JP2013115245A - 受発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一導電型の半導体材料から成り、傾斜面2b1およびこれに続く底面2b2で構成された窪み部2bを一主面2aに有する基板2と、基板2の一主面2aに設けられた発光ダイオード3と、窪み部2bの底面2b2に設けられた第1フォトダイオード4と、窪み部2bの傾斜面2b1に設けられた第2フォトダイオード5とを有する。
【選択図】 図1
Description
を基板2側からこの順に積層して形成されている。なお、バッファ層31の下には、後述するように基板2に不純物を拡散して形成したn型不純物拡散領域2nが存在している。
例では、複数の発光ダイオード3の配列方向と複数のフォトダイオード4,5の配列方向とに沿って、連続して設けられている。
より、エッチングにより露出する111面を傾斜面2b1とすることができる。また、エッチング時間の調整により、窪み部2bを所望の深さ、所望の大きさの底面2b2を有するものとすることができる。
体領域4p,5p,遮断領域2cを形成する領域にp型の不純物を拡散させればよい。このようにp型不純物の拡散を2段階に分けて行なうことにより、遮断領域2cの厚みを厚くすることができる。
検出することができる。
2 基板
2a 一方の主面(上面)
2b 窪み部
2b1 傾斜面
2b2 底面
2c 遮断領域
2d 溝
3 発光ダイオード
4 第1フォトダイオード
5 第2フォトダイオード
Claims (5)
- 一導電型の半導体材料から成り、傾斜面およびこれに続く底面で構成された窪み部を一主面に有する基板と、
前記基板の前記一主面に設けられた発光ダイオードと、
前記窪み部の前記底面に設けられた第1フォトダイオードと、
前記窪み部の前記傾斜面に設けられた第2フォトダイオードとを有する、受発光素子。 - 前記第2フォトダイオードは、平面視で、前記発光ダイオードと前記第1フォトダイオードとの間に設けられている、請求項1に記載の受発光素子。
- 前記基板は、前記一主面側の前記発光ダイオードが配置された領域と前記窪み部との間に溝部を有する、請求項1または2に記載の受発光素子。
- 前記基板は、前記一主面側の前記発光ダイオードが配置された領域と前記窪み部との間に設けられた逆導電型の遮断領域を有する、請求項1または2に記載の受発光素子。
- 前記発光ダイオード,前記第1フォトダイオードおよび前記第2フォトダイオードは、それぞれ複数あり、
複数の前記発光ダイオードは、直線状に配列され、
複数の前記第1フォトダイオードは、前記発光ダイオードの配列方向に沿って配置され、複数の前記第2フォトダイオードは、前記発光ダイオードの配列方向に沿って配置されている、請求項1乃至4のいずれかに記載の受発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011260297A JP5822688B2 (ja) | 2011-11-29 | 2011-11-29 | 受発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2011260297A JP5822688B2 (ja) | 2011-11-29 | 2011-11-29 | 受発光素子 |
Publications (2)
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JP2013115245A true JP2013115245A (ja) | 2013-06-10 |
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JP (1) | JP5822688B2 (ja) |
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