JP2013115123A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔2を有する絶縁板1と、貫通孔2内に配置されて、側面が貫通孔2の内側面に付着した貫通導体3とを備えており、貫通導体3の側面の一部に複数の凹部4が設けられているとともに、凹部4が設けられた部分において貫通導体3の側面と貫通孔2の内側面との間に空隙4aが設けられている配線基板である。空隙4aにおいて貫通導体3の熱膨張を吸収し、絶縁板1と貫通導体3との間の熱応力を緩和して、クラック等を抑制できる。
【選択図】 図1
Description
るとともに、該凹部が設けられた部分において前記貫通導体の前記側面と前記貫通孔の前記内側面との間に空隙が設けられていることを特徴とする。
セラミック焼結体からなる絶縁板を準備するとともに、該絶縁板を厚み方向に貫通する貫通孔を形成する第1工程と、
金属粉末を含む金属ペーストを作製するとともに、該金属ペーストを前記貫通孔内に充填する第2工程と、
前記貫通孔内の前記金属ペーストを加熱して前記金属粉末を焼結させて貫通導体とする第3工程とを備えており、
前記第3工程において、前記金属ペーストを加熱する温度を前記金属粉末同士が互いに焼結する温度として、前記焼結に伴い前記貫通導体の側面に凹部を生じさせることを特徴とする。
図1(a)は本発明の第1の実施形態の配線基板における要部を示す上面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A線における断面図である。また、図2は、図1に要部を示
す配線基板全体の一例を模式的に示す上面図である。また、図3は、図1(b)における要部をさらに拡大して示す断面図である。
もに、これらの凹部4が設けられた部分において貫通導体3の側面と貫通孔2の内側面との間に空隙4aが設けられている。空隙4aは、貫通孔2の内側面と貫通導体3の側面との間に上記凹部4が空間として存在することによって設けられている。つまり、貫通導体3の側面に設けられた凹部4が、貫通導体3の側面と貫通孔2の内側面との間の空隙4aとなっている。凹部4の形成方法については後述する。
〜0.4程度の範囲になるようにすればよい。
。図4において図1〜図3と同様の部位には同様の符号を付している。図4に示す例においては、貫通導体3が活性金属材料を含有しているとともに、貫通導体3の側面に、活性金属材料と絶縁板1との反応層6が形成されている。図4は、図1に示す配線基板の第1の変形例における要部を拡大して示す断面図である。図4において図1〜図3と同様の部位には同様の符号を付している。図4に示す例においては、貫通導体3が活性金属材料を含有しているとともに、貫通導体3の側面に、活性金属材料と絶縁板1との反応層6が形成されており、複数の凹部4の少なくとも一部が反応層6内に位置している。
が形成されていてもよい。反応層6および改質層7のいずれか一方のみであったとしても、それぞれが形成されていることによる効果は、独立して得ることができる。例えば反応層6のみが形成されている場合であっても、活性金属材料を含む銅等からなる貫通導体3と、窒化アルミニウム質焼結体からなる絶縁板1との間の熱膨張率の差を緩和する効果を得ることができる。また、改質層7のみが形成されている場合であっても、熱応力のより一層の低減等の効果を得ることができる。
図6は、本発明の第2の実施形態の配線基板における要部を示す断面図である。第2の実施形態の配線基板について、第1の実施形態の配線基板と同様の部位等については説明を省略する。
填して加熱すれば、上記形状の貫通導体3aを形成することができる。
本発明の実施形態における配線基板の製造方法について、図7を参照して説明する。図7(a)〜(c)は、それぞれ本発明の実施形態における配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。図7において図1〜図3と同様の部位には同様の符号を付している。以下の説明において、上記配線基板についての説明と同様の事項については説明を省略する。
作製したものであれば、上記金属粉末を焼結させる温度は、粉末の大きさにもよるが、約900〜1000℃程度である。
2・・・貫通孔
2a・・貫通孔
3・・・貫通導体
3a・・貫通導体
4・・・凹部
4a・・空隙
5・・・配線導体
6・・・反応層
7・・・改質層
7a・・開口部
13・・・金属ペースト
Claims (5)
- セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔を有する絶縁板と、前記貫通孔内に配置されて、側面が前記貫通孔の内側面に付着した貫通導体とを備えており、
前記貫通導体の前記側面の一部に複数の凹部が設けられているとともに、該凹部が設けられた部分において前記貫通導体の前記側面と前記貫通孔の前記内側面との間に空隙が設けられていることを特徴とする配線基板。 - 前記貫通導体が活性金属材料を含有しているとともに、前記貫通導体の前記側面に、前記活性金属材料と前記絶縁板との反応層が形成されており、前記複数の凹部の少なくとも一部が前記反応層内に位置していることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
- 前記貫通孔の前記内側面に、前記セラミック焼結体の一部が溶融再結晶してなる改質層が形成されているとともに、該改質層と前記反応層とが接合していることを特徴とする請求項2記載の配線基板。
- 前記貫通孔は、長さ方向の両端部のそれぞれから中央部にかけて漸次径が大きくなっていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の配線基板。
- セラミック焼結体からなる絶縁板を準備するとともに、該絶縁板を厚み方向に貫通する貫通孔を形成する第1工程と、
金属粉末を含む金属ペーストを作製するとともに、該金属ペーストを前記貫通孔内に充填する第2工程と、
前記貫通孔内の前記金属ペーストを加熱して前記金属粉末を焼結させて貫通導体とする第3工程とを備えており、
前記第3工程において、前記金属ペーストを加熱する温度を前記金属粉末同士が互いに焼結する温度として、前記焼結に伴い前記貫通導体の側面に凹部を生じさせることを特徴とする配線基板の製造方法。
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JP2011257840A JP2013115123A (ja) | 2011-11-25 | 2011-11-25 | 配線基板およびその製造方法 |
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