式連接的電晶體(Diode-connected transistor)，例如是以二極體形式連接的PMOS電晶體，其中PMOS電晶體的第一端做為二極體電路416的陽極，PMOS電晶體的控制端耦接至PMOS電晶體的第二端，而PMOS電晶體的第二端做為二極體電路416的陰極。二極體電路417可以參照二極體電路416的相關說明來類推，故不再贅述。
圖5是依照本發明的一實施例說明圖2、圖3與圖4所示電壓調節單元220的電路方塊示意圖。在圖5所示實施例中，電壓調節單元220包括振盪器（Oscillator）510以及電荷泵（charge pump）520。振盪器510接收輸出電壓Vout。圖5所示輸出電壓Vout可以參照圖2所示輸出電壓Vout2、圖3所示輸出電壓Vout3或是圖4所示輸出電壓Vout4的相關說明。振盪器510可以產生相關於輸出電壓Vout的時脈訊號CK。本實施例並不限制振盪器510的實施方式。舉例來說，依照設計需求，振盪器510可以包括習知的振盪電路或是其他振盪電路。時脈訊號CK的頻率可以依照設計需求來決定。
電荷泵520耦接至振盪器510，以接收時脈訊號CK。電荷泵520可以依據時脈訊號CK產生正電壓Vpos與負電壓Vneg。本實施例並不限制電荷泵520的實施方式。舉例來說，依照設計需求，電荷泵520可以包括習知的電荷泵電路或是其他電荷泵電路。正電壓Vpos與負電壓Vneg的準位可以依照設計需求來決定。
圖6是依照本發明的一實施例說明圖2、圖3與圖4所示射頻電路230的電路方塊示意圖。在圖6所示實施例中，射頻電路230包括驅動電路231以及射頻傳輸電路232。驅動電路231的第一電源端耦接至電壓調節單元220，以接收正電壓Vpos。驅動電路231的第二電源端耦接至電壓調節單元220，以接收負電壓Vneg。驅動電路231可以產生相關於控制訊號Vc1（第一電壓）的控制電壓C1與控制電壓C1B。
舉例來說，當控制訊號Vc1為高邏輯準位時，驅動電路231可以選擇輸出正電壓Vpos做為控制電壓C1，以及選擇輸出負電壓Vneg做為控制電壓C1B。當控制訊號Vc1為低邏輯準位時，驅動電路231可以選擇輸出負電壓Vneg做為控制電壓C1，以及選擇輸出正電壓Vpos做為控制電壓C1B。
射頻傳輸電路232耦接至驅動電路231，以接收控制電壓C1與控制電壓C1B。依照控制電壓C1與控制電壓C1B，射頻傳輸電路232可以控制射頻傳輸路徑的導通狀態。於圖6所示實施例中，射頻傳輸路徑包括第一路徑與第二路徑。射頻傳輸電路232包括射頻開關SW1、射頻開關SW2、開關SW3、開關SW4、電阻R1、電阻R2以及電阻R3。電阻R1的第一端耦接至射頻開關SW1的第一端與射頻開關SW2的第一端。電阻R1的第二端用以接收偏壓電壓Vbias。射頻開關SW1的第一端可以傳輸射頻信號SRF。射頻開關SW1的第二端耦接至射頻傳輸電路232的射頻傳輸端RF1。射頻開關SW1的控制端耦接至驅動電路231，以接收控制電壓C1。射頻開關SW1可以提供所述第一路徑。射頻開關SW2的第一端可以傳輸射頻信號SRF。射頻開關SW2的第二端耦接至射頻傳輸電路232的射頻傳輸端RF2。射頻開關SW2的控制端耦接至驅動電路231，以接收控制電壓C1B。射頻開關SW2可以提供所述第二路徑。
電阻R2的第一端耦接至射頻開關SW1的第二端。電阻R2的第二端用以接收偏壓電壓Vbias。開關SW3的第一端耦接至射頻開關SW1的第二端。開關SW3的控制端受控於控制電壓C1B。開關SW3的第二端用以接收偏壓電壓Vbias。電阻R3的第一端耦接至射頻開關SW2的第二端。電阻R3的第二端用以接收偏壓電壓Vbias。開關SW4的第一端耦接至射頻開關SW2的第二端。開關SW4的控制端受控於控制電壓C1。開關SW4的第二端用以接收偏壓電壓Vbias。其中，偏壓電壓Vbias可例如是接地電壓GND或是一固定電壓。
當控制訊號Vc1為高邏輯準位時，射頻開關SW1為導通，以及射頻開關SW2為截止。當控制訊號Vc1為低邏輯準位時，射頻開關SW1為截止，以及射頻開關SW2為導通。根據控制訊號Vc1與控制訊號Vc2的邏輯態可以將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF1或射頻傳輸端RF2。
圖7是依照本發明的另一實施例說明圖2、圖3與圖4所示射頻電路230的電路方塊示意圖。在圖7所示實施例中，射頻電路230包括驅動電路233、驅動電路234以及射頻傳輸電路235。驅動電路233的第一電源端耦接至電壓調節單元220，以接收正電壓Vpos。驅動電路233的第二電源端耦接至電壓調節單元220，以接收負電壓Vneg。驅動電路233可以產生相關於控制訊號Vc1（第一電壓）的控制電壓C1。舉例來說，當控制訊號Vc1為高邏輯準位時，驅動電路233可以選擇輸出正電壓Vpos做為控制電壓C1。當控制訊號Vc1為低邏輯準位時，驅動電路233可以選擇輸出負電壓Vneg做為控制電壓C1。
驅動電路234的第一電源端耦接至電壓調節單元220，以接收正電壓Vpos。驅動電路234的第二電源端耦接至電壓調節單元220，以接收負電壓Vneg。驅動電路234可以產生相關於控制訊號Vc2（第二電壓）的控制電壓C2。舉例來說，當控制訊號Vc2為高邏輯準位時，驅動電路234可以選擇輸出正電壓Vpos做為控制電壓C2。當控制訊號Vc2為低邏輯準位時，驅動電路234可以選擇輸出負電壓Vneg做為控制電壓C2。
射頻傳輸電路235耦接至驅動電路233與驅動電路234，以接收控制電壓C1與控制電壓C2。依照控制電壓C1與控制電壓C2，射頻傳輸電路235可以控制射頻傳輸路徑的導通狀態。於圖7所示實施例中，射頻傳輸電路235包括射頻開關SW1、射頻開關SW2、開關SW3、開關SW4、電阻R1、電阻R2以及電阻R3。圖7所示射頻開關SW1、射頻開關SW2、開關SW3、開關SW4、電阻R1、電阻R2以及電阻R3可以參照圖6所示射頻開關SW1、射頻開關SW2、開關SW3、開關SW4、電阻R1、電阻R2以及電阻R3的相關說明，故不再贅述。於圖7所示實施例中，射頻開關SW1的控制端耦接至驅動電路233，以接收控制電壓C1。射頻開關SW2的控制端耦接至驅動電路234，以接收控制電壓C2。開關SW3的控制端受控於控制電壓C2。開關SW4的控制端受控於控制電壓C1。
因此，當控制訊號Vc1與控制訊號Vc2均為低邏輯準位時，射頻開關SW1與射頻開關SW2均為截止。當控制訊號Vc1為高邏輯準位且控制訊號Vc2為低邏輯準位時，射頻開關SW1、SW4為導通，以及射頻開關SW2、SW3為截止，可將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF1。當控制訊號Vc1為低邏輯準位且控制訊號Vc2為高邏輯準位時，射頻開關SW1、SW4為截止，以及射頻開關SW2、SW3為導通，可將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF2。也就是說根據控制訊號Vc1與控制訊號Vc2的邏輯態可以將射頻訊號SRF傳輸至射頻傳輸端RF1或射頻傳輸端RF2。
綜上所述，本發明諸實施例所述電壓產生裝置使用第一電壓（例如控制訊號Vc1）與第二電壓（例如控制訊號Vc2）來分別控制第一開關（例如211、311、或411）與第二開關（例如212、312、或412）。當第一開關（或第二開關）為導通（turn on）時，第一電壓（或第二電壓）可以被傳輸至輸出節點而幾乎沒有電壓損失。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300、400:射頻裝置 110、210、310、410:電壓產生裝置 111、112:二極體 120、220:電壓調節單元 121、510:振盪器 122、520:電荷泵 130、230:射頻電路 211、212、311、312、411、412、413、SW3、SW4:開關 231、233、234:驅動電路 232、235:射頻傳輸電路 240:電容 414:邏輯電路 415:電壓產生器 416、417:二極體電路 C1、C1B、C2:控制電壓 CK:時脈訊號 Vref:參考電位 Nout1、Nout2、Nout3、Nout4:輸出節點 R1、R2、R3:電阻 RF1、RF2:射頻傳輸端 SRF:射頻訊號 SW1、SW2:射頻開關 Vc:控制電壓 Vc1、Vc2:控制訊號 Vneg:負電壓 Vo:調節電壓 Vout、Vout1、Vout2、Vout3、Vout4:輸出電壓 Vpos:正電壓 Vbias:偏壓電壓
圖1是依照一實施例所繪示的一種射頻裝置的電路方塊（circuit block）示意圖。 圖2是依照本發明的一實施例的一種射頻裝置的電路方塊示意圖。 圖3是依照本發明的另一實施例的一種射頻裝置的電路方塊示意圖。 圖4是依照本發明的另一實施例的一種射頻裝置的電路方塊示意圖。 圖5是依照本發明的一實施例說明圖2、圖3與圖4所示電壓調節單元的電路方塊示意圖。 圖6是依照本發明的一實施例說明圖2、圖3與圖4所示射頻電路的電路方塊示意圖。 圖7是依照本發明的另一實施例說明圖2、圖3與圖4所示射頻電路的電路方塊示意圖。
220:電壓調節單元
230:射頻電路
240:電容
400:射頻裝置
410:電壓產生裝置
411、412、413:開關
414:邏輯電路
415:電壓產生器
416、417:二極體電路
Vref:參考電位
Nout4:輸出節點
RF1、RF2:射頻傳輸端
SRF:射頻訊號
Vc:控制電壓
Vc1、Vc2:控制訊號
Vneg:負電壓
Vo:調節電壓
Vout4:輸出電壓
Vpos:正電壓

Claims (20)

  1. 一種電壓產生裝置，適用於一射頻裝置，包括：一第一開關，具有一第一端被配置為接收一第一電壓，其中該第一開關的一控制端被配置為接收一第二電壓；以及一第二開關，具有一第一端被配置為接收該第二電壓，其中該第二開關的一控制端被配置為接收該第一電壓，該第二開關的一第二端以及該第一開關的一第二端耦接至一輸出節點，以及該輸出節點輸出相關於該第一電壓與該第二電壓二者至少一者的一輸出電壓，其中該射頻裝置依據該第一電壓與該第二電壓二者至少一者所產生的該輸出電壓切換該射頻裝置的多個射頻傳輸路徑。
  2. 如請求項1所述的電壓產生裝置，其中該第一電壓為一第一控制訊號，該第二電壓為一第二控制訊號或一系統電壓。
  3. 如請求項1所述的電壓產生裝置，其中當該第一電壓為一高邏輯準位且該第二電壓為一低邏輯準位時，該第一開關為導通且該第二開關為截止，以及該第一開關將該第一電壓傳輸至該輸出節點以產生該輸出電壓；以及當該第一電壓為一低邏輯準位且該第二電壓為一高邏輯準位時，該第一開關為截止且該第二開關為導通，以及該第二開關將該第二電壓傳輸至該輸出節點以產生該輸出電壓。
  4. 如請求項1所述的電壓產生裝置，更包括：一第三開關，具有一第一端被配置為接收該第一電壓或該第 二電壓，其中該第三開關的一控制端被配置為接收一控制電壓，以及該第三開關的一第二端耦接至該輸出節點。
  5. 如請求項4所述的電壓產生裝置，其中當該第一電壓與該第二電壓為一高邏輯準位時，該第一開關與該第二開關為截止，該第三開關為導通，以及該第三開關將該第一電壓或該第二電壓傳輸至該輸出節點以產生該輸出電壓。
  6. 如請求項4所述的電壓產生裝置，其中該第一開關、第二開關與該第三開關是金屬氧化物半導體電晶體、雙極性接面電晶體或異質接面雙極性電晶體。
  7. 如請求項6所述的電壓產生裝置，其中該第一開關、第二開關與該第三開關是P通道金屬氧化物半導體電晶體。
  8. 如請求項4所述的電壓產生裝置，更包括：一邏輯電路，耦接至該第三開關的該控制端以提供該控制電壓，其中該邏輯電路依據該第一電壓與該第二電壓來改變該控制電壓。
  9. 如請求項8所述的電壓產生裝置，其中當該第一電壓與該第二電壓為一高邏輯準位時，該第一開關與該第二開關為截止，該邏輯電路藉由該控制電壓導通該第三開關，以及該第三開關將該第一電壓或該第二電壓傳輸至該輸出節點做為該輸出電壓。
  10. 如請求項8所述的電壓產生裝置，其中該邏輯電路包括： 一反及閘，具有一第一輸入端與一第二輸入端分別接收該第一電壓與該第二電壓，其中該反及閘的一輸出端耦接至該第三開關的該控制端以提供該控制電壓。
  11. 如請求項8所述的電壓產生裝置，更包括：一電壓產生器，耦接至該邏輯電路的一電源端以提供一調節電壓，其中該電壓產生器使用該第一電壓與該第二電壓來產生該調節電壓。
  12. 如請求項11所述的電壓產生裝置，其中該調節電壓小於該輸出電壓。
  13. 如請求項11所述的電壓產生裝置，其中該電壓產生器包括：一第一二極體電路，具有一陽極被配置為接收該第一電壓，其中該第一二極體電路的一陰極耦接至該反及閘的該電源端；以及一第二二極體電路，具有一陽極被配置為接收該第二電壓，其中該第二二極體電路的一陰極耦接至該反及閘的該電源端。
  14. 如請求項13所述的電壓產生裝置，其中該第一二極體電路與該第二二極體電路的任一個包括：一電晶體，具有一第一端做為該陽極，其中該電晶體的一控制端耦接至該電晶體的一第二端，而該電晶體的該第二端做為該陰極。
  15. 一種射頻裝置，包括： 一第一開關，具有一第一端被配置為接收一第一電壓，其中該第一開關的一控制端被配置為接收一第二電壓；一第二開關，具有一第一端被配置為接收該第二電壓，其中該第二開關的一控制端被配置為接收該第一電壓，該第二開關的一第二端以及該第一開關的一第二端耦接至一輸出節點，以及該輸出節點輸出相關於該第一電壓與該第二電壓二者至少一者的一輸出電壓；一電壓調節單元，耦接至該輸出節點以接收該輸出電壓，被配置為產生相關於該輸出電壓的一正電壓與一負電壓二者至少一者；以及一射頻電路，耦接至該電壓調節單元以接收該正電壓與該負電壓二者至少一者，被配置為依照該第一電壓而控制該射頻電路的至少一射頻傳輸路徑的導通狀態，其中該射頻裝置依據該第一電壓與該第二電壓二者至少一者所產生的該輸出電壓切換該射頻裝置的該至少一射頻傳輸路徑。
  16. 如請求項15所述的射頻裝置，另包括：一電容，具有一第一端耦接至該輸出節點以接收該輸出電壓，其中該電容的一第二端耦接於一參考電位。
  17. 如請求項15所述的射頻裝置，其中該射頻電路包括：一第一驅動電路，其中該第一驅動電路的一第一電源端耦接至該電壓調節單元以接收該正電壓，該第一驅動電路的一第二電源端耦接至該電壓調節單元以接收該負電壓，以及該第一驅動電 路被配置為產生相關於該第一電壓的一第一控制電壓；一第二驅動電路，其中該第二驅動電路的一第一電源端耦接至該電壓調節單元以接收該正電壓，該第二驅動電路的一第二電源端耦接至該電壓調節單元以接收該負電壓，以及該第二驅動電路被配置為產生相關於該第二電壓的一第二控制電壓；以及一射頻傳輸電路，耦接至該第一驅動電路與該第二驅動電路以接收該第一控制電壓與該第二控制電壓，被配置為依照該第一控制電壓與該第二控制電壓而控制該至少一射頻傳輸路徑的導通狀態。
  18. 如請求項15所述的射頻裝置，其中該射頻電路包括：一驅動電路，其中該驅動電路的一第一電源端耦接至該電壓調節單元以接收該正電壓，該驅動電路的一第二電源端耦接至該電壓調節單元以接收該負電壓，以及該驅動電路被配置為產生相關於該第一電壓的一第一控制電壓與一第二控制電壓；以及一射頻傳輸電路，耦接至該驅動電路以接收該第一控制電壓與該第二控制電壓，被配置為依照該第一控制電壓與該第二控制電壓而控制該至少一射頻傳輸路徑的導通狀態。
  19. 如請求項18所述的射頻裝置，其中該至少一射頻傳輸路徑包括一第一路徑與一第二路徑，該射頻傳輸電路包括：一第一射頻開關，被配置為提供該第一路徑，其中該第一射頻開關的一第一端被配置為傳輸一射頻信號，該第一射頻開關的一第二端耦接至該射頻傳輸電路的一第一射頻傳輸端，以及該第 一射頻開關的一控制端耦接至該驅動電路以接收該第一控制電壓；以及一第二射頻開關，被配置為提供該第二路徑，其中該第二射頻開關的一第一端被配置為傳輸該射頻信號，該第二射頻開關的一第二端耦接至該射頻傳輸電路的一第二射頻傳輸端，以及該第二射頻開關的一控制端耦接至該驅動電路以接收該第二控制電壓。
  20. 如請求項19所述的射頻裝置，其中該射頻傳輸電路更包括：一第一電阻，具有一第一端耦接至該第一射頻開關的該第一端與該第二射頻開關的該第一端，其中該第一電阻的一第二端用以接收一偏壓電壓；一第二電阻，具有一第一端耦接至該第一射頻開關的該第二端，其中該第二電阻的一第二端用以接收該偏壓電壓；一第三電阻，具有一第一端耦接至該第二射頻開關的該第二端，其中該第三電阻的一第二端用以接收該偏壓電壓；一第一開關，具有一第一端耦接至該第一射頻開關的該第二端，其中該第一開關的一控制端受控於該第二控制電壓，以及該第一開關的一第二端用以接收該偏壓電壓；以及一第二開關，具有一第一端耦接至該第二射頻開關的該第二端，其中該第二開關的一控制端受控於該第一控制電壓，以及該第二開關的一第二端用以接收該偏壓電壓。
TW109130227A 2019-10-17 2020-09-03 射頻裝置及其電壓產生裝置 TWI795671B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910986857.8 2019-10-17
CN201910986857.8A CN112688712B (zh) 2019-10-17 2019-10-17 射频装置及其电压产生装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202118249A TW202118249A (zh) 2021-05-01
TWI795671B true TWI795671B (zh) 2023-03-11

Family

ID=72885347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109130227A TWI795671B (zh) 2019-10-17 2020-09-03 射頻裝置及其電壓產生裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11258445B2 (zh)
EP (1) EP3809598B1 (zh)
CN (2) CN115085759B (zh)
TW (1) TWI795671B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI734221B (zh) * 2019-10-16 2021-07-21 立積電子股份有限公司 射頻裝置及其電壓產生裝置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201025836A (en) * 2008-10-28 2010-07-01 Skyworks Solutions Inc Power amplifier saturation detection
US7782116B2 (en) * 2008-09-05 2010-08-24 Fairchild Semiconductor Corporation Power supply insensitive voltage level translator
US8258853B2 (en) * 2010-06-14 2012-09-04 Ememory Technology Inc. Power switch circuit for tracing a higher supply voltage without a voltage drop
US20140176225A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Radio frequency switch circuit
US20160380632A1 (en) * 2014-09-30 2016-12-29 Skyworks Solutions, Inc. Voltage generator with charge pump and related methods and apparatus

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5010545A (zh) 1973-05-24 1975-02-03
EP0720292B1 (fr) 1994-12-29 2000-03-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dispositif terminal mobile pour télécommunication incluant un circuit commutateur
JPH08204528A (ja) 1995-01-23 1996-08-09 Sony Corp スイツチ回路及び複合スイツチ回路
FR2735927B1 (fr) * 1995-06-21 1997-08-01 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de commutation permettant de fournir selectivement des tensions de signes differents
JP3426993B2 (ja) 1999-02-03 2003-07-14 三洋電機株式会社 スイッチ回路装置
JP2001068984A (ja) 1999-08-25 2001-03-16 Nec Corp 半導体スイッチ回路及び移動体通信端末装置
US7796969B2 (en) 2001-10-10 2010-09-14 Peregrine Semiconductor Corporation Symmetrically and asymmetrically stacked transistor group RF switch
US6804502B2 (en) 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
JP2005006072A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ装置および半導体装置
JP2005006143A (ja) 2003-06-13 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路および半導体装置
KR20060048619A (ko) 2004-06-30 2006-05-18 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 고주파 스위치 회로장치
US20070085592A1 (en) * 2005-10-17 2007-04-19 Eiji Yasuda High-frequency switch circuit, semiconductor device and communication terminal apparatus
US7759915B2 (en) * 2006-02-27 2010-07-20 St-Ericsson Sa System with linear and switching regulator circuits
TWI313965B (en) 2006-05-23 2009-08-21 Circuit and fabrication structures for cmos switches
US7915946B2 (en) 2006-05-23 2011-03-29 Nec Corporation Switch circuit for high frequency signals wherein distortion of the signals are suppressed
US8093940B2 (en) 2010-04-16 2012-01-10 Sige Semiconductor Inc. System and method of transistor switch biasing in a high power semiconductor switch
CN101866635B (zh) * 2010-05-27 2012-08-08 旭曜科技股份有限公司 转压器
JP2012049962A (ja) 2010-08-30 2012-03-08 Toshiba Corp 半導体スイッチ回路
JP5366914B2 (ja) 2010-11-25 2013-12-11 パナソニック株式会社 高周波半導体スイッチ回路
US9543929B2 (en) * 2012-01-06 2017-01-10 Richwave Technology Corp. Apparatus and method for obtaining power voltage from control signals
US9231578B2 (en) 2012-01-06 2016-01-05 Richwave Technology Corp. Apparatus and method for obtaining auxiliary voltage from control signals
US9590500B2 (en) * 2014-12-10 2017-03-07 Richwave Technology Corp. Voltage generator
TWI609572B (zh) * 2015-05-15 2017-12-21 絡達科技股份有限公司 射頻切換模組的控制方法
CN105512713A (zh) * 2015-12-02 2016-04-20 青岛盛嘉信息科技有限公司 一种射频电池
CN105389530A (zh) * 2015-12-08 2016-03-09 青岛盛嘉信息科技有限公司 一种射频电路
US9613714B1 (en) * 2016-01-19 2017-04-04 Ememory Technology Inc. One time programming memory cell and memory array for physically unclonable function technology and associated random code generating method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7782116B2 (en) * 2008-09-05 2010-08-24 Fairchild Semiconductor Corporation Power supply insensitive voltage level translator
TW201025836A (en) * 2008-10-28 2010-07-01 Skyworks Solutions Inc Power amplifier saturation detection
US8258853B2 (en) * 2010-06-14 2012-09-04 Ememory Technology Inc. Power switch circuit for tracing a higher supply voltage without a voltage drop
US20140176225A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Radio frequency switch circuit
US20160380632A1 (en) * 2014-09-30 2016-12-29 Skyworks Solutions, Inc. Voltage generator with charge pump and related methods and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW202118249A (zh) 2021-05-01
CN115085759A (zh) 2022-09-20
CN112688712A (zh) 2021-04-20
EP3809598A1 (en) 2021-04-21
EP3809598B1 (en) 2023-08-02
US20210119628A1 (en) 2021-04-22
US11258445B2 (en) 2022-02-22
CN112688712B (zh) 2022-07-19
CN115085759B (zh) 2024-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5677930B2 (ja) 半導体スイッチ及び無線機器
JP6255062B2 (ja) 整流器及び電圧リミッターを備えたｒｆｉｄトランスポンダー
US9397653B2 (en) Semiconductor device
JP2010103971A (ja) 高周波半導体スイッチ装置
US7812660B2 (en) Level shift circuit
JP2012019625A (ja) 駆動回路、該駆動回路を備えた半導体装置、これらを用いたスイッチングレギュレータおよび電子機器
TWI795671B (zh) 射頻裝置及其電壓產生裝置
JP2008205901A (ja) 三角波生成回路
US10680524B2 (en) Fast-charging voltage generator
US10003326B1 (en) Ring oscillator
US6281744B1 (en) Voltage drop circuit
US9112511B2 (en) Low voltage level shifter for low power applications
CN112667012B (zh) 射频装置及其电压产生装置
JP2011065208A (ja) 定電流発生回路および該定電流発生回路を用いた半導体装置ならびに電子機器
US20060012401A1 (en) Diode circuit
US9362897B2 (en) Method and apparatus for an integrated PN-junction oscillator
CN110932670B (zh) 振荡器电路以及相关的振荡器装置
US8836382B1 (en) Mixed voltage driving circuit
US10797703B2 (en) Driving apparatus
KR20170101437A (ko) Ldo 타입의 전압 레귤레이터
US10020777B2 (en) Voltage controlled oscillator and control method thereof
EP2760134A1 (en) Level-shifting device
US7663410B2 (en) Current-mode differential transmitter and receiver
JP2014187555A (ja) 受光回路
JP2012227992A (ja) レベルシフト回路、制御回路及びｄｃ−ｄｃコンバータ