JP2013118405A - 電磁波透過性加飾部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】部品1の表面に、膜厚が100nm以下の透明体層2と、膜厚が5nm以上、波長域400nm〜800nmにおける平均透過率が65%以下かつ平均反射率が20%以上であるGe層を形成したため、電磁波を遮断することなく、十分な金属光沢を呈した電磁波透過性加飾部品が実現される。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の実施の形態1に係わる電磁波透過性加飾部品20を示す断面図で、カーナビゲーション筐体の意匠を構成する部品である。
部品1の上に膜厚が100nm以下の透明体層2と、半導体層または半金属層3が設けられている。部品1を構成する材料は、例えば、TiNのようなセラミックス基板、ポリカーボネート樹脂(PC樹脂)、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂(ABS樹脂)、PC樹脂とABS樹脂のポリマーアロイ(PC+ABS樹脂)、ポリメタクリル酸メチル(PMMA樹脂)、ポリアミド樹脂(PA樹脂)などの樹脂、またはガラス繊維などのフィラーを配合した樹脂、などの絶縁体かつ電波透過性を有するものである。なお、カーナビゲーション筐体等に用いられるこれらセラミックス部品、樹脂部品は、通常、顔料等の含有により所定の色を呈するように調整されている。
また、透明体層2は、電磁波を吸収しない非金属材料であって、波長380nm〜780nmの可視域において透明性を有するものである。例えば、SiO2、MgF2、Al2O3、AlF3、YF3、YbF3、ZnSが代表として挙げられる。
さらに、半導体層または半金属層3としてはGe、Si、α-−Sn、Se、Teが代表として挙げられ、金属光沢を呈するものであれば、特に制限はないが、電磁波に影響を及ぼさない範囲として、半導体または半金属の導電率が103S/m以下であれば、より好ましい。
ここで、半金属とは、金属性伝導を示すが、通常の金属より電気抵抗が大きい元素をいう。長周期型周期表においては、ホウ素とアスタチンを結ぶ斜めの線が金属と非金属との境界線であり、この境界線付近の元素(B、C、Si、P、Ge、As、Se、Sn、Te、Bi、Po、At)のうち、半導体(Ge、Si、α−Sn、Se、Te)を除くものを意味する。
このような薄膜形成方法は、いわゆる、抵抗加熱方式と呼ばれる方法で、基板に対する熱影響を抑制することが可能で、樹脂部品への薄膜形成に適している。この他、真空蒸着においては、材料を電子ビームにて溶融させる方法もあるが、一般的には、蒸発材料の輻射熱が大きいため、熱影響をきらう部品を用いる場合には大きな真空槽が必要になる。また、上記抵抗加熱方式での真空蒸着に際し、イオンガンやアンテナ式ボンバード装置を用いて、部品1の表面をArイオンやO2イオン等にて照射すると、透明体層2の膜密着性が向上し、好ましい。ここで、アンテナ式ボンバード装置とは蒸着室に円形コイルを設け、これを電極としてチャンバー全体にプラズマを生成させる装置を言う。
半導体層または半金属層3は透明体層2と同様にして形成することができる。特に、真空蒸着装置のような真空排気を必要とする工程においては、透明体層の形成と半導体層または半金属層の形成を連続的に行うことで、排気/大気開放の時間的ロスが生じることがないため、製造コストの上昇を抑制でき好適である。
図2から分かるように、Geは膜厚の増加と共に透過率が低下することが分かる。膜厚が5nmより厚くなると、400nm〜800nmの可視域での平均透過率が65%以下となる。発明者らの調査によれば、Ge膜厚が5nm程度から弱い金属光沢を呈し始め、10nm〜400nmではっきりとした金属光沢を呈するようになる。よって、金属光沢を呈する加飾としては400nm〜800nmの可視域での平均透過率が65%以下の場合に実現され、好ましくは5%程度以下となる。
上述の通り、発明者らの調査によれば、Ge膜厚が5nm程度から弱い金属光沢を呈し始め、10nm〜400nmではっきりとした金属光沢を呈するようになる。よって、金属光沢を呈する加飾としては400nm〜800nmの可視域での平均反射率が20%以上の場合に実現され、好ましくは40%程度以上となる。
このように、樹脂基板の場合には、添加される顔料等により様々な着色が可能である。このことは、樹脂基板のスペクトルは添加される顔料によって様々に変化し、一様ではないことを意味している。本発明はそのような問題を解決するためになされたもので、セラミックス材料表面や樹脂材料表面に、屈折率が安定している透明体層を設け、下地基板の光学特性の影響を低減し、光学シミュレーションで得られた反射特性を再現性良く実現できる電波透過型加飾樹脂基板を実現するものである。
一方、本発明の目的は金属調の電磁波透過性加飾部品を得ることにあるため、膜厚の上限については光の干渉の影響を考慮する必要がある。図6〜8より、MgF2の場合(屈折率1.38:at600nm)で約150nm、YbF3の場合(屈折率1.52:at600nm)で約150nm、ZnSの場合(屈折率2.33:at600nm)で約80nm、すなわち屈折率が1.38〜2.33(at600nm)の透明体層2の膜厚が約100nmになると干渉の影響が大きくなる。反射率特性が光の干渉の影響を受けてフラットでなくなると、色度バランスがくずれ、外観上、何らかの色を呈することを意味する。
すなわち、金属光沢を得るためには、干渉の影響が出ない範囲の透明体膜厚とすることが好ましい。以上より、概ね1.3〜2.4の屈折率(at600nm)を有する透明体層2の膜厚は100nm以下が好ましく、40nm〜100nmの範囲がより好適と言える。
すなわち、近年の携帯電話の筐体はデザイン性を重視することから、携帯電話と基地局との間で電波を送受信するためのアンテナが筐体の内部に配置されていることが多く、金属膜を形成した加飾部品は使用が制限され、筐体外観のデザイン面で制約となっていた。最近、この問題を解消するために、これら金属膜を島状に形成する、いわゆる、不連続蒸着技術が開発され、実用化されてきている。
しかしながら、装飾部80が金属色に見えるよう絶縁部81の全面に導電材料82が形成されており、導電材料82の内部には電流が流れるため装飾部80に照射される電磁波が損失を生じ、十分なアンテナ特性が得られないという問題があった。
また、一般的には、蒸着物質が不連続となるのは、〜数10Å以下程度の極薄膜においてであり、通常、100Åを超えるような膜厚においてはこれら島が接触してしまうことから、アンテナ特性が損なわれるようになる。従って、一般的には、前述の不連続蒸着には厚みの制限が存在する。膜厚に制限が存在すると、アンテナ装置の筐体のような矩形部材、曲面を有する部材の全面に均一に膜形成することが困難で、歩留まりの低下に繋がる。
この他、レーザや露光技術を用いて金属膜にパターン形成し不連続を実現する方法も考えられるが、コストが上昇するため、適用範囲は制限される。
なお、誘電率εrは1、16、50の場合について求めたが、透過損Tに対してほとんど影響しない。電磁波を十分に透過し、携帯電話としての機能を満足する透過損Tのしきい値を−0.1dB以下とすると、半導体または半金属に求められる導電率は103S/m以下であることが分かる。本実施の形態1で説明したGeまたはSiの導電率はそれぞれ2.1S/m(at 300K)、3.16×10−4S/m(at 300K)であり、いずれも103S/mよりはるかに低い。
また、半導体層または半金属層3の成膜方法として真空蒸着法を用いた方法につき説明したが、半導体層または半金属層3の製法としてはこれに限られることはなく、部品表面に熱的損傷を与えない方法であればいずれの方法でも良く、スパッタ法、イオンプレーティング法、スピンコート法などの物理的方法や、CVD法、メッキ法などの化学的方法を用いることも可能であることは言うまでもない。
さらに、上記実施の形態1においては、カーナビゲーション筐体への適用例を示したが、例えばカメラ、携帯用音楽再生機、携帯用ゲーム機、携帯用の通信機、ラジオ、テレビ、ノート型パソコン、ノート型ワープロ、ビデオカメラ、電子手帳、各種の赤外線式または無線式リモートコントローラ、電卓、自動車用電子制御機器など、各種電磁波を送受信する電子機器に適用することが可能であることは言うまでもない。
Ge、Siを代表とする半導体は電磁波のみならず、近赤外〜遠赤外光を透過する特性を有するため、例えば、赤外線センサーを利用する機器の筐体としても同様の効果を奏することは言うまでもない。
図12は本発明の実施の形態2に係わる電磁波透過性加飾部品を示す断面図で、部品1の上に透明体層2が設けられ、透明体層2の上には半導体層または半金属層としてSi層4、Ge層5からなる積層体が設けられている。かかる構成とすることで、Ge層単体よりも高い反射率が実現可能となる。
Ge単体で最も高い反射率が得られるGe膜厚32.61nm/ガラス基板よりも、所定の膜厚のSiを下地に形成し、Ge/Si/ガラス基板の構成とした場合のほうが高い反射率が得られることが分かる。最も高い反射率が得られるGe膜厚14.67nm/Si膜厚19.78nm/ガラス基板の場合で、Ge層単独の場合に比して平均で約10%程度の反射率向上が実現される。
すなわち、Ge単体の場合に比して、Ge膜厚14.67nm/Si膜厚19.78nm/ガラス基板の構成の方が色を持たない、よりクリアで明るい金属光沢が実現されることになる。発明者らの調査により、これらGe/Si/ガラス基板の構成がGe層単体に比して反射率特性に効果的であるのは、Ge層5の膜厚がほぼ35nm以下の場合に限られ、Ge層5の膜厚が35nmを超えるとGe膜厚32.61nm/ガラス基板よりも高い反射率が得られなくなることが分かっている。
また、Ge膜厚が1nm以下になると短波長域と長波長域での反射率特性のバランスがくずれ、可視域全域においてはむしろ反射率が下がることが確認されている。さらに、Si膜厚にも制限があり、5nm以下及び30nm以上の厚みではSi/Ge/ガラス基板の構成としてもGe膜厚32.61nm/ガラス基板よりも高い反射率が得られなくなることが分かっている。
以上の結果、発明者らは、ガラス基板上に5nm〜30nmのSi層4を形成し、その後、1nm〜35nmのGe層5を形成することにより、波長400nm〜800nmにおいて55%以上の平均反射率を有し、Ge層単体に比して、クリアな金属光沢を呈する電磁波透過性加飾部品が実現されることを見出した。
図14は、透明体層にMgF2を用いた場合の例で、Ge(14.67nm)/Si(19.58nm)/MgF2/TiN基板構造の電磁波透過性加飾部品の反射率をMgF2(透明体)の膜厚との関係で表した図である。図中、特性曲線101はMgF2膜厚0nmの場合、特性曲線102はMgF2膜厚20nmの場合、特性曲線103はMgF2膜厚100nmの場合、特性曲線104はMgF2膜厚150nmの場合、特性曲線105はGe(14.67nm)/Si(19.58nm)/ガラス基板の場合を表している。
すなわち、金属光沢を得るためには、概ね1.3〜2.4の屈折率(at600nm)を有する透明体層2の膜厚は60nm以下が好ましく、20nm〜60nmの範囲がより好適と言える。
Claims (9)
- 部品の表面に、膜厚が100nm以下の透明体層と、膜厚が5nm以上、波長域400nm〜800nmにおける平均透過率が65%以下かつ平均反射率が20%以上であるGe層を形成したことを特徴とする電磁波透過性加飾部品。
- 前記Ge層の膜厚が、5nmから400nmであることを特徴とする請求項1に記載の電磁波透過性加飾部品。
- 前記Ge層が、103S/m以下の導電率を有することを特徴とする請求項1または2に記載の電磁波透過性加飾部品。
- 前記透明体層の屈折率が波長600nmにおいて1.3〜2.4であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一つに記載の電磁波透過性加飾部品。
- 前記透明体層が少なくともSiO2、MgF2、Al2O3、AlF3、YF3、YbF3、ZnSのいずれかを主成分であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一つに記載の電磁波透過性加飾部品。
- 部品の表面に、膜厚が100nm以下の透明体層と、膜厚が5nm以上、波長域400nm〜800nmにおける平均透過率が65%以下かつ平均反射率が20%以上であるSi層とGe層の積層体を形成したことを特徴とする電磁波透過性加飾部品。
- 前記Si層の膜厚が5nm〜30nmかつ前記Ge層の膜厚が1nm〜35nmであることを特徴とする請求項6に記載の電磁波透過性加飾部品。
- 前記透明体層の屈折率が波長600nmにおいて1.3〜2.4であることを特徴とする請求項6または7に記載の電磁波透過性加飾部品。
- 前記透明体層が少なくともSiO2、MgF2、Al2O3、AlF3、YF3、YbF3、ZnSのいずれかを主成分であることを特徴とする請求項6から8のいずれか一つに記載の電磁波透過性加飾部品。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
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JP2002173340A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Central Glass Co Ltd | 曲げ加工用及び/又は強化加工用ガラス |
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JPH06322520A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電波と赤外線との分離板およびその製法 |
JP2002173340A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Central Glass Co Ltd | 曲げ加工用及び/又は強化加工用ガラス |
JP2003149434A (ja) * | 2002-09-06 | 2003-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外域用光学膜および光学素子 |
JP2009090639A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-30 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 電波透過性装飾部材 |
JP2010076201A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Mitsubishi Electric Corp | 電磁波透過性加飾基板および筐体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108834391A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-11-16 | 深圳市弘海电子材料技术有限公司 | 一种新型的fpc用复合型电磁屏蔽膜及其制备方法 |
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