JP2013140992A - 積層ic装置のための能動的熱制御 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】積層IC装置30の熱伝導度が、その積層IC内に1つまたは複数の能動温度制御装置を構成することによって改善される。制御装置は、ペルチェ装置のような熱電(TE)装置300である。TE装置は、所定の温度範囲内に積層IC装置を維持するために、必要に応じて、熱を除去または追加するように選択的に制御されうる。能動温度制御素子は、積層IC装置内に生成されたP−N接合であってもよく、熱を横方向に移動させるように機能しうる。
【選択図】図3
Description
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
(1)積層IC装置であって、
能動回路および熱電(TE)装置を内部に構成された層を具備し、前記TE装置は、前記積層IC装置の熱的に障害のある領域と前記TE装置との間における熱流を促進する、積層IC装置。
(2)能動回路を有する少なくとも1つの他の層をさらに具備する(1)の積層IC装置。
(3)前記TE装置は、前記層のうちの1つ内に構成され、前記障害のある領域は、前記TE装置が構成されている層以外の層内に存在する(2)の積層IC装置。
(4)前記TE装置を有効にするための選択的制御信号を受信するための入力をさらに具備する(3)の積層IC装置。
(5)前記TE装置はペルチェ装置である請求項3の積層IC装置。
(6)前記TE装置から前記積層IC装置内の能動素子への電気的接続をさらに具備し、前記TE装置が前記能動素子に電力を供給できるようになされ、前記電力は前記熱的に障害のある領域からの熱流から生成される(1)の積層IC装置。
(7)積層IC装置であって、
第1および第2の層と、
前記のうちの1つ内に構成された少なくとも1つのP−N接合とを具備しており、前記接合は前記接合に対する電流の選択的印加によって前記層の少なくとも1つ内の熱的に障害のある場所へ/からのエネルギー伝達のために動作可能である積層IC装置。
(8)前記熱的に障害のある領域は、前記積層IC装置内の素子によって生成されたホットスポットである(7)の装置。
(9)前記P−N接合を有効にするための選択的制御信号を受信するための入力をさらに具備する(8)の装置。
(10)前記P−N接合はペルチェ装置を備える(8)の装置。
(11)前記P−N接合から前記積層IC装置内の能動素子への少なくとも1つの電気的接続をさらに具備し、前記P−N接合が前記能動素子に電力を供給できるようになされ、前記電力は前記熱的に障害のある場所から提供されるエネルギーから生成される(7)の装置。
(12)IC内における望ましくない熱勾配を制御するための方法であって、
前記IC内の熱的に障害のある場所と前記IC内の熱電(TE)装置との間でネルギーを流れさせること、および
前記エネルギーの流れを選択的に制御するように前記TE装置に対して電流が流れることを可能にすること、
を具備する方法。
(13)前記可能にすることは、
前記TE装置が前記エネルギーの流れから熱を除去できるようにする方向の電流を前記TE装置に供給することを具備する(12)の方法。
(14)前記可能にすることは、前記TE装置が前記エネルギーの流れに熱を送ることがきるようにする方向の電流を前記TE装置に供給することを具備する(12)の方法。
(15)前記可能にすることは、前記TE装置が前記IC内の他の素子に電力を送ることができるようにするために前記TE装置からエネルギーを除去することを具備する(12)の方法。
(16)前記熱的に障害のある場所および前記TE装置は重層IC装置の異なる層内にある(12)の方法。
(17)重層IC装置内のホットスポットから熱を除去する方法であって、
前記ホットスポットからの熱が前記重層IC装置を通じて1つの層から少なくとも1つの他の層へと前記ホットスポットからの前記熱が流れるようにすること、および
前記少なくとも1つの他の層内に構成された熱電(TE)装置が前記重層IC装置から前記熱を転送することを可能にすること、
を具備する方法。
(18)前記可能にすることは、
特定の方向における電流を前記TE装置に印加することを具備する(17)の方法。
(19)前記可能にすることは、前記TE装置からエネルギーを除去することを具備する(17)の方法。
(20) 前記重層IC装置内に構成された少なくとも1つの他の素子に前記除去されたエネルギーを印加することをさらに具備する(19)の方法。
(21)積層IC装置であって、
それぞれ内部に構成された回路素子を含む少なくとも2つの接合された層と、
前記層のうちの1つの特定の領域を選択的に加熱/冷却するために前記層のうちの少なくとも1つ内に構成された熱電(TE)装置と、
を具備する積層IC装置。
(22)前記TE装置を制御するための電流を受け取るための入力をさらに具備する(21)の積層IC装置。
(23)前記積層IC装置内の温度勾配から電気的エネルギーを生成するために前記熱電装置を制御する制御システムをさらに具備する(21)の積層IC装置。
Claims (23)
- 積層IC装置であって、
能動回路および熱電(TE)装置を内部に構成された層を具備し、前記TE装置は、前記積層IC装置の熱的に障害のある領域と前記TE装置との間における熱流を促進する、積層IC装置。 - 能動回路を有する少なくとも1つの他の層をさらに具備する請求項1の積層IC装置。
- 前記TE装置は、前記層のうちの1つ内に構成され、前記障害のある領域は、前記TE装置が構成されている層以外の層内に存在する請求項2の積層IC装置。
- 前記TE装置を有効にするための選択的制御信号を受信するための入力をさらに具備する請求項3の積層IC装置。
- 前記TE装置はペルチェ装置である請求項3の積層IC装置。
- 前記TE装置から前記積層IC装置内の能動素子への電気的接続をさらに具備し、前記TE装置が前記能動素子に電力を供給できるようになされ、前記電力は前記熱的に障害のある領域からの熱流から生成される請求項1の積層IC装置。
- 積層IC装置であって、
第1および第2の層と、
前記のうちの1つ内に構成された少なくとも1つのP−N接合とを具備しており、前記接合は前記接合に対する電流の選択的印加によって前記層の少なくとも1つ内の熱的に障害のある場所へ/からのエネルギー伝達のために動作可能である積層IC装置。 - 前記熱的に障害のある領域は、前記積層IC装置内の素子によって生成されたホットスポットである請求項7の装置。
- 前記P−N接合を有効にするための選択的制御信号を受信するための入力をさらに具備する請求項8の装置。
- 前記P−N接合はペルチェ装置を備える請求項8の装置。
- 前記P−N接合から前記積層IC装置内の能動素子への少なくとも1つの電気的接続をさらに具備し、前記P−N接合が前記能動素子に電力を供給できるようになされ、前記電力は前記熱的に障害のある場所から提供されるエネルギーから生成される請求項7の装置。
- IC内における望ましくない熱勾配を制御するための方法であって、
前記IC内の熱的に障害のある場所と前記IC内の熱電(TE)装置との間でネルギーを流れさせること、および
前記エネルギーの流れを選択的に制御するように前記TE装置に対して電流が流れることを可能にすること、
を具備する方法。 - 前記可能にすることは、
前記TE装置が前記エネルギーの流れから熱を除去するできるようにする方向の電流を前記TE装置に供給することを具備する請求項12の方法。 - 前記可能にすることは、前記TE装置が前記エネルギーの流れに熱を送ることがきるようにする方向の電流を前記TE装置に供給することを具備する請求項12の方法。
- 前記可能にすることは、前記TE装置が前記IC内の他の素子に電力を送ることができるようにするために前記TE装置からエネルギーを除去することを具備する請求項12の方法。
- 前記熱的に障害のある場所および前記TE装置は重層IC装置の異なる層内にある請求項12の方法。
- 重層IC装置内のホットスポットから熱を除去する方法であって、
前記ホットスポットからの熱が前記重層IC装置を通じて1つの層から少なくとも1つの他の層へと前記ホットスポットからの前記熱が流れるようにすること、および
前記少なくとも1つの他の層内に構成された熱電(TE)装置が前記重層IC装置から前記熱を転送することを可能にすること、
を具備する方法。 - 前記可能にすることは、
特定の方向における電流を前記TE装置に印加することを具備する請求項17の方法。 - 前記可能にすることは、前記TE装置からエネルギーを除去することを具備する請求項17の方法。
- 前記重層IC装置内に構成された少なくとも1つの他の素子に前記除去されたエネルギーを印加することをさらに具備する請求項19の方法。
- 積層IC装置であって、
それぞれ内部に構成された回路素子を含む少なくとも2つの接合された層と、
前記層のうちの1つの特定の領域を選択的に加熱/冷却するために前記層のうちの少なくとも1つ内に構成された熱電(TE)装置と、
を具備する積層IC装置。 - 前記TE装置を制御するための電流を受け取るための入力をさらに具備する請求項21の積層IC装置。
- 前記積層IC装置内の温度勾配から電気的エネルギーを生成するために前記熱電装置を制御する制御システムをさらに具備する請求項21の積層IC装置。
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